Сивенков

Номер патента: 1284433

Опубликовано: 10.02.2006

Авторы: Алексеева, Сивенков, Скопич, Чугунов

МПК: H01L 21/78

Метки: высокотемпературных, тензорезисторов, формирования

Способ формирования высокотемпературных тензорезисторов на металлической подложке, включающий нанесение через маску изолирующего слоя, тензорезистивного слоя и проводящей пленки, отличающийся тем, что, с целью расширения температурного диапазона работы и повышения воспроизводимости параметров тензорезисторов, для нанесения проводящей пленки используют металлическую маску с подслоем, имеющим высокие адгезионные свойства с материалом тензорезистивного слоя, а массу для нанесения тензорезистивного слоя формируют методами фотолитографии, после чего проводят ионное травление этого слоя.

Номер патента: 1253266

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Жучков, Марин, Семенов, Сивенков

МПК: G01L 9/04

Метки: тензометрический

Тензометрический преобразователь, содержащий мембрану и соединенные в мостовую измерительную схему тензорезисторы в виде основных, расположенных в центральной и на периферийной частях мембраны, и дополнительных термокомпенсационных и балансировочных, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения за счет уменьшения температурной погрешности при работе в нестационарном режиме, в нем центральные основные резисторы расположены симметрично относительно одной из осей мембраны, периферийные резисторы выполнены в виде двух участков, симметрично расположенных относительно этой же оси, при этом дополнительные термокомпенсационные резисторы расположены с внешней стороны...

Номер патента: 1419100

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Иванова, Сивенков, Фомин

МПК: C07C 231/24, C07C 233/09

Метки: выделения, метакриламида, сульфата

Способ выделения сульфата метакриламида, полученного взаимодействием ацетонциангидрина с серной кислотой при их молярном соотношении, равном 1:1,6 1,8, и температуре 85 135oС путем разбавления реакционной массы водой с последующим ее охлаждением, отличающийся тем, что, с целью повышения чистоты целевого продукта, реакционную массу разбавляют водой в массовом соотношении, равном 100:(5 25), полученный раствор охлаждают до температуры 20 -10oС с последующим отфильтровыванием образовавшегося целевого продукта.

Номер патента: 1048707

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Карпинская, Куликова, Макарова, Сивенков, Фомин

МПК: C07C 233/09

Метки: n-метиленбисметакриламида

Способ получения N, N'-метиленбисметакриламида путем взаимодействия при нагревании метакриламида с формальдегидом, взятых в мольном соотношении 2:1, в присутствии органического растворителя и катализатора с последующим выделением целевого продукта фильтрованием, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода и упрощения процесса выделения, в качестве растворителя используют образующие с водой азеотропалифатические или ароматические углеводороды в количестве 0,5-1,5 моля на 1 моль метакриламида и синтез осуществляют ступенчато: исходные компоненты, взятые в мольном соотношении 1:1, нагревают в присутствии 0,8-1% (от массы амида) щелочи при температуре 50-55oC в течение 15-20 мин, затем к полученной реакционной массе добавляют...

Номер патента: 1018409

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Гандурин, Груздев, Кабатова, Карпинская, Куликова, Лукина, Макарова, Сивенков, Смолева, Степина, Фомин

МПК: C08F 220/06, C08F 220/16, D06P 1/52 ...

Метки: загустителей, красок, печатных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЗАГУСТИТЕЛЕЙ ДЛЯ ПЕЧАТНЫХ КРАСОК эмульсионной сополимеризацией 35 45 мас. бутилакрилата с 55 65 мас. метакриловой кислоты в присутствии инициатора полимеризации, ионогенного эмульгатора анионного типа, сшивающего агента и коагулирующего агента, отличающийся тем, что, с целью повышения вязкости растворов загустителей и улучшения окраски ковровых изделий, в качестве сшивающего агента используют 0,25 0,5 мас. от смеси мономеров N, N -метиленбис(мет)-акриламида.

Номер патента: 1772215

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Иванова, Сивенков, Соколов

МПК: C23C 10/22

Метки: диффузионного, изделия, нанесения, покрытия, стальные

...0,5-0,8 мас,% лития, остальное свинец, в котором растворяются насыщающие элементы. Присутствие лития в расплаве способствует восстановлению окисных пленок покрываемого изделия, и таким образом, способствует быстрому образованию ювенильной поверхности транспортным расплавом, что и приводит к сокращению длительности инкубационного периода, а следовательно сокращению процесса образования диффузионного покрытия за счет1772215 Составитель И. ДашковаТехред М.Моргентал Корректор О, Кравцова Редактор Заказ 3817 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-ЗБ, Рвушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, улХагарина, 101 сокращения времени адсорбции....

Номер патента: 1753312

Опубликовано: 07.08.1992

Авторы: Семенов, Сивенков, Скопич, Чугунов

МПК: G01L 9/12

Метки: абсолютного, давления, датчик, емкостный

...дополнительный электрод, при этом до вакуумирования опорной камеры диск закрепляют на прикрепленном к упругой опоре штоке. предварительно поджав диск к диэлектрическому основанию, а затем в измерительную камеру подают давление, соответствующее верхнему пределу измерения, и перемещают введенный в датчик и закрепленный в корпусе упор до касания с жестким центром мембраны, после чего подают в измерительную камеру давление, превышающее атмосферное не менее, чем в 1,5 - 2 раза до образования зазора между диэлектрическим основанием и диском, а затем в измерительную камеру подают давление, превышающее в 1,2 - 1,5 раза верхний предел измерения, и отводят упор от мембраны на величину ее рабочего хода.На чертеже показана конструкция...

Номер патента: 1716206

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Вайтехович, Вержбицкий, Ковалев, Прудников, Сивенков

МПК: F15C 3/16

Метки: генератор, сигналов, тепловых

...фиксатора свободного конца одной из пластин. Трубки, которыми снабжена заслонка, установлены в соплах, скользят по их внутренней цилиндрической поверхности и этим препятствуют перекосу заслонки, Таким образом, избавившись от перекоса, не нужно устанавливать две диаметрально противоположные пластины. со строго одинаковой ,тепловой инерцией, достаточно одной. А все другие пластины выполняют с различной тепловой инерцией, что и позволит в 2 раза увеличить диапазон регулирования частоты генерируемых сигналов. На чертеже изображен генератор, в разрезе в момент перекрытия правого сопла.Генератор содержит корпус 1 о соплами 2, 3 горячего и холодного соответственно теплоносителей и выходным каналом 4. Между соплами 2 и 3 установлена заслонка...

Номер патента: 1712513

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Алексеев, Долинская, Савко, Сивенков, Щербина

МПК: D21H 27/18

Метки: производства, рубероида

...путем смешения80 - 85 мас.битума марки БН, 5-15 мас,наполнителя и 3-10 мас,механических обработанных БОКМов. Механическую абработку БОКМов осуществляют пропусканиемразличной формы БОКМ через размалывающие вальцы; характеризующиеся следующими параметрами.Диаметр переднего валка,. мм 550 30Диаметр заднего валка, мм 610Длина валков, мм 800Окружная скорость переднего валка, м/мин 10Окружная скорость 35заднего валка, м/минФрикцияМощность электродвигателя, кВт 125Предлагаемый способ иллюстрируется 40следующими примерами.П р и м е р 1. Способ осуществляютпутем пропитки кровельного картона поГОСТ 3135-82 размягченным и обезвоженным битумом с температурой 180 - 200 С, 45приготовления покровного состава, содержащего, мас.:Битум БНК85Тальк...

Номер патента: 1705692

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Вайтехович, Вержбицкий, Ковалев, Прудников, Сивенков

МПК: F28D 15/00

Метки: защиты, объектов, тепловой

...и наружной камер, что затрудняет герметизацию полости между ними в месте усгановки люка для загрузки термостатируемы. объектов,Цель изобре ения - повышение технологичности изготовления.Цель достигается тем. что дистанционирующие э .и;энты установлены в наружной камер. ч г,гвижно, а часть стенок внутренней;-м-ры выполнена в виде мембран, имеющих в местах соединения с дистанционирующими элементами гофры иэ материала, обладающего эффектом памяти формы,При этом значительно упрощается герметизация полости между камерами в месте установки люка для загрузки термостатируемых объектов, так как в этом месте стенки камер неподвижны друг относительно друга, Это упрощает конструкцию аппарата и повышает технологичность изготовления.На-чертеже...

Номер патента: 1697830

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Дунаевская, Дунаевский, Кравцова, Макаров, Полькина, Сивенков, Тец, Трифонов

МПК: A61L 15/16

Метки: антимикробной, защитной, повязки, состав

...пвечашки Петри, чтобы получит ь пленкутолщиной 2-3 мм, Полученную пленкусушат при 40 С в течение суток, Время рассасывания пленки и время действия этония составляло 10 сут.П р и м е р 2, Рля получения мэзянавеску крахмала в количестве 16 насг,(16 г) суспензируют в 5 мл глицерина при интенсивном перемешивании прикомнатной температуре, Поддеркиваяслесь в суспензионном состоянии, еевводят при перемешивании в 25 млоглицерина нагретого до 90 С. В полученный раствор при перемешивании вво"дят глицериновый раствор поливинилоаого спирта, полученньй растворениемг (4 мас.ь) сухого ПВС марки Н в25 мл глицерина при комнатной темпера. гуре. В полученную смесь приперемешивании и нагревании до 50 Свводят по каплям, не допуская пенообразования, водный...

Номер патента: 1651365

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Сивенков, Тропин

МПК: H03K 17/60

Метки: коммутатор, переменного

...ди"од 22 ключа 2 (1). Направление токак шине (от шины) 29 принято положительным (отрицательным). Благодарямагнитной связи обмоток трансформаторов 17-1 и 17-2 при протекании черезсоответствующую обмотку 18"118-4положительного (отрицательного) токак коллектору транзистора 20 ключа(2) прикладывается положительное напряжение от соответствующей обмотки19-119"4, подцерживающее ток базытранзистора 21 пропорциональным токунагрузки, к коллектору транзистора 205 165136 ключа 4 (3) - отрицательное напряжение соответствуюшей обмотки 19-119-4, но пороговьп элемент 16 (15) закрыт так как напряжение на обмотЭ5 ке1 также отрицательное. После смены полярности напряжения между шинами 25 и 26 транзистор 21 ключа 1 (2) начнет рассасываться, его базовый...

Номер патента: 1624636

Опубликовано: 30.01.1991

Автор: Сивенков

МПК: H02M 7/515

Метки: инвертором

...14. Переменное напряжение с двух дополнительных полуабмоток дросселяСфильтра 2 пропускается поочередно коммутатором З.на вход ограничителя 5 спектра (фиг,2 ж), причем работа коммутатора 3 синхронизирована импульсами основной частоты на ега управляющем входе. Ограничитель 5 спектра ограничиваетспектр выходного напряжения коммутатора3 сверху, начиная с тактовой частоты. Выходное напряжение ограничителя 5 спектра (фиг,2 з) поступает на первый вход усилителя 8, на второй вход которого поступает напряжение основной обратной связи с выхода усилителя 7. Напряжение суммарной обратной связис выхода усилителя 8 подвергается операции дискретного изменения уровня в управляемом делителе 12 (фиг.2 в, сплошная линия). На фиг.2 в пунктирам показана...

Номер патента: 1589083

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Гундырева, Марин, Семенов, Сивенков

МПК: G01L 1/22

Метки: тензометрический

...преобразователя.На чертеже схематически изображен тенЗометрический преобразователь.Тензометрический преобразователь содержит основу 1, выполненную, например, изнержавеющей стали 36 НХТЮ, напыленныйна нее слой переходного металла 2, например хрома, и комбинированное изоляционное покрытие, состоящее из двух диэлектриков, один из которых - слой 3 - выполнениз упругого материала, например из двуокисикремния (%02), а другой слой 4 выполнениз менее упругого материала, чем первыи,например из монокиси кремния (50),На изоляционном слое 3 расположенытензорезисторы 5, выполненные из материалана основе нихрома.Тензорезисторы 5 собраны в мостовую 25схему с помощью контактных площадок 6,Выполненных, например, из золота.Контактные площадки 6...

Номер патента: 1552019

Опубликовано: 23.03.1990

Авторы: Гундырева, Марин, Семенов, Сивенков

МПК: G01L 9/04

Метки: тензометрический

...6 расположены в полости 7 герметичногокорпуса 8.Тензометрический преобразователь1 35работает следующим образом.Соответствующие напряжения питания подаются одновременно на мостовую измерительную схему и на резистор 6, включение которого сокращает 40время готовности преобразователя кработе за счет термостатирования чувствительного элемента. При воздействии на чувствительный элемент измеряемого давления мембрана 1 деформируется, изменяется сопротивление рабочих резисторов 2 и на выходе измерительной схемы появляется сигнал,соответствующий измеряемому давлению.При повышении температуры в процессеизмерения происходит нагрев чувствительного элемента и дополнительныйнагрев резистора 6. Увеличение давления в полости 7 при разогреве корпуса...

Номер патента: 1520641

Опубликовано: 07.11.1989

Авторы: Сивенков, Соколов

МПК: H02M 7/538

...13 н 20.При этом напряжение на обмотке 19ограничено прямым падением напряженияна база-эмиттерном переходе транэисчтобы это напряжение, трансформируемое в обмотку 14 и вклеченное встречно с источником питания, не приводило к запиранию транзистора 13. Транзистор 11 при этом закрыт, а транзистор 20 открыт в течейие короткого времени, определяемого временем перемагнизивания до насыщения сердечника дроссе.ля 15, Импульс тока, протекая по обмотке 21, вызывает включение силового транзистора 1, который остается во включенном состоянии вследствие действия положительной обратной связи по обмоткам 3 и 4 трансформатора 2 тока. После переключения управляющего сигнала на выводе 18 на высокийуровень транзистор 17 открывается, напряжение на обмотке...

Номер патента: 1505698

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Иванова, Сивенков, Соколов

МПК: B23K 1/00

Метки: высокотемпературного, диффузионного, соединения

...осуществляют нагрев до 1200 - 1300 С с вь 1 держкой 20 - 60 мин. Б результате расплав порошка, равномерно распределяясь по соеди. няемым поверхностям, уменьшает ширину зазора и образует ювенильную поверхность. 1 табл. марганец 20 - 40. Далее производят нагрев до 1200 - 1300 С с выдержкой 20 - 60 мин.В результате расплавленный сплав, равно-ь мерно распределяясь по соединяемым поверхностям, уменьшает ширину зазора н образует ювенильную поверхность, что обеспе. АР чивает при последующем высокотемператур- ф ном диффузионном соединении материалов в жидкометаллическом расплаве образование равнопрочного соединения и сокращение длительности процесса.00Сравнительные данные применения известного и предлагаемого способов выполнения равнопрочных...

Номер патента: 1504286

Опубликовано: 30.08.1989

Авторы: Иванова, Сивенков, Соколов

МПК: C23C 10/22

Метки: диффузионных, изделия, нанесения, покрытий, стальные

...) СПОСОГ АНЕСЕНИЧ ДИФФУЗ ИОНН КПОКРЬТИЙ НА СТАЛЫИЕ ИЗДЕЛИЯ(57) Изобретение относится к химикотермической обработке и может бытьиспользовано в эн ргетнческой, электрот хнической, химической и другихотраслях промышленности. Цель изобретения - сокращение продолжительности процесса насыщения, Изделие насыщают в расплаве свинца, содержащемнасышающие элементы, при 1000-1200 С,причем в расплав добавляют 2-5 мас.".олова, Это позволя.т сократить продолжительно"ть процесса насыщенияна 20-407, 2 табл,Способ осуществляют следующим образом,Поверхность покрываемых деталейиэ стали 3 предварительно механическиобрабатывают и обезжиривают. Затемдетали помещают в ванну с легкоплавким расплавом, содержащим 3 мас.Хнаносимого тугоплавкого элемента,3 мас.7...

Номер патента: 1454699

Опубликовано: 30.01.1989

Авторы: Алексеев, Жигалкович, Сивенков, Суровцев

МПК: B28B 1/50

Метки: бетона, ячеистого

...плотности толщиной 220 мм.Состав бетонной смеси: портландцемент 15М 400 - 1 О кг, известь строительная - 100 кг, песок - 330 кг, алюминиевая пудра - 0,39 кг, водотвердоеотношение - 0,40. Время начала схватывания бетонной смеси 9 мин. 20Бетонную смесь заливают в форму,выдерживают до вспучивания и послеобразования горубшки высотой 20-25 ммповерхность смеси прокатывавт валкомФ 100 мм. Налипший слой смеси снимают другим Валком, установленным нарасстоянии 1 мм от прокатывавщего,При вращении с частотой 11,7 с налипшув смесь снимают с прокатывавщего валка и под воздействием центробежных сил торкретирувт на поверхностьпанели. Затем поверхность панелизаглаживают рейкой, После уплотнения поверхности панели запаривавт в автоклаве по...

Номер патента: 1398081

Опубликовано: 23.05.1988

Автор: Сивенков

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, магнитно-транзисторный

...включенные третья и четвертая обмотки оказываются закороченнъми через коллекторэмиттерный переход транзистора 2 и диод 5, напряжение на первой обмотке скачкообразно уменьшается, и под действием разности напряжений конденсатора 10 и остаточного напряжения первой обмотки начинается процесс форсированного рассасывания силового транзистора 1, после окончания которого полярность на всех обмотках токового трансформатора 9 изменяется на противоположную, Под действием этого обратного напряжения и осуществляется процесс перемагничи вания сердечника токового трансформатора 9 через ограничитель 8 тока от источника питания.Наличие резистора 12 позволяет снизить обратное напряжение база"- змиттер транзистора 1 до допустимого уровня....

Номер патента: 1362971

Опубликовано: 30.12.1987

Авторы: Иванова, Марин, Семенов, Сивенков

МПК: G01L 7/00

Метки: абсолютного, вакуумирования, давления, датчиков

...существует заслон в виде геттерцого фильтра 5, то при сварке обеспечивается достаточная защита измерительной схемы чувствительного элемента 7 от попадания на нее брызграсплавленного металла. Сварка заключительного шва (внутреннего отверстия ниппеля) осуществляется непосредственно в вакуумном боксе длячего может быть использовано подколпачное устройство установки электронно-лучевой сварки,После сварки сборку подвергают нагреву до температуры, соответствующей температуре поглощения газов порошкообразным геттерным материалом Минимальное время выдержки сборкипри такой температуре должно быть неменее времени, при котором датчикбудет окончательно термостабилизиро ван. Данное время будет зависеть от массы и объема датчика, объема...

Номер патента: 1345074

Опубликовано: 15.10.1987

Авторы: Марин, Семенов, Сивенков, Ширина

МПК: G01L 9/04

Метки: абсолютного, давления, датчика, настройки, тензорезисторного

...фиг,3 - упругий элемент 5 дополнительно довернут так, чтобы его рабочая часть получила отрицательный прогиб, не превышающий по величине значение номинального прогиба ( условно эа отрицательный прогиб принят прогиб, противоположный номинальному прогибу при действии измеряемого давления). Величина напряжения с тензорезисторной мостовой Схемы в этом случае изменится до значения Б.На фиг.4 деформированный упругий элемент 5 окончательно закреплен: винтами 7.На фиг,5 гайка 3 довернута до контакта с жестким центром упругого элемента 5 (момент контакта определяется по началу изменения сигнала Б), 5074 5 10 15 20 25 30 35 40 45 На фиг.6 гайка 3 дополнительно довернута в сторону жесткого центра упругого элемента 5 до такого состояния рабочей...

Номер патента: 1244470

Опубликовано: 15.07.1986

Авторы: Вайтехович, Вержбицкий, Прудников, Сивенков

МПК: F28F 13/14

Метки: диод, тепловой

...в нем входным и выходным теплопроводами 2 и 3 соответственно, выполненными из пластин, материал которых имеет. высокий коэффици 20ент.линейного расширения. Пластинавходного теплопровода 2 изогнута ввиде петли (может иметь форму эллипса) и снабжена в средней части этойпетли планкой 4 из материала с низким коэффициентом линейного расширения. Пластина выходного теплопровода3 закреплена концами на корпусе 1 иимеет некоторый начальный прогиб внаправлении прогиба пластины нходного теппопровода 2 при нагреве (фиг,1),стрелками пбказано направление, теплового потока).Тепловой диод работает следующимобразом.При прямом подводе теплового потока к входному теплопроводу 2 температура пластины этого теплопроводаувеличивается, петля расширяется...

Номер патента: 1239506

Опубликовано: 23.06.1986

Авторы: Вайтехович, Вержбицкий, Прудников, Сивенков

МПК: F28D 15/02

Метки: защиты, объектов, тепловой

...ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И.ОТНРЫТИЙ 8 П 15/О ИЗОБРЕТЕНИЯДЕТЕЛЬСТВУ(71) Белорусский ордена ТрКрасного Знамени технологичститут им. С.И.Кирова(56) Авторское свидетельствУ 568832, кл Г 28 0 15/00,ОЙ6883что,регусодернар удов ого еский инЭуцст о ков, СССР 972. удниов н н ужной жидкостй вкой.(54) (57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТЕПЛ ЗАЩИТЫ ОБЪЕКТОВ по авт.св. В отличающееся тем с целью расширения диапазона лирования, оно дополнительно источник переменного давления ная стенка камеры снабжена ш подсоединенным к.указанному и ку, а на краях ванн, присоеди к внутренней поверхности нар стенки камеры, над уровнем выполнены отверстия с отборто.ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 . тщ...

Номер патента: 1177646

Опубликовано: 07.09.1985

Авторы: Вайтехович, Вержбицкий, Прудников, Сивенков

МПК: F28D 15/02, F28D 15/06

Метки: переключатель, потока, теплового

...СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к теплотехнике, а именно к устройствам для регулирования теплопередачи.Цель изобретения - обеспечение автоматического переключения теплового потока на каждую из ветвей в зависимости от температуры зоны испарения.На чертеже схематично показан пе, реключатель теплового потока, продольный разрез.Переключатель теплового потока содержит Т-образную тепловую трубу 1 с зоной 2 испарения в основании и двумя зонами 3 и 4 конденсации по концам ветвей, постоянный магнит 5, размещенный снаружи трубы 1 над зоной 2 испарения и клапан с золотником 6, размещенным соосно с зоной 2 испарения во втулке 7,...

Номер патента: 1143967

Опубликовано: 07.03.1985

Авторы: Вайтехович, Вержбицкий, Прудников, Сивенков

МПК: F28D 15/02

Метки: защиты, объектов, тепловой

...для тепловой защитыобъектов, в полости, образованнойвнутренней и наружной стенками, установлены дополнительные ванны, при-соединенные верхними краями к наружной поверхности внутренней стенкии заполненные жидкостью с температурой кипения, отличающейся от температуры кипения жидкости, ранееэапол.яющей имеющиеся в полости ванныеИа фиг.1 представлено предлагаемое. устройство, общий вид; на фиг.2 вариант его выполнения.Устройство содержит наружную 1 и 35внутреннюю 2 стенки, выполненные изматериала с высоким коэффициентомтеплопроводности, образующие полость,в которой установлены ванны 3 и 4,заполненные жидкостью, Причем уванн 403 верхние края прикреплены к наружнойстенке 1 и заполнены жидкостью с температурой кипения (Т) . Ванны 4 верхними...

Номер патента: 1143684

Опубликовано: 07.03.1985

Авторы: Дзехцер, Евтушенко, Петров, Сивенков, Титоренко, Филиппов

МПК: B66C 17/00

Метки: кран

...установлены две П-образные направляющие б, по которым перемещаются защитные экраны 7 с помощью блочнотросовой системы 8 и механизма 9 подъема экранов 7. На направляющих б смонтированы электромагнитные запоры 10, которые фиксируют экраны в верхнем положении при перемещениях крана и предотвращают падение их в случае обрыва троса.П-образные направляющие б с установленными в них экранами 7 предотвращают случайное приближение транспортируемого груза к находящимся под напряжением токо- ведущим частям, расположенным под подкрановыми путями по обе стороны ходовой тележки.2 мостового крана. Поэтому между П-образными направляющими б и находящимисяпод напряжением частями,расположенными под подкрановыми пятями, можно выдерживать минимально...

Номер патента: 1139957

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Вайтехович, Вержбицкий, Прудников, Сивенков

МПК: F28D 15/00

Метки: регулируемая, тепловая, труба

...снабженный тепло З изоляционной гильзой, последняя выполнена двухслойной с разрезом по образующей, причем внутренний слой выполнен из теплоизоляционного материала, а внешний - из материала с памятью формы", при этом частью поверхности гильза жестко прикреплена к корпусу.На фиг. 1 представлена предлагаемая тепловая труба, общий вид; на фиг. 2 - вид А на фиг, 1, исходное положение; на фиг. 3 - то же, при превышении максимальной температуры зоны испарения тепловой трубы.Предлагаемая тепловая труба содержит корпус 1 с зонами испарения и конденсации 2 и 3, жестко вмонтированный в перегородку 4. Корпус 1 покрыт изнутри капиллярно-пористой структурой 5 и в зоне испарения 2 на части поверхности жестко соединен с гильзой 6, выполненной...

Номер патента: 1137360

Опубликовано: 30.01.1985

Авторы: Марин, Семенов, Сивенков

МПК: G01L 9/04

Метки: абсолютного, давления, датчик

...цель достигаетсятем, что в датчик абсолютного давления, содержащий корпус, внутрикоторого установлен сильфон, разделяющий его на измерительную и опорную камеры, ограничительный упор иупругую балку с тензорезисторами,жестко связанную штоком с подвижнымторцом сильфона, введен дополнительный упор, установленный между упругой балкой и основным упором, а другая балка выполнена с жестким центром и закреплена двумя концами вкорпусе, причем дополнительный упорконтактирует с жестким центром упругой балки. На чертеже изображена конструкция датчика.Датчик .абсолютного движения содержит манометрический чувствительный элемент - сильфон 1, жестко закрепленный через передающий шток 2с упругим элементом 3, на которомметодом тонкопленочной...

Номер патента: 1123707

Опубликовано: 15.11.1984

Авторы: Зытнер, Макаров, Островидова, Сивенков

МПК: A61L 15/03

Метки: антисептиков, иммобилизации

...различные антисептические вещества, также может быть нанесен на поверхность материала, покрытую глицериновым раствором борной кислоты или ее соли, с помощью тампона или поролоновой губки. В течение нескольких секунд происходит образование нерастворимого поливинилспиотового покрытия, содержащего в своей структуре антисептики. Нерастворимое покрытие получается благодаря переходу глицерина и борной кислоты (или ее солей), в водный раствор, в котором образуется нерастворимый комплекс поливинилового спирта с борной кислотой (или ее солью). Затем материал высушивают на воздухе или под вентилятором в течение 5 - 10 мин.Борную кислоту (или ее соли) используют в данном способе для сшивки поли- винилового спирта, в стру ктуру которого включается...