Способ защиты транзисторов от вторичного пробоя

исимое от свидетельств 22) Заявлено 09.02,73 (21) 1882057/26-25(51) М. Кл. 6 31/26 исоединени аявки Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретенийи открытий 2) оритет -овано 05.02,75. Бюллетень Ъ Опубл 3) УДК 621.3(71) Заявите 4) СПОСОБ ЗАЩИТЫ ТРАНЗИСТОРОВ ОТ ВТОРИЧНОГО ПРОБОЯ2 но и техпроверке ров раз- оричного ный момент нео ий импульс в м чения в начал чить управляю Для отклю5 ходимо полу=О, Однако за исимость Уи (У,) ия управляющего уемого транзистоя необходимо поДля получен лючения испытщего напряжени Изобретение относится к электроннике и применимо при контроле иэлектрических параметров транзистоличных типов для их защиты от втпробоя.Известен способ защиты транзисторов от вторичного пробоя, заключающийся в том, что последовательно с проверяемым транзистором включают первичную обмотку дифференцирующего трансформатора. Предварительно выбирают значение производной коллекторного тока по времени, т, е. устанавливают порог, при котором должна сработать защита.В момент резкого возрастания коллекторного тока и приближения величины его производной к заранее выбранной, во вторичной обмотке трансформатора наводится э. д. с. самоиндукции - управляющий сигнал, который пропорционален величине производной коллекторного тока по времени. Полученный управляющий сигнал усиливают дифференциальным усилителем и подают на исполнительный орган, который отключает источник коллекторного питания от проверяемого транзистора.Недостаток известного способа состоит в том, что нет определенного критерия выбора фиксированного значения производной коллекторного тока по времени, при котором происходило бы срабатывание системы защиты для каждого транзистора, вследствие чего возникает большая неточность отключения транзистора в начальный момент вторичного пробоя (т. е, преждевременное отключение или5 отключение с опозданием), что снижает надежность защиты.Цель изобретения - повышение надежности и автоматическое отключение испытуемоготранзистора в начальный момент вторичного10 пробоя,Поставленная цель достигается благодарятому, что на вход испытуемого прибора подают возрастающее пилообразное напряжение ив момент, когда одновременно производные15 напряжения коллектор - эмиттер по току коллектора и по времени равны нулю, формируют управляющий импульс.Начальный момент вторичного пробоя характеризуется равенством нулю производной20 напряжения коллектор - эмиттер испытуемого459747 Предмет изобретения Составитель А. Авдонин Корректор О. Тюрина Техред О, Гуменюк Редактор Т. Орловская Заказ 948/14 Изд.463 Тираж 902 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 лучить временную зависимость изменения напряжения коллектор - эмиттер. Для этой цели необходимо иметь питающий источник возрастающего напряжения (например, по пилообразному закону). В этом случае оказывается, что производные напряжения коллектор - эмиттер по току коллектора и по времени одновременно равны нулю в момент вторичного пробояк - эк-э- =О, Р)пр прДействительно, исследования показали, что выходная характеристика транзистора со вторичным пробоем имеет участок с отрицательным сопротивлением.При подаче возрастающего напряжения питания напряжение Ук э сначала монотонно возрастает, а затем в момент вторичного пробоя (1=1 пр) резко падает, в результате чегов этот момент меИ няет знакприЙк - э+ ЖЯк-э+ ЛЯк - э - -- О, (2) к - э к - э/,=о, (3) где 1=1,Р есть корень уравнения (2), т. е.момент вторичного пробоя.Таким образом, используя условие (3),можно создать метод защиты транзисторов, 5 позволяющий вырабатывать импульс напряжения в момент начала вторичного пробоя, необходимый для запуска системы защиты и отключения высокого напряжения Ук э от испытуемого транзистора, путем дифференциро вания У, по времени. 15 Способ защиты транзисторов от вторичногопробоя при многократных испытаниях путем отключения испытуемого транзистора при подаче на вход исполнительного органа управляющего импульса, о т л и ч а ю щ и й с я тем, 20 что, с целью повышения надежности и автоматического отключения испытуемого транзистора в начальный момент вторичного пробоя, на испытуемый прибор подают возрастающее пилообразное напряжение и в момент, когда од новременно производные напряжения коллектор - эмиттер по току коллектора и по времени равны нулю, дормируют управляющий импульс.