Маньянов

Способ изготовления периодических структур на сегнетоэлектрических кристаллах

Загрузка...

Номер патента: 1782323

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Колесников, Кострицкий, Маньянов

МПК: G03H 1/18

Метки: кристаллах, периодических, сегнетоэлектрических, структур

...меньше, чем для электро нов и голограмма "живет" более длительноевремя, чем время, необходимое для работы ОЗУ. Для получения стабильной (живущей несколько лет), контрастной периодической структуры, полученную "протонобусловленную" фазовую голограмму обрабатывают врасплаве монокарбоновой кислоты, В качестве активной среды может быть взята любая монокарбоновая кислота (оксинафтойная, пальмитиновая, бензойнаяФ и др.), служащая источником ионов Н для топотактической реакции протонного заме,+ +щения О =Н, которая преимущественно протекает в областях с повышенной концентрацией протонов (по эстафетному характеру). Следствием этого является дальнейшее увеличение концентрации протонов в вышеупомянутых областях. Сегнетоэлектрический кристалл...