C03C 17/36 — по меньшей мере с одним покрытием из металла

Номер патента: 140179

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Валидов

МПК: C03C 17/36

Метки: алюминиевой, алюминированного, зеркала, отражательной, поверхностью, стеклянного

...пленка сернистого цинка толщиной в четверть длины волны для видимой области спектра. Затем, испарением же, в вакууме наносится компенсирующая скачок фазы пленка фтористого магния оптической толшинои, равной половине величины скачка фазы на границе алюминий - фтористый магний. На пленку фтористого магния наносится непрозрачный слой алюминия, защитный слой меди и после снятия деталей с вакуумной установки наносится непрозрачный слой бекелитового лака с алюминиевым пап олнителем.Изготовленное таким о ркало обладает ббльшициентом отражения, чем зе зготовляемые ранееспособами с алюминиевой о ьной поверхностью и от140179 механической прочности к высшей - нулевой - группе прочности, Они могут быть использованы при работе в исключительно...

Номер патента: 162740

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C03C 17/22, C03C 17/36, C23C 14/14 ...

Метки: 162740

...соединений, например арсенида галлия, нитридом алюминия,Наиболее распространенным материалом для контейнеров, применяемых для металлургической обработки полупроводниковых материалов, в том числе арсенида галлия, является чистый кварц. Известны также контейнеры из нитрида алюминия, изготовленные методами порогнксвой технологии.Отличие предлагаемого способа заключается в том, что на контейнеры из кварца сначала наносят напылением в вакууме слой алюминия, а затем нанесенный слой подвергают азотированию нагреванием в атмосфере азота нли аммиака,В результате на контейнере образуется плотная инертная пленка нитрида алюминия высокой степени чистоты, исключающая загрязнение полупроводниковых материалов гримесями из контейнера....

Номер патента: 176052

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Евласов

МПК: C03C 17/36

Метки: зеркал

...Покрытие получают путем испарения в вакууме А 1, Мд)., и металлического титана. При этом А 1 и МдГ 2 испаряют обычным способом. Аналогичным образом ведут испарение металлического титана. Так как температура испарения Т 1 значительно выше температуры испарения МдГ 2 (примерно 1500 С), испарение титана ведут не из молибденовых лодочек, а из вольфрамовых толщиною 0,05+0,1 лл (ток испарения 150 А). После нанесения покрытия слой отжигают при температуре 300 С в течение 3 час. При этом титан окисляется и превращается в непоглощающую световую энергию интерференционную пленку. Одновременно слой весьма ощутимо закрепляется и может быть отнесен и первой группе прочности,Предлагаемый способ получения зеркал по.зволяет получить высокий...

Номер патента: 189535

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Изобретеии, Кормушин, Пинска, Фоменко

МПК: C03C 17/34, C03C 17/36

Метки: драгоценнь1камни, изделия, имитирующие, ювелирные

...фильтром, состоящим из полупрозрачного и непрозрачного слоев металла ислоя диэлектрика. В качестве металла можетбыть использован, например, алюминий, хром,титан, а в качестве диэлектрика - например,сернистый цинк, моноокись кремния, фтори стый магний, двуокись титана и другие вещества.Дополнительная защита данного фильтра от воздействия внешней среды осуществляется путем нанесения на последний слой металла (непрозрачный) либо, например, непрозрачного слоя хрома (вакуумным способом), либо слоя бакелитового лака с наполнителем (пульверизацней нли кистью).Аналогичная композиция в виде непрозрачного слоя металла, диэлектрика и полупрозрачного слоя металла может быть нанесена на переднюю грань камня.2-й вариант.Камень для ювелирных...

Номер патента: 181792

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Баранов, Еда, Крылова, Протасов

МПК: C03C 17/36

Метки: отражающегозеркала, селективно

...существующего производственного оборудования, снабженного фотометрцческим контролем толщины слоев.Для изготовления зеркэнергию в интервале от 0,45цо использовать подложкищающий слой из черногоренционные покрытия,Ицтерферецционцое покрытие, получаемое физическим методом, состоит из чередующихся слоев прозрачных диэлектриков с высокими (г) 2,0) ц низкими (и ( 1,6) показателями преломления, цапример сульфида цинка (гг =- 2,3) и фтористого магния (а=1,4).Оптическая толщина Ха всех слоев, кроме первого и последнего равна л,(4; оптическая толщина первого слоя должна быть равна цли несколько меньше .18, я оптическая толщина последнего слоя равна цли несколько болыце г.,/8 (., - длина волны, соответствующая центру спектральной области...

Номер патента: 810637

Опубликовано: 07.03.1981

Авторы: Герасимова, Горбачева, Сагитов

МПК: C03C 17/36

Метки: зеркал

...ичесваниях.В со ической фиоптическом тражающих ионных реверхностей, ой ультра- также при х исследотем, что в способе утем последователькляк кую подложку ристого магния на я дополнительно намния.выполнения способа. стоит из подложки, стекла, на поверхионно-плазменного пыления, в вакууме нее 10 -мм, рт. ст ЬрШгоп - 11 фиркуум-аппарате типа с РМО 1828-66 или810637 Составитель Г, Буровцева Техред И. Пенчко Редактор И. Квачадзе Корректор Л. Орлова Заказ 502/3 Изд.231 Тираж 530 Подписное НПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий П 3035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 других аналогичных, наносится трехслойное покрытие.а) непрозрачный слой алюминия (толщина 70 - 100 нм) в качестве...

Номер патента: 1346600

Опубликовано: 23.10.1987

Авторы: Акутене, Каменецкас, Петраускас

МПК: C03C 17/36

Метки: кварцевой, подложке, проводниковых, тонкопленочных, элементов

...вращения3000 об/мин) достигается его равномерное распределение по подложке.Затем в печи производят обжиг до .850+О С, Скорость подъема температуры У = 20+5 С/мин, температураобжига Т = 850-1 О С, время выдержки Т = 15+2 мин, скорость охлаждения У =20+5 С/мин.В результате высокотемпературногообжига состава на подложках образуется пленка толщиной 1500-2000 Асвинцовоборосиликатного стекла.Затем производят напыление металлических слоев в установке УВН"1 П-З.Перед напылением подложки выдерживаоют при температуре 300+20 С в течение 5 мин, Напыляют поочередно слойхрома толщиной 0,02 мкм слой медитолщиной 3 мкм и слой хрома толщиной 0,02 мкм при вакууме рабочей ка00 Продолжение табл,123 510 37 438+20 ВОз 10 441-20 Состав...

Номер патента: 1411311

Опубликовано: 23.07.1988

Авторы: Дежкунов, Дежкунова, Короткевич, Сокол

МПК: C03C 17/36

Метки: прозрачного, электрода

...электрода увеличивается, Однако получение покрытий толщиной более10 мкм представляет собой .большие;технические трудности. Кроме того,при толщинах, равных 5-6 мкм, ресурсработы электрода составляет 40-60 чпри непрерывной эксплуатации, что вполне приемлемо для цепей дефектоскопии. С увеличением толщины слоя оксида до величин порядка 1 О мкм ресурс работы электрода увеличивается все медленнее: при толщине оксида в 9 мкм ресурс составляет 75-80 ч, а при толщине оксида менее 0,3 мкм ресурс быстро падает и электрод в поле разряда прогорает за 6-7 ч работы, Оптимальная толщина оксида алюминия составляет 5-6 мкм.Выбор пары тантал - алюминий обусловлен тем, что в тех растворах, где алюминий анодируется насквозь (т.е, прокисляется на всю...

Номер патента: 1623115

Опубликовано: 20.08.2004

Авторы: Гликман, Горин, Шулов

МПК: C03C 17/10, C03C 17/36

Метки: стекла

Способ изготовления стекла путем формования на поверхности расплавленного металла и одновременной обработки верхней поверхности расплава Al с добавкой, отличающийся тем, что, с целью получения отражающего покрытия, обработку ведут расплавом состава, мас.%: Al 75-89; Si 11-25 при температуре ленты стекла 578-850 С.