Способ записи информации в мнсп-транзистор

Номер патента: 1169021

Авторы: Кролевец, Невядомский, Стиканов, Чекалкин

ZIP архив

Текст

:" 11ТЕН з гЧ А 11 ИСИ ИННЗИСТОР,вляю(пего наранзистора,ью повышенс 1 ПИИ, ОДП(о напряжс(пда ктг тиканов екалки н СССР 1977.ение полу м и полх ройств. С (ем ам м( 7, Вь( и. оро ор ро и,5 0,ОСУДАРСТВЕННЬ(1 -.ОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОбРЕТЕНИ". :И ОТВРАТИ(" ОПИСАНИЕ ИЗОБ А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ,х 1. 658599, кл. Гз 11 С 17/00,Прцектирование и применводниковых интегральных схеводниковых запоми)(аю(пих уст(54) (57) СНОСОВ 3 ЦИИ В Ч 11 ОП-ТРА шийся в подаче уира на затвор ЧНОП-т шайс тем, что. с пс, носгп записи инфор подачей управляюпи. .ЧНОП-транзистора ток. фОРМД- заключаюпряжения отличоюия падежрсменн с ия в стк стянныйКорректор О. Лго водописоеа СССР б., д. 45Проектная, 4 Из )бр- ни От:кнт.н к электронной ВЬЧИСЛ)ГЛНШ)й Т ХИКи рсдиаЗНаЧЕНО дляпо.ьзования В микроэлектронных ЗУ с энерОнезавнсимым хранением информа- Ц 1 И. 101 ь 0 изобрс:.ния является повышениеП 1,СНЦ)СТП э 1 ПИ 1 ИНфОРМЯЦИИ. НЯ ф 1,. 1 представлены зависимости тока иОка я МНОП-транзистора и н)С): - ни;шин информации 1 э нри фиксир )и - НЫХ З 1 ЯЧЕН 51 Х НЯГЭЯ 5 КЕНИЯ На ЗЯТ 600 И СТОК , ст И ТОКЯ В Ц.НИ СТОК стК )1 вяя 3 нри записи пнформацн 01,но и:1 вестнох у способу, кри Вя 0 - 01,131 х) предсгеехОх)м; на фиг. 2 - х ха лн)соба ЗЯПИ И 1 ПОРМЯЦИИ. ХЕ 10 060 ЗНЕ)1.,; К,", Л,н)Е " РОГ 50 1, 3111) Инан),г,- :35 зистор .), ток 5, 3 г 11,.: 4. и: 101 )д, Ож; 6:131 Ом ин кап.", г;,1 С, 1" );и) Об 01 и 11, неяе , к)111 м ОбПри записи информации одновременнос подачей управляющего напряжения назатвор 4 от устройства 1 (фиг. 2) в стоктранзистора 2 подается постоянный ток,соответствующий работе запоминакнцегоМНОП-транзистора в режиме насыцения.При этом в канале транзистора создаютсяуловия для разогрева носителей зарядаи пх последующего захвата на ловушки внитриде крмния. Формирование порогово 1) напряжения вдоль канала транзистора.с)нровождаюшееся инжекциеи носителейзаряда из кала В подложку, приводит кП) г)5 РС.ЕЛЕ;И)0 НаЧаЛЬНОГО ток НР;1 Р ЯЧ Х 11 РОВ 1 1151, ОПР.ДЕЛ ЯЕЫ ОГО МТР 011 Т.5 ВО , )1 жл 1 КЗНЯЛОМ (ИСТОКОХ) И Н -ЕКОЙ (и Х МЯ ТОК)В ИСТОК И НОДЛОж К 11 91 ВНЯ гон ройтва 1. При эт)м исклк, ен р.;кое 1103);ание тока в цс;и 5 ок.1001 к;.1 И Г ОГРЯНИЧЕНИЕ Ма КМЯЛ Ыг 0о,1 Ря Ж 151 1111 ГОКЕ ТРЯНЗИСТОР 3, 01 Р.- ДСЛ 51 С) О 0 1 ЯВИННЬМИ ПРОЕССЯМ 1 Б К 1 ЯЛЕрии гор;д и инжекцией носителей зарядаиз княг 3 В О,1 ложку.

Смотреть

Заявка

3736729, 07.02.1984

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5737

КРОЛЕВЕЦ КОНСТАНТИН МИХАЙЛОВИЧ, СТИКАНОВ ВАЛЕРИЙ ЕФИМОВИЧ, НЕВЯДОМСКИЙ ВЯЧЕСЛАВ ИГОРЕВИЧ, ЧЕКАЛКИН ВАЛЕРИЙ ПЕТРОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G11C 11/40, G11C 7/00

Метки: записи, информации, мнсп-транзистор

Опубликовано: 23.07.1985

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1169021-sposob-zapisi-informacii-v-mnsp-tranzistor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ записи информации в мнсп-транзистор</a>

Похожие патенты