Борковская
Способ обработки поверхностно-барьерных структур на основе соединений
Номер патента: 921378
Опубликовано: 30.05.1983
Авторы: Борковская, Дмитрук, Конакова, Литовченко, Шаховцов
МПК: H01L 21/263
Метки: основе, поверхностно-барьерных, соединений, структур
...не вызывающих нагрева струй- туры при исходной .концентрации примеси 10 "ф - 5106 см,э.Улучшение рекомбинационных параметров эпитаксиального слон происходит вследствие радиационно-стимулированного геттерирования глубоких рекомбинационных центров (определяющих время жизни неосновных носителей тока )дефектами эпитаксиальной структуры, соаредоточенныки у границы раздела эпитаксиальный слой - металлиэирования; поверхность и выступающими в роли активных стоков и центров аннигиляции объемных дефек" тов.( Дефекты границы раздела эпитаксиальный слой - подложка также могут выступать в качестве центров геттерирования. Их роль более существенна в случае, тонких эпитаксиальных слоев ). Центрами аннигкляции могут быть либо дислокации, либо атомы...