Олекас

Номер патента: 920581

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Ашмонтас, Лапинскас, Олекас

МПК: G01R 31/26

Метки: вольт-амперной, диода, идеальности, коэффициента, характеристики

...(ВАХ) диода путем подачи на него импульсов тока и измерения отклонения. реальной ВАХ от иде-.альной (1) .Однако этот способ позволяет измерять коэффициент идеальности ВАХ диода только при больших напряжениях, когда ток, текущий через диод, значительно превышает ток насыщения.Наиболее близким по техническс 1 й сущности к предложенному является способ определения коэффициента идеа льности ВАХ диода путем подачи на диод постоянного смещения, малого переменного напряжения и измерения дифференциального сопротивления диода при двух различных напряжениях смещения (2 .Однако точность данного способа снижается при малых смещениях, ког.па ток, текущий через диод, не пре" вышает тока насыщения. Кроме того, известный способ требует измерения...

Номер патента: 857889

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Ашмонтас, Олекас

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, заряда, носителей, полупроводниках, релаксации, энергии

...зависимостьи т. д. Величина .в зависит от различныхфакторов, в частности от степени легирования полупроводника. 10Известен способ измерения времени релаксации энергии носителей заряда в полупроводниках, основанный на измерениях электрических параметров как на СВЧ, так и напостоянном токе, заключающийся в том,что создают специальные тестовые диодныеструктуры, содержащие п - и+ переход, пропускают через них постоянный ток и измеряют продольные и поперечные составляющие токов, по которым определяют параметры полупроводника.Недостаток этого способа заключаетсяв том, что он требует изготовления сложных тестовых структур. Известен также способ, основанный на том, что в полупроводнике создают неоднородное электрическое поле с различными...