Композиционный материал для толстопленочных резисторов

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКРЕСПУБЛИК 093 80 ПР 1 А 3(51) Н 01 С Ф,.,1 Мф ьуо коэф честве 862/ 1. 32 2 юл. Рн С азанцев Блесткисова316.8(атентС 7/00ент С лы но нг лы чающий пвольфрамродсодерлича ально ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ССПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТК К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(21) 3390 (22) 28,0 (46) 23,0 (72) М,Ю. и О,с.ден (53) 621, (56) 1. П кл, Н 012. Пат кл, Н 01 (54)(57) ДЛЯ ТОЛСТ 088.8)США Р 3839231,1976.ША Р 3480566,С 7/00, 1970 (прототип),КОМПОЗИЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛОПЛЕНОЧНЦХ РЕЗИСТОРОВ, вклюоводящую фазу, триоксидборный ангидрид и кислоащее соединение свинца, о тщ и й с я тем, что, с целью снижения температурног фициента сопротивления, в ка проводящей Фазы он содержит алюминий в качестве кислородсодержащего соединения свинца - борнокислый свинец и дополнительно содержит борнокисй барий при следующем количественм соотношении компонентов, мас.Ъ:Алюминий 2,0-4,4Борный а идрид 15,9-24,0Борнокис йсвинец 17, 7-26,0Борнокислыйбарий 17,7-26,0Триоксид вольфрама Ост еИзобретение относится к электронНной технике и может быть использовано в технологии получения композиционных материалов для толстопленочных резисторов, изготовляемых методом трафаретной печати в производст; 5ве интегральных микросхем и гибридных микросборок,Известен композиционный материалдля толстопленочных резисторов, содержащий проводящую фазу на основе 10драгоценных металлов и стеклосвяэку на основе оксидов металлов переменной валентности 1Недостаток композиционного материала состоит в относительно высоком 15температурном коэффициенте сопротивления (ТКС +500 10 6- -50010 в 1/фС),Наиболее близким к изобретениюявляется композиционный материал длятолстопленочных резисторов, содержащий проводящую фазу на основе драгоценных металлов, триоксид вольфрама,борный ангидрид и оксид свинца 2). 17,7-26,0 В таблице приведены составы исвойства шести смесей компонентов Недостаток. известного компоэицион ного материала заключается в относительно высоком ТКС (+500106 -500.10 6 1/фс),Цель изобретения - снижение ТКС.Цель достигается тем, что композиционный материал для толстопленочных резисторов, включающий проводящую фазу, триоксид вольфрама, борный ангидрид и кислородсодержащее соединение свинца, в качестве проводящей фазы содержит алюминий,. в качестве З 5 кисиородсодержащего соединения свинца - борнокислый свинец и дополнитель. но содержит борнокислый барий при следующем количественном соотношении компонентов, мас.Ъ: 40Алюминий 2,0-4,4Борный ангидрид 15,9-24,0БорнокислыйсвинецБорнокислый 45барий 17,7-26,0Триоксид воль, фрама Остальное для получения композиционного материалаКаждую смесь получают следующим образом.Оксид вольфрама (МРТу 6-09-4676- -67), алюминиевую пудру (ПАП, ГОСТ 5494-71), борнокислый свинец (мета ), водный, прокаленный до постоянного веса (МРТУ 6-0933-45-66), борнокислый барий (мета ), двухводный, прокаленный до постоянного веса (ИРТУ 6-09-1356-64), и борный ангидрид измельчают до размера частиц 3-5 мкм, смешивают, помещают в нихромовом тигле Х 20 Н 80 в муфельную печь типа СНОЛ"1 6.2, 55, 1/11, нагревают до 850-900 С в воздушной атмосфере и выдерживают в течение 3-5 мин, После остывания на воздухе полученную стекловидную массу измельчают в шаровой мельнице до размера частиц 2-3 мкм, полученный порошок смешивают с органической связкой, в качестве которой используют смесь ланолина, вазелинового масла и циклогексанола, взятых в соотношении 15:3:1 (согласно ОСТ 4,ГО,054,240 "Пасты толстопленоч. - ные"). Соотношение порошка и органической связки составляет 6:1, Полученную таким образом пасту наносят через трафарет методом трафаретной печати по ОСТ 4.ГО,054.240 на керамические подложки с коммутационным слоем.Подложки с нанесенным микрорисунком помещают в муфельную песь с воздушной атмосферой, нагревают со скоростью 15+2 ОС/мин до 650+10 С, . выдерживают в течение 5-15 мин и охлаждают на воздухе до комнатной температуры со скоростью 18-20 фС/мнн. Затем проводят измерения ТКС в соответствии с ГОСТ 15478-70, удельного электрического сопротивления и влагоустойчивости.Изобретение позволяет снизить ТКС композиционного материала для толсто- пленочных резисторов, повысить надежность использующих их микросхем и снизить их стоимость эа счет исключения драгоценных металлов иэ состава композиционного материала.+10 44,5: 2,7,7 18,12 0+10 34,1 4 О 2 8,1 255+10 22,1 1,0 200 10+15 9010 1580 2,0 25,0 6 2 24,5 Составитель Ю Техред И, Герге ерасичкинь Корректор А.фер едактор И,Мулла 5 Тираж 683НИИПИ Государственного комитета Спо делам изобретений и открытий13035, москва, Ж, Раушская наб Заказ 513/4 Подписное д. 4/5 илиал ППП "Патентф, г,Ужгород, ул.Проектная, 4 Компоненты и их содержание, мас.Ъ, в смеси А 2 Ва(В 07, РЪВ 07 ) В 707 7 Удельноеэлектрическоесопротивлениепослесинтеза,Ом/О Удельноеэлектрическоесопротивлениепослевжигания, Ом/