Патенты с меткой «тонкопленочных»

Номер патента: 667902

Опубликовано: 15.06.1979

Авторы: Лабунов, Михайлов, Сокол

МПК: G01R 17/10

Метки: величины, корректировки, резисторов, сопротивления, токовой, тонкопленочных

...7 через измерительный резистор 8поступает на корректируемый резистор 1. Величина электрической мощности, рассеиваемая на кор.ректируемом резисторе 1, измеряется при помощиизмерителя 9 мощности, а сигнал, пропорциональный величине указанной мощности с выхода измерителя 9 поступает на вход блока 21 вычисленияприращения мощности и в зависимости от состояния триггера 20 через ключи 16 и 18 - на входзапоминающих устройств 17 и 19,В результате рассеивания электрической мощ. ности на резисторе 1 он разогревается, при этом, его сопротивление изменяется, что приводит к изменению величины разбаланса мостовой измернг тельной схемы 2 и к соответствующему измене. нию сигнала на выходе усилителя - детектора 3, Величина этого изменения...

Номер патента: 669253

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Кравченко, Лабунов, Лыньков, Томилин

МПК: G01N 1/28, H01J 37/26

Метки: микроскопии, образцов, приготовления, тонкопленочных, электронной

...следующим обез ожку,енную по цоликора итапл логенсодержашую да, насышают пора ми галогенов, нкую диэлектримого материала. ки ион верхность по после чего о даю ленку исспеду Р(54) СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХОБРАЗЦОВ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИ6692534ший разряд постоянного тока Щ, =1100 В,;/ =100 мА) и насыщают подложку иона-ми рабочего газа в течение 5 мин. После чего подложку переводят на позициюнапыления, прекрашают подачу рабочегогаза, откачивают вакуумный обьем додавления 510 тор и напыляют тонкуюдиэлектрическую ппенку 5 О. Затем включают нагреватель подложек, нагреваютоподложку с пленкой до 55+5 С температуру контролируют с помощью термопарного датчика), при этом происходит отслаивание пленки.Таким же образом осаждают...

Номер патента: 702296

Опубликовано: 05.12.1979

Авторы: Асташева, Карымов, Кочуков, Минеев

МПК: G01N 31/00

Метки: выявления, металлов, слоев, структуры, тонкопленочных

...фотографирование исследуемой поверхности, отличительные признаки которого состоят в том, что и водный раствор дополнительно вводят 5-10 вес,ч, азотнокислого серебра и повторно обрабатывают поверхность перекисью водорода, содержащей 5-10 вес.ч, азотнокислого серебра. П р и м е р, 5 г хлористоаммиачной меди растворяют в 100 мл дистиллированной воды и к раствору добавляют 5 г кристаллической азотнокислой соли серебра. Затем полученным раствором обрабатывают поверхность исследуемой пленки силицида переходного металла и нанесенный на поверхность раствор выдерживают в течение 40 мин. Образовавцтийся прн этом рыхлый осадок азотнокислого серебра смывают водой, Далее на поверхность ттаносят второй раствор, приготовлеттный раст3 702ворением 5 г...

Номер патента: 715099

Опубликовано: 15.02.1980

Авторы: Вальтер, Вильгельм

МПК: B01D 3/30

Метки: аппаратов, ротор, тонкопленочных

...5 подшипника, который открыт и имеет расширение в направлении оси ротора. Во вкладыше 5 подшипника находится болт 6, радиус которого несколько меньше радиуса кривизны вкладыша 5 подшипника и который соприкасается с ним вдоль образующей и скользит на нем при повороте вокруг оси болта 6.Через болт 6 под прямым углом к его оси проходит соединительное звено 7, которое имеет подвижное соединение с болтом 6.Соединительное звено 7 проходит вкладыш подшипника с аксиальным и радиальным зазором в вырезе 8, расположенном под прямым углом к оси кривизны. На соединительном звене 7, имеющем жесткое соединение с лопастью ротора 3, на конце, обращенном к валу 1, имеется резьба с гайкой 9 и контргайкой 10 для регулирования и фиксирования расстояния...

Номер патента: 822257

Опубликовано: 15.04.1981

Авторы: Бота, Венецкий, Шляхтиченко

МПК: G11B 5/12

Метки: блок, магнитныхголовок, тонкопленочных

...данной тонкопленочной10 магнитной головки являются невозможность создания блока головок с высокой поперечной плотностью записи исложность процесса создания большого количества витков.Цель изобретения - повькаение поперечной плотности записи и упрощениепроцесса изготовления блока головок.Поставленная цель достигаетсятем, что блок головок выполнен в ви 20 де двух подложек с.прямоугольными пазами, на одной из которых сформкрованы рабочий зазор и одна часть магии"топровода, а на другой - втораячасть магнитопровода и обмотка, рас 25 положенная в пазу,На фиг, 1 - 3 схематично изображенблок тонкопленочных магнитных головокБлок содержит подложку 1 с пазами2, тонкопленочными полюсными наконечниками 3 н рабочим зазором 4,822257 Формула...

Номер патента: 886043

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Лебедев, Люкшин, Пахомов, Шильников

МПК: G11B 5/20

Метки: блок, головок, магнитных, тонкопленочных

...слой диэлектрика, диэлектрик и заполняющий продольный паз общего йолусердечника выполнен с углублениями для витков обмотки,3 88 а общий полусердечник -с контактными выступами, находящимися в непосредственном соприкосновении с соответствую; щим автономным полусердечником, при этом вижи обмотки расположены в угу- бдениях диэлектрика, заполн 1 яющего паэ.На чертеже представлен, предлагаемый блок магнитных головок.Блок содержит общий для всех магнитных головок ферритовый полусердечник 1, являющийся подложкой. Вдоль .всего общего полусердечникавыполнен продольный паз 2, заполненный диэлектриком 3, В местах расположения отдельных головок блока на поверхность рбщего попусердечника нанесен диэлектрический слой 4, представляющий собой,...

Номер патента: 886068

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Демьяненко, Сердюков, Шумейко

МПК: H01C 17/30

Метки: резисторов, термической, тонкопленочных

...метрологических параметров резисторов и резисторных схем из металлосилицидных сплавов. Ограничение объема воздухас удельной нормой не более 0,02 см/смповерхности обрабатываемых слоев при термической обработке приводит к достаточномууменьшению окисления контактных площадок.Степень окисления контактных площадок темменьше, чем меньше воздуха остается в приспособлении. ПриФэтом обычно сохраняется адсорбированный на обрабатываемой поверхностирезистивной пленки кислород, необходимый и, достаточный для окисления резистивной пленки и стабилизации метрологических парамет.ров резисторных схем,Определение оптимального режима термической обработки в ограниченном объеме воздуха, проведенное симплексным методом,представлено в табл. 1....

Номер патента: 890453

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Молодцов, Пасичный

МПК: H01C 17/00

Метки: конденсаторов, подгонки, тонкопленочных

...положительной полуволны напряжения достигает пробивного значения Опг (фиг. 2) для подгоняемого конденсатора 8, последний пробивается, напряжение на нем падает до нуля и переходит на резистор 6, так как величина его сопротивления много больше величины сопротивления пробитого подгоняемого конденсатора 8. В этом случае резистор 6 играет роль ограничителя тока через подгоняемый конденсатор 8. При отрицательной полуволне напряжения диод 2 заперт, диод 3 открыт, а через резистор 4 напряжение от источника переменного напряжения 1 подается на резистор нагрузки 10, Цепочка резисторов 4 и 10 образует делитель напряжения, причем величина сопротивления резистора 4 (1-5 кОм) ,больше величины сопротивления резистора 10 (10- 100 Ом), поэтому при...

Номер патента: 900321

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Овласюк, Петров, Хальков

МПК: H01C 17/075, H01C 17/22, H01C 17/24 ...

Метки: подгонки, резисторов, тонкопленочных

...геометриирезистор 1 соединен противоположны"ми выводами с пленочными металлическими контактами 2 и 3. По краю резистора напылены два дополнительныхэлектрода 1 и 5, соединенные соответственно с пленочными контактами 2 ти 3. По нормали к дополнительным резисторам при удалении материала образуются дорожки 6 грубой настройкии дорожки 7 и 8 точной настройки,состоящие из наложенных друг на дру- зВга и частично перекрытых лунок 9(и - количество лунок, 1 - шаг настройки),Подгонка резистора осуществляетсяследующим образом. В исходном состоянии сопротивление резистора минимально. Для ступенчатого увеличениясопротивления на большую величину используется дорожка 6. Дорожка образуется, например лазерным лучом, изпоследовательно наложенных друг...

Номер патента: 902084

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Бабичев, Белянин, Федосеев

МПК: H01C 17/26

Метки: подгонки, резисторов, тонкопленочных

...по обычной технологии изготовления тонкопленочных резисторов.Сопротивление тонкопленочных нагреватель.ных элементов (тонкопленочных резисторов)составляет 170 - 180 Ом, При подгонке черезтонкопленочный резистор пропускают импуль.сы тока с параметрами: длительность 15 мс,частота следования 10 Гц, амплитуда плавнорегулируется: в диапазоне от 11 до 20 22 В,Одновременно с пропусканием импульсов тока тонкопленочный резистор охлаждается сжатым воздухом (давление в магистрали неменее 2-3 ат).Подгонка проводпся следующим образом.К тонкопленочному резистору при номо.щи зондов подключают источник импульсовтока и омметр через коммутатор. Измеряютначальное сопротивление, Далее на тонкопле.иочный резистор подают 8-12 импульсов(первый этап) в течение...

Номер патента: 924765

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Богаткова, Волкова, Гудков, Загинайло, Закс, Максимцова, Ряхин

МПК: H01C 7/00

Метки: высокоомных, материал, резистивный, резисторов, тонкопленочных

...тем, 10 что резистивный материал для изготовления высокоомных тонкопленочных резисторов, включающий хром, железо, алюминий, смесь окислов кремния и алюминия дополнительно содержит окись 15 кадмия при следующем количественном соотношении компонентов, вес.Ф:Хром 12- 10Железо 1-10Алюминий 10-20 20Окись кадмия 2-15Смесь окисловкремния и алю"миния ОстальноеВводимая в предлагаемый резистив ный материал окись кадмия смещает Средние зна чения велиДиапазонполученных значений ТКС101/Со Алюминий Окиськадмия чин поверхностного сопротивлениярезистивныхпленок окисловкремнияи алюминия-10- +30 16 17 50 Как видно из таблицы,резистивный материал может быть использован при изготовлении высокоомных тонкопленочных резисторов с малым уровнем...

Номер патента: 945893

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Брызгин, Герасимук, Калюжный, Мухин, Сагайдак

МПК: G11B 5/28

Метки: блок, видеозаписи, головок, магнитных, тонкопленочных

...дорожки,вывод которого подключен к обшей шине7, Проходящий от вывода 5 по проводнику 4 к общей шине 7 ток создает магнитное поле в токопленочных мвгнитопроводах 2 и 3, воздействующее на магнитный носитель в области магнитного зазора, образованного проводником 4,Запись телевизионного сигнала на магнитный носитель осушествлятог методом1 О последовательной коммутации одновитковых обмоток каждой интегральной магнитной головки. При этом число. отдельныхмагнитных головок в блоке должно бытьсравнимо с числом элементов разложе 15 ния телевнзионного сигнала по строке(т,е. в зависимости от качества изображения от 100 до 800), Если обозначитьчисло магнитных головок в блоке И, товремя воздействия сигнала за время20 прямого хода строчной...

Номер патента: 947920

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Айвазьян, Алексанян, Баграмова, Маркосян, Саносян, Сухарев, Татевосян

МПК: H01C 17/075

Метки: делителей, подгонки, тонкопленочных

...на общий проводник, к которому подключены выводы резисторов, а положительный потенциал подают последовательно на свободные выводы каждо 9 ч 7920го иэ гальванически связанных резисторов.На чертеже показан делитель напряжения, подгоняемый предлагаемым способом.Делитель состоит иэ резисторов 5 1-1-1-п(й, й,1, , К), подключенных одним выводом к общему проводнику 2, на который подан отрицательный потенциал напряжения источника 3 пи- тания. В пределах области 4, являю щейся зоной анодирования, осуществляется контакт электролита с поверхностью резисторов. Для селективной подгонки резистора 1-1-1-и замыкают один из ключей 5-.1 - 5-п, связывающий свободный вывод каждого из резисторов с положительиым полюсом источника питания. Потенциометром 6...

Номер патента: 957266

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Люкшин, Пахомов

МПК: G11B 5/28

Метки: блок, головок, магнитных, тонкопленочных

...слой в рабочем зазоре и магнитные слои, образующие верхние ветви магнитопроводов, основание блока выполнено в виде чередующихся пластин магнитного и немагнитного материала, расположенных под углом 45 - 90 к плоскости рабочего зазора, причем части ветвей магнитопровода расположены над магнитными пластинами и рав 957266ны по длине соответственно длинам рабочего и дополнительного зазоров.На фиг. 1 показан блок головок с обмоткой из изолированного провода и чередующихся пластин магнитного и немагнитного материала, расположенных под углом 90; на фиг. 2 - блок магнитных головок с обмоткой из тонной пленки и чередующимися пластинами, расположенными под углом 45.Блок магнитных головок содержит основание, состоящее из прямоугольных...

Номер патента: 960970

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Вязовкин, Лопухин, Семенова, Чудаковский

МПК: H01C 17/242

Метки: подгонки, резисторов, тонкопленочных

...их над подгоняемым резистором,В течение времени перемещения бло"ков 10 и 12 блок 9 автоматическогоуправления стабилизацией и подгонкойопределяет температурный коэффицйент50сопротивления подгоняемого резистора.Это необходимо, ибо отсутствие учетатемпературного коэффициента сопротивления (ТКС) ведет к появлению дополнительной погрешности, После его оп 55ределения происходит вычисление величины ьР, на которую необходимо подогнать резистор с учетом ТКС, Послеэтого на управляющем выходе блока 9 автоматического управления стабилизацией и подгонкой появляются сигналы, поступающие на вход блока 10 преобразования интенсивности излучения, причем число и величина этих сигналов пропорциональны Д В.Блок 10 преобразования интенсивности излучения...

Номер патента: 960981

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Галушко, Романов

МПК: H01G 4/20

Метки: конденсаторов, тонкопленочных

...образуется вспомогательная МДМструктура,Подачей напряжения, 0,7-0,9 отнапряженности пробоя для данного типа диэлектрической пленки "выжигают"в ней дефекты.При проведении этой операции над35областями с дефектами испаряется металл вспомогательной обкладки и получается металлическая маска, черезкоторую подтравливают диэлектричес 40кий слой в местах пробоя диэлектрикаудаляя с частью диэлектрика остатки испарившегося металла обкладок), Через образовавшиеся в диэлектрике сквозные дырки производят страв -45ливание металла нижних обкладок додиэлектрической подложки. Затем стравливают вспомогательный слой металла,Гсли этот слой состоит иэ того жеметалла, что и нижняя обкладка, тоон стравливается подтравливанием ниж 50ней обкладки.На втором...

Номер патента: 963113

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Геннадьев, Кузнецов, Мойбенко, Соломенников

МПК: H01C 17/00

Метки: тензорезисторов, тонкопленочных

...что согласно способу изготовления тонкопленочных тензорезисторов, включающему нанесение на металлическую пластину сЬоя диэлектрика и резистивного слоя с последующей термообработкой их в среде кислорода, термообработку осуществляют при 600-750 оС и давлении 10 - 1 Па в течение 2-10 мин.Способ осуществляют следующим об" разом.На пластину из стали 36 НХТ толщиной 0,25 мм, диаметром 18 мм наносят слой диэлектрика и резистивный слой титана толщиной 1000 мкм, Затем пластину с нанесенными на нее слоями нагревают с помощью инфракрасного излу" чателя до 700 оС в течение 2 мин при давлении кислорода 10 Да. Тензорезистор имеет удельное поверхностное сопротивление 4 кОмо и коэффициент тензочувствительности 40. Изготовленный13 формула изобретения...

Номер патента: 970497

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Петрова, Сиворонов

МПК: H01G 4/10

Метки: диэлектрический, конденсаторов, материал, тонкопленочных

...Оксид иттрия 76Аморфный бор и предварительно обожженные оксид гольмия и оксид иттрия перемешивают в халцедоновых барабанах на планетарно-шаровой мельнице в среде этилового спирта. Весовое соотношение компонентов при помоле диэлектрический материал.: этиловый спирт: молющие шары равно 1:1:1,5, Время помола 5 - 6 ч, Полученную смесь сушат в термошкафу при 105 + 5 С до полного удаления спирта и970497 Формула изобретения Составитель В. СалынскийТехред И, Верес Корректор Г, ОгарТираж 761 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам Изобретений и открытий113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Редактор Ю. КовачЗаказ 7412/66 протирают через сито 40 мкм для разрушения...

Номер патента: 983766

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Демин, Стерхов, Стерхова

МПК: H01C 17/00

Метки: индивидуальной, подгонки, резисторов, тонкопленочных

...6,30На магазине 8 эталонных сопротивлений устанавливают требуемую величину сопротивления эталонного резистора, Затем на блок 9 сравнения ивыбора направления ведения подгонки 35 подают два сигнала - один с магазина 8 эталонных сопротивлений, другой с блока 7 контроля и управления подгонкой. На основании сравнения этих двух сигналов блок 9 сравнения 40 и выбора направления ведения подгонки вырабатывает один из двух сигналов рассогласования, первый из которых соответствует тому, что подгоняемый резистор 13 меньше эталонного, второй тому, что подгоняемый резис" тор 13 больше эталонного, В случае, если с блока 9 сравнения и выбора направления ведения подгонки на блок 4 автоматического вертикального перемещения игл-электродов поступает...

Номер патента: 1004485

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Блинов, Меркушев, Чурилов

МПК: C23C 13/00

Метки: гибкой, подложке, резисторов, тонкопленочных

...резистивного материала наподложку, после чего маскируют реперные знаки, а проводящие элементыФормируют методом Фотолитографии,причем локальное осаждение резистивного материала на подложку осуществляют через свободную маску.П р и м е р. Через свободную маску на полиимидную подложку наносятметодом вакуумного испарения резистивные элементы и реперные знаки. Маска в данном случае, кроме своей основной Функции, играет роль теплового экрана, предохраняющего подложкуот перегрева при нанесении тугоплавких материалов. Затем маскируют реперные знаки и наносят сложной проза ,004485 Составитель Н. Серебрянннкова lТехред Т.Маточка КоРРектоР О Билак Редактор Т. Парфенова Заказ 1805/36 Тираж 954ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений...

Номер патента: 1012354

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Карымов, Минеев

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, низкоомных, резисторов, тонкопленочных

...основе порошков дисилицида молибдена и никеля.Исходными компонентами материала 1 О служат следующие порошки: Молибдендисилицид (МоЫд) ТУ-09 03-395-74,никель, марка ПЙК 1 Л 5 ГОСТ 8722-71Средняя дисперсность порошковсоставляет 40 мкм.Для получения материала порошкиисходных составляющих (Мо 8 и М ),взятые в необходимых пропорциях, подвергают мокрому смешиванию в средеэтилового спирта 250 мл на 1 кг 20 шихты в течение 8 ч. Смешиваниепроводят е полиэтиленовом барабанес агатовыми шариками диаметром 1 О мм,Барабан вращается на рольганге со ссредней скоростью 75 об/мин, Соотно шение масс шаров и шихты составляет3:1После смешивания полученную шихту сушат е термошкафу при 60-80 С иподвергают протирке через сито с 30 сеткой 10063 для разрушения...

Номер патента: 1014045

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Кузнецов, Юсипов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, низкоомных, резисторов, тонкопленочных

...для низкоомных тонкопле.ночных резисторов, содержащий ниобий и легирующие добавки, в качестве легирующих добавок содержит ванадий, молибден, хром и углерод при следующем количественном соотношении ком понентов, вес.%: 0,55,00,010,3 МолибденУглеродХром Ниобий Остальное 5,25 10,0 0,1 б,б 2. Ванадий МолибденУглеродХром Ниобий Остальное 3. Ванадий 11,0 Молибден 15,0Углерод 0,2 Хром 13,0 0,5-11,0 ВанадийМолибден Углерод Хром Ниобий 5.0-15,0О, 01-0,2. 40 0,3-13,0 Остальное Приведены конкре ные примеры 45 приготовления реэистивного материала предложенного сплава с различным содержанием исходных компонентов и их характеристики.Методом вакуумной дуговой плавки получали мишени из предложенного Численные значения параметров материала Рабочий...

Номер патента: 1019500

Опубликовано: 23.05.1983

Авторы: Астров, Карпеченков, Слушков, Теплицкая, Шоткин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный, резисторов, тонкопленочных

...резистивный материал,включающий хром, кремний, вольфрам, идиоксид марганца, дополнительно содержит диоксид церия при следующем количественном соотношении компонентов, вес.Ъ:ВольФрам 10-20Кремний 15-25Диоксид марганца .15-30Диоксид церия .8-36Хром ОстальноеВведение в известный резистив-ный материал двуокиси церия - оксицаметалла с большим атомным весом "позволяет .расширить диапазон удельных сопротивлений реэистивных пленок,получаемых ионно-плазменным напылением до 12000 Ом/о при низком (длявысокоомного диапазона) ТКС в пределах (.150-400) 10 1/С и при сохранении во всем. диапазоне высокой стабильности их свойств во времени притемпературе окружающей среды от -60до +155 С.П р и м е р. Для получения мишенейиэ резистивного материала готовят...

Номер патента: 1056281

Опубликовано: 23.11.1983

Автор: Юсипов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, низкоомных, резисторов, тонкопленочных

...изпредлагаемого материала, обладаютжаростойкостью при эксплуатациина воздухе вплоть до температурыплюс 280 С и термостабильностью завремя 10000 ч, т,е, изменение величины сопротивления резистора от номинала составляет +7% при температуреокружающей среды плюс 280 С,оПовышение жаростойкости и термостабильности в предложенном материале происходит за счет того, что молибден образует с легирующими добавками гамма-фазу и твердые растворы,обладающие повышенной жаростойкостьюи териостойкостью. Введение лантаноидов в приведенном процентном1056281 Уменьшение содержания легирующихдобавок ниже указанных пределов приводит к резкому снижению жаростойкости и термостабильности при длительной эксплуатации.увеличение содержаний л гируюших...

Номер патента: 1084711

Опубликовано: 07.04.1984

Авторы: Валиев, Великов, Душенков, Леонтьева, Митрофанов, Прохоров, Сидорук

МПК: G02B 5/20

Метки: тонкопленочных, фильтров

...деструкции молекул полиме" ра при поглощении квантов электромагнитного излучения. Время облучения ф определяют но экспериментальной кривой фототравления в зависимости от заданной остаточной толщины 1 пленки-подложки 2. При этом указанная толщина может равняться нулю, что соответствует полному стравливанию подложки, но может иметь и небольшое коневое значение. В поспеднем случае ультратонкое полимерное покрытие 2 предохраняет пленку фильтра 131084 от коррозии, различных. загрязнений и ТеДеВид экспериментальных кривых фототравления 5 и 6 соответственно для полиметилметакрилата и полипропи лена при начальной толщине цо подложек из .этих материалов равной 500 нм представлен на фиг,3. Если требуется оставить на пленке фильтра 1...

Номер патента: 1101475

Опубликовано: 07.07.1984

Автор: Ряхин

МПК: C23C 13/00

Метки: поверхности, подложки, резисторов, тонкопленочных, чистоты

...оценки результата визуального контроля, в связи с чем достоверность получаемых результатов мала. Кроме того, способ неприменим к гидрофобным по верхностям. цветовой окраски чистых и загрязненных участков поверхности.Фиг. 1-4 иллюстрируют достоверность определения чистоты поверхности контрольных подложек согласно предлагаемому способу.П р и м е р. Определение чистоты поверхности проводилось на подложках из керамического материала М, применяемых в производстве основных типов тонкопленочных цилиндрических резисторов: МЛТ, ОМЛТ, С 2-13, С 2-14, С 2-29 В, С 2-36, С 2-50 и др. Керамические подложки специально загрязнялись различными способами для возможности оценки объективности предлагаемого способа.Анализируемые цилиндрические...

Номер патента: 1105946

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Алексеева, Бахтинов, Биркен, Дикиджи, Ярославский

МПК: H01C 7/04

Метки: терморезисторов, тонкопленочных

...терморезисторов включает изготовление порошковой мишени изтвердых растворов полупроводниковых оксидов переходных металловсогласно техпроцессу ЦЛ.25065.00001,для чего последние измельчают спомощью пестика до порошкообразногосостояния.Полученный порошок помещают надиск из плавленного кварца, постепенно выливают на порошок спирт,растирают порошок со спиртом дополучения однородной суспеизии, которую равномерно распределяют по поверхности диска. Помещают кварцевыйдиск с нанесенной на него суспенэиейв термостат (любого типа) при100+5 ОС на время не менее 2 ч. Через 2 ч "порошковая" мишень готова к работе.Нанесение термочувствительнойпленки тонкопленочного терморезистора осуществляют на установке типаУВНПс применением в качествевысокочастотного...

Номер патента: 1115113

Опубликовано: 23.09.1984

Автор: Андзюлис

МПК: H01C 17/00

Метки: многослойных, резисторов, тонкопленочных

...во время отжига;на фиг. 8 - кинетика изменения удельных поверхностных сопротивлений однономинальных (Нз=350 Ом/кв) однослойных и многослойных пленок во времяотжига.40Способы нанесения резистивных пленок (слоев) и формирование диэлектрических слоев могут быть разными, втом числе термическое напыление илиионно-плазменное распыление резистив 45ных и диэлектрических материалов ввакууме, в инертных или реактивныхсредах. Способ включает формированиетонких диэлектрических слоев путемобработки резистивных пленок в реактивных средах, в кислороде, азоте,например, термическим окислением,окислением под давлением или анодированием, например, в высокочастотном разряде. В массовом производстве способ предполагает возможностькосвенного контроля...

Номер патента: 1154302

Опубликовано: 07.05.1985

Авторы: Альянов, Балабанов, Васильев, Комаров, Муратов, Смирнов

МПК: C09D 3/66, G11B 7/26

Метки: информации, композиция, носителей, тонкопленочных

...теплопроводностью и теплотой испарения, высоким коэффициентом молярной экстинции и не разлагается под действием лазерноголуча. Наличие Фталоцианина в тонкопленочном носителе информации подтверждается следующим образом.Часть рабочего слоя носителя информации удаляют с подложки и растворяют при нагревании в Ы.-хлорнафталине,Снимают электронные спектры и гло.щения. Для спектров характерны двеполосы поглощения при 703 и 668 нм,которые свойственны только Фталоцианину.Для определения элементного состава образующегося красящего вещества предварительно удаляют меламиноалкидную смолу из состава растворителем - диметилформамидом.Найдено, 7.: С 74,1, Н 3,7;М 22,2.С 52 Н 181 зВычислено, 7.: С 74,7; Н 3,5,И 21,7.Элементный состав красящего...

Номер патента: 1173151

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Селегин, Хаммадов

МПК: G01B 5/00

Метки: закрепления, образцов, тонкопленочных

...тон копленочных образцов содержит опор.ную базу 1, выполненную в виде коль. ца с плоской торцовой поверхностью, механизм прижима, выполненный в виде двухстепенного карданного подвеса с ведущим наружным кольцом 2 (изображены только части этого кольца), промежуточным кольцом 3 и ведомым внутренним кольцом 4.Ведущее наружное кольцо 2 соеди" вено с промежуточным 3 цилиндрическими шарнирами 5 и 6, а промежуточное 3 с ведомым внутренним 4 соединено цилиндрическими шарнирами 7 (показан только один шарнир), На ведомом внутреннем кольце 4 закреплен эластичный прижимной элемент 8 с тороидальной торцовой, ко ническими внутренней и наружной поверхностями. Крепление эластичного прижимного элемента 8 к внутренне 173151 2му ведомому кольцу 4...