G11C 7/00 — Устройства для записи или считывания информации в цифровых запоминающих устройствах

Номер патента: 1148046

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Бородин, Мельников

МПК: G11C 7/00

Метки: выборки, импульсов, информации, памяти, формирователь

...с базойвыходного 11-1 з-П-транзистора и черезсоответствующий резистор с общейшиной, эмиттер выходного и П-транзистора является выходом усилителя,коллекторы входного и выходноготранзисторов являются входами усителя,источника опорного напряжения рав,на примерно 3,3 В.формирователь импульсов выборки информации из памяти работает следующим образом.На первую шину 5 питания подают стабилизированное или выпрямленное напряжение с номиналом +9 В. На вторую шину 6 питания подают стабиЪ лизированное или выпрямленное напряжение с номиналом более +6,3 В. На шину 8 опорного напряжения подают стабилизированное напряжение с номиналом около +5,7 В, Ключ 14 в исходном состоянии открыт, и напряжение на выходе формирователя равно нулю. В исходном...

Номер патента: 1153357

Опубликовано: 30.04.1985

Авторы: Баранов, Барановский, Поплевин, Проворов, Савостьянов

МПК: G11C 7/00

Метки: блоков, выборки, информации, памяти

...истокам первого и второго транзисторов,1 15335 ВНИИПИ. Тираж 584 аказ 2511/42офисное Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при построении микромощныхинтегральных схем запоминающихустройств на дополняющих .МДПтранзисторах,Цель изобретения - снижениепотребляемой мощности устройства,На чертеже представлена принципиальная электрическая схема уст- Оройства,Устройство содержит первыйвторой 2, третий 3 МДП-транзисторыпервого типа проводимости, четвертый 4 и пятый 5 1 ЩП-транзисторы 5второго типа проводимости, первый 6и второй 7 выходы устройства,разрядные выходы 8 и 9, первый10 и второй 11 входы записи, ад -ресный вход 2 устройства, выход 2013 инвертора, шину 14 питания иобщую шину 15,Устройство выборки...

Номер патента: 1156136

Опубликовано: 15.05.1985

Авторы: Бочков, Однолько

МПК: G11C 7/00

Метки: блоки, выборкой, записи, информации, памяти, произвольной

...с неинвертируюшим входом вто 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 рого двухтактного каскада, со стоком второго разряжающего транзистора 18 и с одной обкладкой второго ускоряющего конденсатора 20, вторая обкладка которого соединена с прямым входом данных 3.В качестве узла разрешения записи может служить схема, представляющая собой два последовательно включенных двухтактных каскада, где неинвертирующий вход первого каскада является первым входом узла разрешения записи, инвертируюший вход первого и неинвертирующий вход второго каскада объединены и являются вторым входом узла разрешения записи, выход второго каскада является выходом схе. мы разрешения записи.Устройство работает следующим образом.В исходном состоянии на входе сброса 1 -...

Номер патента: 1163354

Опубликовано: 23.06.1985

Авторы: Высочина, Копытов, Солод

МПК: G11C 7/00, G11C 8/00, H03K 19/20 ...

Метки: адресных, блоков, памяти, сигналов, формирователь

...на транзисторах 1 и 2 является входомформирователя, а выход подключенк затвору верхнего транзистора 7 парараэного усилителя, затвор транзис.тара 8 которого соединен с входом формирователя. Выход парафазного усилителя соединен с входом третьего инвертора (эатвор транзистора 6) и систоком транзистора ключевого элемента 10, затвор которого подключенк выходу третьего инвертора на транзисторах 5 и 6, а сток - к входувторого инвертора на транзисторахЪ и 4 и к истоку и затвору нагрузочного элемента на транзисторе 9с обеднением заряда.Формирователь работает следующим образом.При поступлении навход схемысигнала с уровнем логического нуля,транзисторы 2 и 8 закрываются и назатворетранзистора 6 устанавливается положительный потенциал. Тран 1...

Номер патента: 1169021

Опубликовано: 23.07.1985

Авторы: Кролевец, Невядомский, Стиканов, Чекалкин

МПК: G11C 11/40, G11C 7/00

Метки: записи, информации, мнсп-транзистор

...с энерОнезавнсимым хранением информа- Ц 1 И. 101 ь 0 изобрс:.ния является повышениеП 1,СНЦ)СТП э 1 ПИ 1 ИНфОРМЯЦИИ. НЯ ф 1,. 1 представлены зависимости тока иОка я МНОП-транзистора и н)С): - ни;шин информации 1 э нри фиксир )и - НЫХ З 1 ЯЧЕН 51 Х НЯГЭЯ 5 КЕНИЯ На ЗЯТ 600 И СТОК , ст И ТОКЯ В Ц.НИ СТОК стК )1 вяя 3 нри записи пнформацн 01,но и:1 вестнох у способу, кри Вя 0 - 01,131 х) предсгеехОх)м; на фиг. 2 - х ха лн)соба ЗЯПИ И 1 ПОРМЯЦИИ. ХЕ 10 060 ЗНЕ)1.,; К,", Л,н)Е " РОГ 50 1, 3111) Инан),г,- :35 зистор .), ток 5, 3 г 11,.: 4. и: 101 )д, Ож; 6:131 Ом ин кап.", г;,1 С, 1" );и) Об 01 и 11, неяе , к)111 м ОбПри записи информации одновременнос подачей управляющего напряжения назатвор 4 от устройства 1 (фиг. 2) в стоктранзистора 2...

Номер патента: 1171847

Опубликовано: 07.08.1985

Автор: Герасимов

МПК: G11C 7/00

Метки: записи, информации

...надежности устройства,На фиг. 1 приведена принципиальная электрическая схема предложенного устройства; на фиг. 2 - эпюры напряжения в характерных точках схемы.Устройство содержит блок 1 ввода информации, элементы И - НЕ 2, триггеры 3, установочную шину 4, элемент И 5, элемент НЕ 6, элемент ИЛИ - НЕ 7, шину 8 разрешения записи, выход 9, выходы 10 устройства, элемент И - ИЛИ - НЕ 11, дополнительный элемент И 12 и вход 13 установки в О,Устройство работает следующим. образом.В исходном состоянии на выходах 10 присутствует сигнал логического О, При этом, если на шине 8 разрешения записи присутствует сигнал логической 1, то с выхода элемента 5 сигнал логической 1 подается на входы элементов 2.При размыкании одной из клавиш блока 1 сигнал...

Номер патента: 1176382

Опубликовано: 30.08.1985

Авторы: Лупиков, Маслеников, Спиваков

МПК: G11C 11/4093, G11C 19/00, G11C 7/00 ...

Метки: буферное, запоминающее

...обмена, а именно: при блоке обменаф кравном 2 единиц информации (где К = =1и, и- разрядность счетчиков 4-6), коммутатор 9 устанавливается в 40 положение, при котором к Р -входу триггера 12 подключается выход К-разряда счетчика 5 адреса чтения, акоммутатор 10 при этом устанавливается в положение, при котором на входы 45 элемента ИЛИ 11 подключаются выходы К, К + 1, , и -разрядов реверсивного счетчика 6. При выполнении операции записи на информационные входы 2 устройства подается информация, подлежащая записи, в сопровождении импульса записи на первом входе управления 7 устройства, Сигнал на первом входе управления 7 устройства, воздействуя на первые входы элементов И-ИЛИ 18 и вход управления накопителя 19, обесР печивает подключение к...

Номер патента: 1181570

Опубликовано: 23.09.1985

Автор: Арнульф

МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00 ...

Метки: доменов, магнитных, считывания, цилиндрических

...цилиндрических магнитных доменов в виде колонок шевронных ап пликаций иэ ферромагнитного материала, магнитосвязанный с тонкопленочным магниторезистивным датчиком в виде прямоугольной полоски, расположен"ной между смежными колонками шевронных аппликаций перпендикулярно осидоменопродвигающего канала, В результате растяжения домена, продвигающегося в расширителе, его поле рассеяния захватывает большую площадь ивоздействует на магниторезистивныйдатчик, выполненный в виде полоски,расположенной между соседними группами шевронных аппликаций и гальванически связанной с ними 23,В известном устройстве для считывания ЦМД в результате наличия гальванического контакта между датчикоми аппликациями расширителя ЦМД значение насыщения относительного...

Номер патента: 1185396

Опубликовано: 15.10.1985

Авторы: Бочков, Кузнецова, Однолько

МПК: G11C 11/40, G11C 7/00

Метки: интегральных, подложки, смещения, схем, формировтель

...смещенияподложки содержит входной транзистор 1, управляющий транзистор 2,нагруэочный транзистор 3, выходной 15, транзистор 4 и ключевые транзисторы 5 и 6, конденсатор 7, дополнительный конденсатор 8, информационныйвход (шину) 9, управляющий вход (шину) 10, общую шину 11, шину 12 питания, выходную шину 13,Формирователь работает следующимобразом.В исходном состоянии на шине 10 -высокий потенциал, а на шине 9 - ниэ кий. Напряжение на истоке транзистора 2 равно Ц напряжение на истоке транзистора 3 Нт 1 пороговое напряжение транзистора 4). Конденсатор 7 заряжен до напряжения 30Ноак (Нвк 3 Лт), На затворе транзистора 3 - отрицательное напряжение,но не ниже Ч -Ч , транзистор 3 закрыт.Затем на шину 9 подают низкийпотенциал, а на шину 10 -...

Номер патента: 1191941

Опубликовано: 15.11.1985

Автор: Лапшинский

МПК: G11C 7/00

Метки: записи, информации, матричный, накопитель

...коммутатора 4 с входов устройства Ар (фиг. 2), а адрес слова с входов устройства Ас через коммутатор 5 - на группу первых входов коммутатора 4, С выходов коммутатора 4 адрес подается через словарный 1 и разрядный 2 дешифраторы на входы блока памяти 25,Устройство обеспечивает максимальное быстродействие при вводе адреса,При двухтактном вводе адреса (фиг. 3) сначала вводится адрес слова в гп одних разрядов регистра 7 с группы первых выходов коммутатора 6, Во втором такте по синхронизируюшему сигналч О на входе устройства ТИ 2 адрес слова записывается в гп других разрядах регистров 7 с группы вторых выходов коммутатора 6. С выходов регистра 7 полный адрес поступает на группы третьих и четвертых входов коммутатора 4,15 инверторы. Кроме того,...

Номер патента: 1198564

Опубликовано: 15.12.1985

Авторы: Владыченский, Гладков

МПК: G11C 7/00, G11C 7/10

Метки: записи, информации, оперативную, память

...кода, выходы дешифратора соединены свходами группы распределителя импульсов, выходы группы которогосоединены с соответствующими входами регистров группы и регистра, выходы блока элементов ИЛИ соединеныс соответствующими входами регистра.8564 аказ 7724/50 Тираж 583 Подписно НИИ Филиал ППП "Патент" оектная, 4 Уж. ород,1 119Изобретение относится к вычисли 1 тельной технике, а именно к устройствам для записи информации в оперативную память, и может быть использовано в координатных пультах ввода, информацииЦелью изобретения является повышение быстродействия устройства.На чертеже представлена структурная схема устройства.Устройство для записи информации в оперативную намять содержит блок 1 синхронизации, блок 2 ввода информации,...

Номер патента: 1203592

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Бабенко, Игнатьев, Мызгин, Неклюдов, Нестеров

МПК: G11C 11/40, G11C 7/00

Метки: запоминающее

...источника 5 тока. Выходы первого 3 и второго 4 дешифраторов выборки столбцов подключены соответственно к базам первых 13 и вторых 14 транзисторов усилителей считывания. 35В качестве элемента 1 памяти в запоминающем устройстве может быть использован триггер ИЛИ типа, состоящий из первого 15 и второго 16 транзисторов первого типа проводимости с перекрестно связанными базовыми и коллекторными выводами, третьего7 и четвертого 18 транзисторов второго типа проводимости и первого 19 и второго 20 резисторов, первые выводы которых являются входом элемента памяти. Второй вывод резистора 19 подклкчен к эмиттеру транзистора 15 и к базе транзистора 17, а второй вывод резистора 20 соединен с эмиттером транзистора 16 и с базой транзистора 18. Эмиттеры...

Номер патента: 1208582

Опубликовано: 30.01.1986

Авторы: Булдаков, Гладков, Макунин, Серебренников

МПК: G11C 7/00

Метки: записи, информации, оперативную, память

...92, элемент НЕ 93, счетчик 94, элемент ИЛИ 95, элемент И 96, триггер 97, регистр 98, дешифратор 99 и счетчик 100.30Блок 12 содержит схему опроса кодирующих обмоток, датчик кодов и кнопку ввода. Координатное поле блока 12 содержит зону квадратов, в которых изображены номера источников данных, Зоны квадратов разделены на восемь строк по числу входных информационных магистралей. Количество квадратов в строке равно шестнадцати по числу источников данных, подключенных к каждой информационной магистрали. Выходы регистра 17 подключенык восьми элементам индикации по числувходов 74-81, а выходы регистра 18 45подключены к шестнадцати элементаминдикации по числу разрядов последовторого дешифратора, выходы первогои второго регистров являются...

Номер патента: 1226526

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Землянухин, Халявко

МПК: G11C 7/00

Метки: сигналов, формирователь

...4 транзистор р-и-р-типа (так как У11 + У , где П - напряжение на лрямосмещенном р-и-переходе). Г 1 ри этом четвертый 4 транзистор р-и-р-типа пропускает ток на пятый транзистор 5 и-р-и-типа и второй резистор9, этот ток открывает шестой транзистор 6 и-р-п-типа, ток через этоттранзистор, разряжая ларазитные емкости, приведенные к точке соединения эмиттера второго 2 транзистораи-р-п-тила, коллектора шестого 6транзистора и-р-и-типа и шине строки2, опустит потенциал на шине строки12 до уровня потенциала ц,Режим Б аналогичен режиму Л.Режим В. На второй управляющей шине 14 присутствует потенциал 111, натретьей управляющей шине 15 - потенциал 11При этом ток дешифратора разветвляется на две цепи: на диод 7 ив базу второго транзистора...

Номер патента: 1226527

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Косоусов, Максимов, Петричкович, Филатов

МПК: G11C 7/00, H03K 5/00

Метки: импульсов, формирователь

...третий 3 и открытый девятый 9 транзисторы обеспечивают формирование логического нуля в узле А, закрывающего четвертый транзистор 4. В случае, если ЬБУ , что имеет место при выполнении условияЕ 1 п 2 ф оо четвертый транзистор 4 закрываетсяпо подложке и потенциал узла Й неизменяется.Таким образом, в результате воздействия управляющих сигналов Ф=1, Ф=О на выходе 15 сформирован импульсо подзаряда, амплитуда которого Ь Ц находится в пределах 0 с ьПЕ, причем в схеме отсутствуют сквозные токи, а выход 15 отключен от шин 11 питания и общей шины 12 закрытыми четвертым 4 и шестым 6 транзисторами. Последуюшее изменение состояния управляющих .входов 13 и 14 на противоположное, соответственно Ф=О и Ф=1 обеспечивает сохранение уровня напряожения...

Номер патента: 1238151

Опубликовано: 15.06.1986

Авторы: Ищенко, Селигей

МПК: G11C 11/401, G11C 7/00

Метки: информации, регенерации

...сигналы выборки команды (КА 8. СЛ, %Е) датчика 12 тем 50 55 Формула изобретения 5 1 О 15 20 25 30 35 40 пературы запоминающего узла, Если время периода Телег/К при данной температуре окружающей среды обеспечивает сохранность данных в датчике 12 температуры запоминаюшего узла, то с, его информационного выхода (Ро) считывается 1, что приводит к поступлению импульса с второго выхода 13 блока 9 на вход в режиме вычитания реверсивного счетчика 7 и уменьшению кода М и частоты Ь.Если время периода Тр./К при данной температуре окружающей среды не обеспечивает сохранение данных в дополнительной микросхеме памяти, то с ее информационного выхода Ро считывается О, что приводит к поступлению импульса с третьего выхода 14 блока 9 на вход в режиме...

Номер патента: 1238152

Опубликовано: 15.06.1986

Авторы: Ботвиник, Попель, Сахаров

МПК: G11C 11/409, G11C 7/00

Метки: сигналов, считывания, формирователь

...И. цдцрчжецие коллектор - эмиттер насыщенного транзистора. Это происходит, так как контур база в эмитт транзистора 2, коллектор эмиттер транзистора 15 и контур база - эмиттер транзистора 16, резистор 7 включены параллельно, а падение цдцряжения ца переходах база в эмитт различных транзисторов в интегральной технологии выдерживается достаточно одинаковым.Таким образом, в точке соединения эмиттерон транзисторов5 и 6 сформирован потенциал, равный Е -- И - И., где Енапряжение шины питания 15; И, - напряжение на переходах база - -эмиттер транзисторов. Для обеспечения оптимального уровня Г - 1,75 И, на базах транзисторов 1 и 2 недостающее падение потенциала, равное 0,75 И-, формируется на резисторе 11 за счет протекания по нему гока источника...

Номер патента: 1243029

Опубликовано: 07.07.1986

Авторы: Букчин, Далидович, Коновалов

МПК: G11C 11/401, G11C 7/00

Метки: динамической, памяти, регенерацией

...во времени с 1-м тактом регенерации, поскольку он может быть сигналом старта в рабочем цикле памяти и должен отстоять от начала цикла регенерации на время, достаточное для проведения цикла чтения или записи.При включении ключа. 4 Формирователь 5 вырабатывает одиночный импульс,который проходит через элемент И-НЕ 20 12 и устанавливает триггер 14. Позаднему фронту последнего в циклеИ-го такта регенерации устанавливается триггер 13, что разрешает прохож 25 дение 1-го такта регенерации через элементы 15 и 16 на вход счетчика 1и дешифратора 2. На выходе дешифратора 2 появляется синхроимпульс, соответствующий первому такту синхрони 3335 и т,д.При выключении тумблера 3 по заднему Фронту Ы-го такта регенерации (по завершении полного цикла)...

Номер патента: 1243038

Опубликовано: 07.07.1986

Авторы: Каперко, Караханьян

МПК: G11C 11/35, G11C 16/04, G11C 7/00 ...

Метки: записи, зарядовой, информации, прибор, связью

...при изменении поверхностного потенциала под ним. На входной диффузионной области ПЗС Формируется низкий уровень напряжения Ц 4 ы, которое меньше, чем на 0,1 В опорного напряжения Усп, подаваемого с генератора опорного напряжения на входной затвор ПЗС, При -том обеспечивается инжекция заряда из входной диффузионной области под плавающий затвор. Количество заряда, попавшего в потенциальную яму под плавающим затвором, изменяет величину поверхностного потенциала (фиг.2) от величины напряжения питания Бли до Уп , Изменяемое напряжение с плавающего затвора ПЗС подается на второй вход схемы сравнения, а напряжение входного сигнала подается на первый вход схемы сравнения и в случае равенства этих напряжений 10 5 20 25 30 35 ч 0 45 50 на выходе...

Номер патента: 1244718

Опубликовано: 15.07.1986

Авторы: Дорожкин, Макаров

МПК: G11C 7/00

Метки: считывания, уровня, формирователь

...2 - ток базы транзистора 2;К - номинал резистора 1;П. - падение напряжения на переходе база-эмиттер транзистора 2,Величина этого потенциала отличается от потенциала верхнего логического уровня в ячейке памяти накопителя (на фиг, 1 не показано) на вели. чину падения напряжения на резисторе 18.На фиг. 3 кривая А характеризует граничный случай когда. весь ток выборки втекает в ячейку 9 и не течет в транзистор 10. Кривая В соответствует случаю, когда ток выборки делится поровну - одна половина течет в ячейку 9, другая половина - в транзистор 10. Кривая С соответствует случаю, когда большая часть тока выборки течет в транзистор 10. Точки А, В С, отражают случай работы Формирователя в первом варианте выполнения (фиг. 1), не позволяющем...

Номер патента: 1246135

Опубликовано: 23.07.1986

Авторы: Ланг, Ситников

МПК: G11C 11/401, G11C 7/00

Метки: блоках, информации, микропроцессорной, памяти, регенерации, системы

...втактах дешифрации текущего кода команды можно осуществить регенерациюнекоторого количества строк ДОЗУ,Количество регенерируемых строк определяется Временем регенерации однойстроки и временем дешифрации кодакоманды. Первый анализатор 1 служитдля определения цикла считыванияслова команды и момента дешифрациикода команды на внутренних структурах. В ходе выполнения программы режимы Ожидание и Останов останави 1 11ливают процессор на некоторое время, которое также используется для регенерации ДОЗУ. Второй анализатор 2 используется для регенерации строки ДОЗУ во время между выдачей адре 124 б 135са из процессора и самим обращениемк ДОЗУ,Формирователь 8 формирует импульс,сигнализирующий второму анализатору 2 о том, что идет...

Номер патента: 1246136

Опубликовано: 23.07.1986

Автор: Черняк

МПК: G11C 11/401, G11C 7/00

Метки: динамической, памяти, регенерации

...2,3,7,16.,строк за один цикл захвата канала,Изобретение. относится к вычислительной технике и может быть использовано для регенерации динамической памяти микроЭВМ.Целью изобретения является упрощение и повышение быстродействия устройства.На чертеже представлена схема устройства для регенерации динамической памяти. Устройство работает следукнцимобразом. В исхоцном состоянии триггеры 4 и 5 сброшены, на выходах счетчика 16 и 17 - низкий уровень, на выходе 18 - высокий. блинные формирователи 7 и 8 закрыты сигналом 13,и их выходы находятся в высокоимпедансном состоянии, не препятствуя обычному режиму обмена процессора с ОЗУ.По переднему фронту импульса 19 устанавливается триггер 4, нырабаты" вая сигнал 11 требования ПДП. Центральный процессор...

Номер патента: 1247945

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Григорьев, Попель, Сахаров, Черняк

МПК: G11C 7/00

Метки: записи-считывания, информации, уровней, формирователь

...соответственно к первому 4 ивторому 5 выходу,Предлагаемый формирователь уровней записи и считывания работаетследующим образом,При поступлении на вход 1 сигнала, уровень которого превышаетуровни сигналов на входах 2 и 3,открывается транзистор 8 и черезнего протекает ток источника 6 тока,создающий падение напряжения на резисторе 12, На выходе 5 будет формироваться сигнал уровня Е, а на выходе 4 - сигнал, уровень которогониже уровня Е на величину падениянапряжения на резисторе 12, т.е.сформированы сигналы записи "О",При поступлении на вход 2 сигнала,уровень которого превышает уровнисигналов на входах 1 и 3, открывается транзистор 9 и через него протека ет ток источника 6 тока, создающийпадение напряжения на резисторе 1 Э.При этом на...

Номер патента: 1251172

Опубликовано: 15.08.1986

Автор: Герасимов

МПК: G11C 7/00

Метки: записи, информации

...И - ИЛИ 14, соответствующего букве С,формируется сигнал 1,Этот сигнал проходит через элемент И -НЕ 2, и в соответствую(цем триггере,"5устанавливается сигнал . Открытиеэлементов И - -НЕ 2 обеспечивается за счетприсутствия сигнала 1 на выходе элемента НЕ 6 и на входе 8. Сигнал 1 навходе 8 является сигчалом разрешения записк. На этом первый такт работы устройства завершается.Сигнал 1 на входе записи триггера 3должен прекратиться по времени до того,как закончатся переходные процессы в соответствующем триггере 3 В результате переброса из состояния О В. Это достигается регулировкой длктельносги одиночногоимпульса формирователя 15, который нарядусо схемой защиты от дребезга контактовсодержит также перестраиваемый одновибратор (не...

Номер патента: 1251173

Опубликовано: 15.08.1986

Автор: Романов

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: запоминающих, коммутатор, магнитных, многоканальный, сигналов, считывания, устройств

...выбранного канала.В предлагаемом коммутаторе до 16 каналов) влияние информационной помехи практически полностью устраняется ,схема по фиг. 1) или находится в допустимых 11 ределах (схема по фиг. 2) при использовании пары диодов ца каждые 24 канала. Формула зобретения Многоканальный коммутатор сигналов считывания для магнитных запоминающих устройств по авт. св. Ьо 94234, отличагощийея тем, что, с целью ювышеция помехозащищенности многоканального коммутатора, оц содержит в каждом канале ключевые элементы в виде диодов, причем аноды диодов подключены к одним выводам соОтв(тствующих вторичных обмоток трансформатора, а катоды диодов к коллекторам соответствукппих грацзисторов. иг 1( оставитель 1 Сь 1 ехред И, Верее 1 и раж 543ВНИИПИ...

Номер патента: 1029771

Опубликовано: 23.08.1986

Авторы: Плотников, Сагитов, Селезнев

МПК: G11C 13/04, G11C 7/00

Метки: мпд, основе, памяти, переключения, структур, ячеек

...тем, что в способе переключения ячеек памяти на основе МДП-р - и-структур из низкоомного в высокоомное состояние заключающемся в подаче на ячейки памяти оцновременно импульса света и электрического напряжения, на ячейки памяти воздействие импульсом света осуществляют в течение времени, превышающего время заряда емкости ячеек, при этом мощность Р импульса света определяется из выраженияР (П - 13) /К Кгде Н - напряжение на. ячейках памяти,П - напряжение выключения ячеек 5 из низкоомного состояния;К - сопротивление, включенноепоследовательно с ячейкойпамяти,Кщ - чувствительность ячейки па мяти к свету в ниэкоомномсостоянии.Предлагаемый способ переключенияячеек памяти заключается в следующем.Пусть ячейка находится в НС, т. е.15 ББ....

Номер патента: 1254557

Опубликовано: 30.08.1986

Авторы: Марков, Полин, Янкевич

МПК: G06F 9/00, G11C 7/00, G11C 8/16 ...

Метки: памятью

...второго счетчика 7 адреса, сигналы переполнения вырабатываютсяблоками 26 и 27 по сигналам толькотех разрядов счетчиков 6 и 7, которые оказываются логически подключенными к первым входам блоков 26 и 27упомянутым управляющим кодовым сигналом от входа 28 устройства,В предлагаемом примере по управляющему кодовому сигналу, соответствующему восьми регистрируемым процессам, блок 27 будет Формировать сигнал переполнения тогда, когда логические единицы установятся только в первых трех разрядах счетчика 7, Логические сигналы остальных старших разрядов счетчика 7 не будут влиять на работу блока 27, Э этом же случае сигнал переполнения будет. сформирован блоком 26 тогда, когда логические единицы установятся в 1,2(й) и (и) разрядах...

Номер патента: 1267481

Опубликовано: 30.10.1986

Авторы: Максимов, Петричкович

МПК: G11C 7/00, H03K 5/00

Метки: запоминающего, импульсов, устройства, формирователь

...в двух режимах: в режиме начальной установки и в режиме формирования импульса перезаряда.В режиме начальной установки на втором управляющем входе 7 установлен уровень "О", открывающий первый 1 транзистор. При этом второй транзистор 2 может находиться в зависимости от величины напряжения на его затворе как в открытом, так и в закрытом состоянии. Для нормального функционирования формирователя необходимо, чтобы при напрякениях на затворах первого 1 и второго 2 транзисторовсоответственно Ув, = О В, П высоотношение их проводимостей обеспечивало формирование на затворе третьего 3 транзистора напряжения, превышающего пороговое напряжение третьего транзистора. Открывающийся в этом случае третий 3 транзистор обеспечивает разряд выходной емкости...

Номер патента: 1269207

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Кандаурова, Памятных

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменами, записи, информации, магнитный, магнитными, многоосный, носитель, полосовыми

...исходного (старого) полосового магнитного домена и формирование нового домена с ориентацией Т существенно отличной от остальной части домена. Например, если в исходной системе полосовых доменов векторы 1, ориентированы почти перпендикулярно к плоскости пластины, то в перемагниченных участках домена векторы 1, могут составлять с плоскостью различные углы (например, 0,20, 35 и 55) в зависимости от кристаллографической ориентации пластины. Новый домен легко сдвигается в планарном как однородном, так и градиентном магнитном поле. Изменяя ориентацию поля Нотносительно кристаллографических осей носителя, можно создавать внутри неподвижных доме 1нов подвижные домены с отличающимися одна от другой ориентациями 1,.Новый подвижный домен в...

Номер патента: 1273996

Опубликовано: 30.11.1986

Авторы: Заболотный, Косоусов, Максимов, Петричкович, Филатов

МПК: G11C 7/00

Метки: блоков, импульсов, памяти, считывания, формирователь

...Е , транзистор первого 4 усилительного элемента не препятствует установлению низкого уровня в точке А транзистором третьего 3 элементапредзаряда, открытым высоким потенциалом на его затворе. При этом закрывающийся транзистор второго 2 элемента пред- заряда не препятствует Формированию высокого потенциала, равного напряжению Е, на входе инвертора 6, осу.ществляемому открытым транзистором первого 1 элемента предзаряда. Инвертор 6 Формирует низкий уровень на затворе транзистора второго усилительного элемента, переводя его в открытое состояние. Окончание переходных процессов в узлах схемы характеризуется отсутствием каналов сквоэнога тока - рассеиваемая мощность при этом определяется только токами утечки р-п переходов.В режиме формирования...