Патенты с меткой «формирования»
Устройство для формирования сигнала управления бокового канала системы управления летательного аппарата
Номер патента: 295368
Опубликовано: 10.10.2005
Авторы: Бондаренко, Илюхин, Калугин, Рыжов, Чикулаев
МПК: B64C 13/16
Метки: аппарата, бокового, канала, летательного, сигнала, системы, формирования
Устройство для формирования сигнала управления бокового канала системы управления летательного аппарата, связанное с датчиками угла курса и крена, приемником угломерного маяка и датчиком поперечных ускорений, содержащее последовательно соединенные два интегратора, охваченные цепями обратной связи через сумматор и соединенные через блок выходного ограничения с выходным сумматором, формирующим сигнал управления, отличающееся тем, что, с целью повышения точности управления, в него введено устройство для самонастройки коэффициента усиления сигнала отклонения от траектории полета, содержащее множительное устройство, вход которого связан с приемником угломерного маяка, а выход - с сумматором и...
Устройство для формирования электрических разрядов в жидкости
Номер патента: 1455964
Опубликовано: 10.11.2005
МПК: B21D 26/12, H01T 9/00
Метки: жидкости, разрядов, формирования, электрических
1. Устройство для формирования электрических разрядов в жидкости, содержащее камеру, заполненную рабочей жидкостью, электроды с разрядным зазором между ними, отличающееся тем, что, с целью увеличения стабильности параметров разрядов и упрощения их инициирования, электроды вмонтированы у дна камеры, выполненного из изолирующего материала, а разрядный зазор перекрыт мостиком свободно налитой ртути.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что мостик ртути размещен в выемке в дне камеры, соединяющей электроды.
Способ формирования легированных областей при изготовлении кремниевых полупроводниковых приборов
Номер патента: 1400386
Опубликовано: 20.12.2005
МПК: H01L 21/324
Метки: изготовлении, кремниевых, легированных, областей, полупроводниковых, приборов, формирования
Способ формирования легированных областей при изготовлении кремниевых полупроводниковых приборов, включающий выращивание окисла на кремниевой подложке, формирование рисунка в окисле, загонку легирующей примеси, химическую очистку, диффузионную разгонку в окислительной атмосфере, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов за счет улучшения очистки поверхности полупроводника, диффузионную разгонку проводят с добавлением в окислительную атмосферу паров йодосодержащих компонентов в количестве 0,5-1,5 об.%.
Способ формирования высокотемпературных тензорезисторов
Номер патента: 1284433
Опубликовано: 10.02.2006
Авторы: Алексеева, Сивенков, Скопич, Чугунов
МПК: H01L 21/78
Метки: высокотемпературных, тензорезисторов, формирования
Способ формирования высокотемпературных тензорезисторов на металлической подложке, включающий нанесение через маску изолирующего слоя, тензорезистивного слоя и проводящей пленки, отличающийся тем, что, с целью расширения температурного диапазона работы и повышения воспроизводимости параметров тензорезисторов, для нанесения проводящей пленки используют металлическую маску с подслоем, имеющим высокие адгезионные свойства с материалом тензорезистивного слоя, а массу для нанесения тензорезистивного слоя формируют методами фотолитографии, после чего проводят ионное травление этого слоя.
Устройство для формирования сигнала предупреждения о достижении предельной скорости полета вертолета
Номер патента: 1135299
Опубликовано: 27.04.2006
Авторы: Бондарев, Гринкевич, Козицин, Кудрявцев, Макаров, Мязин, Никольский, Петросян, Попов, Поташник, Тепанов
МПК: B64C 13/00, G01P 5/00
Метки: вертолета, достижении, полета, предельной, предупреждения, сигнала, скорости, формирования
Устройство для формирования сигнала предупреждения о достижении предельной скорости полета вертолета, содержащее датчики приборной скорости и барометрической высоты, формирователь допустимой скорости в функции высоты полета, первый компаратор и сигнальное устройство, причем первый и второй входы компаратора подключены соответственно к датчику приборной скорости и формирователю допустимой скорости в функции высоты полета, подключенного входом к датчику барометрической высоты, отличающееся тем, что, с целью повышения безопасности полета вертолета при скоростях полета, близких к предельно допустимым, в него дополнительно введены датчики температуры невозмущенного потока и оборотов несущего...
Устройство для формирования сигнала предупреждения о достижении предельной скорости полета вертолета
Номер патента: 1605777
Опубликовано: 27.05.2006
Авторы: Гирин, Гринкевич, Кудрявцев, Мязин, Никифорова, Никольский, Петросян
МПК: G01P 5/00
Метки: вертолета, достижении, полета, предельной, предупреждения, сигнала, скорости, формирования
Устройство для формирования сигнала предупреждения о достижении предельной скорости полета вертолета по авт. св. № 1135299, отличающееся тем, что, с целью повышения безопасности полета вертолета при скоростях полета близких к предельно допустимым, в него введены датчик нормальной перегрузки, датчик угловой скорости, датчик веса вертолета, формирователь максимально допустимой скорости с учетом ограничения максимальной несущей способности несущего винта и четвертый компаратор, подключенный выходом к логическому элементу ИЛИ, а первым и вторым входами соответственно к выходам датчика приборной скорости и формирователя максимально допустимой скорости с учетом ограничения по максимальной...
Устройство формирования весовых коэффициентов автокомпенсаторов помех
Номер патента: 1840025
Опубликовано: 27.07.2006
Автор: Агишев
МПК: G01S 7/36
Метки: автокомпенсаторов, весовых, коэффициентов, помех, формирования
Устройство формирования весовых коэффициентов автокомпенсаторов помех, содержащее генератор опорного сигнала, последовательно включенные фазовращатель, первый перемножитель, первый интегратор, первый делитель, первый блок вычитания, усилитель и второй перемножитель, последовательно включенные квадратор, второй интегратор и второй делитель, причем входы фазовращателя, квадратора и второй вход второго перемножителя объединены и образуют первый вход устройства, второй вход первого перемножителя является вторым входом устройства, выход второго перемножителя является выходом устройства, выход второго интегратора подключен к второму входу первого делителя, выход генератора опорного сигнала - к второму входу второго делителя, выход второго...
Устройство для формирования телеграфных сигналов
Номер патента: 1840241
Опубликовано: 10.08.2006
Авторы: Егоров, Козлов, Рыжов, Селезнев, Синица
МПК: H04L 27/18
Метки: сигналов, телеграфных, формирования
Устройство для формирования телеграфных сигналов, содержащее информационный блок, который соединен с блоком сопряжения, который соединен с буферным регистром, а также формирователь импульсов, отличающееся тем, что, с целью формирования сигналов с различными скоростями телеграфирования, введены коммутатор, информационный регистр, элементы ИЛИ, счетчики, регистры, блоки сравнения и мультиплексор, ко входам которого подключены выходы информационного регистра, сигнальный вход которого соединен с выходом буферного регистра и первого счетчика, установочный вход которого соединен с управляющим входом блока сопряжения, с управляющим входом информационного регистра и с выходом формирователя импульсов, первый вход которого соединен с выходом...
Устройство для формирования импульсных магнитных полей в циклическом ускорителе заряженных частиц
Номер патента: 1114315
Опубликовано: 10.01.2007
Автор: Шашов
МПК: H05H 11/00, H05H 7/04
Метки: заряженных, импульсных, магнитных, полей, ускорителе, формирования, циклическом, частиц
Устройство для формирования импульсных магнитных полей в циклическом ускорителе заряженных частиц, содержащее магнитопровод, две обмотки возбуждения, между выводами которых включены емкостные накопители, управляемый коммутатор, анод которого присоединен к началу первой обмотки возбуждения, а катод - к концу второй, начало которой присоединено к минусу источника питания и через два последовательно соединенных диода к концу первой обмотки, индуктивный накопитель энергии, подключенный между плюсом источника питания и средней точкой упомянутых диодов, конденсатор одна обкладка которого подключена к аноду управляемого коммутатора, а другая - к первому выводу коммутирующего дросселя,...
Способ формирования межэлементных соединений интегральных схем
Номер патента: 1760920
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Довнар, Лесникова, Сарычев, Сасновский, Турцевич
МПК: H01L 21/28
Метки: интегральных, межэлементных, соединений, схем, формирования
Способ формирования межэлементных соединений интегральных схем, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой пластины с созданными в ней элементами интегральных схем слоя алюминия или его сплавов, нанесение слоя кремния, создание фоторезистивной маски с рисунком межэлементных соединений, травление слоев кремния и алюминия или его сплавов через эту маску, удаление маски, отличающийся тем, что, с целью повышения качества межэлементных соединений путем уменьшения вероятности коротких замыканий и повышения стойкости к электромиграции, после удаления маски пластины со сформированным на них рисунком межэлементных соединений в течение 5-30 мин обрабатывают в атмосфере гексафторида...
Способ формирования межуровневой изоляции интегральных схем из борофосфоросиликатного стекла
Номер патента: 1780467
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Зайцев, Кабаков, Карпиевич, Козлов, Красницкий, Турцевич
МПК: H01L 21/76
Метки: борофосфоросиликатного, изоляции, интегральных, межуровневой, стекла, схем, формирования
Способ формирования межуровневой изоляции интегральных микросхем из борофосфоросиликатного стекла, включающий загрузку кремниевых подложек со структурами интегральных схем в реактор, нагретый до 600-700°С, вакуумирование реактора, раздельную подачу в реактор паров тетраэтоксисилана с азотом или кислородом посредством испарителя-барботера при 30-60°С, фосфина с парами триметилбората в инертном газе и кислорода, наращивание пленки борофосфоросиликатного стекла требуемой толщины с содержанием фосфора 2-5 мас.% и бора 3-6 мас.% при давлении 15-100 Па и соотношении ингредиентов фосфин-кислород более или равном 0,2 при температуре нагрева реактора, оплавление борофосфоросиликатного...
Интерферометрический способ формирования изображения объекта, наблюдаемого через турбулентную атмосферу
Номер патента: 1840698
Опубликовано: 27.06.2008
Авторы: Бакут, Польских, Ряхин, Свиридов, Устинов
МПК: G01S 17/00, G02B 23/00
Метки: атмосферу, изображения, интерферометрический, наблюдаемого, объекта, турбулентную, формирования
Интерферометрический способ формирования изображения объекта, наблюдаемого через турбулентную атмосферу, заключающийся в приеме светового излучения, делении его на два потока излучения, делении одного потока на два пучка излучения равной интенсивности, формировании по ним интерферограммы вращения, регистрации N распределений интенсивности интерферограммы в узком спектральном диапазоне в течение N промежутков времени, меньших интервала временной корреляции атмосферных искажений, восстановлении пространственного спектра объекта и формировании по нему изображения объекта, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, перед восстановлением пространственного спектра делят второй поток одновременно с первым на два пучка излучения равной...
Устройство формирования характеристики направленности многоэлементной антенны
Номер патента: 1840756
Опубликовано: 27.04.2009
МПК: G01S 7/52
Метки: антенны, многоэлементной, направленности, формирования, характеристики
Устройство формирования характеристики направленности многоэлементной антенны, содержащее задающий генератор, подключенный в фазосдвигающему блоку, выходы которого соединены коммутатором с усилителями мощности элементов антенны, отличающееся тем, что, с целью обеспечения плавного сканирования характеристики направленности антенны, в него введены два модулятора огибающей напряжения задающего генератора, обеспечивающие треугольный закон модуляции со сдвигом фаз на четверть периода, входы которых подключены к задающему генератору, причем выход одного из модуляторов соединен с фазосдвигающим блоком, а выход другого модулятора соединен с дополнительным фазосдвигающим блоком, выходы которого через коммутатор подключены к усилителям мощности...
Устройство формирования и сканирования характеристик направленности многоэлементной антенны
Номер патента: 1840757
Опубликовано: 27.04.2009
МПК: G01S 7/52
Метки: антенны, многоэлементной, направленности, сканирования, формирования, характеристик
Устройство формирования и сканирования характеристики направленности многоэлементной антенны, содержащее два квадратурных канала, каждый из которых включает себя многоканальный коммутатор, входы которого подключены к приемникам антенны, и квадратор, а также многопрограммное управляющее устройство, отличающееся тем, что, с целью обеспечения возможности формирования характеристики направленности антенны любой конфигурации, в него введен безынерционный сумматор, выполненный, например, на резисторах, входы которого подключены к выходам квадраторов, а в каждый квадратурный канал введен многоканальный сумматор с памятью, выполненный, например, на RC-элементах, входы которого подключены к выходам многоканального коммутатора, а выход - ко входу...
Способ формирования износостойкого покрытия
Номер патента: 1501534
Опубликовано: 27.01.2010
Авторы: Андреев, Кабалдин, Кожевников, Лазовский, Мокрицкий
МПК: C23C 12/00, C23C 14/32
Метки: износостойкого, покрытия, формирования
Способ формирования износостойкого покрытия, включающий нанесение основного слоя из нитридов, карбидов или карбонитридов тугоплавких металлов конденсацией, ионной бомбардировкой и азотирование слоя в тлеющем разряде, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости покрытия, перед нанесением основного слоя проводят осаждение дополнительного слоя из тугоплавких металлов, после чего наносят часть основного слоя толщиной до 3,0 мкм, а после азотирования - остальную часть основного слоя.
Способ формирования износостойкого покрытия
Номер патента: 1322605
Опубликовано: 27.01.2010
Авторы: Андреев, Бурков, Кабалдин, Мокрицкий
МПК: B23P 15/28
Метки: износостойкого, покрытия, формирования
Способ формирования износостойкого покрытия из слоев различной твердости на твердосплавном инструменте, включающий нанесение на поверхность инструмента подслоя титана из плазменной фазы с последующим нанесением покрытий из нитридов или карбидов металлов IV-VI групп периодической системы элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости инструмента за счет повышения адгезии покрытия с инструментом, перед нанесением подслоя титана на поверхность инструмента наносят твердый слой карбида одного из металлов IV-VI групп периодической системы элементов и подвергают его ионному азотированию.
Способ формирования рисунка в полиимидной пленке
Номер патента: 1757395
Опубликовано: 20.03.2012
Авторы: Воробьев, Коршунов, Кульгачев, Сенько, Снитовский
МПК: H01L 21/268
Метки: пленке, полиимидной, рисунка, формирования
Способ формирования рисунка в полиимидной пленке, включающий нанесение на полупроводниковую подложку пленки полиамидной смолы, обработку участков пленки и травление не обработанных участков пленки, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости за счет исключения фотолитографии, обработку проводят путем одновременного фотонного облучения дозой не менее 0,6 МДж·м-2 при мощности потока излучения (0,01-2,0) МДж·с-1 ·м-2 и нагрева подложки до температуры не менее 80°С.
Способ формирования пленок нитрида кремния
Номер патента: 1715138
Опубликовано: 20.03.2012
Авторы: Кастрицкий, Козлов, Красницкий, Макаревич, Турцевич
МПК: H01L 21/318
Метки: кремния, нитрида, пленок, формирования
Способ формирования пленок нитрида кремния, включающий осаждение на кремниевые подложки пленки нитрида кремния при температуре 650-900°С из газовой смеси дихлорсилана и аммиака при соотношении ингредиентов 1:(4-20) и общем давлении 13,3-133,3 Па, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет увеличения их электрической прочности и снижения дефектности, осаждение проводят послойно с толщиной каждого отдельного слоя не более 15 монослоев, последовательно чередуя операции осаждения и отжига в аммиаке в течение 2-10 мин при давлении 6,65-66,5 Па при температуре осаждения пленки нитрида кремния.
Газоразрядное устройство для формирования импульсов тока и напряжения на нагрузке
Номер патента: 1644686
Опубликовано: 20.03.2012
Автор: Бохан
МПК: H01J 63/00
Метки: газоразрядное, импульсов, нагрузке, формирования
1. Газоразрядное устройство для формирования импульсов тока и напряжения на нагрузке, содержащее газонаполненный герметичный корпус с размещенными в нем анодом и катодом, отличающееся тем, что, с целью повышения скорости изменения тока и напряжения в области их максимальных значений, катод выполнен в виде обечайки, охватывающей разрядную область, а анод - в виде сетки с поверхностью, эквидистантной внутренней поверхности катода, в качестве рабочего газа использована смесь, содержащая гелий, неон или азот, при этом расстояние между анодом и катодом превышает характерный размер ячеек сетки-анода, диаметр анода превышает расстояние между анодом и катодом не менее чем в 10 раз, а давление...
Способ формирования омических контактов к кремнию
Номер патента: 1292628
Опубликовано: 20.03.2012
Авторы: Принцев, Снитовский, Шепурёв
МПК: H01L 21/28
Метки: контактов, кремнию, омических, формирования
Способ формирования омических контактов к кремнию, включающий нанесение молибдена на поверхность кремниевой подложки катодным распылением в тлеющем разряде в газовой среде, содержащей трехфтористый бор, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества контактов и повышения производительности способа, катодное распыление осуществляют в газовой среде состава, об.%: Водород15-30 Трехфтористый борОстальное при давлении 5·10 -2-8·10-2 Па и плотности мощности разряда...
Способ формирования нитридных покрытий
Номер патента: 1628561
Опубликовано: 20.06.2012
МПК: C23C 14/28
Метки: нитридных, покрытий, формирования
Способ формирования нитридных покрытий, включающий воздействие импульсного лазерного излучения на поверхность подложки в азотсодержащей среде при длительности лазерного импульса 10 -3-10-6 с и плотности мощности лазерного излучения 2·106 - 1010 Вт/см2, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей способа, в качестве азотсодержащей среды используют слой жидкости азота, сформированного на поверхности подложки, причем толщину слоя жидкого азота выбирают в интервале (2-5)D, где D - диаметр лазерного пятна на поверхности, равной 0,5-1,5 мм.
Устройство для формирования радиально-круговой развертки
Номер патента: 1840906
Опубликовано: 27.08.2014
Авторы: Высоцкий, Партала, Почаевец, Швирст
МПК: G01S 7/12
Метки: радиально-круговой, развертки, формирования
Устройство для формирования радиально-круговой развертки индикаторов обзорной радиолокационной станции, содержащее функциональный преобразователь кода в напряжение, входы которого подключены к выходам устройств формирования кодов, генератор пилообразного напряжения, вход которого соединен с выходом синхронизатора, и двухканальный усилитель постоянного тока, отличающееся тем, что, с целью улучшения качества формирования растра и реализации цифрового адреса знаков сопровождаемых целей, в него дополнительно введены многовходовой двухканальный перемножитель аналоговых сигналов и преобразователь кода в напряжение, входы которого подключены к выходам устройств формирования кодов, а выход - к первой паре входов многовходового двухканального...
Устройство формирования радиально-круговой развертки
Номер патента: 1840988
Опубликовано: 27.11.2014
Авторы: Бондаренко, Высоцкий, Лысенко, Партала, Почаевец
МПК: G01S 7/12
Метки: радиально-круговой, развертки, формирования
Устройство формирования радиально-круговой развертки, содержащее электронно-лучевую трубку с отклоняющей системой, синхронизатор, функциональный преобразователь кода в напряжение, вход которого является входом кодов угловых координат устройства, двухканальный усилитель постоянного тока, между первым и вторым выходами функционального преобразователя кода в напряжение и входами соответствующих каналов усилителя постоянного тока включен перемножитель, управляющий вход которого через генератор пилообразного напряжения подключен к синхронизатору, при этом первые и вторые выходы каждого канала соединены с соответствующими входами отклоняющей системы, отличающееся тем, что, с целью повышения точности установки луча на экране электронно-лучевой...