Формирователь импульсов для запоминающего устройства

;Р 1 1 ТР 1(;:;4 В Ф А ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ СВИДЕТЕЛЬСТВУ К АВТОРСК 4-24 мых шинами данизобретения дежности формитакже расширея. Формирователь40Я.Петричкович ельство СС 7/00, 1977 ьство СССР 7/00. П-транзистор токи первого соединены с шиитания и общейами третьего МИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ ДЛЯ ЩЕГО УСТРОЙСТВА бретение относится к ельной техники и эл(57) Изовычислитки и мож областиектрониет быть использовано при устройств для считывания строени информа щих уст осущест копителеи запоминаюкачестве элемента,з оиств и ляющего предварительныи за ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТ(46) 30,10.86, Бюл. У (72) В.А.Максимов и Я (53) 681.327.6 (088.8 (56) Авторское свидет В 582528, кл. С 11 САвторское свидетел Ф 1123056, кл, С 11 С ЯО 1267481 ряд емкостей, образуных. Целью настоящегявляется повышение нрователя импульсов,ние области примененимпульсов содержит 1 Щр и п-типа, причем ивторого транзисторовнами соответственно па их стоки - с затвор транзистора, включенного между затворами первого и второго транзисторов. Подложка третьего транзистора соединена с первым управляющим входом, затвор первого - с вторым. Формирователь импульсов работает в двух режимах: в режиме начальной установки и в режиме формирования импульса перезаряда. 1 з,н. ф-лы, 3 ил. С:Изобретение относится к вычислительной технике и электронике и может быть использовано при построении устройств для считывания информации из накопителей запоминающих устройств в качестве элемента, осуществлякщего предварительный заряд емкостей, образуемых шинами данных,Целью изобретения является повышение надежности формирователя импульсов, а также расширение области применения.На фиг. 1 приведены схемы формирователей с фиксированной (а) и управляемой (б) амплитудой импульсов; на фиг, 2 - схема включения формирователя; на фиг. 3 - эпюры входных воздействий и выходной реакции формирователя импульсов.Формирователь импульсов содержит первый 1 и второй 2, третий 3 МДП - транзисторы соответственно р- и и- типа, причем, истоки первого 1 и второго 2 транзисторов соединены с шинами соответственно питание 4 и общая 5, а их стоки - с затвором третьего 3 транзистора, включенного между затворами первого 1 и второго 2 транзисторов, Подложка третьего 3 транзистора соединена с первым управляющим входом 6, затвор первого 1 транзистора - с вторым 7.формирователь импульсов работает в двух режимах: в режиме начальной установки и в режиме формирования импульса перезаряда.В режиме начальной установки на втором управляющем входе 7 установлен уровень "О", открывающий первый 1 транзистор. При этом второй транзистор 2 может находиться в зависимости от величины напряжения на его затворе как в открытом, так и в закрытом состоянии. Для нормального функционирования формирователя необходимо, чтобы при напрякениях на затворах первого 1 и второго 2 транзисторовсоответственно Ув, = О В, П высоотношение их проводимостей обеспечивало формирование на затворе третьего 3 транзистора напряжения, превышающего пороговое напряжение третьего транзистора. Открывающийся в этом случае третий 3 транзистор обеспечивает разряд выходной емкости от Б, до О В, что приводит к эапиранию второго 2 транзистора и прекращению протекания тока через него,В режиме формирования импульса перезаряда на второй управляющий вход7 подается импульс с амплитудой11 , достаточной для запиранияпервого 1 транзистора. При этом через открытый третий 3 транзистор осуществляется заряд выходной емкости 10 до уровня, определяемого выражениемгде Б, - напряжение на затворе третьего 3 транзистора;Б, - пороговое напряжение, коэффициент влияния подложкитретьего 3 транзистора;2011 - напряжение на пергом упвкравляющем входе 6,Из выражения (1) следует, что вариация величины Бв, обеспечиваетрегулирование амплитуды входного 75сигнала ц в диапазоне от О В11 3 1-1 о Ц - У(при Б вО) .З 0 Причем,при достижении амплитуды1 вы порогового напряжения У, открывается второй 2 транзистор, обеспечивающий понижение напряжения Цна затворе третьего 3 транзистора,тем самым запирая его.Таким образом, момент окончанияформирования амплитуды выходногосигнала характеризуется наличиемзапертого третьего 3 транзистора, врезультате чего с укаэанного моментаформирователь является пассивнымэлементом, не влиякщим на процессдальнейшего увеличения напряжения навыходной емкости, осуществляемыйвнешними элементами.Функционирование формирователяимпульсов с нефиксированным потенциалом подложки третьего 3 транзистора 50(фиг. 1 а) аналогично описанному. Приэтом параметры формируемых импульсовтакже определяются выражением (1)при условии, что 11= О. ОткудаЬ1 3 1 о55Предлагаемое изобретение повышает надежность Формирователя импульсов.3 1267Формула изобретения 1. Формирователь импульсов для запоминающего устройства, содержащий первый и второй транзисторы р-типа проводимости и третий транзистор птипа, причем исток первого транзистора подключен к шине питания, второго - к общей шине, а стоки - к затвору третьего транзистора, сток 1 О которого соединен с затвором второго транзистора, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежносч 81 4ти формирователя, исток третьего транзистора соединен с затвором первого транзистора и является первым управляющим входом формирователя,2. Формирователь по п.1, о т л ич а ю щ и и с я тем, что, с целью расширения области применения формирователя за счет возможности изменения амплитуды выходных импульсов, подложка третьего транзистора является вторым управляющим входом формирователя импульсов.