Полупроводниковый прибор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1691911
Автор: Неволин
Текст
фгс СОЮЗ СОПЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧ: ("1 уРЕСПУБЛИК сс Н 012,/00 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОГ)ИСАНИЕ ИЗОБ. тР-УЧ К АВТОРСКОМУ СВИДЕ ГЕЛЬСТВУ(57) Изобретение относится к электооникаи может быть использовано в СВЧ-технике,широкополосных усилителях, приемниках,Изобретение - полуп роводниковый прибор для усилителей распределенного усиления (УРУ) СВЧ - относится к электронике и может быть использовано в СВЧ-технике, широкополосных усилителях, приемниках.Цель изобретения - улучшение электри. ческих параметров путем снижения последовательной индуктивности и параллельной емкости.На чертеже представлена конструкция основания прибора с полевым транзистором с общим источником.Полупроводниковый прибор состоит из керамического основания 1 с металлизацией в виде низкоомной микрополосковой линии ,(МГ 1 Л) 2, кристалла 3, соединенного м кро проволокой 4 с соответствуюшими выводами входа ллПЛ 2, а выводы выхода кристалла подключены к проходящим через корпус транзистора высокоомным гЛПЛ 5 и 6 гикропроволокой 7 и 8 соответственно, металлизированных боковых граней 9 основанияПолупроводниковый прибор работает следующим образом. Я 2 1691911 А 1 Цель изобретения - улучшение электрических параметров путем снижения последовательной индуктивности и параллельной емкости - достигается тем, что выводы входа и выхода выполнены в виде трапецеидальных микрополосковых участков металлизации. обра ценных к кристаллу меньшими основаниями трапеций, а две боковые грани, перпендикулярные микрополосковой линии, и нижняя поверхность керамического основания вьпалнены металлизировгнными и ъ ектрически соединены между собой и с микрополосковой линией, 1 ил,Транзисторы собираются боковыми металлизированными гранями с последующим заземлением, при этом образуются входная и выходная перецающие линии, штоки оказываются заземленными, и при подключении соответствующих нагрузок образуется УРУ с уменьшенными элементами,Часто 1 ные свойства его при этом определяются величиной корпуса (шага между транзисторами) и свойствами самого кристалла, Это позволяет значигельно расширить полосу усиливаемых частот по сравнению с использованием в гибридных УРУ транзисторов с известными конструкциями коопусов,П р и м е р, Корпус был изготовлен из поликора. Уеталлизация выполнена по типовому технологическому процессу. Приме- кение корпуса размером 1 х 1,5 х 0,25 мм позволило на чипе АГ 1339 А 5 изготовить гибридный УРУ, работающий до 12 ГГЦ,Формула изобретения Полупроводниковый прибор, преимущественно усили гель расо ределеннога усиления СВЧ, содержащий керамическое1 аказ,) 932 ВН);1 ИП Гира)( ПОДПИСНОосударстве)нн)го комитета гс изобре)ениям и открыти113035, МОскве) .)К, Раушская наб 4/5 ри ГК)-Т ССС Производст)зенно-)гада)ельс)й комб;) )атг 1 ате)т", г, У кгоро ОсноГЛ )ие, нс) лицРвой гГ)верхнос и котогро );) сиг)метрич)-)О еГО боковым граням распо.ложена низкоомная микрополосковая л 11)и г), кристалл, симметрично расположен-:ый на микрог)огОсковой лини и сг)едине)1- 5 ный с ней общим выводом, и входной и выходной выводы, расположенные зеркально-симметричнО Относительно микрОГОло" сковойлинии, Отл ича О гцийся тРм,что, с цег)ью улуч)цения электрических парамет ров путем с)икения посг)едовательной индуктивности и параллельной емкости системы выводов, выводы входа и выхода выполнены в виде трапецеидальных микрополосковых участков металлизации, обращенных к кристаллу меньшими основаниями трапеций, а две боковые грани, перпендикулярные микро- полосковой г)инии, и нижняя поверхность керамического основания выполнены метал- лизированными и электрически соединены между собой и с микрополосковой линией,
СмотретьЗаявка
4699751, 05.06.1989
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-8616
НЕВОЛИН АЛЕКСАНДР РУФОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01L 23/00
Метки: полупроводниковый, прибор
Опубликовано: 15.11.1991
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1691911-poluprovodnikovyjj-pribor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый прибор</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления полупроводникового прибора
Следующий патент: Корпус для двухкристальной интегральной схемы
Случайный патент: Способ учета рыб в рыбопропускных сооружениях