Патенты с меткой «формирования»

Номер патента: 1217050

Опубликовано: 09.07.1995

Автор: Орловский

МПК: G01C 21/24, H04B 9/00

Метки: изображения, сигнала, формирования

1. Способ формирования сигнала изображения, заключающийся в том, что проецируют изображение контролируемых объектов на фотокатод передающей телевизионной трубки, формируют видеосигнал путем считывания потенциального рельефа с мишени трубки, измеряют размах видеосигнала и регулируют глубину потенциального рельефа в выбранном интервале регулирования, отличающийся тем, что, с целью уменьшения искажений сформированного сигнала изображения, после измерения размаха видеосигнала разбивают интервал регулирования на i-дискретных единичных интервалов, в начальной точке интервала определяют и запоминают исходное значение приращения размаха видеосигнала Uo, определяют текущее...

Номер патента: 1528306

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Наумов, Орловский

МПК: H04N 5/30

Метки: линейного, сигнала, формирования, фотоприемника

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СИГНАЛА ЛИНЕЙНОГО ФОТОПРИЕМНИКА, заключающийся в экспозиции фотоприемника световым потоком, преобразовании светового потока в электрический сигнал, определении коэффициентов компенсации неравномерности чувствительности элементов фотоприемника путем сравнения сигнала с каждого элемента фотоприемника с сигналом эталонного уровня, запоминании коэффициента компенсации Ni для каждого i-го (где i 1, 2, n) элемента фотоприемника и компенсации неравномерности чувствительности элементов фотоприемника путем усиления сигнала с каждого i-го элемента фотоприемника с коэффициентом компенсации Ni, отличающийся тем, что, с целью повышения точности формирования сигнала, экспозицию осуществляют путем сканирования...

Номер патента: 1373196

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Бадиков, Грибанов

МПК: G01V 1/137

Метки: излучателем, пневматическим, сигнала, упругого, формирования

...вскрытие выхлопных отверстий расходной камеры выполняется эа счет энергии газа расходной камеры. При этом оказывается. что если большую часть энергии газа расходной камеры затратить на разгон задвижки и иметь тем самым весьма высокую скорость вскрытия выхлопных отверстий, расход газа иэ камеры не максимальный из-эа низкого давления газа в камере, Если на разгон задвижки затратить очень мало энергии газа расходной камеры, то, несмотря на высокое давление газа в камере,расход также меньше максимального из-замалой величины площади вскрытых выхлопных отверстий,Поэтому для каждого пневмоизлучателя5 существует оптимальная скорость вскрытиявыхлопных отверстий, когда весовой расходгаза из камеры, идущий на формированиеупругого...

Номер патента: 1422904

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Прохоров, Сазонов

МПК: H01L 21/265

Метки: структур, формирования, эпитаксиальных

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР, включающий нанесение маскирующего слоя на кремниевую подложку, вскрытие окон в слое, введение легирующей примеси, отжиг для активации легирующей примеси, эпитаксиальное наращивание, создание нарушенного слоя на рабочей стороне подложки путем имплантации ионов нейтральной примеси, отжиг для образования геттерирующих центров, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур при одновременном упрощении способа, на кремниевой подложке дополнительно формируют p+ скрытый слой ионной имплантацией легирующей примеси через маску, нарушенный слой создают ионной имплантацией через ту же маску непосредственно после введения легирующей примеси, а отжиг для образования геттерирующих...

Номер патента: 1572257

Опубликовано: 25.07.1995

Автор: Хаов

МПК: G01V 3/12, H03K 3/02

Метки: земной, импульсов, коре, формирования, электромагнитных

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ИМПУЛЬСОВ В ЗЕМНОЙ КОРЕ по авт. св. N 1345852, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей при одновременном повышении быстродействия и надежности, в него дополнительно введены четырехтиристорный мост и источник гасящего напряжения, включенный между точками соединения анодов двух тиристоров и точками соединения катодов двух других тиристоров четырехтиристорного моста, причем точка соединения катода и анода первой пары тиристоров моста подключена к точке соединения первых выводов балластного сопротивления, коммутирующего конденсатора и катода первого тиристора тиристорного триггера, а точка соединения катода и анода второй пары тиристоров моста подключена к точке...

Номер патента: 1626929

Опубликовано: 09.08.1995

Автор: Сафронов

МПК: G03H 3/00

Метки: радиоголограмм, формирования

...частоты. Эти сигналы являются опорными для формирования радиоголограмм. Они поступают на один иэ детекторов, например 30 47-54, блоков 9-12 когерентного детектирования и на фазовращатели 26, 27, после чего поступают на другие детекторы, например 48-53, блоков 9-12 когерент ного детектирования. С детекторов 47-54 ортогональные 35 компоненты низкочастотных составляющихсигналов поступак на вкод блои а 13 коммутации и регистраци; падиоголо рамм.Подключая к входу блокл 56 через коммутатор 55 поочередно напряжения с каж дой из пар детекторов 47 и 48, 49 и 50, 51и 52, 53 и 54, формируют компгсксные радиоголограммы. При восстановлении изображений по таким радиоголограммам оценивают структуру поля, формирующего 45 иэображение, и по нему...

Номер патента: 1784123

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Васюков, Чернышев

МПК: F42B 1/02

Метки: высокоскоростной, струи, формирования

1. СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ СТРУИ, включающий создание импульса давления и сжатие ускоряющей оболочки с последующим воздействием на ускоряемый материал, размещаемый в зоне первоначального схлопывания стенок оболочки, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности и уменьшения разброса по скоростям материала в струе, в нем сжатие ускоряющей оболочки осуществляют с возрастающей по ее длине скоростью в соответствии с соотношениемгде Uсбл расчетная скорость сближения стенок оболочки;D скорость ударной волны в стенках оболочки; плотность...

Номер патента: 1612956

Опубликовано: 27.09.1995

Автор: Орловский

МПК: H04N 7/18

Метки: изображения, сигнала, формирования

1. Способ формирования сигнала изображения, при котором проецируют изображение объекта на фоточувствительную поверхность передающей телевизионной трубки (ПТТ), формируют исходный сигнал изображения путем считывания потенциального рельефа на мишени ПТТ, равномерно разбивают диапазон изменений потенциала на мишени ПТТ на ряд дискретных единичных интервалов и формируют первый управляющий сигнал Uo, соответствующий единичному приращению потенциала на мишени ПТТ, измеряют приращение исходного сигнала изображения Uo и формируют первый опорный сигнал

Номер патента: 1304685

Опубликовано: 10.10.1995

Авторы: Беляков, Ермаков, Леонтьев, Сиротин

МПК: H01M 10/28

Метки: аккумулятора, герметичного, формирования, щелочного

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ГЕРМЕТИЧНОГО ЩЕЛОЧНОГО АККУМУЛЯТОРА путем помещения его в объем электролита, который больше свободного объема аккумулятора, и проведения заряд-разрядных циклов, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности повторного использования электролита, формирование ведут в объеме электролита, равном 17,0 19,0 свободным объемам аккумулятора.

Номер патента: 1674683

Опубликовано: 20.10.1995

Автор: Аванесов

МПК: H04N 5/30

Метки: изображения, реализации, сигнала, телевизионного, формирования

1. Способ формирования сигнала телевизионного изображения, основанный на проецировании светового потока изображения на матричный дискретный приемник изображения, поэлементном считывании полученного изображения в течение времени кадра, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности, при формировании сигнала изображения разделяют световой поток на элементарные потоки по числу элементов матричного дискретного приемника изображения, ограничивают в фокальной плоскости площадь каждого выделенного элементарного светового потока величиной S < S, где S площадь элемента дискретного приемника изображения, включая площадь прилегающих межэлементных промежутков,...

Номер патента: 1828353

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Азизов, Годонюк, Емельянов, Настоящий

МПК: H01T 1/20, H01T 9/00

Метки: инициирования, разряда, формирования, электрического

1. СПОСОБ ИНИЦИИРОВАНИЯ И ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО РАЗРЯДА между электродами, погруженными в рабочую жидкость, заполняющую разрядную камеру, включающий инициирование разряда путем внедрения пузырьков газа в зону инициирования разряда и последующую подачу импульсов напряжения на электроды, отличающийся тем, что, с целью снижения пробивного напряжения и времени развития электрического разряда, перед внедрением пузырьков газа в зону инициирования разряда свободный от рабочей жидкости объем разрядной камеры заполняют газом, внедрение пузырьков газа осуществляют путем создания в зоне инициирования разряда затопленной струи рабочей жидкости, направленной перпендикулярно общей оси электродов, причем давление газа над поверхностью рабочей...

Номер патента: 1635880

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Галиулин, Гафаров

МПК: H04N 3/14, H04N 5/30

Метки: видеосигнала, формирования

...импульсов, поступающих на его вход, и может быть выполнен, например, по схеме одновибратора - формирователя временного интервала, состоящего из двух элементов И 27 и 28, диода 29. резисторов 30-32, конденсаторов 33, 34 и триггеров 35, 36.Делитель 9 предназначен для формирования импульса на выходе с длительностью, равной суммарной длительности импульсов на входе. Он может быть реализован на основе счетчика с фазоимпульсным представлением информации.Устройство. для формирования видеосигнала работает следующим образом,Перед началом работы элементы устанавливаются в исходное состояние "0" (схема установки "0" на чертеже не показана), а иэображение анализируемого объекта проецируется на светочувствительную поверхность линейки...

Номер патента: 1805790

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Ефимов, Зуева, Карелин, Корсаков, Николаева, Плавич, Саратовских, Титков

МПК: H01L 21/312

Метки: основе, пленок, полианилина, формирования

...0,95 - 1, Эту величину можно регулировать, вводя неболь шое количество воды и изменяя тем самымфизико-механические свойства пленки, Композиционный материал характеризуется массовым соотношением компснентов поливинилформиат:полианилин=2,9 - 0,34:1,При добавлении поливинилового спирта менее чем 0,2 ч, на 1 ч, полианилина трудно добиться однородности пленки и наблюдается образование комет. Верхний предел введения поливинилового спирта 30 определяется его растворимостью в муравьиной кислоте (50 г/л). Образующийся поливинилформиат обладает хорошими пластифицирующими и стабилизирующими свойствами и улучшает однородность дис персии полианилина в своей матрице.В качестве материала подложки можноиспользовать стекло и кремний с хорошо...

Номер патента: 1547611

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков

МПК: H01L 21/28

Метки: больших, интегральных, межсоединений, многоуровневых, схем, формирования

1. СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГОУРОВНЕВЫХ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий создание первого уровня межсоединений, нанесение межуровневого изолирующего покрытия и вскрытие в нем межуровневых контактных окон, нанесение второго уровня межсоединений, состоящего из слоев титана-вольфрама и алюминия, легированного кремнием, фотолитографическую обработку по второму уровню межсоединений с последовательным травлением алюминия и титана-вольфрама, формирование последующих уровней межсоединений, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности многоуровневых межсоединений, перед нанесением второго и последующих уровней межсоединений проводят обработку поверхности ионным или ионно-химическим травлением или травлением в...

Номер патента: 1607449

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Сокорев, Теплицкий

МПК: D01G 25/00

Метки: волокнистого, продукта, формирования

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ВОЛОКНИСТОГО ПРОДУКТА, содержащее корпус, полость которого сообщена с отсасывающей пневмосистемой, камеру, установленную с возможностью вращения относительно своей вертикальной оси и имеющую отверстия в формирующей поверхности, расположенные в пределах полости корпуса, конусообразный обтекатель, размещенный в полости камеры канал для подачи в камеру волокнистого материала и выводной канал, выходной участок которого расположен соосно с камерой, отличающееся тем, что, с целью повышения качества формируемого продукта, обтекатель имеет отверстие в примыкающей к его основанию боковой стенке, а входной и выходной участки выводного канала выполнены в виде патрубков, при этом патрубок входного участка канала...

Номер патента: 1565091

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Сокорев, Сосулин, Теплицкий

МПК: D01G 25/00

Метки: волокнистого, формирования

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ВОЛОКНИСТОГО МАТЕРИАЛА, содержащее корпус, полость которого совмещена с отсасывающей пневмосистемой, камеру, установленную с возможностью вращения относительно своей оси и имеющую отверстия на ее формирующей поверхности, конусообразный обтекатель, установленный соосно с камерой, канал для подачи в камеру волокнистого материала и выводной канал, выходная часть которого расположена соосно с камерой, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности работы за счет предотвращения обрыва волокнистого материала, оно дополнительно снабжено экраном, смонтированным на концевом элементе, установленном соосно камере и охватывающем ее формирующую поверхность, при этом экран установлен с возможностью перекрытия части...

Номер патента: 1834320

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Диденко, Карепин, Лифанова, Савельев

МПК: D01G 25/00

Метки: волокнистого, продукта, формирования

...2 по щелевому зазору 6. В связи с тем, что щелевой зазор 6 выполнен в виде диффузора, скорость потока в нем (при постоянном расходе) снижается и волокна переориентируются, разворачиваясь поперек вектора скорости потока, т.е. параллельно поверхности конденсирующего элемента 8, на поверхности обтекателя 5, Вращающийся обтекатель 5 обеспечивает распрямление волокон на его образующей поверхности и равномерное распределение волокон по периметру полости корпуса 1, В таком виде волокна, не меняя своей ориентации, сходят с образующей поверхности обтекателя 5 на поверхность конденсирующего элемента 8 и конденсируются на его поверхности в зоне формирования 9, образуя слой параллелизованных, распрямленных и ориентированных по ходу движения...

Номер патента: 805883

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Борисов, Кунахов

МПК: H01M 4/04

Метки: аккумулятора, формирования, электродов

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОДОВ АККУМУЛЯТОРА путем пропитки электродов в электролите и последующего пропускания тока прямой полярности, отличающийся тем, что, с целью ускорения процесса, в процессе пропитки производят подачу через электролит тока обратной полярности в течение 2 - 10 мин.

Номер патента: 1829760

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Баранов, Достанко, Казачонок, Попов

МПК: H01L 21/263

Метки: планаризованных, пленок, тонких, формирования

...частоты модуляции Гмг35 имеет значение порядка 4 МГц, Ограничение частоты модуляции определяется ограничением подвижности ионов вэлектрическом поле, которые за один период модуляции Тг=1 Рмг не успевают пере 40 сечь область катодного падения потенциалав плазме тлеющего ВЧ-разряда.Способ поясняется схемой, представленной на чертеже, где 1 - рабочая камера,2 - магнетронный источник распыления, 3 -45 блок питания магнетронэ, 4 - мишень, 5 -подложка с рельефной поверхностью, 6 -подложкодержатель, 7 - керамические элементы, 8 - ВЧ-генератор, 9 - согласующееустройство, 10 - генератор импульсов,50 Для реализации способа формированияпланариэованных тонких пленок была модернизована промышленная установка типа 01 НИ-006, предназначенная...

Номер патента: 1672865

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Богдевич, Дмитриев, Клокотов, Кузнецов, Никонов, Советов

МПК: G21K 1/06, H01L 21/20

Метки: атомов, нейтральных, пучка, формирования

1. Способ формирования пучка нейтральных атомов, основанный на резонансном взаимодействии их в вакууме с полем стоячей световой волны когерентного излучения частотой 1 и полем бегущей световой волны охлаждающего излучения 2, частоты которых смещены в длинноволновую область относительно частоты линии разрешенного перехода в спектре поглощения атомов пучка, отличающийся тем, что, с целью получения гомоцентрического монохроматического пучка, допускающего стигматический перенос изображения, атомы разгоняют до постоянной скорости V, воздействуя на них дополнительно световой волной частотой...

Номер патента: 1642741

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Агальцова, Архипова, Банников, Быков, Ворожцов, Игнатов, Масанова, Танунина, Хан, Шишкина

МПК: C09B 57/12, G02B 1/08

Метки: n-дифенилдиимидов, замещенных, качестве, кислоты, перилентетракарбоновой, пленок, поляроидных, сверхтонких, сульфокислоты, термостабильных, формирования

Сульфокислоты замещенных N,N - дифенилдиимидов 3,4,9,10-перилентетракарбоновой кислоты общей формулыгде R H, Br, Cl, OH, CH3, C4H9, COCH3, OC2H5;n 1 2,в качестве материалов для формирования сверхтонких термостабильных поляроидных пленок, селективных в области 480 550 нм.

Номер патента: 1598430

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Архипова, Банников, Быков, Ворожцов, Игнатов, Масанова, Танунина, Хан, Шишкина

МПК: C07D 471/04, G02B 5/30

Метки: дибензимидазолов, замещенных, качестве, кислоты, области, перилентетракарбоновой, пленок, поляроидных, сверхтонких, селективных, сульфокислоты, термостойких, формирования

Сульфокислоты замещенных дибензимидазолов 3,4,9,10-перилентетракарбоновой кислоты общей формулыгде R1 H, 3(4)-CH3, 3(4)-C2H5, 3(4)-Cl, 3(4)Br; R2 4(5)-SO3H,в качестве материалов для формирования сверхтонких термостойких селективных в области 550 620 нм поляроидных пленок.

Номер патента: 1797411

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Квасов, Сологуб

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрик, структуры, формирования, —полупроводник

...Р 2 = 0,15 Па, Рз = 0,2 Па для структуры и-типа кремний - 3102. На фиг.2 кривые 7-9 показывают зависимость плотностиповерхностного заряда на границе р-типакремний - Яза при акустическом давленииР = 0,1 Па, Р 2 = 0,15 Па, Рз = 0,2 Па соответственно, кривые 10-12 - зависимость плотности поверхностного заряда на границеи-типа кремний - 31 зй 4 при акустическомдавлении Р = 0,1 Па, Р 2 = 0,15 Па, Рз = 0,2Па соответственно,Перечисленные существенные отличияприводят к переходу системы дефектов вравновесное состояние, вызывает десорбцию загрязняющих ионов с поверхности, чтосопровождается уменьшением величины отрицательного заряда на границе разделакремний - диэлектрик или изменением знака заряда и соответственно приводят кповышению качества...

Номер патента: 680570

Опубликовано: 10.05.1996

Автор: Крюков

МПК: H01S 1/06

Метки: атомного, пучка, сортировки, формирования

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ И СОРТИРОВКИ АТОМНОГО ПУЧКА, содержащее многокапиллярный коллиматор и магнит с неоднородным сортирующим полем, отличающееся тем, что, с целью повышения интенсивности выходного сигнала и уменьшения габаритов устройства, многокапиллярный коллиматор выполнен в виде пакета намагниченных перфорированных пластин из магнитотвердого материала, при этом соседние намагниченные перфорированные пластины расположены одноименными полюсами одна к другой, а между намагниченными перфорированными пластинами проложены перфорированные пластины из магнитомягкого материала, причем перфорации в пакете образуют сквозные капилляры.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что на пластины из магнитотвердого материала нанесен слой...

Номер патента: 1635538

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Банников, Быков, Двуреченская, Игнатов, Левин, Танунина, Хан

МПК: C09B 57/12, G02B 1/08

Метки: дибензимидазолов, замещенных, качестве, кислоты, нафталинтетракарбоновой, пленок, поляроидных, сверхтонких, сульфокислоты, формирования

Сульфокислоты замещенных дибензимидазолов 1,4,5,8-нафталинтетракарбоновой кислоты общей формулыилигде R H, CH3, C2H5, OC2H5, Cl или Br;n 1 или 2,в качестве материала для формирования сверхтонких поляроидных пленок.

Номер патента: 1503344

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Гроссман, Зайдман

МПК: C25D 13/12, C25D 21/12

Метки: диэлектрического, заготовке, металлической, покрытия, формирования

Установка для формирования диэлектрического покрытия на металлической заготовке, содержащая ванну с электродами, источник электропитания, вольтметр, самопишущий прибор (миллиамперметр), подъемный механизм и датчик веса покрытия, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества диэлектрического покрытия на поверхности и торцах металлической заготовки больших размеров (более 60 х 48 мм), а также на стенках отверстий диаметром менее 1,5 мм, она снабжена устройством инфракрасного излучения, состоящим из двух частей для создания встречных потоков, и направляющими, установленными над ванной, причем ванна выполнена с заслонкой, установленной с возможностью горизонтального перемещения под направляющими, на которых с возможностью перемещения...

Номер патента: 1834588

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Берестенко, Боков, Буравцев, Можаров, Мшенская, Сатаров, Шевченко

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: интегральных, микросхем, рельефа, формирования

...ф 10 кл/смприводит к тому, что резист не сшивается,а края рисунка расплываются, что существенно повышает дефектность.Экспонирование дозой более 5 ф 102кл/см может привести к полимеризациипленки резиста, которая является маской дляплазмополимеризованного слоя, что такжеповышает дефектность.Реактивно-ионное травление плазмополимеризованного стирола проводят при давлении не более 10 Па и удельной мощности2,5 - 3 Вт/см,Травление плазмополимеризованного стирола при давлении более 10 Па ведет кувеличению остаточных частиц в объеме и,к уменьшению длины их свободного пробега,а значит эти частицы имеют возможностьчаще сталкиваться с рабочей поверхностьюподложки и могут быть захвачены, ею, чтоповышает привносимую дефектность,Травление при...

Номер патента: 1496616

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Дмитриев, Иванов, Никишкин, Овчинников, Свиньин, Толстун, Федотов

МПК: H05H 7/00

Метки: облучения, поля, формирования, электронного

1. Способ формирования электронного поля облучения прямоугольной формы с соотношением сторон более чем 10: 1 путем сканирования ускоренного пучка электронов системой переменных магнитных полей в двух взаимно перпендикулярных направлениях и направлении электронов перпендикулярно поверхности прямоугольного фольгового окна путем воздействия на них отклоняющего магнитного поля, отличающийся тем, что, с целью увеличения уровня выводимой в атмосферу мощности путем повышения однородности распределения электронов по полю облучения, постоянное отклоняющее магнитное поле создают суперпозицией двух магнитных полей с различным распределением индукции в направлении, перпендикулярном поверхности выпускного окна, причем величину и направление каждого из...

Номер патента: 1820781

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Вискуп, Кабаков, Козлов, Красницкий, Петрович, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: двуокиси, кремния, пленок, формирования

...тем, чтопродувку реактора проводят кислородом ссодержанием озона 2-6 при давлении 5-60Па в течение 3-10 мин при температуре650-770 С,В предлагаемом техническом решенииповышение качества пленки двуокиси кремния обусловлено следующим. Перед осаждением пленки двуокиси кремния проводятпродувку реактора озонированным кислородом при температуре осаждения при соответствующих давлениях и длительности,происходит формирование более совершенного слоя термического окисла, чем припродувке просто кислородом. Кроме того,продувка реактора озонированным кислородом с указанными режимами способствуетболее полному, по сравнению с чистымкислородом, удалению, связыванию илипереводу в неактивное состояние рядапримесей, способствующих коллоидо-...

Номер патента: 1822295

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Егоров, Жуков

МПК: H01J 1/30

Метки: автоэмиссионных, катодов, многоострийных, поверхности, формирования, эмиттирующей

...не выйдет на насыщение или перестанет увеличиваться параметр Ф, Выход параметра Ф на насыщение означает, что для конкретного катода одновременно работает максимально возможное число острий. Очевидно, в самом благоприятном случае это число равно полному количеству острий 1 Ч всего катода. В дальнейшем формовку можно продолжать, например, для того, чтобы повысить рабочее напряжение и энергию эмиттируемого пучка электронов за счет увеличения радиусов отдельных острий, но полное число работающих одновременно эмиттеров изменяться при этом не будет.Способ осуществляют следующим образом. С помощью известного электролитического метода производят заточку вершин отдельных элементов многоострийного катода. Затем катод устанавливают в...