Способ формирования высокотемпературных тензорезисторов
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Способ формирования высокотемпературных тензорезисторов на металлической подложке, включающий нанесение через маску изолирующего слоя, тензорезистивного слоя и проводящей пленки, отличающийся тем, что, с целью расширения температурного диапазона работы и повышения воспроизводимости параметров тензорезисторов, для нанесения проводящей пленки используют металлическую маску с подслоем, имеющим высокие адгезионные свойства с материалом тензорезистивного слоя, а массу для нанесения тензорезистивного слоя формируют методами фотолитографии, после чего проводят ионное травление этого слоя.
Заявка
3881362/25, 02.04.1985
Скопич В. И, Алексеева Э. А, Чугунов А. В, Сивенков Н. И
МПК / Метки
МПК: H01L 21/78
Метки: высокотемпературных, тензорезисторов, формирования
Опубликовано: 10.02.2006
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-1284433-sposob-formirovaniya-vysokotemperaturnykh-tenzorezistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ формирования высокотемпературных тензорезисторов</a>
Предыдущий патент: Система суфлирования авиационного газотурбинного двигателя
Следующий патент: Способ получения аминоуксусной кислоты
Случайный патент: Воронка