Формировтель напряжения смещения подложки для интегральных схем

ОЮЭ СОВЕТСКИХ ЦИАЛИСТИЧЕСНИХСОУБЛИК 18539 комитет сссрний и отк 1 ытий удю ственны ПО ДЕЛАМ ИЗОБ АВТОРСКОМ ИДЕТЕЛЬСТ истора, на ходной тр рого соеди тран авляющего транзист исто р и в кото адкойнь затвор и сто с другой обк и истоком на енсаторатранзисторвыходом фоюго и вых о очно ок которого яв ся мирователя, исток ного транзисторов шине, о т л и ч а чены к обще и й с я тем,потребляемой Ур г,ОПИСАНИЕ ИЗОБР(56) 1 ЕЕ 1 пгегпа 1 опа 1 Бо 1 Ы-Баге С 1.гси 1 гв Сопйегепсе. Р 1 дезТ оГ ТесЬп 1 са 1 Рарегз, 1979, р. 143.Электроника. 1977, уф 16, с. 36. (54)(57) ФОРМИРОВАТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ СМЕЩЕНИЯ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ . СХЕМ, содержащий управляющий транзистор, затвор которого является управляющим входом формирователя, а сток подключен к шине питания, входной транзистор, затвор которого является информационным входом формирователя, сток подключен к истоку управляющего транзистора, конденсатор, одна обкладка которого соединена с истоком о, с целью снижения мощности, в него введены дополнительный конденсатор и два ключевых транзистора, затвор первого и истоки первого и второго ключевых транзисторов соединены с затвором нагрузочного транзистора и одной обкладкой дополнительного конденсатора, другая обкладка которого соединепа с эатво" ром входного транзистора, стоки первого и второго ключевых транзисторов и затвор второго подключены к стоку нагрузочного транзистора, 1185396Изобретение относится к электронике и может быть использованов ВИС на ИДП-транзисторах,Цель изобретения - снижениепотребляемой мощности за счет устранения пороговых потерь,На фиг. 1 приведена принципиальная схема формирователя напряжения смещения подложки; на фиг. 2 -временная диаграмма работы формироваОтеля.Формирователь напряжения смещенияподложки содержит входной транзистор 1, управляющий транзистор 2,нагруэочный транзистор 3, выходной 15, транзистор 4 и ключевые транзисторы 5 и 6, конденсатор 7, дополнительный конденсатор 8, информационныйвход (шину) 9, управляющий вход (шину) 10, общую шину 11, шину 12 питания, выходную шину 13,Формирователь работает следующимобразом.В исходном состоянии на шине 10 -высокий потенциал, а на шине 9 - ниэ кий. Напряжение на истоке транзистора 2 равно Ц напряжение на истоке транзистора 3 Нт 1 пороговое напряжение транзистора 4). Конденсатор 7 заряжен до напряжения 30Ноак (Нвк 3 Лт), На затворе транзистора 3 - отрицательное напряжение,но не ниже Ч -Ч , транзистор 3 закрыт.Затем на шину 9 подают низкийпотенциал, а на шину 10 - высокий,Напряжение на истоке транзистора 2снижается до уровня земли, а на. -пряжение на истоке транзистора 3эа счет емкостной связи через40конденсатор 7 становится отрицательным, В это время растет напряжениена затворе транзистора 3 эа счет емкостной связи через конденсатор 8 и становится вьпве, чем ЧЬ +ЧТранзистор 3 открывается и происходит выравнивание потенциалов истока транзистора 3 и подложки, В конце переходного процесса затвор транзистора заряжен до напряжения ЧЬЬ +Чт что обеспечивается транзистором 5, а исток транзистора 3 заряжен до напряжения ЧЬ . Таким образом, конденсатор 7 заряжен до.напряже- ниЯ Нк н =/Ч ь /. ЗаРЯД накачиваетсЯ в подложку и равен="ьац "кон =чюв 7 чввт ) "сЧерез некоторое. время на шину 10 подают высокий потенциал, а на шину 9 - низкий. Напряжение на затворе транзистора 3 эа счет емкостной связи снижается и устанавливается на уровне Ч -Ч за счет транзистора 5, что обеспечивает надежное закрытие транзистора 3. Напряжение на истоке транзистора 2 возрастает до уровня Б 1 , а напряжение на истоке транзистора 3 возрастает и становится положительным, открывается транзистор 3 и снимает напряжение на своем истоке до уровня 0 . Конденсатор 7 заряжается до уровня Уа. Затем весь цикл повторяется. Через несколько таких тактов емкость нагрузки на выходной шине 13 заряжается до некоторого постоянного отрицательного потенциала, определяемого токами утечки, параметрами элементов устройства смещения подложки и частотой сигналов на шинах 9 и 10. Устройство работает при и-канальных транзисторах и отрицательном смещении подложки. Аналогичное устройство может быть построено и на транзисторах Р -типа.Тираж 583 Подосударственного комитета СССлам изобретений и открытийква, Ж, Раушская наб., д.