Способ определения типа фазового превращения в твердых сегнетоэлектрических кристаллах

Номер патента: 1800355

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Вандышев, Кошкин, Макаров, Сомов, Табачник, Фадеев

МПК: G01N 27/407

Метки: газоанализатора, нагрева, твердом, электролите, ячейки

...туры и стабилизацию ее осуществля тем пропускания через элект электрического тока с частотой 10 - 30 ил. онный сигнал постоянного тока от тока нагрева. Снижение частоты тока нагрева менее 10 кГц приведет к потере этихпреимуществ и, в конечном итоге, снижению точности прибора, Верхний предел ин аей тервала частот тока нагрева, равный 30 кГц, обусловлен тем, что при его повышении на- СО чнет сказываться возрастание индуктивной С составляющей цепи ячейки и электронных (, ) компонентов измерительной схемы, что мо- (Д жет привести к увеличению погрешности из- (Я мерения, (ЯСопоставительный анализ заявляемого технического решения с прототипом показал, что он отличается от прототипа тем, что электролит предварительно разогревают, осуществляя...

Номер патента: 1422094

Опубликовано: 07.09.1988

Авторы: Гриднев, Даринский, Кудряш

МПК: G01N 3/24

Метки: деформации, кристаллов, образцов, остаточной, сдвиговой, сегнетоэластических

...регулирующее устройство 6 связано с датчиками 7 и регистрирующим устройством 8.Способ осуществляют следующим образом.Образец 1, например квадратного поперечного сечения с шириной а и длиной 1, одним торцем жестко закрепляют в пассивном захвате 2. На другом торце образца 1 размещают активный захват 3 и соединяют его с крутильным маятником 4, Образец 1 помещают в герметичную камеру 5. Включают программное регулирующее устройство 6, обеспечивгющее требуемую скорость нагрева (или охлаждения) образца 1, и с помощью емкостных или фотоэлектрических датчиков 7 и прибора 8 регистрируют температурную зависимость угла , спонтанного закручивания. Величину остаточной деформации Х-. определяют по формуле25 Формула изобретения Способ...

Номер патента: 114964

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Больших, Эткин

МПК: G01N 19/00, G01N 3/18

Метки: второго, жаропрочных, металлов, модулей, образцов, первого, рода, сплавов, упругости

...печи 4 олый шток 5, соединяющи114964траверсу с электродинамическим вибратором б, изготовлены из жаропрочного сплава (фиг. 1),Преобразование механических колебаний испытуемого образца в электрические колебания с равной частотой может быть осуществлено применением любой из известных схем включения дифференциальных емкостных датчиков (фиг. 2) .В одном случае выходное напряжение генераторов может быть подано на смесительный каскад, на выходе которого может быть получено напряжение разностной частоты генераторов. Девиация частоты разностного напряжения будет происходить с частотой, равной частоте колебаний образца. Подав это напряжение на частотный детектор, получаем на выходе последнего напряжение низкой частоты, равной частоте колебаний...

Номер патента: 270015

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бадаль, Вители, Казанцев

МПК: G01R 35/00

Метки: кристаллов, линий, образцов, парамагнитного, парамагнитных, резонанса, сдвига, электронного, эпр

...образца, тем, что сдвиг линий электронного парамагнитного резонанса осуществляется путем воздействия на исследуемый образец ультразвуковых колебаний,Это улучшает условия создания в образце механических напряжений и упрощает выполнение сдвига линий ЭПР.Предлагаемый способ заключается в созда нии в образце механических ультразвуковых напряжений, которые обеспечивают модуляцию сигнала. Способ, позволяет существенно уменьшить величину помех, отказаться от мощного генератора модуляции и упростить 1 схему апектрометра. Кроме того, он позволяет по измерению амплитуды модуляции одновременно с измерением ширины линии;измерять константы спин-фононного взаимодействия. Для проведения этих измеренийсущественно меньшие (в 100 - 1000плитуды...

Номер патента: 968632

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Волкова, Танаева, Фаерман

МПК: G01J 5/50

Метки: дигидрофосфата, калия, кдр, кристаллов, нагрева, неоднородности

...лазер 1, матовую пластинку 2, кристалл КДР 3, поляриза. тор 4 и экран 5, Осуществление способа возможно в результате обнаружЕнного свойства кристаллов КДР - изменения аномальной двуосиости кристалла в зависимости от градиента температуры.Луч лазера 1, проходя через матовую пластинку 2, расширяется и попадает на кристалл КДР 3, который в силу своих оптимальных свойств Формирует на экране 5 при Положении968632 формула изобретения оставитель В.Петуховехред Т.Маточка Корректор С. Шекм Редактор Г.ус 7./6 8 Тираж 887 ВНИИПИ Государственного коми по делам изобретений и от 113035, Москва, Ж, Раушскаказ 814 Подписноета СССРытийнаб., д, 4/5 П Патент, г. Ужгород,Филиа ктная,пропускания света поляризатором 4 коноскопическую картину,...