Способ измерения пробивного напряжения между эмиттером и коллектором транзисторов при повышенной температуре

Союз СоветскихСоциалистицескихРеспублик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ Н ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ; 16693 ОО(51) М. Кл 2. 6 01 К 31/26 Государственный каиетет СССР по делам нзобретеннй н открытнй(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПРОБИВНОГО НАПРЯЖЕНИЯМЕЖДУ ЭМИТТЕРОМ И КОЛЛЕКТОРОМ ТРАНЗИСТОРОВПРИ ПОВЫШЕННОИ ТЕМПЕРАТУРЕ Изобретение относится к производству полупроводниковых цриооров и может быть использовано для разораковки транзисторов по пробивному напряжению.Известен способ измсрецпя пробивного напряжения(вк)Юен между эмнттером и коллектором тра нзисторов1. Однако этот способ позволяет определять ве 1 сее лишь при температуре окружающей среды.Известен способ определения .(ве)СЖ при повышенной температуре путем измерения коллекторного напряжения при заданных уровнЕ коллекторного тока и сопротивлении, шунтирующем эмиттерный переход 2. Однако его недостатками являются высокая трудоемкость и низкая производительность, связанные с установкой испытуемых транзисторов в термокамере и с установлением теплового равновесия внутри нее.Целью изобретения является упрощение измерений и повышение производительности.Это достигается тем, что воздействие температуры моделируется путем задания в базовой цепи постоянного тока от внешнего источника, величина которого определяется при испытании эталонного транзистора и поддерживается постоянной для да- ного типа транзистора.Как правило, начало пробоя определяютусловцо, например црц токе коллектора 1 с =- =- 1 Ососо - ачальный ток коллектора).При в 1 ораццых 7 ежцмах цзмсреццц эмцттерный переход заперт и коэффициент перс.дачи по току с - О. т. е. усилительные свойств ва транзисторов це сказываютсц ца величине Цве)сей на данном уровне с. Нагрев уменьшает прямое падение на р-п персходс. Ток от внешнего источника, протекая через эмцттерный переход и (в основном через сопротивление, включенное между базой ц эмцттером, смегцает эмпттерный переход в прямом направлении, что эквивалентно 5 воздействию температуры. Поэтому ток отвнешнего источника ге, задаваемый в базовой цепи, является мерой моделируемой температуры. Соответствие между температурой Т 1 и гщ, -- 1 устанавливается опытным путем посредством измерения известным способом для одного транзистора данного типа зависимостей И(ве)свг = 1 Т) и кве)сеегГ:Т= (гем)669300 Формула изобретения Составитель И. Гуляев Редактор О. Степина Техред О, Луговая Корректор Е. Папи Заказ 3653/37 Тираж 1089 Подписное ЦН И И П И, Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий3035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал П П П Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4(То - комнатная температура) с помощьюсоотношения0 я)сеф,/т-тд,:, 1.)(вя)сея/т:ч;згн: з,На чертеже показана электрическаяструктурная схема устройства для реализации предлагаемого способа.5Устройство содержит контактную колодку с клеммами 1,2,3 для подключения выводов коллектора, базы и эмиттера соответствснно, генератор 4 импульсов испытательного напряжения, измеритель 5 напряженияпробоя, эталонный резистор 6, пороговоеустройство 7, ус ил ител ь 8, модели рую щи йблок 9, базовый резистор (К) 1 О.Моделирующий блок 9 создает ток в базовой цепи. От генератора 4 испытательныеимпульсы подаются на коллектор транзистора. При достижении 1 С заданной величинысрабатывает пороговый элемент 7, выходнойсигнал которого усиленный усилителем 8,поступает на управляющие входы генератора 4 и измерителя 5. 1 ри этом фиксируется20напряжение пробоя и снимается испытательное напряжение.Грименение предлагаемого способа позволяет снизить трудоемкость и затраты электроэнергии, и также повысить производительность измерений 1.)при повышеннойтемпературе. Способ измерения пробивного напряжения между эмиттером и коллектором транзисторов при повышенной температуре путем измерения коллекторного напряжения при заданных уровне коллекторного тока и сопротивлении, шунтируюшем эмиттерный переход, отличающийся тем, что, с целью упрощения измерений и повышения производительности, воздействие температуры на прибор моделируется путем задания в базовой цепи постоянного тока от внешнего источника, величина которого определяется при испытании эталонного транзистора и поддерживается постоянной для данного типа транзистора. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе. Авторское свидетельство СССР Ло 307360, кл. 6 01 К 3/26, 21.06.71.2. ОСТ 1 а АО,336.011-72.