Способ изготовления полупроводникового прибора

со 1 сд советскихса 1 лллисти ескихРЕСПУЬЛИК с 1)5 Н 0121/607 ГОСУДЛРСТРЕН 1 1 ЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОЕ 1 РЕТЕ 11 ИЯ 1 Л и ОТКРЫТИЯМПРИ ГК 11 Т СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА(57) Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов,Цель изобретения - повышение надежностиполупроводникового прибора. Способ заключается в том, что полупроводниковыекристаллы помещают на основания с выводамц, ал 1 оминиевые контактные площадкикристаллов соединягот проволокой с вывоИзобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводникового прибора.Целью изобретения является повышение надежности полупроводникового прибора.Сущность изобретения заключается в том, что на кристалле создают активные области, наносят диэлектрическую и алюминиевую пленки, формируют из алюминиевой пленки токоведущие дорожки и контактные площадки, защищают поверхность кристалла вне контактных площадок слоем диэлектрика, присоединяют микросваркой проволоку к контактным площадкам, формируют оксид на поверхности алюминия контактных площаЮ 1 б 91910 А 1 дами оснований термокомпрессионной или ультразвуковой сваркой. Собранные полупроводниковые приборы в технологической таре помещают в ванну с деионизованной водой с удельным электрическим сопротивлением 18 - 20 МОм см при 20.2"С и выдерживают 30-40 с. Затем тару с приборами помещают в ванну с деионизованной водой при 85+5"С и обрабатывают в течение 20 -1 мин, Удельное электрическое сопро 1 ивление воды после обработки приборов должно быть не ниже 7 МОм см, После обработки приборы сушат при 100+ 5 С в течение 15 - 20 мин, В результате обработки на поверхности алюминиевых контактных площадок и на алюминиевом покрытии выводов основания в зоне их соединения с проволокой образуется плотная пленка оксида алюминия толщиной 0,4-0,6 мкм, обладающая влагостойкостью и обеспечивающая защиту от проникновения влаги и коррозии в месте соединения. док последовательной обработкой в деионизированной воде с удельным электрическим сопротивлением 18 - 20 МОм см при 18- 22 С в течение 30-40 с и при 80-90 С в течение 19-21 мин, сушкой при 100-105 С в течение 15-20 мин и герметизируют прибор.Экспериментально установлено, что получение воды с электрическим сопротивлением более 20 МОм см связано с большими техническими трудностями, Снижение удельного электрического сопротивления деионизованной воды ниже 18 МОм см приводит к снижению повторяемости результатов,Пробивные напряжения при обработке приборов в холодной воде при температуре1891" 10 воде, помещают их в нагретую до 1005"С сушильную камеру для удаления влаги и выдерживают в ней в течение 15-20 мин,В результате такой обработки на поверхности алюминиевых контактных площадок и на алюминиевом покрытии вьшодов основания в зоне их соединения с проволокой образуется плотная пленка оксида алюминия толщиной 0,4-0,6 мкм, обладающая влагостойкостью и обеспечивающая защиту от проникновения влаги и коррозии в месте соединения. Формула изобретения Составитель Е, ПановРедактор А, Маковская Техред (Л.Моргентал Корректор М.Максимишенец Заказ 3932 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государе. венного комитега по изобретениям и открытиям при ГК 1-1 Т ССГР113035, Москва. )К, Раушская наб 4/5 Производств энно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, уп,Гагарина, 101 ни,.;е 18" С и выше 22 С и в течение временименее 30 и более 40 с резко отличаются одноот другого,При температуре сушки ниже 100 Свозрастает время, необходимое для полного удаления влаги с поверхности приборов,При повышении температуры сушки выше105"С результаты не отличаются, однаковозникает возможность термоудара на изготавливаемый прибор, 10При температуре деионизованной водыниже 80 С на алюминиевых контактныхплощадках образуются следы оксиднсйпленки с низким пробивным напряжением,а при температуре выше 90 С - оксидная 15пленка с большим разбросом по толщине ипробивному напряжению.П р и м е р . Полупроводниковые кристаллы помещают на основания с выводами, алюминиевые контактные площадки 20кристаллов соединяют проволокой с выводами оснований термокомпрессионной илиультразвуковой сваркой,Собранные полупроводниковые приборы помещают в технологическую тару из 25фторопласта. Технологическую тару с приборами помещают в ванну с деионизованной водой с удельным электрическимсопоотивлением 18 - 20 ЬЛОм см, Температура воды 20:+2 С, время обрабстки 30-40 с, 30Затем тару с приборами перегружают в такую же ванну с горячей деионизованной водой, температура которой 85+5 С, Времяобработки 20 чмин. Удельное электрическое сопротивление воды после обработки 35приборов должно быть не ниже 7 МОм см,Далее приборы вынимают из ванны сгорячей деионизованной водой, дают стечь Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий создание активных областей на кристалле, нанесение дизлектрической и алюминиевой пленок, формирование из алюминиевой пленки токо- ведущих дорожек и контактных площадок, Защиту поверхности коисталла вне контактных площадок слоем, дизлектрика, формирование оксида на поверхности алюминия контактных площадок, присоединение микросваркой проволоки к контактным площадкам и герметизацию, о т л и ч а ю щ и л с я тем, что, с целью повышения надежности, формирование оксида на поверхности ал оминия контактных площадок осуществляют после присоединения микросваркой проволоки к контактным площадкам последовательной обработкой в деионизованной воде, с удельным злектрическим сопротивлением 18-20 МОм см при 18-22 С в течение 30-40 с и при 80-90 С в течение 19-21 мин и сушкой прл 100-105"С в течение 15-20 мин,