Каменецкас

Номер патента: 1346600

Опубликовано: 23.10.1987

Авторы: Акутене, Каменецкас, Петраускас

МПК: C03C 17/36

Метки: кварцевой, подложке, проводниковых, тонкопленочных, элементов

...вращения3000 об/мин) достигается его равномерное распределение по подложке.Затем в печи производят обжиг до .850+О С, Скорость подъема температуры У = 20+5 С/мин, температураобжига Т = 850-1 О С, время выдержки Т = 15+2 мин, скорость охлаждения У =20+5 С/мин.В результате высокотемпературногообжига состава на подложках образуется пленка толщиной 1500-2000 Асвинцовоборосиликатного стекла.Затем производят напыление металлических слоев в установке УВН"1 П-З.Перед напылением подложки выдерживаоют при температуре 300+20 С в течение 5 мин, Напыляют поочередно слойхрома толщиной 0,02 мкм слой медитолщиной 3 мкм и слой хрома толщиной 0,02 мкм при вакууме рабочей ка00 Продолжение табл,123 510 37 438+20 ВОз 10 441-20 Состав...

Номер патента: 1208525

Опубликовано: 30.01.1986

Авторы: Каменецкас, Каменецкене, Пятраускас, Скоробогатас

МПК: G02B 5/28

Метки: интерференционного, узкополосного, фильтра

...Т.Тулик Корректор М.Максимишинец Редактор Л.Веселовская Заказ 283/56 Тираж 502 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул . Проектная, 4 1 1Изобретение относится к интерференционным узкополосным фипьтрам, используемым для монохроматизации излучения,Целью изобретения является увеличение коэффйциента пропускания,На чертеже показана зависимость коэффициента пропускания Т ионами пропускания фильтра от длины волны 3, Кривой 1 обозначена спектрапьная характеристика фильтра до облучения, а кривой 2 - спектральная характеристика после облучения. ионами А с энергией 100 кэВ и дозой 10 ион/см,1 з 2П р и м е р, На очищенную химическим...

Номер патента: 1081135

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Каменецкас, Липскис, Невар, Немкович, Рупленас, Шиленко

МПК: C03C 3/10

Метки: стекло

...для герметизации толстопле.ночных конденсаторов 12, включающее,мас.%: 20810, 26 - 29АЬ 8 - 10В 2037 - 11РЬО 51 - 54Е гО 1 - 2 25Известное стекло также обладает сравнитель.но высоким коэффициентом расширения, а сле.довательно, . пониженными значениями вязкостин температуры размягчения, в силу чего неможет быль использовано для получения совместимых с матерналдаи микросхемы гермети.эирующйх покрытий печатных конденсаторове При Наименование ком. Единицамеры понентов и свойств измерения на подложке из высокоглиноэемистой керамики при температуре обжига 700+20 СЦелью изобретения является понижение козффицнента термического расширения,Поставленная цель достигается тем, чтостекло, включающее 8 Оя, В О, Аг. О, РЬО,Ег 02, дополнительно...

Номер патента: 1073193

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Каменецкас, Липскис, Невар, Немкович, Рупленас, Шиленко

МПК: C03C 3/10

Метки: стекло

...21, включающее следую 5щие компоненты, мас,Ъ;РВО 50-б 0В 20 4,5-22пО б,5Вхо . 3 21А 1 О, б -15ЗОНедостатком указанного стекла является высокий коэффициент термичес-.кого рас:ирения 98-127,б 10 1 гради низкая температура размягчения313-.3 б 6 С.Цел. Изобретения - снижение коэфф";пента термического расширения ии;.:В;:ше.и: температуры размягчения. Поставленная цель достигаетсятем, что стекЛО, включающее ВО,А 10, ВОЗ, РЬО, дополнительно содержит ЕТО при следующем соотношении компонентов, мас,%:810 у 26-29А 1 д Оз 8-10ВО 7-11РЬО 51-54ЕгО 1-2Для производства стекла используют обычную технологию производства,включающую составление шихтына основе песка, борной кислоты, сурика, глинозема и двуокиси циркония ипоследующую варку...