Способ измерения коэффициента идеальности вольт-амперной характеристики диода
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик 1 ц 920581 ъ(51 М; Кл.з с присоединением. заявки )й)9 6 01 В 31/26 Государственный комитет СССР но делам изобретений и открытийОпубликовано 15,0482. Бюллетень Мо 14Дата опубликования описания 150482 С.П.Ашмонтас, Р.Б.Лапинскас и А.П.ОлекасейгОрдена Трудового Красного Знамени институт йизикттеаас 1,;,.полупроводников ай Литовской ССР(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ИДЕАЛЬНОСТИ ВОЛЬТАМПЕРНОИ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДА10 20 25 30 Изобретение относится к технике измерения параметров полупроводникой вых приборов и может быть использовано при разработкеи изготовлении полупроводниковых приборов на основе р - и-переходов и контактов металл - полупроводник.Известен способ измерения коэффициента идеальности юльтамперной характеристики (ВАХ) диода путем подачи на него импульсов тока и измерения отклонения. реальной ВАХ от иде-.альной (1) .Однако этот способ позволяет измерять коэффициент идеальности ВАХ диода только при больших напряжениях, когда ток, текущий через диод, значительно превышает ток насыщения.Наиболее близким по техническс 1 й сущности к предложенному является способ определения коэффициента идеа льности ВАХ диода путем подачи на диод постоянного смещения, малого переменного напряжения и измерения дифференциального сопротивления диода при двух различных напряжениях смещения (2 .Однако точность данного способа снижается при малых смещениях, ког.па ток, текущий через диод, не пре" вышает тока насыщения. Кроме того, известный способ требует измерения амплитуды переменного напряжения на диоде, что представляет большие труд ности в области СВЧ н также снижает точность метода.Целью изобретения является повышение точности в области малых смещений и высоких частот.Эта цель достигается тем, что в способе измерения коэффициента идеальности ВАХ диода, включающем операции подачи на диод постоянного смещения, переменного напряжения и измерения токов и напряжений на диоде при двух различных напряжениях смещения, измеряют постоянные составляющие детектируемого диодом сигнала, причем одно измерение проводят при нулевом постоянном смещении на диоде.Коэффициент идеальности определяют по Формуле:П ЕРКТЯоЩ(1)О с)огде е - зара, электрона;Ч - напряжение смещенияПу ууПо- постоянные составляющие де"тектируемого сигнала при на.личин и отсутствии смещения, соответственно;
СмотретьЗаявка
2680911, 01.11.1978
ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ АН ЛИТССР
АШМОНТАС СТЕПОНАС ПОВИЛО, ЛАПИНСКАС РАМУСИС БРОНЕВИЧ, ОЛЕКАС АНДРЮС ПРАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 31/26
Метки: вольт-амперной, диода, идеальности, коэффициента, характеристики
Опубликовано: 15.04.1982
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-920581-sposob-izmereniya-koehfficienta-idealnosti-volt-ampernojj-kharakteristiki-dioda.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения коэффициента идеальности вольт-амперной характеристики диода</a>
Способ определения параметров вольт-фарадной характеристики полупроводникового диода
Номер патента: 1817559
Опубликовано: 10.06.1996
Автор: Питанов
МПК: G01R 31/26
Метки: вольт-фарадной, диода, параметров, полупроводникового, характеристики
...и Ч;,1, и 1 - эффективные значения первой и второй гармоник тока через диод;Ч, - эффективное значение первой гармоники напряжения на диоде;у- показатель степени вольт-фарадной характеристики;Ч, -диффузионный потенциал выпрямляющего контакта диода.Осуществление предлагаемого способа поясняется с помощью устройства, показанного на чертеже и представляющего собой емкостно-омический делитель. Способ определения параметров вольтфарадной характеристики полупроводникового диода, включающий подачу на диод регулируемого обратного смещения и гармонического сигнала и измерение эффективного значения первой гармоники тока через диод, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа при одновременном повышении его информативности,...
Устройство термокомпенсации прямых характеристик полупроводниковых диодов
Номер патента: 871103
Опубликовано: 07.10.1981
Автор: Рожков
МПК: G01R 31/26
Метки: диодов, полупроводниковых, прямых, термокомпенсации, характеристик
...диоду,На фиг. 1 представлена функциональная схема предлагаемого устройствана фиг. 2 - вариант принципиальнойсхемы устройства с элементами заданиярежимов опорного диода и вычитающегоустройства, в качестве которого может 1 обыть использована схема на основе операционного усилителя с дифференциальным входом.Предлагаемое устройство (фиг. 1):соцержит генератор тока 1, опорный 15диод 2, вычитающее устройство 3 итермокомпенсируемый диод 4Ток генератора 1 проходит практически полностью через опорный диод 2, создавая опорное напряжение, поступающее2 оНа первый вход вычитающего устройства3, на второй вход которого подаетсянапряжение смещения О смС выхода вычитающего устройствана вход термокомпенсируемого диода 4поступает напряжение 0 В =(.1 о-...
Устройство для визуального контроля характеристик полупроводниковых диодов
Номер патента: 951200
Опубликовано: 15.08.1982
МПК: G01R 31/26
Метки: визуального, диодов, полупроводниковых, характеристик
...5 и б.Сплошной линией изображены диаграммы, соответствующие годному диоду, у которого напряжение лавинногопробоя при заданном уровне обратного тока, задаваемого с помощью дискриминатора б, больше нормы, задаваемой с помощью дискриминатора 5, Бракованному диоду соответствуют диаграммы (фиг.2 б,г), изображенные пунктирной линией.Обратная ветвь ВАХ исследуемого диода 4, наблюдаемая на экране осциллографа 2, представлена на фиг.З. Кривая 10 соответствует диоду, годному по напряжению лавинного пробоя при заданном уровне обратного тока Зд . Свидетельствует об этом яркостная метка на ВАХ диода, соответствующая току Лб . Кривая 11 соответствует бракованному диоду (метка отсутствует), Напряжение является порогом...
Способ измерения статической характеристики туннельного диода
Номер патента: 568912
Опубликовано: 15.08.1977
Авторы: Калинин, Пронская, Пчельников, Федоренчик
МПК: G01R 31/26
Метки: диода, статической, туннельного, характеристики
...с кристаллом в корпусе диода 2.Однако известный способ ухудшает высокочастотные свойства диода в процессе его дальнейшей эксплуатации. тчослтся к области измере к полупроводниковых приго изобретения является измерений за счет созда- емкости туннельного дио- СВЧ возбуждение и не ухудшающеи его своиств в процессе эксплуатац,ии,Это достигается тем, что по предлагаемому способу црибор погружают в электропроводную жидкость, например в насыщенный раствор соли или щелочи.Реализация описываемого способа заключается в снятии статической характеристики, надример, с помощью иэменения тока через туннелыный диод, и регистрации напряжения на нем. Туннельный диод,при этом погружают В электропроводную жидкость.Лучших результатов достигают при погру...
Способ стабилизации выходных характеристик вакуумированных диодов
Номер патента: 382172
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Биков, Казин, Копылов, Сергеев
МПК: H01J 45/00
Метки: вакуумированных, выходных, диодов, стабилизации, характеристик
...операций при обезтаживании, включающий тер мическую очистку поверхности катода, электронно-термическую очистку поверхности анода и контроль состояния поверхности анода (ее частоты) по изменению работы выхода Катода после проведения этапа электронно термической очистки анода.Последовательность операций такова: измеряют работу выхода термически очищенной поверхности катода, проводят очередной этап электронно-термической очистки поверхности З 0 анода, по ле чего вновь измеряют работу выхода катода. Наблюдаемая разница значений работы выхода катода позволяет судачить о наличии загрязнений на поверхности анода,. Указанный цикл операций проводят до тех ггор; пока не совпадут величины работ выхода катода, измеренных до и после...
Предыдущий патент: Устройство контроля качества изоляции секций конденсаторов
Следующий патент: Устройство для измерения электрофизических параметров мдп структур
Случайный патент: Генератор колебаний