Патенты с меткой «формирования»

Номер патента: 1831896

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Дружинина, Колтунчиков, Лялько

МПК: D03D 23/00

Метки: бесчелночном, плотной, станке, ткани, ткацком, формирования

Способ формирования плотной ткани на бесчелночном ткацком станке, включающий в каждом цикле последовательно осуществляемые смену зевов, образование асимметричного зева для создания разнонатянутости ветвей основы, прибой ранее проложенной уточной нити к опушке ткани бердом, прокладывание следующей уточной нити и выстой ветвей основы при раскрытом зеве и отвод участка ткани из зоны тканеформирования, отличающийся тем, что, с целью улучшения структуры тканей, после смены зевов при образовании асимметричного зева в течение по меньшей мере первой половины периода прибоя одну из ветвей основы размещают в интервале от средней линии зева до 0,1h, где h половина высоты раскрытого зева, а другую ветвь основы после смены зевов в начале прибоя...

Номер патента: 1152142

Опубликовано: 10.09.1996

Авторы: Даровских, Дорман, Литвак, Пылаев

МПК: B21C 47/02

Метки: бунт, вертикальное, витков, проволоки, формирования

Вертикальное устройство для формирования витков проволоки в бунт, содержащее полый цилиндрический корпус, оправку, соосно размещенную в корпусе, механизм сбора и выгрузки бунтов, размещенный в нижней части корпуса и выполненный в виде парных комплектов двуплечих рычагов с элементами фиксации оправки, установленными снаружи корпуса посредством перпендикулярных оправке осей с возможностью синхронного поворота от индивидуальных приводов, каждый из которых связан с одним плечом рычага, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и уменьшения габаритной высоты за счет обеспечения постоянного нахождения оправки в рабочей зоне, устройство снабжено средством удержания оправки при выгрузке бунта, выполненным в виде поворотной вилки,...

Номер патента: 1627000

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Василевич, Довнар, Корешков, Шикуло

МПК: H01L 21/302

Метки: интегральных, контактных, окон, схемах, формирования

...нижнего изолирующего слоя над областями р-типд проводимости превышает толщину слоя над областями и-типа проводимости в 2-30 раз, то при полном вскрытии поверхности над областями и-типа проводимости, над областями р-типа проводимости происходит частичное травление слоя двуокиси кремния.После полного вскрытия поверхности подложки над областями и-типа проводимости удаляют фоторезистивную маску, проводят диффузию фосфора из РОС 1 з при температуре Т = 850+1 С в течение 1 = 10 мин и оплавляют фосфоросиликатное стекло при температуре Т = 1000+1 С в течение 110 мин. Далее стандартными методами фотолитографии создают дополнительную фоторезистивную маску из фоторез иста ФПМК толщиной 1,2 мкм с конфигурацией окон к областям р-типа проводимости...

Номер патента: 1533451

Опубликовано: 20.10.1996

Автор: Игбаев

МПК: F42D 3/04

Метки: заряда, формирования

Способ формирования заряда ВВ, включающий бурение скважины, заряжение ее ВВ с одновременным введением полых конусов, соединенных попарно с общим основанием, отличающийся тем, что, с целью формирования заряда, обеспечивающего заданную степень дробления путем регулирования энергетических характеристик взрыва, вершины попарно соединенных конусов смещают относительно вертикальной оси симметрии скважины.

Номер патента: 1820782

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Дударчик, Кабаков, Козлов, Красницкий, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: двуокиси, кремния, пленок, формирования

...моносилана при осаждении не превышала 50 см /мин, а закиси азота - 3000 см /мин, Величина давлениязпри осаждении составляла 133,3 Па. Температура при продувке реактора и осаждении составляла 800+1 С (пр, 24-7), 650 С (пр,1), 850 С (пр. 3); в примере 8 температура продувки реактора и осаждения составила 680 С, а в примере 9 - 820 С,Всего проведено 10 процентов.Процесс включал следующие стадии:ПР а ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ размещение кремниевых подложек в продуваемом азотом реакторе;- вакуумирование реактора;- продувку реактора закисью азота; - плавное установление потока моносилана, подачу его в реактор, осаждение 31 Ог;- прекращение осаждения, вакуумирование реактора;подача в реактор кислорода (при достижении необходимой температуры) и...

Номер патента: 1478696

Опубликовано: 10.03.1997

Автор: Медведев

МПК: E02B 3/00

Метки: выемки, канала, формирования

1. Способ формирования выемки канала, осуществляемый безнапорным потоком воды путем многократной разработки и размыва пионерных траншей до проектной ширины канала, каждую из которых выполняют по дну частично размытого потоком канала и направляют в более низкое место аккумулирующей емкости по сравнению с предыдущей, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности работы путем расширения возможности использования энергии потока, снижения трудоемкости и стоимости разработки русла за счет сокращения объемов земляных механизированных работ, формирование ведут поэтапно, перед выполнением пионерной траншеи на первом этапе формируют надводную часть выемки канала расходами воды с использованием в качестве участков сброса ее боковых понижений...

Номер патента: 1639313

Опубликовано: 20.04.1998

Авторы: Кованцев, Коломийцев, Кумахов, Пономарев, Ходеев

МПК: G21K 1/06

Метки: квазипараллельных, пучков, рентгеновских, формирования

...от источника излучения до выходного торца соответствующего пакета отражающих пластин, мм;Б - диаметр источника, мм;Т - толщина пластин, мм;Ь - зазор между пластинами на выходном торце соответствующего пакета, мм;В.; - расстояние от оптической оси до соответствующей пластины на выходном торце пакета,Эти выражения получены геометрически с учетом конечного размера источника и толщины пластин, руководствуясь следующими критериями; отсутствием прямого прохождения излучения между поверхностями, т,е, без отражения от них, отсутствием на выходе устройства квантов, испьпывающих более одного отражения, обеспечением требуемой величины расходимости излучения относительно оптической оси в каждом из зазоров между пластинами.Устройство работает...

Номер патента: 1686983

Опубликовано: 27.06.1998

Авторы: Заддэ, Кузнецов, Курсакова, Сурьянинова, Токарев

МПК: H01L 31/18

Метки: n+-p-p+, изготовлении, кремниевых, структур, формирования, фотопреобразователей

Способ формирования n+-p-p+-структур при изготовлении кремниевых фотопреобразователей, включающий создание на противоположных сторонах кремниевой пластины источника фосфора и источника бора в виде боросиликатной пленки из пленкообразующего раствора с содержанием оксида бора в нем 20 - 60 мас.%, последующую термодеструкцию, термическую диффузию фосфора и бора в кремниевую пластину, удаление окисной пленки с двух сторон пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента полезного действия фотопреобразователей за счет управления профилем распределения примесей n-типа и исключения взаимного влияния примесей, диффузию фосфора проводят в две стадии, при этом на первой стадии в качестве источника фосфора...

Номер патента: 1628788

Опубликовано: 27.12.1998

Авторы: Барсукова, Белков, Демин, Коликова, Петрова, Русин

МПК: H01M 4/22

Метки: аккумулятора, пластин, свинцового, формирования, электродных

...аэрозоля, составпоглотителя приведен в таблице.Пример 6. В условиях примера 1 берут0,12 г/л поглотителя аэрозоля, составпоглотителя приведен в таблице.Пример 7, В условиях примера 1 берут0,11 г/л поглотителя аэрозоля, составпоглотителя приведен в таблице.Примеры 8 - 13. В условиях примера 1берут 0,07 г/л поглотителя аэрозоля дляразных составов поглотителя, указанных втаблице.Достигаемый эффект получен при введении в формировочный электролит 0,03 - 0,11г/л поглотит еля аэрозоля серной кислотыследующего состава, мас.%:Додецилбензолсульфокислота 90 - 97Серная кислота 1 - 6Алкилбензол 0,5 - 3Диоксид серы 0,5 - 1при содержании алкильных групп в додецилбензолсульфокислоте и в алкилбензоле,равном 10 - 14,Уменьшение количества...

Номер патента: 1771365

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Журавлев, Муркин

МПК: H01S 3/097

Метки: незавершенного, разряда, скользящего, формирования

Устройство для формирования незавершенного скользящего разряда, содержащее высоковольтный и заземленный электроды, размещенные на поверхности пленки из высокоомного неполярного диэлектрика и образующие разрядный промежуток, а также импульсный источник питания, соединенный с высоковольтным и заземленным электродами, отличающееся тем, что, с целью обеспечения импульсно-периодического режима работы, расширения диапазона регулирования энерговклада в разряд и увеличения длительности импульса излучения, устройство дополнительно содержит коронирующий электрод и источник постоянного высокого напряжения, при этом коронирующий электрод установлен над разрядным промежутком с возможностью перемещения и...

Номер патента: 1424676

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Журавлев, Муркин

МПК: H01T 4/16

Метки: импульсно, периодического, разряда, скользящего, формирования, электродная

1. Электродная система для формирования импульсно-периодического скользящего разряда, состоящая из диэлектрической подложки, высоковольтного электрода на верхней поверхности подложки, заземленного электрода на нижней и верхней поверхностях подложки, отличающаяся тем, что, с целью повышения ресурса, заземленный электрод выполнен в виде выпуклой пластины и металлического листа, гальванически связанных между собой и расположенных по обеим сторонам подложки, выполненной в виде диэлектрической пленки, имеющей возможность перемещения с помощью системы протяжки по поверхности выпуклой пластины заземленного электрода из зоны разряда.2. Система по п. 1, отличающаяся тем, что указанная система...

Номер патента: 1664105

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Базанов, Бланкин, Васюков, Игнатенко, Погорелов, Чернышев

МПК: G21B 1/00, H05H 1/06

Метки: оболочки, плазменной, токовой, формирования

1. Устройство для формирования плазменной токовой оболочки, содержащее коаксиальные электроды с торцовыми опорными поверхностями, внешний из которых образует герметичную рабочую камеру, цилиндрический изолятор, установленный между торцовыми опорными поверхностями внутреннего и внешнего электродов, импульсный источник тока, подключенный к электродам, систему откачки создания рабочей газовой среды в рабочей камере, отличающееся тем, что, с целью увеличения удельного энерговклада в плазменную токовую оболочку, между электродами с внешней стороны цилиндрического изолятора размещен разрушаемый проводник, на внешней поверхности которого расположены токопроводящие кольцевые накладки с различными...

Номер патента: 1384071

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Архипов, Бочин, Вакар, Ермаков, Пахомов, Русанов, Соколов, Фатеев

МПК: G21C 15/26

Метки: водяного, газового, состава, теплоносителя, установках, формирования, энергетических

Способ формирования газового состава водяного теплоносителя в энергетических установках, включающий введение или удаление водорода и/или кислорода, отличающийся тем, что, с целью повышения пожаровзрывобезопасности установок за счет упрощения технологической системы и повышения точности регулирования содержания газообразных компонентов, водяной теплоноситель с электропроводностью не более 10 мкОм, температурой не более 200oC и активностью не более 10-2Кu/л приводят в контакт с поверхностью твердого протонпроводящего электролита, частично покрытой катализатором - металлом платиновой группы, на которой относительно электрода, расположенного с противоположной стороны...

Номер патента: 1779202

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Егудин, Лихтман, Смирнов

МПК: H01L 21/28

Метки: затворов, системы, субмикронной, формирования, электродной

1. Способ формирования субмикронной электродной системы затворов СВЧ-полевых транзисторов, включающий создание маски, осаждение в вакууме на неподвижные полупроводниковые пластины, прикрепленные к подложкодержателю, многослойных пленок из тугоплавких и драгоценных металлов, образующих управляющую и токоведущую части электродной системы, и удаление маски, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии пленок и снижения расхода драгоценных металлов, управляющую часть электродной системы в виде многослойной пленки из тугоплавких металлов выполняют общей толщиной 0,15-0,2 мкм и осаждают с расстояния, обеспечивающего максимальный угол расхождения осаждаемого молекулярного потока от строго...

Номер патента: 1108897

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Макарецкий, Покровский, Хурхулу

МПК: G02F 1/03

Метки: импульсов, оптических, формирования

Устройство формирования оптических импульсов, содержащее модулирующие элементы из электрооптического материала с управляющими электродами, причем входная грань первого элемента и выходная последнего перпендикулярны к направлению распространения света, отличающееся тем, что, с целью уменьшения длительности оптических импульсов, модулирующие элементы выполнены в виде трех прямых трехгранных призм, установленных вдоль направления распространения света с зазорами, при этом управляющие электроды расположены на основаниях призм, а коэффициент преломления электрооптического материала n, величина каждого зазора d и угол между...

Номер патента: 1085373

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Квасков, Новиков, Синицын

МПК: G01M 7/00

Метки: импульса, испытании, крешер, силы, трапецевидного, формирования

Крешер для формирования трапецевидного импульса силы при испытании изделий, выполненный в виде сотового элемента, отличающийся тем, что, с целью расширения типов испытуемых изделий, он выполнен с параллельными основаниями, а геометрические размеры его ячеек выбраны из соотношения0,12 h/ 0,25,где h - толщина стенки между ячейками, - расстояние между центрами ячеек.

Номер патента: 1718661

Опубликовано: 10.09.1999

Авторы: Борисов, Гутов

МПК: G01T 1/16

Метки: импульсов, спектрометрических, формирования

Устройство для формирования спектрометрических импульсов, содержащее детектор, первый делитель, последовательно соединенные первый преобразователь частота-напряжение и первый компаратор, а также первый и второй дискриминаторы и усилитель, подключенный входом к выходу детектора и выходом к входам первого и второго дискриминаторов, отличающееся тем, что, с целью расширения области применения, в него введены третий дискриминатор, два элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ, второй и третий делители, дешифратор, мультиплексор, последовательно соединенные второй преобразователь частота-напряжение и второй компаратор, последовательно соединенные третий преобразователь частота-напряжение и третий компаратор, а...

Номер патента: 568255

Опубликовано: 27.09.1999

Авторы: Благов, Дмитриев, Пантелеев

МПК: B65G 57/18

Метки: круглых, пакетов, проката, формирования

Устройство для формирования круглых пакетов проката, содержащее корпус-карман, пару поворотных по оси двуплечих рычагов, одни из плеч которых подключены к приводу через синхронизирующий механизм, а на других закреплен гибкий элемент формообразующего механизма, отличающееся тем, что, с целью сохранения нижнего уровня пакетов при формировании их в широком диапазоне диаметров, формообразующий механизм выполнен в виде перекрещивающихся в вертикальной плоскости гибких элементов по числу рычагов, оси которых размещены по разные стороны вертикальной оси устройства, каждый гибкий элемент закреплен на разноименных плечах одного и того же рычага и огибает блок, расположенный на стороне,...

Номер патента: 1118155

Опубликовано: 20.10.1999

Авторы: Валиев, Виницкий, Закиев, Кудряшов, Попов-Толмачев, Сеинов, Чолах

МПК: F42D 1/16

Метки: гидроизолирующим, заряда, скважинного, слоем, формирования

Устройство для формирования скважинного заряда с гидроизолирующим слоем, содержащее узел подачи сыпучего взрывчатого вещества с направляющей трубой, узел подачи гидроизолирующего состава с емкостью, образованной основанием и корпусом, установленным на направляющей трубе с возможностью его возвратно-поступательного перемещения, и сообщенной с системой подачи сжатого воздуха, узлы центрирования устройства в скважине, размещенные на корпусе узла подачи гидроизолирующего состава, отличающееся тем, что, с целью повышения качества заряда путем исключения разрывов гидроизолирующего слоя, оно снабжено узлом выравнивания гидроизолирующего слоя, выполненным в виде эластичной камеры, сообщенной с...

Номер патента: 1181413

Опубликовано: 27.10.1999

Авторы: Баженов, Либенсон, Макин

МПК: G02B 5/18

Метки: периодических, поверхностных, структур, формирования

Способ формирования периодических поверхностных структур, включающий воздействие на полированную поверхность двух интерферирующих пучков лазерного излучения, отличающийся тем, что, с целью снижения энергозатрат на обработку при одновременном повышении ее качества, указанное воздействие осуществляют Р-поляризованными пучками при длине когерентности излучения, превышающей длину зоны обработки, и при углах падения пучков, определяемых из соотношения2sin( /2) cos =

Номер патента: 1211916

Опубликовано: 20.11.1999

Автор: Лазарев

МПК: A61B 17/00

Метки: еюностомы, формирования

Способ формирования еюностомы путем извлечения петли тощей кишки, наложения соустья между приводящим и отводящим коленами, ушивания приводящего колена у верхушки петли, вшивания верхушки в рану брюшной стенки, вскрытия просвета кишки после операции, отличающийся тем, что, с целью снижения числа осложнений, связанных с зондовым питанием и забрасыванием содержимого кишки на кожу, на приводящем колене кишки накладывают инвагинирующие швы вдоль всей его длины, а на отводящем колене накладывают три группы инвагинирующих швов у межкишечного соустья, посередине колена и у верхушки петли, которую выпрямляют и укладывают по ходу нижней горизонтальной ветви двенадцатиперстной кишки с отклонением вниз.

Номер патента: 1577561

Опубликовано: 10.12.1999

Авторы: Ардашев, Мезрин

МПК: F02P 9/00, G05B 1/01, H03K 5/24 ...

Метки: задержанного, импульса, формирования

Способ формирования задержанного импульса, заключающийся в формировании основного напряжения в заданной зависимости от текущего времени импульса с последующим сравнением основного напряжения с опорным напряжением и формировании выходного импульса в момент сравнения основного напряжения и опорного напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности формирования при использовании, например, в системах зажигания двигателей внутреннего сгорания, опорное напряжение формируют в заданной зависимости от текущего времени периода.

Номер патента: 1365982

Опубликовано: 20.12.1999

Авторы: Алексеева, Басин, Саминский

МПК: H01J 9/22

Метки: кинескопа, матрицы, формирования, цветного, черной, экране

Способ формирования черной матрицы на экране цветного кинескопа, включающий получение на экранном стекле задубленного рельефа поливинилового спирта, нанесение на него черного покрытия из коллоидно-графитового препарата и обработку его перекисью водорода и водой, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных за счет снижения брака по неравномерности матрицы, нанесение черного покрытия осуществляют напылением коллоидно-графитового препарата на нагретую до 40 - 80oC поверхность.

Номер патента: 1732507

Опубликовано: 20.12.1999

Автор: Кузнецов

МПК: A23L 1/328, A23P 1/02

Метки: веществ, гранул, пищевых, формирования, шарообразных

Устройство для формирования шарообразных гранул из пищевых веществ, содержащее герметичную расходную емкость с термостатированной рубашкой, соединенную с источником сжатого воздуха, цилиндрический сосуд с приемной воронкой и охлаждающей рубашкой, насадок, размещенный над воронкой, сообщенную с цилиндрическим сосудом накопительную емкость и трубопровод для поддержания рабочего уровня в воронке, отличающееся тем, что, с целью повышения эффективности процесса, предотвращения потерь пищевых веществ и компактности устройства, насадок закреплен на нижней части расходной емкости с возможностью вращения и имеет по меньшей мере два выпускных отверстия для гранул, сообщенных с полостью расходной...

Номер патента: 1699201

Опубликовано: 20.12.1999

Авторы: Демин, Кузнецов

МПК: E21B 45/00

Метки: бурении, долото, нагрузки, осевой, скважин, формирования

Способ формирования осевой нагрузки на долото при бурении скважин, основанный на измерении амплитуды импульсов давления промывочной жидкости, по величине которой изменяют осевую нагрузку, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности процесса бурения скважины винтовым забойным двигателем за счет исключения перегрузок и недогрузок долота, изменение амплитуды импульсов давления производят при работе винтового забойного двигателя в режиме холостого хода А1 и под нагрузкой А2 и в процессе бурения путем изменения осевой нагрузки поддерживают максимальную величину соотношения (А2 - А1)/А1.

Номер патента: 409323

Опубликовано: 27.12.1999

Автор: Петров

МПК: H01Q 3/02

Метки: антенны, вращающейся, диаграммы, космической, направленности, передающей, формирования

Способ формирования диаграммы направленности передающей космической вращающейся антенны, основанный на использовании направленного излучения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения уменьшения ширины диаграммы направленности, увеличивают линейную скорость вращения антенны и направляют максимум излучения электромагнитной энергии по касательной к направлению вращения.

Номер патента: 1364146

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Кулешов, Панин, Редькин, Юнкин, Якимов

МПК: H01L 21/306

Метки: p-n-переходов, кадмия-ртути, кристаллов, основе, п-типа, проводимости, теллурида, формирования

Способ формирования р-n-переходов на основе кристаллов теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости, включающий обработку кристаллов потоком ионов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества р-n-перехода за счет снижения радиационного воздействия на кристаллы, обработку проводят в плазме аргона ВЧ-разряда при давлении от 6,7 10-1 до 66,5 Па и величине удельной мощности на единицу поверхности от 0,6 до 1,3 Вт/см2.

Номер патента: 1473611

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Ерохин, Итальянцев, Мордкович

МПК: H01L 21/26

Метки: ионно-легированных, материалах, полупроводниковых, слоев, формирования

Способ формирования ионно-легированных слоев в полупроводниковых материалах, включающий имплантацию ионов в полупроводниковый материал с одновременным его облучением потоком фотонов и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров ионно-легированных слоев, облучение проводят при энергии фотонов 1,1 - 8,0 Eg, где Eg - ширина запрещенной зоны полупроводникового материала, и плотности мощности потока 0,01 - 10 Вт/см2.

Номер патента: 1338749

Опубликовано: 27.02.2000

Авторы: Бан, Гандыбин, Попов, Пустынников, Хорьков

МПК: H02K 25/00

Метки: импульсов, формирования

Устройство формирования импульсов тока, содержащее статор с якорной обмоткой с клеммами для подключения к нагрузке через первый коммутирующий аппарат и вспомогательной обмоткой, размещенной под углом по отношению к якорной обмотке и соединенной через второй коммутирующий аппарат с дополнительной обмоткой, размещенной на роторе перпендикулярно обмотке возбуждения, отличающееся тем, что, с целью увеличения мощности путем увеличения амплитуды и крутизны переднего и заднего фронтов импульсов тока, устройство снабжено третьим коммутирующим аппаратом, через который обмотка возбуждения одним выводом соединена с вспомогательной...

Номер патента: 1151177

Опубликовано: 27.03.2000

Автор: Малышев

МПК: H02P 3/04

Метки: внутреннего, двигателей, зажигания, импульсов, сгорания, формирования

1. Способ формирования импульсов зажигания для двигателя внутреннего сгорания, включающий формирование в одном цикле зажигания опорного импульса, соответствующего моменту зажигания, формирование вспомогательного импульса, опережающего опорный импульс, подачу тока в первичную обмотку катушки зажигания в момент формирования вспомогательного импульса, сравнение величины тока с заданным значением и выключение тока в катушке зажигания в момент формирования опорного импульса, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности системы зажигания путем минимизации среднего тока катушки зажигания, опережение вспомогательного импульса в последующем цикле производят на время протекания тока через...