Патенты с меткой «термоэмиссионного»

Номер патента: 283343

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Васильковский, Купоросов, Трегулов

МПК: H01J 45/00, H02N 3/00

Метки: модуля, преобразователя, сборки, термоэмиссионного

...наневременной )прок оды преобразовас последующим кладки, отличаю щения технологи ктрод формируют енено на времен Способ с преобразов 15 электродов щей электр электродов менной про целью упро 20 второй эле непосредствермоэмиссионного сепия на один из ладки, разделяютеля, закрепленияудалением вреи 1 ийся тем, что, с и сборки модуля,из газовой фазы ной )прокладке,адки. ОСОБ СБОРКИ МОДУ ПРЕОБРИзобретение относи о преобразования тепло ичеокую с,помощью тразователей.Известен способ сборки модуля термоэмис. сионного преобразователя с фиксированным расстоянием между электродами, включающий нанесение на один из электродов временной,прокладки, разделяющей электроды преобразователя, закрепление электродов и последующее удаление временной прокладки...

Номер патента: 309411

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Биков, Зайцев, Логинов, Фнрсов

МПК: H01J 45/00

Метки: металлокерамический, преобразователя, термоэмиссионного, фиксатор, цилиндрического

...ступами кон чьцами 1авки 3, зак о из концов и путем зав ий металли тактирует с ка расположены епленные путем керамики электальцовки всего ескнй кожух 4. аток этих фиксаторов о они быстро разрушаю лагаются между горяч ода и холодной поверхн гаются действию термич заключается тся, поскольей поверхноостью анода еских напрямет изобретен того, рабочая температура катода ается температурой плавления мафиксатора. фиксаторе эти недостатки я тому, что фиксатор сосаллических колец, между гнездах на торцовых по- жены керамические встав- имеет несколько выступов, х контактирует с катодом то позволяет снизить темВ предложенном устранены благодар тавлен из двух мет которыми в глухих верхностях располо ки. Одно из колец с помощью которы...

Номер патента: 365804

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: B23K 15/00, H01J 37/30

Метки: детали, нагрева, термоэмиссионного

...деталью 7 и термоэмиттером 4. Вначале нагревается только та часть термоэмиттера 4, которая расположена напротив запального катода 3. Термоэлектронная эмиссия от одной зоны обеспечивает разогрев соответствующей части детали 7 до температуры, при которой начинается термоэлектронная эмиссия с детали в сторону термокатода 4. В этот момент отключают накал запального катода 3, и дальнейший разогрев термоэмиттера 4 и детали 7 обеспечивается за счет их взаимной электронной бомбардировки при наличии переменного напряжения между ними. Первоначальное локальное пятно нагрева вследствие теплопроводности и увеличения площади термоэмиссии распространяется по всей поверхности детали и термоэмиттера.Расстояние между термоэмиттером 4 и деталью 7 и...

Номер патента: 587531

Опубликовано: 05.01.1978

Авторы: Атамасов, Денисов, Кирилкин, Тащилин, Хорошавин, Чилин

МПК: H01J 45/00

Метки: возбуждения, преобразователя, термоэмиссионного

...прохождение тока возбуждения через нагрузку.10Воэможность использования для возбуждения элементов ТЭП обоих полупериодов переменного напряжения и исключения протекания тока через нагрузку приводит к повышению КПД использования энергии источника возбуждения.На чертеже изображена схема предлагаемого устройства для возбуждения ТЭП.Устройство содержит источник н - фазного переменного напряжения, 1 П -фаэный трансформатор 2 с 2 п "вторичными обмотками, соединенными в две звезды 3, нейтрали 4 с диодамй 5 . и конденсаторами 6.,:Каждая вто-. ха ричная обмоткаподключена к группе паралльльно соединенных . элементов ТЭП 7. Между группами элементов, соединенных . последовательно, включен диод 8, предотвращающий про- ЗО хождение возбуждения ....

Номер патента: 619875

Опубликовано: 15.08.1978

Авторы: Игумнов, Маилов, Мургулия, Пелангия, Юрьев

МПК: G01R 31/24

Метки: выходной, максимальной, мощности, преобразователя, термоэмиссионного

...7 напряжения М ТЭП и дифференциального усилителя 8, на один из входов которого поданана другой - напряжение эадатчи1 ая фка, а выход соединен со входом управ- ляемой нагрузки 9; систему поиска оги 40 бающей, которая снабжена для изменения непрерывн по заданной программе одного иэ независимых параметров, например Р, программным эадатчиком 10 для .определения максимальных значений;дпри установленныхЦз, включеапния регистраторами и и соответствующего ему РВ , перестановки эадатчика опорного напряжения системы регулирования и стабилизации От и экстремум- детектором 11, для подачи сигнала, пропорционального.)на вход экстремум- детектора генератором 12 тактовых импульсов, формирующим импульсы, период повторения которых намного меньше...

Номер патента: 632009

Опубликовано: 05.11.1978

Авторы: Гвердцители, Каландаришвили, Кашия, Шартава

МПК: H01J 45/00

Метки: выхода, коллектора, поверхности, преобразователя, работы, термоэмиссионного, уменьшения

...слоя в виде сое.Динения висмута с цезием, снизить632009падение напряжения на этом слое иповысить выходную удельную мощностьТЭП в среднем на 30. Для реализации предложенного способа была использована установка,представленная на чертеже. 5Установка содержит контейнер 1 сцеэием, .двухходовой вентиль 2, резервуар 3 из молибдена с висмутом,вентиль 4, с помощью которой резервуар с висмутом отсекался от ТЭП, 10цилиндрический ТЭП 5, вакуумную каме-"Ру 6, термостат 7 для цезия, приборный геттер 8, дистиллятор 9 ихолодильник 10 дистиллятора.После обеэгаживания вакуумноцезиевой системы до остаточного давления 110 торр резервуар 3 с вис-мутом отсекают от прибора, вентиль .2 закрывают в сторону прибора, вскрывают ампулу с цезием и с...

Номер патента: 905798

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Карпенко, Маилов, Милогородский

МПК: G05D 23/19

Метки: прибора, регулятор, температуры, термоэмиссионного

...4 тока эмиссии, генератор 5 импульсов, регулируемый источник 6 напряжения, блок 7 обратной связи, демодулятор 8, фильтр 9 и логарифмический усилитель 10, объект нагрева 1..1 а фиг. 2 принятыследующие обоз" начения; напряжение генератора 5 импульсов-С, датчика 4 тока эмиссии -0 логарифмический усилитель 1 О - О, фильтра 9 -0 и демодуля тора б -0.Контроль температуры в устройстве производится на основании сле-, дующего принципа. Рассматривается система: эмиттирующая электроны поверхность объекта нагрев - электрод. Указанную систему можно представить как эквивалентный диод с вакуумированным межэлектродным промежутком. Тогда наклон начального участка 55 вольтамперной характеристики такого диода в логарифмическом масштабе обратно...

Номер патента: 1005213

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Зандберг, Назаров, Расулев

МПК: G01N 13/00, H01J 9/42

Метки: поверхности, состояния, твердого, тела, термоэмиссионного

...Формулой Саха-Ленгмюра, указывающей на сильную зависимость 4. от работы выхода твердого тела,а величины ее имеют пределы 0 е( =соПри появлении на поверхности участ" ков с большей, чем исходная, работой выхода сувеличивается и это в соответствии с (2) приводит к увеличению всплеска ионного тока при его отпирании.Стационарный ионный ток 1 о легкоионизируемых элементов нечувствителен к появлению на поверхности пятен с большей работой выхода, так как1 о (4) где- коэффициент поверхностной ионизации, который для легкоионизируемых элементв достигает предельной величины Ь1 и не изменяетсяпри увеличении 1 .Параметры прикладываемого для регистрации всплесков ионного тока импульсного напряжения с импульсами прямоугольной формы должны быть...

Номер патента: 814167

Опубликовано: 30.07.1983

Авторы: Гвердцители, Какулия, Каландаришвили, Спригуль

МПК: H01J 45/00

Метки: выхода, коллектора, поверхности, преобразователя, снижения, термоэмиссионного

...путем ввода непосредственно в межэлектродный зазор преобразователя паров сплава галлия и цезия, используют сплав в соотношении мольных долей цезия к галлию 2 1.Для реализации описываемого спосо" ба была собрана экспериментальная установка, которая представлена на фиг. 1; на фиг. 2 показаны характеристические кривые.Установка содержит двухходовой вентиль 1, цилиндрический ТЭП 2, ва- И куумную камеру 3, термостат 4 для цезия, приборный геттер 5 резервуар 6 с галлием, внутренний контейнер которого изготовлен из алунда, приборный двухходовой вентиль 7, дис-у тиллятор 8, контейнер 9 с цезием, холодильник 10 дистиллятора. После 67 2обезгаживания вакуумно-цезиевой системы до остаточного давления 1 10тор резервуар с галлием отсекался от...

Номер патента: 833110

Опубликовано: 30.07.1983

Авторы: Гвердцители, Каландаришвили, Кашия, Чкадуа

МПК: H01J 45/00

Метки: выхода, коллектора, поверхности, преобразователя, работы, термоэмиссионного, уменьшения

...эмиттера приводит к снижению оптимального парциального давления па" ров цезия, что позволяет снизить потери на плазме, увеличить токовую составляющую вольт-амперной характерис" тики (БАХ ) и повысить выходную удельную мощность ТЭП.Использование изобретения дает возможность одновременно увеличить выходное напряжение ТЭИ и плотность тока, снимаемого с эмиттера, что приводит к повышению выходной удельной мощности ТЭП на 503 по сравнению с жидким цезием ы на 203 по сравнению с бинар" ной системой Сэ-В 7.На фиг.представлена установка для реализации описываемого способа; на фиг. 2 - ВАХ для бинарной смеси паров цезия и висмута.Установка содержит контейнер 1 с цезием, двухходовой вентиль 2, резервуар 3 из молибдена с висмутом, вентиль , с...

Номер патента: 674575

Опубликовано: 15.09.1983

Авторы: Каландаришвили, Кашия

МПК: H01J 45/00

Метки: висмута, источник, паров, преобразователя, термоэмиссионного, цезия

...и висмута в смеси;Т - оптимальная рабоцая температурд резервуара со смесью, С,использование изобретения позволяет расширить диапазон рабочих температур истоцника паров цезия и висмута для .ТЗП и реализовать любой исс 1тоцник паров цезия и висмута для ТЗПв широком интервале рабоцих температур резервуара со смесью цезий-висмутот ч 50 до 850 С, Одновременно повыОшаются выходные электрические параметры преобразователя в среднем на30 л.,Для реализации предлагаемого истоцника паров цезия и висмута для ТЭПбыла собрана экспериментальная установка, которая изображена на Фиг,1, 55Установка содержит вакуумную камеру 1, цилиндрический ТЗП 2 резервуар 3 из ниобия с висмутом 5 г) термостат ч ДЛЯ Цезий, клапан 5 Двухходовой клапан б, дистиллятор 7,...

Номер патента: 1233119

Опубликовано: 23.05.1986

Авторы: Джашиашвили, Кайбышев

МПК: G05D 23/19

Метки: катода, преобразователя, стабилизации, температуры, термоэмиссионного

...ток. Сигнал напряжения стокового шунта 2 пропорциональныйвеличине протекающего тока, усиливается усилителем 3 и поступает наодин из входов блока сравнения. Надругой вход блока сравнения подаетсясигнал напряжения задатчика (пропорциональный току 1, ). В результатена выходе блока ц сравнения - задатчика появляется сигнал напряжения,равный разности входных сигналов,так называемая ошибка регулирования,Если ток во внешней цепи больше 1то сигнал на выходе блока сравнениявоздействует на регулируемую нагрузку 5 таким образом, что снижает токв цепи те, устраняет ошибку, Аналогично, если ток во внешней цепименьше заданного, то сопротивлениенагрузки 5 уменьшается под воздейст 123313вием сигнала от блока 4 и ток в цепи возрастает цо тех пор, пока...

Номер патента: 1298811

Опубликовано: 23.03.1987

Авторы: Оганезов, Тимошенко, Цхакая

МПК: H01J 45/00

Метки: выхода, коллектора, преобразователя, работы, термоэмиссионного

...резко переходит во второе плато, соответствующее многослойному адсорбированному покрытию.В области Т ( Т выражение (1) записывается50звездочкой отмечены значения )и Г приТ .=Т. В произвольнои точке кривоин 55Ч, (Т ) )ге=х+т.+кттп 1(фн)-е - 1Л/а Мыми О+ ь) 112Поскольку измерения 7:. и Хс производятся относительно реперного уровня Ч;с Т, можно записатьт):-У - тт= - ( :) + Те0 1+гР Ф(1+:к) )ледовател ьнок=/тес:-.- т - l,+Хк - КТе 1 п ":к 1+(2));е 1Расчет показывает, что зависимость логарифмического члена ь(2) от температуры коллектора с достаточно высокой точностью (не хуже +-0,005 эВ) можно экстраполировать линейной зависимостью 1,4 10(Те -Т,т). В результатеХ = Ч-тс к - Ч +Х - 1,4.10" (Те - Те) (3)Пример. Измеряется работа выхода...

Номер патента: 1375032

Опубликовано: 23.07.1989

Авторы: Геращенко, Гусева, Каретников, Корюкин, Никольский, Обрезумов, Степанчиков

МПК: H01J 45/00

Метки: молибденовых, преобразователя, термоэмиссионного, электродов

...изобретения является повы" шение эФфективности ТЭП путем повышения работы .выхода его электродов.Для достижения указанной цели грань моноарнсталла но 1110 с рааориентацией от плоскости поверхности не более 2 обрабатывают ионамикислорода дозой 1 10 - 5 10 ион/см1 Ч "гт при ускоряющем напряжении 80-100 кВо и температуре образца,20-50 С. За счет этого получают приповерхностный слой, насыщенный растворенным в молибдене кислородом, который при рабочих температурах электрсдов ТЭП выходит на поверхность, образуя кисло 801375 О 32 СПОСОБ ОБРАБОТКИ Г 10 ЛИБДЕ 11 ОБ 1 К ТРОДОВ ДЛЯ ТЕРГ 10 ЭМИССИОННОГО ПРЕАЗОВАТЕЛЯИзобретение относится к произтву термоэмиссионных преобразовай и служит для повышения их эфивности. Грань монокристалла Мо 1 с...

Номер патента: 1380530

Опубликовано: 23.07.1989

Авторы: Джашиашвили, Кайбышев

МПК: H01J 45/00

Метки: отбираемой, преобразователя, термоэмиссионного, эмиттера, энергии

...и через промежутки времени Т периодически замыкают ее на времяГ, в течение которого нагрузка меняется в пределах, обеспечивающих измерение участка вольт-амперной характеристики, содержащего заданную величину тока 1. По этим данным получают зависимость напряжения на электродах от времени в режиме холостого хода. По результатам измерений численно или графически определяютс 1 ЧН ,1 Чкпроизводные - ,при одина 1 с50 55 2 ф 10 с с 7 ( В ( " .Т гдеРЯ; относительная ошибка в измерении Я, связанная с конечной длительностью импульса.после чего ,определяют по формуле где а = 2 1 О - коэффициент про-зпорциональностимежду 4 Ч и с 1 Т прн ковых значениях Ч в токовом режиме и при разомкнутой цепи и по формуле вычисляют э .Рассматривают временные...

Номер патента: 1555779

Опубликовано: 07.04.1990

Авторы: Баранников, Габриэлянц, Голубев, Гордеев, Капустин

МПК: H02M 1/08

Метки: выключения, ключевого, отрицательной, проводимостью, термоэмиссионного, элемента

...блок 7 управления и нагрузку 8, причем источник 3 питания минусовым выводом соединен с одним выводом нагрузки 8, второй вывод ко" торой соединен с плюсовым выводом источника 3 питания через последователь 25 но соединенные датчик 2 тока и ТКЭ и ОП 1, параллельно цепи из датчика 2 тока и ТКЭ и ОП 1 подключена цепь, состоящая из последовательно соединен. ных дросселя 5, вспомогательного ключевого элемента 4 и вспомогательного источника б напряжения, при этом минусовый вывод вспомогательного источника напряжения соединен с нагрузкой и катодом ТКЭ с ОП 1, а плюсовый вывод - с анодом вспомогательного ключевого элемента 4. Кроме того, выходы блока 7 управления соединены с управляющими электродами ТКЭ с ОП 1 и вспомогательного ключевого...

Номер патента: 1468311

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Геращенко, Гусева, Никольский, Степанчиков

МПК: H01J 45/00

Метки: молибденового, преобразователя, термоэмиссионного, электрода

...комнаной до рабочей выбран, исходя нз того, что на скорость диФФуэии большеие оказывает величина температуне количество деФектов, Поэто14 б 8311 л Формула изобретения Способ изготовления молибденового электрода термоэмиссионного преобразователя, включающий имплантацию кислорода в поверхностный слой .электрода, нагрев и отжиг в вакууме, о т л и ч.а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения вакуумной работы. выхода коллектора, отжиг осуществляют ступенчатым нагревом коллектора до рабочей температуры электрода с интервалами, равными 80-120 , и выдержкой на каждой ступени, равной 5-15 мин. молоти П35 ставитель В.Синявскийхред М.Ходанич Пилипенко Вдактор Т. Курков Коррект Тираж 395 Заказ 33 ое сударственного комитета по изобретениям и...

Номер патента: 1475417

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Геращенко, Гусева, Засимович, Клименко, Корюкин, Никольский, Степанчиков

МПК: G21D 7/00, H01J 45/00

Метки: поверхности, преобразователя, соединений, термоэмиссионного, углерода, электрода

...на взаимодействие с адсорбирующим углеродом и последующую десорбцню в виде СО,ФДля осуществления способа в электрод ТЭП на ионно-лучевом ускорителе проводят нмплантацию кислорода дозой 1 О - 2 10 ион/см с ускорениемь60-80 кэВ. Затеи электрод помещают в вакуумную камеру или устанавливают на рабочее кесто в ТЭП и, получив вакуум не ниже 6,65 10 Ла, электрод нагревают и отжигают при 750-850 С в течение 3-4 ч. При этом поверхность электрода на глубину около 1000 А очищается от углерода и его соединений,П р и м е р, Способ реализован на электроде из монокристаллическогомолибдена. Имплантация кислорода осуществлена с суммарной дозой 2 хх О ион/см . После этого электро(1 а5ды отжигались при 750 и 850 С с одновременным контролем времени...

Номер патента: 1443685

Опубликовано: 23.12.1990

Авторы: Бахтияров, Геращенко, Каретников

МПК: G21D 7/00, H01J 45/00

Метки: преобразователя, термоэмиссионного, электродов, энергии

...изотермическойвыдепжки (ч) Составитель В.СинявскийТехред Л.Олийнык Корректор М.Пожоещеев е Редактор Т.Ррчикова Тираж 396ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушсхая наб., д. 4/5.Заказ 4331 ИВ Ф Ф ЮЮДраийводственно-полиграфическое предприятие., г.фужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к термоэмиссионному методу преобразования тепловой энергии в электрическую, преиму"Щественно к изготовлению электродов(эмиттера и коллектора) термоэмиссионного преобразователя (ТЭП).Целью изобретения является повыше ние вакуумной работы выхода и ее стабильности при использовании в цеэиевом ТЭП эа счет геометрического развития поверхности с выведением нарабочую поверхность наиболее...

Номер патента: 1691904

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Гусева, Кайбышев, Корюкин, Обрезумов

МПК: H01J 45/00

Метки: коллектора, преобразователя, термоэмиссионного, энергии

...Выбор типа имплантируемых ионов и параметры способа обоснованы эксперементальным путем, Для коллектора из монокристалла молибдена с гранью (110) на рабочей поверхности после имплантации минимальное значение р понизилось на 0,15-0,20 эВ с одновременным снижением Т/Т (Тк и Тс - температуры коллектора и резервуара с цезием соответственно,К) с 1,9 до 1,3 - 1,35 по сравнению с исходным состоянием. ма (о, с одновременным уменьшением ад-, сорбции цезия на поверхность кслг(екторэ, т.е.уменьшению отношения Т/Тсз, где Тк 1 и Т - температуры коллектора и резервуа- О ра с цезием, при котором достигается минимальное значение (р При энергии ионоввей менее 30 кэВ из-за малой глубины залегания внедренных ионов эмисионные свойства коллектора нестабильны,...

Номер патента: 1693654

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Козлов, Уваров, Цецхладзе

МПК: H01J 45/00

Метки: преобразователя, термоэмиссионного, электроизоляция, эрозионно-стойкая

...плазмой. Термодинамический анализ устойчивости ряда тугоплавких оксидов показал возможность взаимодействия О с цезиевой плазмой большинства из них, в ) том числе оксидов алюминия и бериллия.Взаимодействие материала элементов О электроизоляции ТЭП с цезиевой плазмой у ограничивает возможность их применения р и в конечном счете сокращает срок службы ТЭП.Целью изобретения является увеличение срока службы элементов злектроизоля- в ции цезиевого ТЭП.Указанная цель достигается применением в качестве материала элементов высокотемпературной электроизоляции ТЭП (например, элементов фиксации межэлектродного зазора) керамического материала1693654 Состояние ме Вакуум 10 ГП 4,91 10 1,88 1010 ю 0 7610Составитель В. ДружининРедактор И, Дербак...

Номер патента: 1786536

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Макеев, Синявский

МПК: H01J 45/00

Метки: генератор, пара, преобразования, термоэмиссионного, цезия

...через паровой канал виутри корпуса 1 женным генератором пара для ТЭП 15 попадаетвэонуконденсации 5, котораяох- (ГПЦРТ), содержащим корпус с зоной испа- лаждается системой 6. Пар конденсируется . рения цезия, снабженный нагревателем и и по каналу возврата 2 возвращается в зону зоной конденсации цезия, канал воЗврата испарения 3, При работе потребителя выдецезия из збни конденсации в зону йспарв- ляются газы, в том числе кислород, которые ния и узелотвода пара цезия ТЭП, отлича диффузионным путем йопадают через узел ющийся ем, что на начальном участке в . 8 внутрь ГПЦРТ. Газы потоком пара уносяткайалеьозврата цезйя, выполнен Фйльтр ся в зону конденсации 5, где пар РТ и его окислов цезия, выполненный в виде трубки окислы конденсируются, а...

Номер патента: 1797150

Опубликовано: 23.02.1993

Автор: Геращенко

МПК: H01J 45/00

Метки: молибденового, преобразователя, термоэмиссионного, эмиттера

...ускоряющим напряжением 80 - 100 кВ и температурой 20 - 30 С.На чертеже показана конструкция обрабатываемого эмиттера.Реализация способа велась на эмиттерном стакане. Его рабочая поверхность 1- выполнена из молибдена (110) с точностью выведения 2 О. Позицией 2 показана зона1797150 25 введения кислорода с указанием распределения температур в рабочем режиме по эмиттерному стакану, Позиция 3 - место посадки эмиттерного стакана,П р и м е р 1. Берется молибденовый 5 эмиттерный стакан с рабочей гранью (110) и: разориентацией грани и плоскости рабочей поверхности не более 2 О, оценочно определяется часть боковой поверхности 2, которая в рабочем режиме ТЭП находится при 10 температуре 700 С и на ионно-лучевом ускорителе (ИЛУ) эта область с...

Номер патента: 1804237

Опубликовано: 20.02.1995

Автор: Синявский

МПК: H01J 45/00

Метки: величины, зазора, межэлектродного, преобразователя, термоэмиссионного

...(с известным коэффициентом теплопрояодности Ъ) температура эмиттера понизится, следовательно резко снизится ток,что приведет к существенному снижениюточности оценки Те и соответственно МЭЗ,Формула изобретенияСПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВЕЛИЧИНЫ МЕЖЭЛЕКТРОДНОГО ЗАЗОРА ТЕРМОЭМИССИОННОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ, включающий вывод термоэмиссион ного преобразователя в генераторный режим с установившимся значением тока, заполнение зазора гаПоэтому при постоянном зафиксированномзначении Й тепловую мощность ц повышают с одновременным изменением до техпор, пока измеряемое значение станет рав 5 ным зафиксированному 1, Тем самым практически будут компенсированы тепловыепотери, с переносом тепла теплопроводностью через газ, ТЭП будет работать...

Номер патента: 1149817

Опубликовано: 27.04.2005

Авторы: Анисимов, Казаков, Махин

МПК: H01J 45/00

Метки: каналов, реакторапреобразователя, термоэмиссионного, эксплуатации, электрогенерирующих

Способ эксплуатации электрогенерирующих каналов термоэмиссионного реактора-преобразователя, включающий прогрев коллекторного пакета, состоящего из слоев ниобия-керамики-ниобия, при температуре 700-800°C и эмиттера при 1750-1950°C, отличающийся тем, что, с целью увеличения ресурса, периодически через 1000-1200 ч работы на 1-2 ч повышают температуру коллекторного пакета до 1080-1150°C.

Номер патента: 1840073

Опубликовано: 10.07.2006

Авторы: Корнилов, Синявский

МПК: H01J 45/00

Метки: температуры, термоэмиссионного, электрогенерирующего, элемента, эмиттера

Способ определения температуры эмиттера термоэмиссионного электрогенерирующего элемента, включающий измерение теплового потока, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности определения, дополнительно измеряют время переконденсации топлива материала в сердечнике электрогенерирующего элемента, а температуру эмиттера определяют из следующего соотношения: где ТЕ - температура эмиттера, °С; к - время переконденсации топливного материала, час;T( =0) - температура поверхности...

Номер патента: 1840235

Опубликовано: 20.08.2006

Автор: Синявский

МПК: H01J 45/00

Метки: испытаниях, канала, многоэлементного, оксида, петлевых, теплопроводности, термоэмиссионного, урана, электрогенерирующего

Способ определения теплопроводности оксида урана при петлевых испытаниях многоэлементного термоэмиссионного электрогенерирующего канала, включающий измерение плотности объемного тепловыделения в топливе и оценку теплопроводности, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, регистрируют завершение переконденсаций топлива внутри сердечников элементов, измеряют или оценивают температуру эмиттера в середине длины элемента ТЕ(K), и температуру на оси торцевой части эмиттерной оболочки со стороны коммутационной перемычки ТТ(K), измеряют толщины переконденсировавшегося топлива в середине длины элемента Е(см), и у торца элемента напротив...

Номер патента: 1840236

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Макеев, Синявский

МПК: H01J 45/00

Метки: испытаний, канала, петлевых, реакторных, термоэмиссионного, электрогенерирующего, энергонапряженного

Способ реакторных испытаний энергонапряженного термоэмиссионного электрогенерирующего канала в петлевом устройстве, включающий обеспечение циркуляции теплоносителя в системе теплосброса петлевого устройства, вывод реактора на рабочий уровень тепловой мощности, контроль параметров реактора в процессе работы, включая измерение давления теплоносителя в системе теплосброса электрогенерирующего канала, и аварийную остановку реактора при фиксации критических значений параметров реактора, отличающийся тем, что, с целью повышения безопасности испытаний и обеспечения возможности продолжения испытаний после появления кризиса теплосъема в системе теплосброса петлевого устройства, при появлении пульсаций давления с амплитудой выше 10% от...