Пестрякова
Способ получения амида ацетоуксусной кислоты
Номер патента: 1557962
Опубликовано: 30.10.1994
Авторы: Бараева, Брюске, Пестрякова
МПК: C07C 231/04, C07C 233/30
Метки: амида, ацетоуксусной, кислоты
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АМИДА АЦЕТОУКСУСНОЙ КИСЛОТЫ взаимодействием дикетена с водным аммиаком, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода и улучшения качества целевого продукта, процесс проводят при массовом соотношении дикетена, аммиака и воды 1 : 0,22 : (3,8 - 5,7) и при температуре 10 - 20oС.
Устройство для моделирования работы полупроводникового прибора
Номер патента: 1599877
Опубликовано: 15.10.1990
Авторы: Андреев, Баранов, Валитов, Каширин, Пестрякова
МПК: G06G 7/48
Метки: моделирования, полупроводникового, прибора, работы
...увеличивается ток через транзистор 1, который, в свою очередь, является базовым током транзистора 2,5 при этом выходное сопротивление транзистора 2 также уменьшается, что соответствует меньшему значению напряжения стабилизации устройства, ВАХ модели стабилитрона в прямом направлении определяется диодом 5.1С помощью модели стабнлитрона можно устанавливать напряжение стабилизации от 0,7 до 15 В.Измерение ВАХ устройства осущест" вляется с помощью прибора Л 2-56. Регулировка устройства для моделирования работы полупроводникового при.бора под определенный тип стабилитрона осуществляется прибором Л 2-5 б по, виду ВАХ, Напряжение стабилизации выставляется путем изменения сопротивпения резистора 4 и получения необходимого соотношения номиналов...
Шариковая передача
Номер патента: 1368544
Опубликовано: 23.01.1988
Авторы: Зайцев, Колесников, Пестряков, Пестрякова
...угловохвата р и 1 с колесами взаимодействует максимально возможное число шариков одновременно. Это обстоятельство позволяет использовать шарики 10одновременно в качестве опор вращаю 2 Б щихся колес на корпус (угол охвата,больший 180, обеспечивает постоянство межосевого расстояния колес придействии радиальных нагрузок). Отсутствие необходимости в специальныхопорах для колес и валов сокращаетгабариты и упрощает конструкцию передачи,1 136Изобретение относится к машинотроению и может быть использованомеханических передачах,Целью изобретения является повыение долговечности и сокращениеабаритов шариковой передачи.Положительный эффект достигаетсяа счет уменьшения износа колес путемнижения удельной нагрузки на их раочую поверхность и...
Устройство для определения коэффициентов влияния параметров элементов на выходные параметры радиоэлектронных схем
Номер патента: 1348851
Опубликовано: 30.10.1987
Авторы: Андреев, Баранов, Валитов, Пестрякова
МПК: G06F 17/00
Метки: влияния, выходные, коэффициентов, параметров, параметры, радиоэлектронных, схем, элементов
...4 реагируУ5 ющего лишь на те номера сигналов, поступающих со счетчика 8, которые соответствуют установленным значениям данного канала варьирования. После сборки заданного варианта исследуемой 1 р схемы и задания значения параметра элемента схемы с выхода исследуемой схемы значение выходного параметра передается в АЦП 12, который преобразует измеренную аналоговую величину в цифровой код. После того как АЦП 12 преобразует измеренную аналоговую величину в цифровой код, он выдает сигнал "Конец преобразования", который поступает в счетчик 8, в котором увеличивается номер ячейки блока 3 памяти параметров элементов на единицу, Тот же сигнал Конец преобразования" поступает в схему 10 задержки, которая вырабатывает импульс, длительность...
Устройство для моделирования биполярного транзистора
Номер патента: 1251123
Опубликовано: 15.08.1986
Авторы: Андреев, Баранов, Валитов, Волков, Каширин, Пестрякова
МПК: G06G 7/62
Метки: биполярного, моделирования, транзистора
...ивторого транзисторнь:х уо.ипителейобъединены,40 зовые токи и коэффициенты передачи50усилительных транзисторов, определяИзобретение относится к радиоэлектронике, точнее к исследованию и измерению параметров транзисторов, и моможет быть использовано для анализаработоспособности радиоэлектронных 5устройств в условиях понижения температуры.Целью изобретения является повышение точности моделирования входнойхарактеристики при пониженной темпера туре путем улучшения ее линейности вобласти малых токов,На чертеже представлена схема предлагаемого устройства,Устройство для моделирования биполярного транзистора содержит два усилительных транзистора 1 и 2разного типа проводимости) и токозадающий переменный резистор 3, одновре менно включенный в...
Способ получения пористого проницаемого материала
Номер патента: 1212497
Опубликовано: 23.02.1986
Авторы: Белов, Ксенофонтов, Пестрякова, Спиридонов
МПК: B01D 39/12
Метки: пористого, проницаемого
...величи"ну относительной степени обжатия пакета сеток Е , то сварочный контакт 35будет вытравлен и произойдет расслаивание материала,Уменьшение диаметрапроволокипосле травления влечет за собой увеличение пористости и размеров пор 40пористого сетчатого материала, аследовательно, и снижение тонкостифильтрации, Для получения фильтроматериала с первоначальной тонкостьюфильтрации его дополнительно уплотняют, При этом происходит внедрениетретьего слоя сетки в дервый и второй слой, перекрывая увеличение порыпосле травления.Г р и м е р,Образцы, полученные 50прокаткой пакета проволочной тканойметаллической сетки 0071 из сталиОЗХ 18810 Т в 7 слоев при температуре1200 С, помещают в ванну с травильный раствором 500 мл кислоты соляной...
Устройство для моделирования радиоэлектронных схем
Номер патента: 1196911
Опубликовано: 07.12.1985
Авторы: Валитов, Волков, Каширин, Пестрякова
МПК: G06G 7/625
Метки: моделирования, радиоэлектронных, схем
...блока управления соединены соответственно с группой информационных входов блока индикации,6911 Ф 119Изобретение относится к автомати-.ке, электронике и вычислительной технике и может быть использовано дляисследования электронных схем,Цель изобретения - повышение быстродействия й расширение диапазона измвнения моделируемых параметров.На фиг.1 представлена схема устройства; на фиг.2 - схемы блоков управления и набора реализаций. 10Устройство состоит из блока 1 управления, схемы 2 сравнения, блока 3индикации, блока 4 набора реализаций(БНР ), наборного пОля 5 (НП ), блокаизмерения (БИ ) 6, счетчика 7 числа15испытаний, счетчика 8 числа положительных исходов,Блок управления содержит кнопочный пульт 9 ввода информации, три дешифратора 10,...
Устройство для моделирования входных характеристик транзистора
Номер патента: 1049932
Опубликовано: 23.10.1983
Авторы: Андреев, Баранов, Валитов, Волков, Каширин, Курносова, Пестрякова
МПК: G06G 7/62
Метки: входных, моделирования, транзистора, характеристик
...одновременное изменение входного сопротивления и коэффициента передачи ро по току, что не позволяет моделировать поведение транзистора при повышенной температуре.Наиболее близким по технической сушности к изобретению является устройство для моделирования полупрофводникового элемента, содержащее транзистор, в эмиттерную цепь которово включен переменный резистор., а также дополнительный транзистор, в базу которого включена диодно-реэистивная цепочка, резистор которой и нижний вывод переменного сопротив. ,ления объединены с эмиттером составного транзистора 2 .Недостаток известного устройства заключается в неточности имитации входной характеристики из;за наличия в цепи Едвух р- П переходов.Цель изобретения - повышение точности...
Модель биполярного транзистора
Номер патента: 982030
Опубликовано: 15.12.1982
Авторы: Андреев, Баранов, Валитов, Волков, Зельцер, Каширин, Пестрякова
МПК: G06G 7/62
Метки: биполярного, модель, транзистора
...переменный резистор, ксцшекторный щвывод первого транзистора объединен сбазовым вывопом второго транзистораи яьпяется базовым выводом моделиэмиттерные выводы обоих транзисторовобъединены, а ксдлекторный вывод второго 2 зтранзистора является коплекторным выводом модели, дополнительно введен диод,анод которого соединен с объединеннымиэмиттерными выводами транзисторов, акатод является эмиттерным выводом мо- ЗйделивНа чертеже представлена схема темпе-,ратурной модели биполярного транзистора,Модель состоит из транзистора 1, вбазовую цепь которого включен переменный резистор 2 одновременно включенный в базовую цепь транзистора 3, эмигтеры транзисторов, 1 и 3 соединены санодом диода 4, катод которого являетсяэмиттером модели 3, коллектор...
Устройство для моделирования полупроводникового элемента
Номер патента: 963005
Опубликовано: 30.09.1982
Авторы: Андреев, Баранов, Валитов, Волков, Зельцер, Каширин, Пестрякова
МПК: G06G 7/62
Метки: моделирования, полупроводникового, элемента
...объединены и являются коллекторным выво-дом устройства, анод выпрямительногодиода подключен к базовому выводувходного усилительного транзистора,а катод выпрямительного диода подключен к первому выводу корректирующегорезистора, второй вывод которого и 35второй вывод переменного резистораобъединены с эмиттерным выводом дополнительного усилительного транзистора и являются эмиттерным выводомустройства, база дополнительного 40усилительного транзистора соединенас подвижным выводом переменного резистора, а база входного усилительного транзистора является базовымвыводом устройства, 45На чертеже представлена электрическая схема устройства.Устройство состоит из входногоусилительного транзистора 1, дополнительного усилительного транзистора 2,...
Устройство для моделирования биполярного транзистора
Номер патента: 928376
Опубликовано: 15.05.1982
Авторы: Валитов, Волков, Зельцер, Пестрякова
МПК: G06G 7/62
Метки: биполярного, моделирования, транзистора
...биполярного транзистора, содержащее первый; транзистор, и переменный резистор, о т -л и ч а ю щ е е с я тем, что, с цельюупрощения, в него введен второй транзистор, при этом выводы переменного, резистора подключены к базам обоихтранзисторов соответственно, эмиттерыщ транзисторов объединены и являются эмиттерным,входом устройства, база первоготранзистора соединена с коллекторомвторого транзистора и является базовымвходом устройства, а коллектор первоготранзистора является коллекторныМ вхо 3дом устройства,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР40Мо 631944, кл. й 06 Я 7/62, 1977,2. Авторское свидетельство СССРпо,заявке Ио 282292 М 27,кл. Н 01 Ь 29/70, 1979. 3 928 и являются...
Устройство для моделирования полупроводникового элемента
Номер патента: 881898
Опубликовано: 15.11.1981
Авторы: Валитов, Волков, Зельцер, Осинцев, Пестрякова, Светцов, Сыромятников, Уманский
МПК: H01L 29/00
Метки: моделирования, полупроводникового, элемента
...нагрузки выхоДной транзистор 9, диода 10, включенного между коллектэром выходного транзистора 9 и инвертирующим входом. Между базой устройства и базой выходного транзистора 9 включена емкость 11. За базу устройства принимается инвертирующий881898 Формула изобретения Составитель В,Юдинаедактор Л. Тюрина Техред С.Мигунова Корректор М.Шарош аказ 9988/81ВНИИПИ Гопо дел113035, М 787венного комибретений и оЖ, Раушск Подписно ета СССР Тир дар м и ква ыти я, наб., д лиал ППП "Патент", г.ужгород, ул. Проектна вход, за эмиттер и коллектор - соответствующие выводы выходного транзистора 9,В базу устройства, являющуюся инвертирующим входом ОУ 1, задаетсявходной ток, проходящий через переменный резистор 2 и вызывающий навыходе напряжение...
Устройство для моделирования полу-проводникового элемента
Номер патента: 834723
Опубликовано: 30.05.1981
Авторы: Березенцева, Валитов, Волков, Зельцер, Копытов, Оленин, Пестрякова
МПК: G06G 7/62
Метки: моделирования, полу-проводникового, элемента
...дели- ,20тель напряжения и транзистор 21.Данное устройство позволяет моделировать изменение коэффициента нередачи тока транзистора без изменениявходных и выходных характеристик, что 2обеспечивает высокую точность соответствия модели поведению транзистора.Недостаток устройства заключается втом, что точность моделирования оцределяется точностью совпадения харак- ЗОтеля, выход которого подключен ко входу усилителя мощности.На чертеже представлена схема устройства.Устройство для моделирования полупроводникового элемента состоит из операционного усилителя 1, в цепь обратной связи которого включен резистор 2. Операционный усилитель 1соединен с усилителем мощности 3, выход которого связан с базовой цепью транзистора 4 через делитель 5 ф...
Модель полевого (мдп) транзистора
Номер патента: 673941
Опубликовано: 15.07.1979
Авторы: Валитов, Ландэ, Осинцев, Пестрякова
МПК: G01R 31/26
Метки: мдп, модель, полевого, транзистора
...широких пределах пороговым напряжением и крутизной, причем имитируемый транзистор может работать по любой из известных схем включения.На чертеже представлена блок-схема модели МДП-транзистора.Описываемое устройство содержит входной МДП-транзистор 1, усилитель постоянного тока 2, блок зашиты выходного транзис. тора 3, выходной МДП-транзистор 4, блок индикации перегрузки 5, блок обратной связи 6, блок сдвига уровня 7, клемму затвора модели 8, клемму сброса защиты 9, клемму стока модели 1 О, клемму истока модели 11, клемму регулирования порогового напряжения 12, клемму регулирования крутизны 13.Устройство работает следующим образом.При нулевом напряжении на клемме затвора модели 8 выходное напряжение уси 15 20 25 З 0 зз лителя постоянного...
Устройство для определения оптимальных параметров электронных схем
Номер патента: 550645
Опубликовано: 15.03.1977
Авторы: Валитов, Вязников, Жидков, Набатов, Осинцев, Пестрякова
МПК: G01R 31/28, G06F 11/25, G06N 1/00 ...
Метки: оптимальных, параметров, схем, электронных
...схемы, блок 3 измерений, блок 4 вычисления коэффициентов, блок 5 вычисления градиента, блок 6 выбора шага, блок 7 вычисления значения функции, блок 8 памяти, блок 9 сравнения, блок 10 регистрации, блок 11 сопряжения, вход 12 устройства.Устройство работает следующим образом.По входу 12 в блок 1 хранения матриц поступает информация о составлении очередной строки матрицы планирования, которая выдается в блок 2. В результате этого процесса в блоке 2 происходит автоматическая сборка физической модели проектируемой схемы, параметры элементов которой соответственно задаются матрицей планирования эксперимента. Выходной сигнал поступает в блок 3 измерений, где происходит измерение заданной выходной величины и результат подается в блок 4 для...
Устройство для контроля статической помехоустойчивости логических устройств
Номер патента: 525900
Опубликовано: 25.08.1976
Авторы: Бакадаров, Валитов, Вязников, Жидков, Пестрякова, Сыромятников, Хисматов
МПК: G01R 31/28, G05B 23/02
Метки: логических, помехоустойчивости, статической, устройств
...с управляющим входом элемента совпадения 36, выход которого и одс уединен к бл оку 3 8, регистрирующему результаты пр оверки.20Устройство работает следующим образом,Перед началом проверки логического устройства производят установку значений опорЬных напряжений на входах 8 3 1 компараторов входного сигнала 4-7 и входах 24-27компараторов выходного сигнала 20- 23,По сигналу из блока 34, поступающему щ по шине 33, производится установка триггеров 29-32 в начальное положение. По сигналу из бдока 34, поступающему через шину 35, генератор входных сигналов 1 подает сигнал на вход проверяемого логического устройства 3 и на входы компараторов входного сигнала 4-7. При достижении уровня входного сигнала значений, установленных на входах 8-11...
Устройство для моделирования радиоэлектронных схем
Номер патента: 474819
Опубликовано: 25.06.1975
Авторы: Валитов, Вологжанин, Вязников, Жидков, Пестрякова
МПК: G06G 7/48
Метки: моделирования, радиоэлектронных, схем
...третий вход которого соединен с выходом блока моделирования матриц планирования, а выход - со входом олока регистрации результатов.В результате обеспечивается возможность автоматизации составления уравнения регрсссий радиоэлектронных схем, повышаются точность и адскват 11 ость математического описания радиоэлектронных схем и устройств.Иа чертеже представлена блок-схема предлагаемого устройства.Ъстройство содержит Олок 1 мо;Гслировацпя матриц планирования, шину 2, блок 3 моделирования э 1 сперимснтов, ц 1 пн 4, блОГс О кодирова;1 ця результатов, шццу 6, блоков 7 запоминания и вычисления, шины 8 и 9, блок 10 регистрации, блок 11 управления, шины 12 10474819 Составитель В, Белан Корректор Н. Аук Техред Т. Курилко Редактор А....