Терморезистор

Номер патента: 305697

Опубликовано: 05.05.1978

Авторы: Гильденберг, Подносов, Френкель

МПК: A01G 9/14

Метки: краев, крепления, пленки, покрытия, поперечных, теплицы

...А фиг. 1; на фиг. 4 - схема крепления пленки на натяжном валике (узел т на фиг. 1);15На трубчатом шпросе 1 в поперечном направлении теплицы на .основаниях 2 установлены ролики 3 и 4, между которыми расположена металли.ческая шинка 5 прямоутольного сечения. По краюкровли вдоль оси теплицы установлен натяжной 2 Овалик 6, закрепленный на раэжелобчатых стойках 7каркаса теплицы в подшипниках 8 скольжения.Теплица покрыта пленкой 9,Крепление пленочного покрытия производитсяследующим образом. Край пленочного полотна наворачивается на шинку 5, которая при снятом с основания 2 ролике 3 заводится в пространство между роликами и закрепляется в этом положении установкой ролика 3 на свое место, Такое закрепление полотна производится с обеих поперечных...

Номер патента: 281650

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Текстер, Шефтель

МПК: H01L 21/40

Метки: контактов, омических, полупроводниковых, терморезисторах

...и повышения стабильности контактов в полупроводник вжигают слой серебра, обслуживают серебряный слой пристоехт из сплава индий- свинец, производят термообработку. Кроме того, припой содержи1 п и 80 - 40% РЬ; термообрабопри 250+ 50 С.Суть способа заключаегся в следующем: 5 механическая обработка поверхности на шлифовальных станках; промывка в проточной воде; нанесение пасты из окиси серебра на торцовые поверхности терморезистора; вжнгание электродов при 700 в 8 С на воздухе 10 в течение 1 О - 15 ттин; обслуживание всей поверхности контакта и припаивание красно- медных выводов методом окунания (плп с помощью паяльника). Принципиально важных является состав припоя. Используется сплав 15 индия и свинца в соотношении от 77 вес....

Номер патента: 1464047

Опубликовано: 07.03.1989

Авторы: Максимов, Максимова, Никифоров, Пронин, Родионов

МПК: G01K 7/00

Метки: пленок, полимерных, процессе, твч-нагрева, температуры

...камерырабочего конденсатора установки через отверстия в неподвижной плитеи подключаются к вторичному прибору, 40тд пленочный датчик 3 на заземленный электрод 1 устанавливают одиниэ образцов свариваемого материала 4,на пленочный датчик (сверху) - второй образец.К высокопотенциальному электроду (пластине 2) подвоцится высокочастотная энергия и производитсянагрев полимерных пленок так, какэто осуществляется при сварке. Температура, достигаемая в процессе на 50грева, регистрируется вторичным прибором.Для того, чтобы датчик це вносилсущественных искажений в тепловойрежим системы ВЧ-нагрева, необходимо55соблюдать определенные соотношениямежду толщиной датчика и расстоянием.между электродами.Прц одцородцом тецловыделеции профипь...

Номер патента: 235968

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Орг, Пильвар

МПК: B29C 47/06, B29C 47/22, B29C 47/90, B29D 9/00, B32B 31/30

Метки: декоративным, пленки, покрытием

...экструдирусмой плсики сокраият клсящис свойства.;.)сстрмдср Оси яшси нсско,)ьсими )ми;П 1 тмками, формующими пленку-покрытие в гиЛс отдслшь к полос Ниток), которы идклдд 1- В 210 тс 51 иа Осиовдиис тро 0 пр 5)РлииП 10 и пярялг 1 слш 0 ОЛ 31 Оддр 51 5 строиствм д,151 рсмлироваиия отиоитс,)ьиык корой отдсль- НЫК СЛОСВ ПЛСИСИ.Г 1 редпочтитсльио, чтооы скорот плсикипокрытия составляла 0,8 - 0,95 скоро)и илси- КИ-ОСИОВЯИИ 51.113 фи 1. 1 пок 1 зЯНЯ Обн 1 с.с )13 и рд, 1- гасмой устаиовю; на фиг. 2 формуюций м ндштук, разрез.:.)кструдер 1 фОр.уст илсику-покрытие СОСТОЯЩУ Ю ИЗ 0 Де,ШЬК Ио,001ИИ ГОК), получасмы.; при помощи мундшту к 1,5 Чун;1- штук выполнен в виде патруока с рдположенными по с.о дл шс формуОциами овсрстиями , рабочее...

Номер патента: 555278

Опубликовано: 25.04.1977

Авторы: Александров, Голованова, Кацнельсон

МПК: G01B 11/06

Метки: вакууме, испарением, нанесения, оптического, пленок, покрытия, процессе, толщин

...ПЛОСКОСТЬ Г;ЦВНОГО СЕг 1 ЕНИЯРЕШСтКН; ПЕРПЕНДИКУЛЯРНЯЯ К СЕ 1 г 1 т 12 нкам, ОРИЕ 1 П 1.рована под углом 40 50 к падающему световомуПуЧКу ЛуЧЕй, ВХОдНОй ЛЮК ОГрапнг 1 ЕН КраяМИ Иэаб.раженвятела какалаисточника света, а вь 1 ходнойЛЮК ВЬгПОЛНЕН В ВИДЕ ДнафРаГМЫ СРаЗМЕРамн, НЕПрЕВЫШаЮщИМИ ВЕЛНгл 1 НЬ 1 уКаза ЕНОГО ИЗОбражЕНИяв мопохроматическом свете,На чертеже дана схема предлагаемого устройства.Оло содержит источник света 1 (источниксплошного спектра), формирующую оптику,СОСЬящу 1 О из объективов 2,3 и 4, вакуумноплотных фотометрических окон 5 и 6 и фильтра 7, Входе луча внутри формирующей оптики установпе.на диффакционная решетка 8. Плоскость главногосечения решетки, перпендикулярная к ее штрихам,на которых происходит дифракция,...