Способ формирования высокотемпературных тензорезисторов

Номер патента: 141136

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Раевский, Штейнберг

МПК: B32B 31/20, D06N 7/00

Метки: материалы, нанесения, пленок, полиэтиленовых, прорезиненные

...ре системы. анесения полиэтиленов личающийся тем, ине, полиэтиленовые пл зины с последующим ых пленокчто. с цельюнки наносяпрессован а прорезиненные маповышения адгезии на невулканизированем и вулканизацией Известные способы нанесения полиэтиленовых пленок на прорезиненные изделия предусматривают нанесение полиэтилена из расплава.Это требует специального оборудования, больших энергозатрат, сложной технологии при сравнительно малой производительности.Предлагаемый способ лишен указанных недостатков и состоит втом, что пленка полиэтилена вместе с тканью (пад, под, между или собеих сторон ткани) заправляется между барабаном и прижимной лентой барабанного вулканизатора непрерывного действия. Дублированиеткани и пленки происходит при...

Номер патента: 751256

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Чуйко, Якубинская

МПК: B04B 5/00, H01L 21/00

Метки: нанесения, пленок, тонких

СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК, например пленок фоторезиста на подложки, включающий нанесение на подложку раствора фоторезиста, центрифугирование подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества нанесения на подложку раствора фоторезиста, край стороны подложки, на которую наносят раствор, скругляют по всему периметру.

Номер патента: 1090761

Опубликовано: 07.05.1984

Авторы: Ажогин, Воробьев, Высоцкая, Курилович, Особенкова

МПК: C25D 9/08

Метки: защитных, катодного, нанесения, пленок, раствор, сплавы, титановые

...нерастворимого фосфата цинка и железа (11).Содержание монофосфата цинка ниже 15 г/л приводит к образованию наповерхности титанового сплава тонкихнесплошных оксалатных пленок. Повышение концеитрации монофосфата цинка выше 20 г/л не улучшает качествооксалатных пленок.С целью окисления осаждающегосяна дне ванны избытка оксалата железа (11) - РеС 204 в ванну добавляютнерастворимую двуокись марганца,2 Ресг 04+4 Н 2 С 20 +Мпог+2 НР =:2 Н ( Ре (С 204) (+МпР 2+2 Н 20.Рекомендуемая концентрация двуокиси марганца (5-7 г/л) превышаетэквйвалентное количество (3 г/л) ирассчитана на длительное использование электролита т.е. повышает егоработоспособность,Получению качественных пленок способствует введение в раствор активаторов - фторида...

Номер патента: 178260

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Гумилевска, Данильченко, Китаев, Талиева

МПК: B05B 5/02, C03C 17/06, C23C 18/02

Метки: диэлектрические, материалы, нанесения, пленок, токопроводящих

...пле шей постоянным удельным пове 25 противлением, аэрозоли предв вергают электризации, ящих пленок с использова. убок до 500 - с целью нане. е поверхности, ость труб, при ующего мате. нки, обладаю. рхностным со. арительно под 1Известные способы нанесения растворов солей в состоянии аэрозолей на нагретые поверхности изделий из стекла или других диэлектрических материалов предусматривают получение токопроводящих пленок только на плоских поверхностях. При нанесении токо- проводящих пленок на внутреннюю поверхность трубок не достигается постоянство омического сопротивления во всех точках поверхности из-за неравномерности покрытия.Предложен способ нанесения токопроводящих пленок на криволинейные поверхности, например на разогретую...

Номер патента: 188256

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Грищенко, Палатник

МПК: C23C 14/26

Метки: нанесения, пленок, тонких

...Х.1966. Бюллетень2 ТОНКИХ ПЛ ПО АНЕС сионе математического расчета для ктдельного случая. Предмет изобретения 5 Способ нанесения тонких пленок испарения в вакууме и термического о ния молекулярного пучка испаряемого ства, отличающийся тем, что, с целью пия слоя с заданным распределение 0 щины на поверхности любой формы и мии испаряемого вещества, отражени формацию молекулярного пучка про при помощи вогнутого отражателя.и дзвод Известны различные способы нанесенитонких пленок путем испарения в вакууметермического отражения молекулярного пучка испаряемого вещества. Предлагаемый способ позволяет получать покрытие с заданным распределением толщины на поверхности любой формы и заключается в том, что отражение и деформацию молекулярного...