Архив за 1991 год

Номер патента: 1691901

Опубликовано: 15.11.1991

Автор: Федоров

МПК: H01G 13/00

Метки: анодных, выводов, колпачков, конденсаторов, обрезания, ориентации, отверстия, пре, проталкивания, сборки, секций

...5 да полокения, когда кассета- магазин б устанаВливаегся наД ГнезДами 2 и первый ряд колпачков 3 проваливается в гнезда 2, Колпачки 3 паджимаются в гнезде 2 сверху рядами вер;икальных колпачков 3 в пазах кассеты-магазина о и удерживаются ат ВыпаДания с торца соа 2 пластиной 1, В этО время за сче канта(а рычага 15 с "впэ. диной" собственного купака 16 каретка 1420 25 30 35 освобождается и начинает подниматьсл за счет г 1 ружины вверх и блок конусных ловителей 13 достигает положения совмещения их осей с отверстиями В колпачках 3. Дагее эа счет контакта рогнма 19 с "впадиной кулачка 20 каретка 18 перемещае 1 блок конусных ловитегей 13 горизонтально и Вводит их в колпачки 3, Огверсгия в конусных ловителях 13 совмегцоются с Отверстиями В...

Номер патента: 1691902

Опубликовано: 15.11.1991

Автор: Портной

МПК: H01J 9/42

Метки: испытаний, стенд, тепловакуумных

...перед его извлечением иэ вакуумной камеры 1, открывают клапан 8. При этом под действи- ем перепада давления (в камере 1 - вакуум, а в системе 12 дренажа - давление чуть выше атмосферного) пары хладагента по- д ступают во внутреннюю полость вакуумной О камеры 1 через вакуумный ввод 10. ОДавление в вакуумной камере 1 повы- ашается до атмосферного, точнее, до давле- ь,О ния, чуть превышающего атмосферное. При этом следует отметить два обстоятельства.Первое - процессом повышения в камере 1 не нужно управлять, он саморегулируется, так как с повышением давления в камере Гю 1 уменьшается перепад давления между ка- а мерой 1 и системой 12 дренажа. Как только эти давления уравняются, поступление паров хладагента в камеру 1 автоматически...

Номер патента: 1691903

Опубликовано: 15.11.1991

Автор: Варфоломеев

МПК: H01J 25/00, H01S 3/00

Метки: генерации, излучения, когеретного, усиления, электромагнитного

...для рябо.ы со слабьли интенсивнос: ями поля, деляк)т однородными, с одинаковой постоянной во всей секции. Последние по ходу импульса секции Одуляор;1 могут быть профилрОвакньми,т.а. с лзменяющейся пос.оянной по дллке сек ции. В случае интенсивных полей (в последних секциях ондулятора) эти изменения могут быть настолько существенкьми, что без соответствующего профиллрования ондулятора пространственный синхронизм будет нарушаться. приводя к уменьшению взаимодействия потока с колебанием,Длины ондулячорных секций или числа периодов в секции определяют из условия максимальной передачл энергии от электронных сгустков генерируемому импульсу в ках(ДОЙ из секций, В червьх секциях это условие свсдится к обеспечению максимального усиления в...

Номер патента: 1691904

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Гусева, Кайбышев, Корюкин, Обрезумов

МПК: H01J 45/00

Метки: коллектора, преобразователя, термоэмиссионного, энергии

...Выбор типа имплантируемых ионов и параметры способа обоснованы эксперементальным путем, Для коллектора из монокристалла молибдена с гранью (110) на рабочей поверхности после имплантации минимальное значение р понизилось на 0,15-0,20 эВ с одновременным снижением Т/Т (Тк и Тс - температуры коллектора и резервуара с цезием соответственно,К) с 1,9 до 1,3 - 1,35 по сравнению с исходным состоянием. ма (о, с одновременным уменьшением ад-, сорбции цезия на поверхность кслг(екторэ, т.е.уменьшению отношения Т/Тсз, где Тк 1 и Т - температуры коллектора и резервуа- О ра с цезием, при котором достигается минимальное значение (р При энергии ионоввей менее 30 кэВ из-за малой глубины залегания внедренных ионов эмисионные свойства коллектора нестабильны,...

Номер патента: 1691905

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Бочкарев, Семенчук, Семкин, Юсупов

МПК: H01J 49/40

Метки: времяпролетном, ионов, линии, масс-спектрометре, массовой, формирования

...вид, гпХ=г 1 Е(г; гпг), (5) гдеЕо, 0 11 о, то т Тгг.а (Тд - т)Начальные условия: при 1=0, Х(0)=-.0, Ч(0)=-ЧОИнтегрируя уравнение движения (5) ивыражая ЧО через т 1(момент вылета в бесг 1 олевае пространство са скоростью Ч 12), можно получлть выражение для скорости Ч 12 кэк функцию 1гпд чо(огп 2 тО - го т, - г 11(8) БаЗОВОЕ ВрЕМя Прапатэ ТГГ дпо ИэакрЕНной массы гп.г определяетсц соотношениглг,112Гд = 1 о 4- - .- --- -, 1 б)1 01 хого5 1, 2Таким образом, время пролета Т ионовс массой г 1 будет равно1 1 11(7)гп д гп д 11 1 12п 1 ) гп (Гд - т 1)Тэк как время г 1 зависит от начальнойскорости Чо. т,е. т;=-т 1 (Чо), та из выражения(2) слеДУет, чго ДлЯ ионов с массой птпг 1- ТТр, и наоборот, при пт=гп,4 Т=Т 1,Можно показать. что для ионов с...

Номер патента: 1691906

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Коган, Павлов

МПК: H01J 49/40

Метки: веществ, изотопного, состава, элементного

...)ИИ,1)Р 1)Йфа ДС ПР)48 Л 414 ИК(Э, сЭСТОЯНИЕ148 Х;,)у Областями дрейса (л приемника госта( ляет 550 мм, В ксэчсстве приемника ионсв(СЛ 101484 Т НИЗКОЙ ЭсСп(ЭОСТРВНЕННОСТИ ИС"цо,ьзуется шевронная сборка микрока 1 )-Ь)х пласти 11,Р 1 сН с(ЛИЗЕ ВВОИВ )ИЙ ДЕЙТЕРИЯ Б ДО -НЫХ Э ГЛО)КБНИЯХ В КгЕСТВР ИССЛЕД/ЕМО)0Об)ЛЗЦа исГ)ользуют пробы дон)ых стло)к"1(Лй, 1.еобхОДимаЯ веп;и)48 н(П 1)яКснн эСТ)( 1 сз ГНИ Г 1400 ГОЛ 1 ОцрЕДЕЛЯ/(ВСЬ Г 0;1 Ть Б 1 смен 1 в:с 14 ени 1" 0 цооиг Г- ;1(т ьч(брос зарях(енных )астиц из (;сгоч)(ика 1 се частицы обладают ссставляющи,",лс;01(.с)и, нэГ)1)авлРн ными кэ 1, Вдоль,11,Г 1(Х 1, ПС)цво(ЗК 1/ МагИТНОГО ПОЛЯ.88 счет поперея;(гй сос:га:) ЯющэйГ)ВИ)К ТСЯ ПР Л;(РОРОс)с(ЭЛМ Р;)Д)4/Са(41, Б(с(Ичин ы кот опых си...

Номер патента: 1691907

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Коненков, Могильченко, Силаков, Шагимуратов

МПК: H01J 49/42

Метки: заряженных, масс-сепарации, частиц

...фильтра масс годакт постоянноенапряжение +Огереме 44 ое напряжение.-Осозгг в соотношении 0,4846 ИО 0,4892, 15При этом требования на параметр а следуощие; 3,1345 а 3,164229, А ПО = д/29,Кдк было установлено авторами, значеиа разрешающей способности В, определяемой числом перыодов О фильтрации, з 20режиме сепарации промежуточной области,равной =:2,2 ц (2)Из экспериментальных данных следует,что 251 ов-"1,3 ц11 О (3)Из сравения Ро;, для обычного режима (йо,в = 2/11 о),где г = 10-30 и (3) следует,что имеется выигрыш в разрешающей способности в 12 - 40 раз по сравнению с обычным режимом работы в первой области приравном числе периодов в фильтрации,Оценим числапериодов прохождения краевого поля КФМ, при котором трансмиссия КФМ максимальна,...

Номер патента: 1691908

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Косогоров, Макеев, Михайлов, Шпилев

МПК: H01L 21/20

Метки: кремниевого, прибора, узла

...прочностных (усилие разрушения), эксплуатационных (количество термоциклов) и,8 60 24 оставитель Е. Пановехред М.Моргентал Корректор А.Осауленк Каленска Реда кто Заказ 3932 Тираж ПодписносВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при гК113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 СССР Производс 1 венно издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 стояние от края пластины менее 1 глм рекристаллизационного кремния может выйти на торец соединяемых деталей, что приводит к разрушению узла,Г 1 р и м е р, На пластинах из монокристаллического кремния КЭФ 4,5 ориентации (100) толщиной 300 мкм,0 60 мм с двусторонней полировкой формировали полости путем группового травления в 30; кипящем растворе едкого кали (КОН),...

Номер патента: 1691909

Опубликовано: 15.11.1991

Автор: Медведев

МПК: H01L 21/60, H01L 23/48

Метки: алюминиевой, золотой, кремниевую, нанесенной, пленке, подложку, присоединения, проволоки, тонкой

...до 320 С термопластичный компаунд сульфарил окунают конец золотой проволоки диаметром 30 мкм при вязкости сульфарила 200 10 Па с,-2 Размещают конец золотой проволоки на алюминиевой пленке и, прикладывают перпендикулярно к ее оси и поверхности пленки давление 70-100 Н/мм . Использование2данного способа позволяет повысить выходгодных до 99% щадь контактирования. В момент резкого поднятия инструмента вязкий компаунд тормозит движение проволоки вслед за инструментом, что облегчает отделение проволоки от инструмента и предотвращает возможность отрыва проволоки с частью металлического слоя от кристалла, Таким образом достигается увеличение механической прочности соединения,Экспериментально установлено, что вязкость термопластичного...

Номер патента: 1691910

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Демченко, Савченко, Тиханков, Федонин

МПК: H01L 21/607

Метки: полупроводникового, прибора

...сопротивления деионизованной воды ниже 18 МОм см приводит к снижению повторяемости результатов,Пробивные напряжения при обработке приборов в холодной воде при температуре1891" 10 воде, помещают их в нагретую до 1005"С сушильную камеру для удаления влаги и выдерживают в ней в течение 15-20 мин,В результате такой обработки на поверхности алюминиевых контактных площадок и на алюминиевом покрытии вьшодов основания в зоне их соединения с проволокой образуется плотная пленка оксида алюминия толщиной 0,4-0,6 мкм, обладающая влагостойкостью и обеспечивающая защиту от проникновения влаги и коррозии в месте соединения. Формула изобретения Составитель Е, ПановРедактор А, Маковская Техред (Л.Моргентал Корректор М.Максимишенец Заказ 3932 Тираж...

Номер патента: 1691911

Опубликовано: 15.11.1991

Автор: Неволин

МПК: H01L 23/00

Метки: полупроводниковый, прибор

...основаниями трапеций, а две боковые грани, перпендикулярные микрополосковой линии, и нижняя поверхность керамического основания вьпалнены металлизировгнными и ъ ектрически соединены между собой и с микрополосковой линией, 1 ил,Транзисторы собираются боковыми металлизированными гранями с последующим заземлением, при этом образуются входная и выходная перецающие линии, штоки оказываются заземленными, и при подключении соответствующих нагрузок образуется УРУ с уменьшенными элементами,Часто 1 ные свойства его при этом определяются величиной корпуса (шага между транзисторами) и свойствами самого кристалла, Это позволяет значигельно расширить полосу усиливаемых частот по сравнению с использованием в гибридных УРУ транзисторов с...

Номер патента: 1691912

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Чернышов, Эгнер

МПК: H01L 23/12

Метки: двухкристальной, интегральной, корпус, схемы

...и сверху соответственно.Корпус двухкристалльной ИС содержит металлокерамические крышку 1 и основание 2, соединенные герметичным паяным швом 3, в основании 2 имеются выемки 4, расположенные с двух сторон основания, выводы 5 от металлокерамической крышки 1 расположены между группами выводов 6 от.Я 21691912 А 1 крышка и основание со смонтированн кристаллами проходят проверку парэ ров и соединяются в одну конструкц образованием общего герметичного об так, что кристаллы располагаются один другим. В основании имеются выемки, положенные с двух сторон основания воды от металлокерамической кры расположены между группами вывод основания. Металлокерамическая кр имеет по сравнению с основанием б длинные выводы, которые проходят на те выемки в...

Номер патента: 1691913

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Бакулина, Клименко

МПК: H01L 23/46

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

...прибсры могут быть закреплены на нескольких или на всех плоскостях радиатора, Благодаря пересечению отверстий в обьеме радиатора Образуется достаточно развитая поверхность теплообмена, а наличие отверстий со всех сторон радиатора способствует актив ому его охлаждению при различных направлениях охлаждающего потока, Размещение приборов на всех или на нескольких плоскостях дает преимущество для более равномерного распределения в обьеме радиатора тепловых нагрузок,На чертеже показан радиатор с закрепленным на нем охлаждаемым прибором,Радиатор состоит из плиты 1, имеющей форму прямоугольного параллелепипеда или куба с закрепленным на ней охлаждаемым прибором 2, Через три плоскости плиты 1 просверлены сквозные отверстия 3, причем...

Номер патента: 1691914

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Богдана, Веселин, Рафаил

МПК: H01M 10/40, H01M 4/58

Метки: вторичный, источник, химический

...и переэаряжаемости. Предлагаемый химический источник тока содержит в качестве катода смешанный дисульфидхрома и ванадия состава МаУСг 1.ЧЯ 2, где 0,05 х 0,3; 0,1 у 0,4. Такой катодный материал обладает повышенной проводимостью. Используемость катода после 100 циклов снитжается от 80 до 70%.2 табл. 1 А/см до напряжения 3,26, В результате2 образуется соединение Гчао,2 в Сго,вв Чо,1 в 52.В табл, 1 представлены электрохимические характеристики такого источника тока,Источник тока при плотности тока 2 мА/см 2 циклируют 100 циклов в пределах 1,5 - 3,26 В при понижении используемости катода ог 80 до 70%ааааа еудельная проводимость МаУСГ 1-хЧх 52 при Ь х=-0,15 повышается. ускоряется диффузия ли- со тиевых ионов и, соответственно, омовые по-...

Номер патента: 1691915

Опубликовано: 15.11.1991

Автор: Петренко

МПК: H01P 1/203

Метки: полосно-заграждающий, фильтр

...Корректор М,Демчик Редактоо А, Маковская Заказ 3932 Г 1 раж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Х(-35, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гаарина, 101 Изобретенле ОтнОситсЯ к радиотехника, а именно к устройствам частотной се)екц и сигналов.Целью изобретения является расширение полосы заграждения и увеличение затухания.На чертеже показан гОлосно-загЗаждаОщий фильтр.Г 1 олосно-заграждаОщий фильтр содержит диэлектрическую пластину 1, на одной гюверхности которой расположен микрополоСковый гроводник 2, свяэанныЙ с полуволноВой щелью 3, выполненной в металлическом основании 4, размещенном на другой поВерхности диэлектрической...

Номер патента: 1691916

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Дугин, Ефимов, Козак, Комаров, Левин, Манакин, Тарасов

МПК: H02B 11/04

Метки: коммутационное

...из тяг 4 (фиг,1) связана с неподвижным объектом посредством привода 13, шарнирно соединенного одним концом с тягай 4, а. другим концом - с неподвижным объектом 7,Подвижная панель 3 состоит из карп 14, разьемав 15, каретки 16, Каретка 16 с зана с корпусом 14 с помощью привода стыковки, а с разъемами 15 - с помощьюГ ЯО и 22 параллепогрзм 1 мной подвески 18, пр,1 сть 1- ;совке с панелью 1 ролики 19 каретки 16 взаимодействуют с наг 1 равляощими 20, же.тко закрепленными на корпусе 14,Устройство работает следующим образом,С помощью привода 8 подви 1(ная панель 3 подводится к неподвижной панели 1, Затеь. с помощью привода 17 стцковки осуществляется стыковка разъемов 15 панелейи 3, после чего привод 8 складывается и демпфер 10 отводится от упора...

Номер патента: 1691917

Опубликовано: 15.11.1991

Автор: Прудников

МПК: H02H 3/16

Метки: защиты, изолированной, нейтралью, поражения, сети, током, человека, электрическим

...вс ".3 и с и 3 0 л и ) О Р я и и О ЙР Й т е) сз/1 ь сэ, с Оде р ж е"Ий (ОРЛМУТЛР/ЕР 4 ЫЕ отВЕГВГЕНИЯ ЗаКП)лакП,емся 53 Отклн)ч 8(1/ сетл Геэ/ппо Ьм3)ЬКЛНсслт"./38 М ПО ТОР/ УГСЛ ОДНОвг)ЕгЭН40 01 кГНОЯют и Все к.ом/сг(и 1)УВР/ь(3 ОтвзтвЛ( Е(ИЛ,На (113,ПРИВРДЕНс 3 ПРИ(Цг)Ля/3 спс)гЭЛЕ КТГ)1 ЛРС (с)Я С ХОМЯ Э/18 КТРг(4 ЧОХСР .Л Л(3 ЧОЛСЕ)С,КЗ, ВО Е)8 МРНИ,устр(эйстес, В кстором реализован, (нг)(ГО, Соде)ЖЛГ ВВТОМВТИ(ВСКИЙ ГУГ 1 ПО)ойе)ьг.сэате/3 ь 1 и ко 4 Рг 3/тлруе)4 е с гве:,лецл, Вклочяощие рудничные магни Гные пуг,(отелл 24, коммутиру 5 ощле оахтнц .ГС КОПрИЕМИКИ 5- 7 И ВМКОСт 4 Е 1- (1 КОМгку 1 и 1) уомых этОт(5/с(ля,Способ защиты ст поражения )лек гг)1.С сгсМ ТОКОМ ЗВКГ 0 с етС 5 В ТОМ, ЧТО ОЛ,О"Вре 483 НО с Отключением с 8 ти...

Номер патента: 1691918

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Могилев, Никитин

МПК: H02H 3/38

Метки: мощности, направления, реле

...сигнал реле определяется выходным сигналом фазосравнивающей схемы,При больших кратностях тока и связанных с ними больших погрешностях измерительных трансформаторов тока сигнал на выходе датчика 1 тока имеет форму импульсов малой длительности, при которых фазосравнивающая схема 7 работать не может. В этих условиях фиксация реального направления мощности осуществляется в момент появления большого токапревышающего уровень срабатывания порогового органа 5. В этот момент времени (в момент повышения тока сети) знак тока и напряжения по времени совпадают и указывают на реальное направление мощности, что имеет место лишь при первом превышении входным током уровня срабатывания порогового органа .5, когда измерительный трансформатор тока еще не...

Номер патента: 1691919

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Енчо, Иван, Панчо

МПК: H02K 1/20, H02K 9/00

Метки: оребренный, пакет, статорный, электрической

...листов 1 с формой в соответствии с фиг.4. Они набраны группами с пово 1691919ротом последовательно в 90" до получения оребренных участков 11 и 12. В участках 14 и 15 сечение статорного ярма сокращено, что компенсируется оребренной частью в соседних участках 11 и 12 и сохраняет таким образом магнитовозбудительное напряжение в неравномерном по высоте ярме относительно равномерного по высоте ярма того е статорного пакета.На фиг,7 представлено расположение листов 1 по фиг.2 на стандартной ленточной заготовке 16, Они идут последовательно в одном ряду, причем параллельные стороны 2 и 3 совпадают с обеими кромками ленты,На фиг.8 показана стандартная ленточная заготовка 16, на которой расположены листы 1 по фиг.4 в момент штампования. Они...

Номер патента: 1691920

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Гурьев, Попов, Стародубцева

МПК: H02K 3/28

Метки: несимметричная, обмотка, совмещенной, трехфазная, электрической

...- ЭДС катушек групп 2 Г и 6 Г, для групп 7 ГГ и 13 ГГ диаграмма ЭДС (фиг,4) повторяется.Для определения ЭДС фаэ Оа, А гвхсуОв, Ос (фиг,4) воспользуемся матричным методом. Из фиг,2 для одной повторяющейся части обмотки (г = 20 пазов) структурная матрица обмотки (С) и транспонированные матрицы фаз записываются в виде (принято ак = 1):1 2 39 10 11 12 1319 20 сфА = 2 1 1 -1 -1 -2 -1 -1 1 1;6 7 8 916 17 18 19 20СфВ = 1 2 2 1-1 -1 -2 -1 -1 3 4 5 612 13 14 15 16СфС = -1 -2 -2 -1 1 1 2 1 1Записывая 1-й элемент матрицы единичных пазовых ЭДС в виде е 2 = соз(1-1) а +за(1-1) а, где и =- 360"рг/Е =- 18 эл, град,для ЭДС фаэ обмотки фиг.1(одной повторяющейся части при Г = 20 пазах) получаем:тЕ 74 - Сф)Д 4 - гсозо+ соз с 6+ созг(2.-а - соз 8 а - соз...

Номер патента: 1691921

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Агранович, Ведмеденко, Оболончик, Перепелица

МПК: H02K 15/10

Метки: изоляционных, коробов, магнитопровода, пазы, установки

...что облегчает установку короба 1 в паз 2, Линия 10 отгиба клапанов дополнительно фиксируется за счет того, что ширина перемычки (фиг,8) верхней части фильеры выполняется равной шести толщинам Ь изоляционного материала. Ширина перемычек 12 фильеры, формующих углы короба, составляет три толщины Ь изоляционного материала. Фильера имеет эаходную часть 13, Стенки и дно фильеры образованы обращенными внутрь тремя циличдрическими поверхностями 14, 15 и 16, стенки 14 и 15 - поверхностью цилиндра радиуса й 1, величина которого (фиг,8) больше размера стенки короба на удвоенную толщину материала (81 = А+ 2 ф а дна 16 - поверхностью цилиндра радиуса Я 2, величина которого (фиг.8) равна ширине дна пазового короба (Вг = В = С). Замыкают пазовый короб...

Номер патента: 1691922

Опубликовано: 15.11.1991

Автор: Зотов

МПК: H02M 3/18

Метки: понижающий, постоянного, регулируемый

...устраняется необходимость искусственного завышения емкости силовой цепи. Если суммарная емкость силовой цепи прототипа равна ис, то в предлагаемом устройстве онауменьшается в 1+ в(и раз. Дополнительноеулучшение массогабаритных показателейдостигается за счет уменьшения также в 1+5 в/и раз требуемой мощности разрядныхключей и диодов цепочек, Кроме того, маломощные полупроводниковые элементы имеют, как правило, лучшие частотныесвойства. В результате частота преобразо 10 вания увеличивается, а это ведет к дополнительному уменьшению величинысуммарной емкости силовой цепи,В предлагаемом преобразователе каждое из состояний с коэффициентом транс 15 формации Ктр и имеет несколько вариантовреализации, Так, состояние с одной отключенной...

Номер патента: 1691923

Опубликовано: 15.11.1991

Автор: Репин

МПК: H02M 7/12

Метки: пятилучевой, совмещенный, трехфазный

...того, части а 2 х и а 1 х от отводовсекции ах от присоединенного к паре ПЭее вывода х могут быть установлены относительно всей этой секции в соотношениях 0,47:1,328;1,47 (фиг,1), либо20 0,908;1,148:2,148, что в относительных действующих значениях соответствует0,35525;1,004;1,111;0,68632:0,86773;1,6236,При этом на фиг.2 и 4 использованы длясоотношений секций и их частей упрощен 25 ные обозначения а,Ь,с и (а,Ь,с)1, принятыеотносительна начал х,у, этих секций.Преобразователь работает следующимобразом,Как следует иэ фиг,2 и 4, при наличии на30 секциях ВО трех переменных ЭДС, сдвинутых по фазе последовательно на 120 эл.град, на подключенной к выводам "+", "-"нагрузке формируются пять знакопостоянных импульсов Яи ( и= 1,5), образующих в35...

Номер патента: 1691924

Опубликовано: 15.11.1991

Автор: Прокопенко

МПК: H03B 5/36

Метки: генератор, кварцевый

...генератор содержит первый , ,и второй транзисторы 1 и 2, кварцевый ре зонатор 3, первый и второй резисторы 4 и 5; конденсатор б, третий и четвертый транзисторы 7 и 8 и катушку 9 индуктивностиКварцевый генератор работает. следующим образом.При включении напряжения питания первый и второй транзисторы 1 и 2, а также третий и четвертый транзисторы 7 и 8 устанавливаются в активный режим. Кварцевый резонатор 3 и подключенное к его выводам эквивалентное отрицательное сопротивление активной части образуют автогенераторное кольцо, в котором устанавливаются колебаний основной частоты кварцевого ре-. зонатора 3 или той его гармоники, на которую настроен параллельный .С-контур, образованный конденсатором б и катушкой 9Повышение надежности запуска...

Номер патента: 1691925

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Искренко, Минаев

МПК: H03B 7/14

Метки: генератор

...от одной из микрополосковых линий 1.Генератор работает следующим образом,М микрополосковых линий 1 передачи образуют замкнутую гребенчатую структуру Предлагаемый генератор содержит рополосковых линий передачи, образ замедляющую гребенчатую структур замкнутым концам которой подкл транзисторы. Для реализации пос ной цели транзисторы включены по общей базой, коллектор и эмиттер к транзистора подключены к разом концам соседних микрополосковых при этом к каждой микрополосковой подключены одноименные электро седних транзисторов. 1 ил. ствуют виды колебаний сами фаз(р( - )М2лое число, равное количествуадывающихся вдоль окружноКолебания, соответстэто колебания л вида, изамкнутой гребенчатой стцих одна от другой нарадиан....

Номер патента: 1691926

Опубликовано: 15.11.1991

Автор: Раков

МПК: H03B 19/00

Метки: синтезатор, цифровой, частот

...быть не менее(1+ К), посколькув каждом такте частоты Фо при рекурсивном 35вычислении Кго) производится одна операция вычитания, при которой ошибка не превышает единицы младшего значащегоразряда, Таким же должно быть и числодробных разрядов третьего накопителя 11, 40емкость которого 1/Кг, определяемая выходным кодом первого регистра 3, удовлет-воряет условию 11/Кг2. Таким образом,общая разрядность третьего накопителя 11должна быть равна+К+1. При таких условиях разрядности перемножителя 4 по входамкода частоты Кг и фазы К должны быть неменее (+1+4) и (1+К+3) соответственно.Код К О = 2 к 1) заносится во второй регистр 12 фронтом 0+1)-го выходного импульса ДФКД 13, В течение длительности этогоимпульса код КгО = 2 1) устанавливается...

Номер патента: 1691927

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Дроздов, Ратаев

МПК: H03F 3/26

Метки: двухтактный, усилитель

...сигнал поступает на выход двухтактного усилителя,1 и 2 разной структуры входного каскада, операционный усилитель 3, резисторы 4, 5 и б, 7 обратной связи, Под воздействием входного сигнала в точке соединения коллекторов транзисторов 1 и 2 выделяется противофазный сигнал. Усиленный усилителем 3 разностный сигнал поступает на выход двухтактного усилителя, коэффициент усиления которого оп ределяется значением 4, 5 и 6, 7 резисторов, Значение входного сигнала ограничено допустимым синфаэным входным напряжением усилителя 3. 1 коэффициент усиления которого определяется значением первых 4 и 5 и вторых б и 7 резисторов. Значение входного сигнала ограничено допустимым синфаэным входным напряжением операционного усилителя 3.Таким образом,...

Номер патента: 1691928

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Алексеев, Верещагин, Дугина, Королев, Проклов

МПК: H03H 9/30

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных, регулируемая

...идентичными друг другу и ориентированными своими штыревыми электродами под углом л/4 относительно плоскости доменной границы 2, Акустические оси ВШП 6 и 7 параллельны кристаллографическому направлению 010), На плоских базовых гранях 3 и 4 расположены управляющие электроды 8 и 9, подсоединенные к регулируемому источнику 10 постоянного электрического напряжения.Регулируемая линия задержки на ПАВ работает следующим образом.При приложении радиочастотного сигнала к сходному ВШП 6 встречно-штыревого типа в силу обратного пьезоэффекта возбуждается поверхностная акустическая волна, распространяющаяся по поверхности плоской базовой грани 3 домена в направлении его доменной границы 2, по достижении которой ПАВ отражается от нее и...

Номер патента: 1691929

Опубликовано: 15.11.1991

Автор: Тризна

МПК: H03J 3/18

Метки: автоматическим, диапазонов, настройки, переключением

...Поскольку перепад напряжений на входах компаратора 11, будучи в первый20 момент переключения минимальным, растет по мере осуществления процесса коммутации (до уровня, определяемого разницей между напряже,иями О 2 и О 2, т.е. возникает положительная обратная связь, то скоро 25 сть коммутации резко возрастает иобеспечивается четкое и устойчивое переключение.После того, как ключи 6 и 10 замкнутся,а ключ 7 разомкнется, к потенциометру ока 30 зываются подключеннымии напряжения Ог(к верхнему концу) и О 2 к нижнему), определяющие границы второго диапазона настройки, к опорному входу компаратора - напряжение Ооп 2О 2, при этом подвиж 35 ный контакт потенциометра находится вверхнем положении. При перемещении его в нижнее положение...

Номер патента: 1691930

Опубликовано: 15.11.1991

Автор: Кимпи

МПК: H03K 3/282

Метки: мультивибратор

...транзистор 16 откроется и тем самым. общая точка А коллекторов транзисторов 15и 16 соединится с нулевой клеммой 2 источника питания, В результате этого осуществляется отрытие транзистора 10 и закрытие транзистора 11. Общая точка В коллекторов транзисторов 10 и 11 и зарядных конденсаторов 4 и 5 теперь имеет такой же потенциал, как положительная клемма источника 1. Так как зарядный конденсатор 4 перед этим зарядился, то между его положительным выводом и нулевой клеммой 2 существует напряжение, равняющееся удвоенному напряжению источника. Этим напряжением заряжается сглаживающий конденсатор 9 через блокирующий диод 7.Одновременно через зарядный диод 6 заряжается конденсатор 5, а через переход база - эмиттер транзистора 16...