Патенты с меткой «тонкопленочных»

Номер патента: 1174738

Опубликовано: 23.08.1985

Авторы: Алексеева, Жучков, Мокров, Тихоненков

МПК: G01B 7/16

Метки: балансировки, датчиков, компенсации, мостовых, схем, температурной, тензорезисторных, тонкопленочных

...Х 20 Н 75 Юс удельным поверхностным сопротивлением= 70 Ом/кВ. Маркировка резис-торов в схеме принята стандартная.Непосредственно после изготовления методами пленочной технологиимостовая схема может иметь напряжение дебаланса, близкое к 1007. номинального выходного напряжения, и значительную зависимость начального напряжения от температуры. Для мостовданного .типа напряжение питания принимают равным 6 В, при этом рабочий сигнал составляет 9 мВ,Для определения резисторов, величину сопротивления и ТКС которых необходимо регулировать, определяют величину сигнала П на выходе мостовой схемы при максимальной рабочей темо пературе (в данном примере плюс 100 С) и при минимальной рабочей температуре (в данном примере минус 90 С). Затем...

Номер патента: 1203580

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Миронов, Розоринов, Снарский

МПК: G11B 5/193

Метки: головок, магнитных, наконечников, полюсных, тонкопленочных

...из двуокиси кремния. Толщина полюсного наконечника 4 равна ширине пленки 3. После термообработки заготовки с обеих сторон полюсного наконечника образуются магнитопассивные участки 5.Заготовка используется преимущественно из монокристаллического феррита, так как остальные ферриты, в том числе и горячепресованный, обладают по сравнению с монокристаллическим повышенной пористостью. При термообработке происходит дальнейшее укрупнение пор, вплоть до образования каверн, что приводит не только сами полюсные наконечники к быстрому износу но и к возможности повреждения магнитного носителя (не показан).Способ осуществляется следующим образом.Поверхность 1, являющаяся фактически рабочей поверхностью заготовки, подвергается нагреву до 300 в 4 С,...

Номер патента: 1249581

Опубликовано: 07.08.1986

Авторы: Галанский, Миронов, Недоступ, Харламов

МПК: G11B 5/31

Метки: головок, магнитных, тонкопленочных

...4, а сама головка размещается между пластинами стекла 5 с тем, чтобы далее сформировать капсулу 6. На подложку 1 могут быть нанесены тонкопленочные полюсные наконечники 7 и 8, которые также, как и в случае цельной тонкопленочной магнитной головки, размещаются между пластинами стекла 5 с образованием рабочего зазора 4 и с последующим формированием капсулы 6. Такие полюсные наконечники можно прикреплять к массивному магнитопроводу 9, имеющему объемную обмотку 10,Способ изготовления собственно тонкопленочных магнитных головоктрадиционен и изменений при реализации предлагаемого способа не претерпел. Как видно из чертежа конструкция таких головок также традиционна. 5 10 15 20 25 30 35 40 Особенность изобретения состоитв том, что вокруг...

Номер патента: 1260773

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Балабанов, Ковтун, Куфтерина

МПК: G01N 21/45

Метки: дефектов, изделиях, обнаружения, прозрачных, тонкопленочных

...микропроцессором для автоматической обработки данных и расположен таким образом, чтобы его объектив был через одну из граней призмы 2 сфокусирован на исследуемую область изделия 6.Устройство работает следующимобразом. нанесенную на верхнюю поверхность пластины 3, которая разделяет на два потока равной:интенсивности.Первый из них, отразившись от ме" таллической пленки, затем испытывает полное внутреннее отражение от грани призмы ввода излучения 2 и затем при условии под угломМ290 пересекает исследуемое изделие 6 непосредственно у края пластины 3. Второй световой поток, проходя сквозь металлическую пленку попадает на нижнюю поверхность пластины 3 таким образом, что крайние лучи светового потока попадают строго на край ее нижней...

Номер патента: 1269191

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Брызгин, Герасимук, Золотухин, Клетченков, Сагайдак, Шейгас

МПК: G11B 5/29

Метки: блок, головок, магнитных, многодорожечный, тонкопленочных

...головок; нз фцг. 2 сечение АА на фиУстройство содержит феррыговук) подложку 1. На которой выполнены нижние тон. коплсночные магнитоцроводы. Аажзьы Й из этих магпитопроводов состоит из двух )л(. ментов разной толщины: 2 - первые элементы. 3 втор ььс элементы. Разниььз ц толцьиц ах первог и ытс)рс)гс) элс.мептс)н равна иирине рабочего зазора. Тс)цкс)пленочные обмотки 4 выполнены толыьыноь), меньПей ТОЛЩИНЫ ПЕРВЫХ ЭЛЕМЕНТ)В. РаСПОЛО- жсцы цз подложке между первыми и вторыми элементами, не соприкасаясь непосредственно с ними. и охватььвают первые элементы. 11 овер вторых элемецтоь нижних тонкопленочных магнитопроводов вььпол цены тонкопленочные немагцитныс проке здки ) тольцицой, равной ьнирине рабочего зазора. Верхнис тонкопленочные...

Номер патента: 1342943

Опубликовано: 07.10.1987

Авторы: Казанцева, Низник, Хейленко

МПК: C23F 4/00

Метки: металлических, подложек, покрытий, тонкопленочных, удаления

...беэ разрушения покрытия при пе 5 ределе бракованных микросхем, фото- шаблонов, электролюминесцентных индикаторов и прочих изделий радиоэлектроники и приборостроения.11 елью изобретения является улучше О ние технологии очистки подложек за счет упрощения операции снятия металла покрытия и его утилизации, Способ осуществляют следующим образом. 15,Петали с нанесенным тонким металлическим слоем помещают на конвейерную енту слоем вниз и подают на ванну аг гоматической линии пайки волной.о Волна расплава (температура 200-250касается нанесенного металлического слоя и отрывает его от подложки.Б качестве образцов служат стеклянные подложки размером 38 х 54 х 11 ммс нанесенным покрытием иэ серебра.Б качест 1 е расплава используютприпой ПОС, 11...

Номер патента: 1346600

Опубликовано: 23.10.1987

Авторы: Акутене, Каменецкас, Петраускас

МПК: C03C 17/36

Метки: кварцевой, подложке, проводниковых, тонкопленочных, элементов

...вращения3000 об/мин) достигается его равномерное распределение по подложке.Затем в печи производят обжиг до .850+О С, Скорость подъема температуры У = 20+5 С/мин, температураобжига Т = 850-1 О С, время выдержки Т = 15+2 мин, скорость охлаждения У =20+5 С/мин.В результате высокотемпературногообжига состава на подложках образуется пленка толщиной 1500-2000 Асвинцовоборосиликатного стекла.Затем производят напыление металлических слоев в установке УВН"1 П-З.Перед напылением подложки выдерживаоют при температуре 300+20 С в течение 5 мин, Напыляют поочередно слойхрома толщиной 0,02 мкм слой медитолщиной 3 мкм и слой хрома толщиной 0,02 мкм при вакууме рабочей ка00 Продолжение табл,123 510 37 438+20 ВОз 10 441-20 Состав...

Номер патента: 1380908

Опубликовано: 15.03.1988

Автор: Гвоздев

МПК: B23Q 15/00

Метки: гравирования, покрытиях, рисунков, тонкопленочных, топологических, элементов

...нирогд ни я силу Лдв,иция рссжуцссй кромки цд цсдложку ре у.рук 1;к, чтобы сс кр л- жд. 06,дс Г с)ст) Г Ег, с сг) ицтенсившсть нвхс)лисд зд экспсримента,ьцо усгдцсвлсццыцрллы.Устрс)с гв ), 11, изл к) цее сцсс, с)др,+,г гр 1 ирс)11, и, инструлег 1, режуидя кромка 2 к)ср)гс) лс)жс лц атья в напрдвлццц сре,ки Л. В исходном положении рсжуцсдя кромка лдлит в токопяночи)и)крытие 3, нанссццое ца подти)+,ку 4 Нрдвировальном инструментезикрцлсц лдгчик 5 мсхднически.с колсбдциц, элсктричскц соединенный с Вхс)дами ник)чс)со ц ьх пс)лосовых фильтр)в 6 Выли,сы фильтров через преключдтел ь 7 могу т цоочс ре;1 цо цо,1 кл кчдться и входу уси.игсля 8 мощности, выхсл которого соелццсц с ицликатором 9 например скщиллогрдсрс)мц и рсз выпрямитель 10 с...

Номер патента: 1520029

Опубликовано: 07.11.1989

Авторы: Бычко, Грожик, Забила, Литвиненко, Поливода, Ходский

МПК: C03C 3/085

Метки: покрытий, стекло, тонкопленочных

...стекла подается на испаритель. Испарителем служит вольфрамовая полоса размером 70120,2 мм. После откачки установки до требуемой степени вакуума (5 - 7)х 10Па испаритель нагревается до 45 1900 С (контроль температуры осуществляется с помощью оптического пирометра "Проминь") и на него вибробункером подается порошок стекла. При этом на поверхности расположенных над испарителем кремниевых пластин диаметром 40 мм происходит формирование тонкой стеклопленки. Формирование пленки толщиной 0,8 мкм происходит в зависимости от интенсивности подачи55 порошка стекла на испаритель за время 5 - 10 мин.Кроме предлагаемого способа формирования пленок с помощью резистивного испарителя возможен вариант термического испарения с применением...

Номер патента: 1531138

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Браженко, Брызгин, Герасимук, Клетченков, Кулаков, Сагайдак, Шейгас

МПК: G11B 5/127

Метки: блока, головок, магнитных, тонкопленочных

...от 30 мин до 2 ч. После этого осуществляют медленное снижение температуры до полного остывания в режиме выключенной печи. благодаря этому снимаются упругие напряжения в стекле. Таким образом, получают две стеклянные подложки с углублениями 2 в форме магнитопроводов (фиг. 2) с толщиной, уменьшающейся в сторону рабочей поверхности блока магнитных головок.На изготовление таким образом подложки напыляют магнитные слои 3 иэ пермаллоя (фиг. 3) толщиной, превыщающей глубину углубления 2. После этого участки магнитных слоев, поступающие над поверхностью стеклянных подложек, удаляют при помощи механической обработки поверхностей стек,лянных подложек, в результате чего получают магнитопроводы 4 в углубле" 40 ниях подложек. Таким образом,...

Номер патента: 1531141

Опубликовано: 23.12.1989

Автор: Карпенков

МПК: G11B 5/29

Метки: блок, головок, магнитных, многодорожечный, тонкопленочных

...а именно к тонком магнитным головкам. Целью ния является повышение эзаписи-воспроизведения о тонкопленочной головки, что тся выполнением одновитковой в виде параллельно соединену собой элементов, ширина ко еличивается по направлению к зазору. 1 э.п,ф-лы, 2 ил. рабочему зазору 3. Диэлектрическая пленка 4 и диэлектрический слой 7 обеспечивают изоляцию тонкопленочных одновитковых обмоток 5. Верхние тонко пленочные магнитопроводы 2 могут быть сформированы осаждением магнитомягкого материала, например сендаста или пермаллоя, а диэлектрическая пленка 4 и слой 7 - путем напыления диэлектриков, например окислов кремния. Электропроводящие одновитковые обмотки 5 могут быть получены осаждением пленок электропроводящего материала, например...

Номер патента: 1574663

Опубликовано: 30.06.1990

Авторы: Башев, Доценко, Мирошниченко

МПК: C22C 19/00, C22C 21/00

Метки: аморфный, резисторов, сплав, тонкопленочных

...тонкопленочных резисторов.П р и м е р. Пленки ионно-плазменным методом получали на установке УРМ.279,014 при токе разряда 20 мА анодном токе 1 А, напряжении на ление ни 2 кВ и времени напыления 900 с с мозаичных мишеней, Мозаичные мишени представляли собой набор квадратов (36 шт) размером 10 х 10 х 5 мм чистых металлов, равномерно распределенных по площади распыления, Напыление про водили на ситалловые подложки пркомнатной температуре и на сксл моно1574663 Химический состав и свойства сплавов предложенного и известного составов Стабильность 6,8/к,за 1000 ч при 85 С, Х Состав сплава, мас,Х ТКС послетермообработки при200 С втечение30 мин,кКС свеженаПзверхностное сопротивление Е , Ом/кв 5 Сплав пыпенных пле 1 ок К оль-Никельрам Алюминий...

Номер патента: 1597823

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Редько, Хомченко

МПК: G02B 6/10

Метки: волноводов, оксидных, оптических, тонкопленочных

...и парциальном давлении кислорода (2 - 5) 10тор, при этом показатели преломления распыляемой мишени и и подложки л удовлетворяют соотношению, придля оптоэлектронных систем передачи и обработки информации. Цель изобретения - расширение класса материалов для изготовления тонкопленочных оптических волноводов с минимальной волноводной дисперсией и упрощение технологии их изготовления. Способ заключается в осаждении тонкой волноводной пленки на подложку путем распыления мишени в газовой среде при общем давлении 8 10- 2 10тор и парциальном давлении кислорода (2 - 5) 10 тор. При этом показатели преломления распыляемой мишени и подложки зависят от относительных катионных фракций используемых материалов и удовлетворяют соотношению, приведенному в...

Номер патента: 1636466

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Башев, Доценко, Мирошниченко

МПК: C22C 21/00, H01C 7/06

Метки: аморфный, резисторов, сплав, тонкопленочных

...пленки даже при различном содержании на поверхности мишени кобальта присутствует в основном кристаллическая(СоА 1) Фаза, имевшая по сравнению с аморфным 25 состоянием положительный ТКС порядка 10 ф К . При изолировании. квадратов выступающими над поверхностью распы" ленйя барьерными металлическими ячейками в указанных по высоте пределах ЯЬ) блокируется обогащение в горизонтальном направлении поверхности алюминия атомами кобальта и вольфрама.При.ионно-плазменном распылении сплавов с барьерная ячейками вслед 35 ствие нахождения ячеек под потенциалом анода не происходитраспыление положительными ионами аргона материала самих ячеек. Процесс ионно-плазменного распыления в данном случае заключается в независимом распылении атомов...

Номер патента: 1654361

Опубликовано: 07.06.1991

Авторы: Башев, Доценко, Лозяной, Мирошниченко, Прудкий, Рябцев

МПК: C22C 27/02, H01C 7/06

Метки: аморфный, резисторов, сплав, тонкопленочных

...ный коэффициент сопротивл 45-85 раз до (7-9 г 10 ь К Ф-лы, 1 табл. получения включает иоцраспыление наборных мицих из отдельных стати номерно размещенных по и рас ыления квадратовсвинца и термообрабаткУ цопленок ггри температуре 673+ течение 30+5 мин.-плазменное напылецис осуют ца установке УРГ 1 3.279.014ующих режимах напьгггеция; нана мишени 2 кВ, вводный токразряда 20 мА время цапгвгеКонтроль за степецгю уси аморфной фазь 1 и составомсуществляют соответственно1654361 на дифрактометре ДРЬН,0 и с помощью 4-эондового метода измерений поверхностного сопротивления в процессе непрерывного нагрева в вакууме (1 ОПа). В таблице приведены составы сплавов, режимы их термообработки и свойства.По сравнению с известными предлагаемый сплав для ТПР и...

Номер патента: 1671738

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Гасаналиев, Калиев, Крылов, Минченко, Смыков

МПК: C25D 11/26, C25D 3/66

Метки: бронз, вольфрама, молибдена, нанесения, оксидных, основе, покрытий, расплав, тонкопленочных, электрохимического

...металла 25-75 Расплав готовят смешением и плавлением компонентов в кварцевои ячейке, Вкачестве нитратов и нитритов щелочных металлов берут соли натрия, калия, цезия, обеспечивающие образование расплава при рабочих температурах электролиза 200- 270 С. При электролизе под действием приложенного электрического поля между электродами в расплавах указанного состава возникает ориентация полимеризованных полосчатых структур, направляющих развитие кристаллов, образующих на аноде тонкопленочное покрытие вдоль каналов в объеме электролита, Создающееся упорядочение на фронте кристаллизации оксидных бронз вызывает развитие текстуры, что является причиной усиления электрооптических и адгеэионных характеристик покрытий. Полимеризующий эффект...

Номер патента: 1683066

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Брызгин, Герасимук, Павлов, Сагайдак, Шейгас

МПК: G11B 5/37

Метки: головок, магнитных, магнитопроводов, тонкопленочных

...защитной маски для совмещения с профилем магнитопровода, удаляют магнитомягкий слой с незащищенных участков, после чего механически удаляют оставшийся магнитомягкий слой с поверхности подложки. 6 ил. ала, формируют маску 4 иэ фоторезиста, закрывая магнитомягкий слой 3 в углублениях 2 с некоторым припуском 5, определяемым допуском на совмещение маски с профилем углубления 2 под магнитопровод, удаляют магнитомягкий слой 3 с незащищенных участков поверхности подложки 1 с последующим снятием защитной маски 4, После этого производят механическое удаление магнитомягкого слоя 3, выступающего над поверхностью подложки 1, получая полностью сформированный в углублении подложки 1 магнитопровод 6. Операция удаления магнитомягкого слоя 3 с...

Номер патента: 1160896

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Белицкий, Бочвар, Колешко, Лапицкий, Лысова

МПК: H01L 23/00

Метки: интегральных, материал, межсоединений, микросхем, тонкопленочных

...определяет минимальное содержание примеси, при отарой наблюдается эффект уменьшения контактного сопротивления тонкой пленки и сохраняются необходимые требования по размеру зерен, микрарельефу поверхности (см.табл,1, в которой приведены примеры граничных и оптимального количества содержания ингредиентов), а также сохраняются высокая устойчивость к отказам, обусловленным массопереносом под действием электрического тока и коррозии, высокое качество микросварки алюминиевой и золотой проволокой. Повышение устойчивости к отказам, обусловленным массопереносом под действием электрического токаи коррозии, а также качества ультразвуковой микросварки достигается введением в пленку примесей РЗМ. Верхняя граница Определяет та максимальное...

Номер патента: 1686034

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Великанова, Власов, Фурман, Хентов

МПК: C23F 1/44

Метки: iy-й, группы, металлических, окислов, основе, покрытий, снятия, состав, тонкопленочных, элементов

...последовательно в двух ваннах с проточной водой.1686034 Таблица 1 Оз( Если поверхность детали частично покрыта оксидными пленками, удаление последних можно проводить локально, нанося травильный раствор на 2-10 мин только на участок, покрытый пленками,Составы опробованных растворов приведены в табл,1.Результаты испытания предложенного и известного составов представлены в табл,2.Для приготовления растворов применякт 2-нафтол-нитрозо по ГОСТ 7756 - 55,Структурная формула органического лигвнда 2-нафтол-нитрозо (реактив Ильинского 2 нафтохинон, 1-оксим):О=Иио- с,н,он М,В, 173,8, желтые иглы, спи, 105 - 107 С Качество обработанной поверхности определяют визуально, а также путем измерения геометрических параметров оставшейся пленки. Сравнение...

Номер патента: 1730063

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Бычко, Грожик, Ходский

МПК: C03C 3/085

Метки: защитных, покрытий, стекло, тонкопленочных

...в силитовой печи при температуре 1450 С и выдержке 45 мин. Стекло измельчают в яшмовых барабанах с халцедоновыми шарами на планетарной мельнице "Санд", периодически по мере измельчения отсеивая фракцию порошка с размером зерен 90 - 200 мкм с помощью металлических сит, Необходимое количество полученной фракции порошка загружают в вибробункер, которым снабжена установка вакуумного нэпыления УВН - 71 - Р 2 и с помощью которого порошок стекла подается на испаритель. Испарителем служит вольфрамовая полоса размером 70 х 12 х 0,2 мм, После откачки установки до требуемой степени вакуума (5 - 7) 10 Па испаритель нагревается до температуры 1900 С и на него вибробункером подается порошок стекла. При этом на поверхности расположенных над йспарителем...

Номер патента: 1799402

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Волынчиков, Дереченик, Згурский, Ковалевский, Олтушец, Харитончик, Яцук

МПК: C30B 35/00

Метки: осаждения, структур, техники, тонкопленочных, электронной

...смесей на выходе из реактора.Осаждение тонкопленочных структур осуществлялось в установке ИзотронМ с вакуумным агрегатом АРВ - 160 и расходомером типа В-15 и Рагтег 125-Яег ез фирма ЯИп 1 сег Еес 1 г 1 с ЧаП Соарапу на линияхдихлорсилана. моносилана, арсина, фосфина, диборана. Общее давление парогазовой смеси в реакторе поддерживалось в пределах 40120 Па, Скорость подачи газовой или парогазовой смеси через реактор поддерживалась на уровне 60.140 дм /ч. Отходы отработанных токсичных и агрессивных газов и парогазовых смесей в процессе осаждения тонкопленочных структур все время откачиваются из реактора и через специальный патрубок вводятся в оросительную колонку противопотоком распыляемому через форсунку раствору-абсорбенту, который...

Номер патента: 1812561

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Гул, Ряхин

МПК: H01C 17/00

Метки: прецизионных, резисторов, тонкопленочных

...превышающей уровень +0,05%. Эта достигается эа Счет решения вопроса повышения тепло- стойкости реэистивных пленок путем дополнительной их термотренировки в укаэанных 55 режимах. При этом Овыхода годных поТКСй 10 10 1/С почти оо всех случаях луч ше уровня, достигнутого при изготовлении резисторов па способу-прототипу, или находится на таком ке уровне, Т,е, полученные5 10 15 20 25 30 35 40 50 аналогом. результаты наглядно показывают достижение цели изобретения.Кроме того, как следует из результатов табл,1, предлагаемый способ обеспечивает также в 2 раза улучшение уровня стабильности при испытаниях резисторов под электрической нагрузкой на долговечность (2000 ч)Как видно иэ примеров 1 - 3, при изменении времени термотренировки от 1 до 3 ч...

Номер патента: 1812562

Опубликовано: 30.04.1993

Автор: Николаев

МПК: H01C 17/24

Метки: резисторов, тонкопленочных

...зигзагообразной3резистйвной цепи в поперечном направле1812562 Таблица 1 20 ЗО 1000 50 100 8,63 8,78 8,44 8,99 Таблица 2 1000 20 ЗО 50 100 10 7,45 6,94 7,32 7,56 7,63 . 7,70 Таблица 3 нии, В этом варианте номинал сопротивйления резистора изменяется от Хп = - - до3Хп = п 1-1) 2,57, а диапазон изменения П - 1 771сопоотивления составит бпЗависимость б от п 1 показана в табл.2.Зависимость приращения числа квадратов от резов для варианта, изображенногона фиг,2, приведена в табл.З,Подгонку по предлагаемому способупроизводят следующим образом,для каждого резистора определяют величину удельного сопротивления напыления Йнапгде Рнап. - величина сопротивления рази стора после напыления;и - расчетное число квадратов данного резистора,...

Номер патента: 1818557

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Агабабян, Пушик, Сабурин, Сердюков, Собакин, Сороколетов, Толмачева

МПК: G01L 9/04

Метки: материал, тензорезисторов, тонкопленочных

...с температурной компенсацией тена одатчика.Получение тонкопленочных тензорезисторов на основе многокомпонентного материала, как правило, осуществляетсяионно-плазменным распылением составных мишеней, приготовленных из отдельных чистых компонентов в определенноййропорции по площади с учетом их коэффициентов распыления,Для получения материала из сплава вышеупомянутого состава была приготовленасоставная мишень, выполненная следующим образом.На поверхность столика. мишени диаметром 124 мм укладывается диск германия диаметром 125 - 130 мм и толщиной 5-10мм, а на поверхности германия располагаются пластины кремния с суммарной площадь 64 - 680 от площади пластиныгермания и 60 - 72 диска из алюминия диаметром 5 мм с суммарной площадью 2-6...

Номер патента: 1835486

Опубликовано: 23.08.1993

Автор: Рыбалко

МПК: G01B 15/02

Метки: структур, толщин, тонкопленочных

...4,2. После чего по сигналу, имеющему меньшую зашумленность, оце нивают толщину оксидного слоя, заполняющего карман в подложке, Оценка может осуществляться сравнением с эталоном или по номограммам. Более достоверный результат получают, используя эталон, В этом 10 случае в качестве эталона берут структуру, представляющую собой кремниевую подложку со сформированным на ее поверхности клинообразным оксидным слоем,Другой пример заявленного способа "5 предусматривает определение толщины островной пленки серебра, нанесенной на молибденовую подложку. Такая структура является основой серебряно-цезиевых фоточувствительных автоэмиссионных пле ночных систем. В связи с тем, что размеры островков серебра не превосходят десятых долей микрометра,...

Номер патента: 1818864

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Богатов, Бондарчук, Бунин, Касянин, Левашов, Мамян, Питюлин

МПК: B22F 1/00, C22C 1/05

Метки: ионно-плазменного, мишеней, напыления, основе, преимущественно, резисторов, титана, тонкопленочных, шихта

...готовят шйхту состава: 72 Т+4 С+24ство веществ, чем суммарно высокодиспер В, Термопрочность мишени 4. ТКС пленкисные соответствующйе порошки сажи и 5,О х 10 1/К, временная нестабильностьаморфного бора. Использование, в шихте 0,75.порошков карбида и диборида титана.по- П р и и е р 4. В условиях прототипазволяет повысить йористость мишеней доготовят шихту 57 Т+ 17 Сг+ 16 С+10-150 ь, что приводит к повышению термо 10 Й. Термопрочность мишени составпрочности ляла 2 цикла до разрушения. ТКС пленки,Отклойение состава шихтй за указан-: 9 х 10, временная нестабильность 1,2.ные пределы приводит к нарушению состава синтезированных продуктов и; П р и м е р 5. В условияхпримера 1ухудшению электрофизических характери готовят шихту состава 75 Т+ 9...

Номер патента: 1186013

Опубликовано: 15.06.1994

Автор: Ряхин

МПК: H01C 7/00

Метки: защитный, материал, резистивных, тонкопленочных, элементов

ЗАЩИТНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий алюминий или хром, отличающийся тем, что, с целью улучшения временной стабильности резистивных элементов, он дополнительно содержит диоксид кремния при следующем соотношении компонентов, мас.%:Хром или алюминий 30 - 50Диоксид кремния Остальное

Номер патента: 1566777

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Гул, Ряхин

МПК: C23C 14/06

Метки: поверхности, подложки, резисторов, тонкопленочных, чистоты

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЧИСТОТЫ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ по авт. св. N 1101475, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости способа в материале, выявляющем места загрязнения, компоненты взяты в следующем соотношении, мас.%:Окись кадмия 7,5 - 12,5Алюминий 7,5 - 12,5Окись алюминия 75 - 85причем соотношение окиси кадмия и алюминия в материале составляет 1 : 1, а испарение проводят при температуре испарителя 1080 - 1210oС.

Номер патента: 1632251

Опубликовано: 15.07.1994

Автор: Ряхин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, низкоомных, резистивный, резисторов, тонкопленочных

РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НИЗКООМНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий хром, титан, алюминий и диоксид кремния (IV), отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных, он дополнительно содержит оксид алюминия при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Хром 40 - 62Титан 15 - 22Алюминий 4 - 8Диоксид кремния (II) 13 - 22Оксид алюминия 3 - 10

Номер патента: 1762690

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Абаньшин, Высоцкий, Кузьмин, Митрохин, Севостьянов, Смирнов, Усенок

МПК: H01L 21/28

Метки: жидкокристаллическим, индикатором, матрицы, тонкопленочных, транзисторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦЫ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИМ ИНДИКАТОРОМ, включающий нанесение на прозрачную диэлектрическую подложку слоя прозрачного токопроводящего материала, формирование элементов отображения, формирование электродов затворов и управляющих шин, подзатворного диэлектрика и активных областей, нанесение токопроводящего слоя, формирование электродов стока, истока и информационных шин, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса, формирование электродов затворов и управляющих шин, подзатворного диэлектрика и активных областей проводят путем последовательного нанесения вентильного металла, диэлектрического и полупроводникового слоев и их совместного травления, а после...