Способ обработки коллектора термоэмиссионного преобразователя энергии
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(яи Н 01 3 45/00 ГО СУДЛР СТО Е ННЫ Й КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЬ(ТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ КОЛЛЕКТОРА ТЕРМОЭМИССИОННОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ЭНЕРГИИ(57) Изобретение относится к термоэмиссионному методу п реобразования тепловой энергии в электрическую и можетбытьиспользовано в технологии формирования рабочей поверхности коллектора термоэмиссионного преобразователя энергии (ТЭП). Цель изобретения - повышение эффективности ТЭП с низкотемпературным коллектором - достигается за счет снижения работы выхода Изобретение относится к термоэмиссионному методу преобразования тепловой энергии в электрическую и может быть использовано в технологии формирования рабочей поверхности коллектора термоэмиссионного преобразователя энергии (ТЭП).Цель изобретения - повышение активности ТЭП с низкотемпературным коллектором - достигается зэ счет снижения работы выхода коллектора р в паре цезия при одновременном уменьшении энергии адсорбции атомов цезия на коллекторе,Способ заключается в имплантации в рабсчуюповерхность коллектора ионов цезия или бария с энергией 30 - 60 кэВ дозами 10 - 10 ион/см,Выбор типа имплантиру 2емых ионов и параметры способа обоснованы эксперементальным путем, Имплантация в коллектор злектроположительных элементов (цезия или бария) в дальнейшем при работе ТЭП приводит к снижению миниму 5 О 1691904 А 1 коллектора у в паре цезия при одновременном уменьшении энергии адсорбции цезия на коллекторе. Способ заключается в имплантации в рабочую поверхность коллектора ионов цезия или бария с энергией 30-60 кэВ дозами 10 -10 ион/см . Выбор типа имплантируемых ионов и параметры способа обоснованы эксперементальным путем, Для коллектора из монокристалла молибдена с гранью (110) на рабочей поверхности после имплантации минимальное значение р понизилось на 0,15-0,20 эВ с одновременным снижением Т/Т (Тк и Тс - температуры коллектора и резервуара с цезием соответственно,К) с 1,9 до 1,3 - 1,35 по сравнению с исходным состоянием. ма (о, с одновременным уменьшением ад-, сорбции цезия на поверхность кслг(екторэ, т.е.уменьшению отношения Т/Тсз, где Тк 1 и Т - температуры коллектора и резервуа- О ра с цезием, при котором достигается минимальное значение (р При энергии ионоввей менее 30 кэВ из-за малой глубины залегания внедренных ионов эмисионные свойства коллектора нестабильны, а при более 60 С кэВ появляется радиационные дефекты, ФЬ также ухудшающие эти свойства, При дозах менее 10 ион/см 2 максимальное снижение минимума р- и соответствующее снижение Тк/Тсв не достигаются, Дозы более 1016 ион/см 2 не вызывают дальнейшего наращивания концентрации внедренных ионов,Способ реализуется следующим образом.Изготавливается заготовка коллектора ТЭП, например, из монокристалла молибде691901 Формула изпбре 1 ения Составитель В. СинявскийТехред М.Моргентал Корректор М Максимишенец Редактор А, Маковская Заказ 3932 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, )К, Раушская наб., 4/5 Производственнс издательский комбинат "Патент". г Ужгород ул Гагарина 1.1 на,1 вакуумной камере на рабочую поверхнос 1 ь коллектора осуществляется имплан тация ионов цезия или бария при энергиях ионов 30 - 60 кэВ и дозах облучения 10гв с10 ион/см, После этого коллектор монтируется в ТЭГ 1,Для коллектора из монокристалла мс, либдена с гранью /110/ на рабочей поверхнос 1 и уменьшение минимального значения р после имплантации гоставило 0,15 0,20 эВ по сравнению с исходным с одновременным снижением Тк/Т;, с 1,9 до 1,31,35,Способ обработки коллекторатермоэмиссионного преобразователя 5 энергии, включающий имплантацию ионов врабочую поверхность коллектора, о т л и ч а ю щи й с я тем, что, с целью повышения эффективности термоэмиссионного преобразователя энергии с низкотемпературным коллектором, в 10 качестве имплантируемых ионов используютионы цезия или бария с энергией 30-60 кэВ, а имплантацию осуществляют дозами, равными 30 - 10ион/см,
СмотретьЗаявка
4660658, 10.03.1989
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1758
ГУСЕВА МАРИЯ ИЛЬИНИЧНА, КАЙБЫШЕВ ВЛАДИМИР ЗЕФИРОВИЧ, КОРЮКИН ВЛАДИМИР АЛЕКСАНДРОВИЧ, ОБРЕЗУМОВ ВИКТОР ПАВЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01J 45/00
Метки: коллектора, преобразователя, термоэмиссионного, энергии
Опубликовано: 15.11.1991
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1691904-sposob-obrabotki-kollektora-termoehmissionnogo-preobrazovatelya-ehnergii.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ обработки коллектора термоэмиссионного преобразователя энергии</a>
Устройство поверки первичных преобразователей ионной активности в растворах
Номер патента: 1017997
Опубликовано: 15.05.1983
Автор: Андреев
МПК: G01N 27/50
Метки: активности, ионной, первичных, поверки, преобразователей, растворах
...устройства; на фиг. 2 эквивалентная схема прототипа; на фиг. 3 - эквивалентная схема предлагаемого устройства (где б- внутреннее сопротивление электрода;. Р - сопротивление между контактами реле на разрыв, Рэ- входное сопротивление ВС; Р- нагрузка ВС; Е и Е 2 - электрохимические потенциалы); на фиг. 4 и 5 - эквивалентные схемы устройств при измерении сопротивления изоляции для прототипа предлагаемого устройства соответств нно.Устройство (фиг. 1) содержит электрохимическую ячейку 1 с буферным раствором, электрод сравнения 2, поверяемые индикаторные электроды 3, 32,3, контактный электрод 4, вспомогательное реле 5, вспомогательное реле 6, коммутатор 7, служащий для калибровки устройства, коммутатор 8, состоящий из попеременно...
Ионный преобразователь
Номер патента: 48870
Опубликовано: 31.08.1936
Автор: Воробьев
МПК: H01J 13/44
Метки: ионный
...пропорционально емкостям. Проводящие поверхности А, В, С приобретают надлежащие положительные по отношению к катоду потенциалы. Но так как емкость между последней манжетой С и катодом очень мала и равна С, то, следовательно, ббльшая часть напряжения падает на этот промежуток, что и будет облегчать зажигание. После зажигания потенциалы манжет будут, согласно установленным Лангмюиром положениям, на 10 - 15 Ч отрицательнее, чем плазма, т, е, если пренебречь падением в дуге и у анода, то они будут как раз на эту величину отрицательнее анода.Ясно, что эти потенциалы не могут оказать никакого влияния на процессы в обратный полупериод.В обратный полупериод напряжение также распределяется по емкостям и в начале ббльшая часть напряжения падает...
Устройство для несимметричного сеточного управления ионным т-фазным преобразователем
Номер патента: 112810
Опубликовано: 01.01.1958
Метки: ионным, несимметричного, преобразователем, сеточного, т-фазным
...ионного преобразователя.На фиг. 1 изображена принципиальная схема предлагаемого устройства; на фиг. 2 - схема питания дросселей насыщения его фазовращателя.Ионный преобразователь 1 управляется с помощью сеток 2, на которые подаются управлявшие импульсы от о-фазного синхронного сеточного генератора 3, Генератор 3 питает д-фазный статический фазовращатель 4, который подает управляющие импульсы через механический коммутатор 5 на сетки преобр азов а тел я. 1.Синхронный генератор 3 приводится во вращение от синхронного электродвигателя 6 через редуктор 7 с передаточным отношением, равным и: д. Коммутатор 5 вращается тем жс двигателем через редуктор о с передаточным отношением 3000:т.Фазовые мосты 9 фазоврашателя содержат дроссели...
Способ генерации в ионном источнике двухкомпонентного потока ионов газа и металла
Номер патента: 2001463
Опубликовано: 15.10.1993
Авторы: Бугаев, Николаев, Окс, Щанин, Юшков
МПК: H01J 27/04, H01J 27/22
Метки: газа, генерации, двухкомпонентного, ионном, ионов, источнике, металла, потока
...и нейтральных частиц рабочего газа приводит к эффективной регенерации в области контрагирования и анодной части разряда газовых ионов. При повышении концентрации плазмы за счет увеличения тока контрагированного разряда и напряжения между электродом 3 и плазмой на выходе отверстия на металлическом электроде 3 под плазмой контрагированного разряда, в месте ее наибольшей концентрации (вблизи отверстия), возбуждается катодное пятно, ток которого поддерживается источником питания 8, Существование катодного пята обеспечивает поступление в анодную область металлических ионов. Как показали испытания, контрагированнный разряд не только способствует возбуждению катодного пятна, но и оказывает стабилизирующее влияние на горение вакуумной дуги....
Способ открытия ионов калия в присутствии ионов аммония гексанитрокобальтиатом натрия
Номер патента: 142799
Опубликовано: 01.01.1961
Автор: Рабинович
МПК: G01N 30/96
Метки: аммония, гексанитрокобальтиатом, ионов, калия, натрия, открытия, присутствии
...в данных условиях не имеют тенденции к окислению. Отличительная особенность описываемого способа состоит в том, что выделившийся аммоний - натрий кобальтиат разлагают при 60 - 70 смесью перекиси водорода, нитрита натрия и уксусной кислоты, что устраняет его мешающее влияние.П р и м е р. К 3 - 5 мл исследуемого нейтрального или уксусно- кислого раствора, помещенного в пробирку, прибавляют 2 - 3 мл ко. бальтинитрита натрия, приготовленного обычным образом. В присутствии ионов калия выпадает желтый кристаллический осадок, Затем добавляют окислительно-восстановительную смесь в количестве 2 - 3 мл,,5 г 142799 приготовленную следующим образом: 1 объем 30%-ной перекиси водорода+2 объема 110 "/о.ного раствора нитрита натрия+1 объем ледяной...
Предыдущий патент: Способ генерации и усиления когеретного электромагнитного излучения
Следующий патент: Способ формирования массовой линии ионов во времяпролетном масс-спектрометре
Случайный патент: Состав порошковой проволоки для сварки меди с медью и меди со сталью