Устройство для измерения параметров транзисторов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
О П И С А Н И Е 1 ч 5 О 5971ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ Союз Саветских Социалистических Ресоублик(22) Заявлено 08.04,74 (21) 2013092/26-25с присоединением заявки -1 К 31/26 Гссударстванныи комите Совета Министров ССС Приоритет(45) Дата опубликования описания 29.0 б,7 по делам изобретени и открытий) Авторы изобретени Каплан, А. ф, Заикин и урлов 1) Заявител 4) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВотнь чснии Ст ьа черИзооретение относится,к контрольно-измерительной технике, предназначенной для контроля параметров (измерения и классификации) полупроводниковых биполярных транзисторов.Известные устройства для измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте тв в Св ; и емкостей переходов транзисторов, например емкости перехода коллектор - база Св в, содержат генераторы ВЧ-сигнала, вольтметр, контактное устройство и источник питания постоянным током. В этих устройствах для перехода от измерений твв С; к измерениям С, б и обратно применяется ключ, который заземляет базу испытуемого транзистора при из- МЕРЕНИИ вв Св - В ИЛИ ПОДКЛЮЧяЕТ бяэу К токосъемному сопротивлению при измерении С. с.Недостатками известных устройств являются малая точность и низкая производительность измерений.Предложенное устройство позволяет устранить указанные недостатки благодаря тому, что между клеммой контактного устройства для подключения базы транзистора и землей включен последовательный резонансный 1.С- контур, а параллельно конденсатору этого контура подключен вольтметр. Это обеспечивает автоматические измерения высокочаспараметров без каких-либо переклюцепей контактного устройства.жтурная схема устройства приведена еже. Устройство содержит генераторы 1 и 2 ВЧ-сигнала, подключенные к коллекторной С и эмиттерной Е клеммам контактного устройства 3 соответственно. К эмиттерной клемме также подключен вольтметр 4. К базовой клемме В контактного устройства 2 подключен последовательный 1.С-контур, состоящий из индуктивности 5 и конденсатора б, Второй вывод контура заземлен. Паразитная индуктивность 7 электрического вывода базовой клеммы включена последовательно С-контуру. Параллельно конденсатору б включен вольтметр 8. Индуктивность 5 выполнена переменной (подстроечной).Рассмотрим работу устройства для случая, КОГдя ЧяСТОТя ИЗМЕрЕНИя Твв Св в И ЧЯСТОТЯ измерения С, б С, равны. В других случаях принцип проведения измерений сохраняется, а под частотой измерения понимают частоту измерения тв в 6, г.При подготовке устройства к работе последовательный 1,С-контур настраивается так, чтобы на частоте измерений резонировали суммарная индуктивность 5 и 7 и емкость конденсатора б. Контроль настройщики осущеизмеряемое вольтметна выходе генератоВ С ствляют, замкнув клеммы С - В контактного устройства 2 конденсатором с емкостью около 10 пф, а клеммы Е - В - накоротко по минимальным показаниям вольтметра 4. При измерении т С,; ВЧ-сигнал от генератора 1 попадает по цепи внутренней обратной связи испытуемого транзистора на эмиттерную клемму контактного устройства 2 и измеряется вольтметром 4. Резонансное сопротивление. последовательного 1.С-контура может быть сведено до величины менее 1 ол. Это обеспечивает короткое замыкание базы испытуемого транзистор а на землю, что соответствует методике измерения ".д/у С и устраняет влияние паразитной индуктивности 7 на результат измерений. Сказанное поясняется формулой; где У, - напряжение, измеряемое вольтметром 4;У - напряжение на выходе генератора 1;1 - частота измерений.При измерении С, б ВЧ-сигнал от генератора 1 вызывает ток через ЬС-контур. Величина тока зависит от велчины ВЧ-напряжения и от С, ;, так как резонансное сопротивление ЕС-контура мыного меньше емкостного сопротивления емкости коллектор - база испытуемого транзистора. Вольтметр 8 измеряет напряжение, пропорциональное С,-б. С, ; - емкость перехода коллектор в ба;С - емкость конденсатора 6,При измерении С, б ВЧ-сигнал от генератора 3 вызывает ток через ЕС-контур, вели чина которого зависит только от ВЧ-напряжения и от величины С,;, так как резонансное сопротивление контура много меньше емкостного сопротивления емкости эмиттер - база испытуемого транзистора. Вольтметр 8 10 измеряет напряжение, пропорциональное С, д. напряжение, измеряемое вольтметром 8;напряжение на выходе генераторами;емкость перехода эмиттер в ба;емкость конденсатора 6. Автоматический переход от измерений одного параиетра к измерениям другого осуществляется включением и выключением гене раторов 1, д и вольтметров 4, 8 без какихлибо коммутаций цепей контактного устройства. Формула изобретения Устройство для измерения параметровтранзисторов, содержащее генераторы, вольтметр и контактное устройство, о т л и ч а ющ ее ся тем, что, с целью повышения точно сти и производительности измерений, междуклеммой контактного устройства для подключения базы испытуемого транзистора и землей включен последовательный, настраиваемый резонансный 1.С-контур, а параллельно 40 ,конденсатору этого контура подключен вольтметр.
СмотретьЗаявка
2013092, 08.04.1974
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4293
КАПЛАН ГРИГОРИЙ ДАВЫДОВИЧ, ЗАИКИН АНАТОЛИЙ ФЕДОРОВИЧ, КУРЛОВИЧ ЮРИЙ АДАМОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 31/26
Метки: параметров, транзисторов
Опубликовано: 05.03.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-505971-ustrojjstvo-dlya-izmereniya-parametrov-tranzistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для измерения параметров транзисторов</a>
Предыдущий патент: Установка для испытания выключателей высокого напряжения на отключающую способность
Следующий патент: Устройство оценки динамических параметров логических схем
Случайный патент: Электропривод постоянного тока (его варианты)