Способ формирования высокотемпературных тензорезисторов

Номер патента: 1284433

Авторы: Алексеева, Сивенков, Скопич, Чугунов

ZIP архив

Описание

Способ формирования высокотемпературных тензорезисторов на металлической подложке, включающий нанесение через маску изолирующего слоя, тензорезистивного слоя и проводящей пленки, отличающийся тем, что, с целью расширения температурного диапазона работы и повышения воспроизводимости параметров тензорезисторов, для нанесения проводящей пленки используют металлическую маску с подслоем, имеющим высокие адгезионные свойства с материалом тензорезистивного слоя, а массу для нанесения тензорезистивного слоя формируют методами фотолитографии, после чего проводят ионное травление этого слоя.

Заявка

3881362/25, 02.04.1985

Скопич В. И, Алексеева Э. А, Чугунов А. В, Сивенков Н. И

МПК / Метки

МПК: H01L 21/78

Метки: высокотемпературных, тензорезисторов, формирования

Опубликовано: 10.02.2006

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-1284433-sposob-formirovaniya-vysokotemperaturnykh-tenzorezistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ формирования высокотемпературных тензорезисторов</a>

Похожие патенты