Патенты с меткой «тонкопленочных»

Номер патента: 1565064

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Гул, Ряхин

МПК: C23C 14/02

Метки: поверхности, подложки, резисторов, тонкопленочных, чистоты

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЧИСТОТЫ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ по авт. св. N N 1101475, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности за счет выявления загрязнений в виде натиров капролона и паров масла и упрощения процесса, подложку предварительно нагревают при 400 - 700oС в течение 15 - 90 мин в замкнутой капсуле из керамического материала.

Номер патента: 1157868

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Бессонов, Бочвар, Ленников, Лысова

МПК: C22C 21/00

Метки: алюминия, контактных, микросхем, основе, площадок, проводников, сплав, тонкопленочных

СПЛАВ НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЯ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК И ПРОВОДНИКОВ МИКРОСХЕМ, содержащий никель и церий, отличающийся тем, что, с целью увеличения адгезии, уменьшения удельного электросопротивления, повышения термостабильности тонкопленочных контактных площадок и проводников микросхем, он дополнительно содержит магний при следующем соотношении компонентов, мас.%:Никель 5,0 - 10,0Магний 0,5 - 3,0Церий 0,015 - 0,3Алюминий Остальное

Номер патента: 1671057

Опубликовано: 30.09.1994

Автор: Ряхин

МПК: C23C 14/00, H01C 17/00

Метки: белого, керамических, микрозагрязнений, обнаружения, поверхности, подложек, резисторов, тонкопленочных, цвета

СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ МИКРОЗАГРЯЗНЕНИЙ НА ПОВЕРХНОСТИ КЕРАМИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК БЕЛОГО ЦВЕТА ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий термическое испарение в вакууме и конденсацию материала-анализатора на поверхности подложки при комнатной температуре и последующее выявление микрозагрязнений путем визуального контроля наличия темносерых участков конденсата материала-анализатира на поверхности подложек, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности, в качестве материала-анализатора используют цинк, а его термическое испарение и конденсацию осуществляют при величине вакуума (3,99 - 13,3) 10-3Па.

Номер патента: 1773204

Опубликовано: 30.10.1994

Автор: Иванов

МПК: H01C 17/22

Метки: номинал, подгонки, резисторов, тонкопленочных

1. СПОСОБ ПОДГОНКИ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ В НОМИНАЛ, включающий локальное формирование металлических участков на резистивном слое посредством инструмента приварки, отличающийся тем, что с целью повышения технологичности и надежности, для локального формирования металлических участков используют концы проволоки или полости фольги, а после приварки и устранения инструмента приварки оставшуюся часть проволоки или полоски фольги удаляют.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что локальное нанесение металлических участков осуществляют посредством ультразвука с нагружающим воздействием.

Номер патента: 1748623

Опубликовано: 20.02.1995

Авторы: Быковский, Козленков, Корпухин, Николаев, Полищук, Соколов

МПК: H05K 3/02

Метки: гибридных, интегральных, разводки, схем, тонкопленочных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РАЗВОДКИ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий испарение мишени из меди в вакууме, осаждение ее паров на полиимидную подложку, гальваническое осаждение слоя меди и формирование рисунка разводки методом фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью повышения качества разводки за счет увеличения адгезии меди к подложке и уменьшения изменения линейных размеров подложки, испарение мишени проводят импульсным лазерным излучением при плотности потока энергии на поверхности мишени 109 - 1010 Вт/см2, а температура подложки в процессе осаждения равна комнатной.

Номер патента: 1244848

Опубликовано: 27.08.1995

Автор: Кравченко

МПК: B23H 1/00, B23H 7/26

Метки: отклоняющей, системы, тонкопленочных, управляющих, электродов, электроэрозионной

СПОСОБ ЭЛЕКТРОЭРОЗИОННОЙ ОБРАБОТКИ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ УПРАВЛЯЮЩИХ ЭЛЕКТРОДОВ ОТКЛОНЯЮЩЕЙ СИСТЕМЫ, например, типа дефлектрон электронно-лучевого прибора, при котором электроду инструменту и отклоняющей системе сообщают взаимное пространственное перемещение по заданной программе с подачей на них технологического напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности обработки при обработке многоэлементным электродом инструментом, последние вводят в контакт с непокрытым токопроводящей пленкой участком системы, и дальнейшее перемещение элементов электрода инструмента осуществляют по токонепроводящим дорожкам, которые формируют в процессе обработки.

Номер патента: 1461278

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Бережной, Ганиев, Дворина, Захваткина, Лиходед, Шурова

МПК: H01C 7/00

Метки: резисторов, сплав, тонкопленочных

СПЛАВ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий соединение кобальта с кремнием и бор, отличающийся тем, что, с целью снижения температурного коэффициента сопротивления и расширения диапазона удельного сопротивления, в качестве соединения кобальта с кремнием используют CO2Si при следующем соотношении компонентов, мас.CO2Si 99,0 99,5В 0,5 1,0

Номер патента: 1807811

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Бродко, Возный

МПК: H01L 21/312

Метки: м-слойной, покрытий, структуры, тонкопленочных

...структуры и распространение в ней излучения в ходе технологического процесса,а также характеризующие этот прсцесс физические параметры: ф - угол падения излучения на структуру; ф О = 1, , М) - углыпреломлени излучения в слоях структуры;по - показатель преломления окружающейсреды; п, О - 1М) - показатели преломления слоев структуры; б) О " 1 М) -толщины слоев структуры,На фиг. 2 а показана зависимость отражения от трехслойной структуры ф П 051 МК(Поликремний) 302/5 в воздух в зависимости от толщины слоя фоторезиста, По осиординат отложен коэффициент отраженияизлучения В (отн.ед,), оси абсцисс - толщинаслоя фоторезиста б(нм), На фиг. 2 б показана зависимость отражения в фоторезист отструктуры Поликремний (302)5 в воздух...

Номер патента: 1358777

Опубликовано: 20.06.1996

Авторы: Гусев, Киселев, Пересветов, Плеханов, Прокофьев, Рябинкина

МПК: H05K 3/46

Метки: двухуровневых, коммутационных, плат, тонкопленочных

Способ изготовления двухуровневых тонкопленочных коммутационных плат, включающий нанесение на диэлектрическую подложку проводящей пленки первого уровня, формирование рисунка проводников первого уровня, нанесение диэлектрической пленки, нанесение проводников второго уровня, формирование защитной маски, выполнение переходных окон к проводящей пленке первого уровня травлением нижележащих слоев, обслуживание и формирование рисунка проводников второго уровня, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, защитную маску формируют после формирования рисунка проводников первого уровня, после формирования переходных окон к проводящей пленке первого уровня проводят предварительное обслуживание, а обслуживание проводят после нанесения...

Номер патента: 1828306

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Крыжановский, Соколов

МПК: H01C 17/00

Метки: резисторов, тонкопленочных

...осуществляется после осаждения слоя кремния, а также с использованием ИК излучения при температурах 375 - 525 С в течение 15 - 25 минут на открытом воздухе, в результате чего на поверхности образуется защитный слой двуокиси кремния (ЯО ),В процессе окисления кремниевой пленки часть кремния диффундирует в приповерхностный слой резистивной пленки, в результате чего происходит упорядочение структуры приповерхностного слоя резистивного элемента, и как следствие, улучшается временная стабильность резистора в целом. Изменение фазового состава приповерхностного слоя резистивного элемента и упорядочение структуры пленки сопровождается уменьшением сопротивления, в то время как окислительные процессы увеличивают его,Способ изготовления...

Номер патента: 1598726

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Аванесян, Лазарев, Осипов, Савчук, Стусь

МПК: H01C 17/00, H01C 7/06

Метки: кремния, основе, резисторов, сплавов, тонкопленочных, хрома

1. Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния, включающий последовательное нанесение резистивных и проводниковых слоев на диэлектрическую подложку методом термического испарения в вакууме, формирование проводниковых и резистивных элементов методом фотолитографии, многократную термообработку в диапазоне температур 250 550°С, включающую нагрев, охлаждение, измерение сопротивления резисторов и расчет значений ТКС, изотермическую выдержку, подгонку величины сопротивления, причем термообработку прекращают по достижении заданных значений ТКС, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности изготовления за счет временной стабильности резисторов, подгонку величины сопротивления осуществляют в два этапа,...

Номер патента: 1540578

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Елютин, Лазарев, Мараканов, Мушакова, Осипов, Чеботаренко

МПК: H01C 7/00

Метки: кремния, основе, резисторов, сплавов, тонкопленочных, хрома

1. Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния, включающий нанесение на диэлектрическую подложку резистивного и проводникового слоев, формирование рисунка резистивных и проводниковых элементов и стабилизацию термообработкой на воздухе с последующим формированием защитного слоя путем нанесения металлического слоя и его оксидирования, отличающийся тем, что, с целью повышения временной стабильности резисторов, в качестве металлического слоя используют сплав на основе титана с добавками циркония, ниобия и молибдена, а операцию стабилизации и оксидирования металлического слоя совмещают.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что стабилизацию резистивного слоя осуществляют при температуре 350...

Номер патента: 1435106

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Арзуманян, Матнищян, Мелконян, Федоров, Шорин

МПК: H01L 31/18

Метки: преобразователей, тонкопленочных, фотоэлектрических

Способ изготовления тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей, включающий нанесение фоточувствительного слоя на подложку с электродом, легирование его кислородом воздуха и нанесение верхнего электрода, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности переключения фотоэлектрического преобразователя, в качестве фоточувствительного слоя используют полимерный комплекс нафталина с иодом.

Номер патента: 1167995

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Дубровский, Лугин, Чаадаев

МПК: H01C 17/22

Метки: подгонки, резисторов, тонкопленочных

Способ подгонки тонкопленочных резисторов, включающий грубую подгонку, стабилизацию параметров резисторов и точную подгонку, отличающийся тем, что, с целью повышения точности подгонки и стабильности резисторов, стабилизацию параметров осуществляют термообработкой резисторов на воздухе в течение 10 - 240 ч при температуре, не превышающей температуру кристаллизации резистивного материала и на 25 - 100oC выше рабочей температуры резисторов.

Номер патента: 660562

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Васильев, Тимофеев

МПК: H01C 17/00

Метки: микросхем, подгонки, резистивных, тонкопленочных

Устройство для подгонки тонкопленочных резистивных микросхем, содержащее подвижной координатный столик, генератор ультразвуковой частоты с вибратором, снабженным инструментом для подгонки в виде иглы, и измерительный блок с коммутатором, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности и производительности работы устройства, оно снабжено пантографом с закрепленным на нем подпружиненным зондом и шаблоном с выполненными в нем отверстиями, топология которых соответствует топологии подгоняемой микросхемы, причем вибратор размещен на пантографе, а шаблон - на координатном столике.

Номер патента: 1701049

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Артемов, Казадаев, Осипов, Стусь

МПК: H01C 17/24

Метки: лазерной, подгонки, прецизионных, резисторов, тонкопленочных

1. Способ лазерной подгонки прецизионных тонкопленочных резисторов, включающий изготовление тестовых образцов резисторов на диэлектрической подложке, нанесение пробных резов перпендикулярно направлению линий тока тестовых резисторов с использованием различных режимов лазерного излучения, определение зависимости величины удельного поверхностного сопротивления утечки резов от мощности лазерного излучения, выбор оптимального режима работы лазерного излучения путем сравнения полученной величины сопротивления утечки резов на тестовых образцах с заданной величиной и подгонку номиналов тонкопленочных резисторов путем нанесения лазерных резов параллельно линиям тока в выбранном режиме, отличающийся...

Номер патента: 843534

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Воробьев, Кузьминых, Орлов, Подгребняк, Стародубов

МПК: G01N 23/04

Метки: исследования, структуры, тонкопленочных, электронной

Устройство для исследования электронной структуры тонкопленочных материалов с помощью аннигиляции позитронов, содержащее радиоактивный источник позитронов, расположенный на подложке, и детекторы аннигиляционных гамма-квантов, отличающееся тем, что, с целью расширения области применения, устройство снабжено подложкой для установки образца, а подложка источника позитронов изготовлена в виде усеченного конуса, причем обе подложки выполнены из материала с атомным номером Zэфф 70.

Номер патента: 1373079

Опубликовано: 20.01.2006

Авторы: Волков, Рыжаков, Цапулин

МПК: G01K 7/25, H01C 17/232

Метки: балансировки, датчиков, компенсации, мостовых, схем, температурной, тензорезисторных, тонкопленочных

Способ балансировки и температурной компенсации мостовых схем тонкопленочных тензорезисторных датчиков по авт. св. № 1174738, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и стабильности, датчик предварительно охлаждают до температуры жидкого азота, и регулирование сопротивлений и температурных коэффициентов проводят при температуре жидкого азота.