Способ защиты мощных высоковольтных транзисторов при испытаниях на вторичный пробой

ффтеит н л ибяитек;, .:": 1 ОП ИСАИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических Республик( 1685992 К АВТОРСКОМУ СВИДВТВЛЬСТВУ 61) Дополнительное к авт. свид-ву -22) Заявлено 26.07.77 (21) 2516519/18-2 Кл . 1 К 31/26 5 с присоединением заявки Мф(23) Приоритет -юсударстееннн 1 н кееете СССР по делам нзайретеннй н открытейДК 621 382088.8) ОпубликоваДата опубли но 15.09.79. Бюллетень Ж 34ковання описания 25.09.79.Н. Р 1) Заявитель 10 СОБ ЗА 1 ЦИТЫ МОЩНЫХ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ПРИ ИСПЫТАНИЯХ НА ВТОРИЧНЫЙ ПРОБОЙ ныхиспо,Ой Изобретение относится к электронной технике и может оыть использовано при контроле, испытании и измерении электрических параметров и характеристик мощных высоковольтных транзисторов, в частности для за 1 циты их от разрушения при испытаниях на вторичный пробой. Известные способы за 1 циты транзисторов от вторичного пробоя основаны на прекращении воздействия электрического режима на испытуемый прибор в момент времени, предшествующий началу вторичного пробоя. При этом начало вторичного пробоя может фиксироваться путем контроля работы испытуемого прибора по его инфракрасному излучению 1.Однако данный способ применим лишь для испытания бескорпусных транзисторов, Кроме того, его осуществление требует использования сложной аппаратуры контроля.Известен способ определения начала вторичного пробоя по резкому увеличению уровня высокочастотных шумов испытуемого транзистора 12.Недостатком данного способа является низкая помехоустойчивость, определяемая малым уровнем измеряемых высокочастотц 1 умов, что приводит1 ьзования с,ож 110 й вЫсоко 11 1 с г" 1 О,11,н аппаратуры.Известен также способ Оиредсле.1 ця ц;1 чала вторичного проооя 11 О резком, .к,1 цченцю тока коллекто 1 эа цсп ь 1 ,1 ,О тр.:111 зцстора 31.Недостатком данно 1 О с 11 особа являет .малая эффективность за 1 цц 11,1 сц 11 тус,1 О- го транзистора, Оцред 1 лем а бис г 1 Одсй - ствиех 1 ключевых устройс 1. 111 клк; .; ющих его в момент н;1 ст 11 ле 11 ц 11 1 гг рцчцого пробоя, выражающаяс в возмож 1 п 1 гтц разрушения исцытУемо 1 о;1 рцбора в мо.мент развития вторичного пробоя.Целью изобрете 1 шя являет; ; велцче 11 цсэффективности загпнт 11 цсц 1,1; с:,1 ых транзисторов.Указанная пель достцгае 1 ся тем, что цопредлагаемому спосооу контролируют изменение тока базы испытуемого транзистора ово времени при фиксированном токе эмиттера и прекращают воздействие электри 1 еского режима в момент прохож.1 ецця мгновенного значения производной тока базы черезчоль685992 Формула изобретения Составитель И.Музанов Редактор И, Шубина Техред О. Луговая Корректор Н. Степ Заказ 5453/46 Тираж 090 Подписное ЦН И И П И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб. д, 4/5 филиал П П П Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 43В основе описываемого способа защиты мощных высоковольтных транзисторов от вторичного пробоя лежит зависимость коэффициента прямой передачи транзистора от температуры и плотности тока в структуре кристалла, причем характер этой зависимости различен для обоих факторов.При фиксированном токе и напряжении коллектора транзистора под воздействием электрического режима происходит разогрев кристалла и коэффициент прямой передачи транзистора монотонно увеличивается, что сопровождается уменьшением тока базы. При определенном электрическом режиме разогрев структуры кристалла транзистора из-за наличия в ней неоднородностей приводит к локализации тока коллектора и изменению плотности тока, протекающего через структуру прибора.Это, в свою очередь, приводит к значительному уменьшению коэффициента передачи транзистора и, соответственно, к нарушению монотонности изменения тока базы испытуемого транзистора, а именно к изменению знака производной тока базы по времени. Г 1 родолжение воздействия электрического режима приводит к само- разогреву локализованной области структуры и, как результат, к вторичному нробою транзистора. У тех экземпляров приборов, которые не выдерживают испытаний, наблюдаются эффекты, приводящие к развитию вторичного пробоя. Фиксация начала 4вторичного пробоя и своевременное прекращение воздействия электрического режима на испытуемые приборы исключает возможность их разрушения в процессе испытаний и позволяет разбраковывать транзисторы не только по принципу годен-негоден, но и по величине пробивного напряжения. Способ защиты могцных высоковольтных транзисторов при испытаниях на вторичный пробой путем прекращения воздействия электрического режима на испытуемый прибор в момент времени, предшествующий началу вторичного пробоя, отличающийся тем, что, с целью увеличения эффективности защиты, контролируют изменение тока базы испытуемого транзистора во времени при фиксированном токе эмиттера и прекращают воздействие электрического режима в момент прохождения мгновенного значения производной тока базы через ноль. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе1. Патент США3867697, и кл. Ст 01 Е 31/26, 1975.2, Авторское свидетельство СССР554512, кл. Сз 01 К 31/26, 1975.3. Авторское свидетельство СССР251094, кл. 6 01 К 31/26, 1966(прототип).