Глущенко

Анализатор спектра

Загрузка...

Номер патента: 1840971

Опубликовано: 20.11.2014

Авторы: Глущенко, Скорик

МПК: G01R 23/16

Метки: анализатор, спектра

Анализатор спектра, содержащий последовательно соединенные входной смеситель и дисперсионную линию задержки, последовательно соединенные входной сумматор, недисперсионную линию задержки и усилитель, выход которого связан с первым входом коммутатора, последовательно соединенные частотно-модулированный гетеродин, импульсный генератор, делитель частоты и линия задержки, выход которой связан со вторым входом коммутатора и первым входом индикатора, а также модулятор сдвига, своим выходом подключенный к третьему входу коммутатора, отличающийся тем, что, с целью повышения точности анализа, он снабжен последовательно соединенными смесителем, фильтром, второй линией задержки, вторым смесителем, вторым своим входом связанным со вторым выходом...

Способ изготовления диффузионной сваркой сотовых конструкций

Загрузка...

Номер патента: 1536642

Опубликовано: 20.04.2005

Авторы: Замков, Пешков, Коломенский, Чучупал, Родионов, Глущенко, Рощупкин

МПК: B23K 20/14

Метки: сотовых, сваркой, диффузионной, конструкций

Способ изготовления диффузионной сваркой сотовых конструкций, содержащих обшивку и сотовый заполнитель, при котором заготовку сотового заполнителя перед формовкой подвергают нагреву в вакууме выше температуры полиморфного превращения, располагают ее между обшивками, сборку нагревают до температуры, не превышающей температуры полиморфного превращения материала обшивок, сдавливают и осуществляют изотермическую выдержку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества сварного соединения путем получения мелкопластинчатой структуры, нагрев заготовки сотового заполнителя осуществляют в течение 5-40 с при температуре выше температуры превращения на 20-150°С.

Устройство для диффузионной сварки тонкостенных конструкций

Загрузка...

Номер патента: 1401749

Опубликовано: 20.04.2005

Авторы: Глущенко, Коломенский, Гусев, Чучупал, Родионов

МПК: B23K 20/26

Метки: сварки, конструкций, тонкостенных, диффузионной

Устройство для диффузионной сварки тонкостенных конструкций, содержащее корпус и крышку, выполненную в виде мембраны, соединенные фланцами, отличающееся тем, что, с целью повышения качества свариваемой конструкции путем устранения краевых непроваров и деформаций, рабочая зона крышки выполнена высотой, равной 0,4-0,6 ее толщины, а ширина фланцевa 0,025 L + 25,где L - длина рабочей зоны корпуса, мм.

Способ диффузионной сварки слоистых конструкций

Загрузка...

Номер патента: 1457291

Опубликовано: 20.04.2005

Авторы: Коробченко, Глущенко, Коломенский, Рощупкин, Никголов

МПК: B23K 20/14

Метки: сварки, слоистых, конструкций, диффузионной

Способ диффузионной сварки слоистых конструкций, при котором свариваемые заготовки размещают в контейнере, герметизируют его по периметру, создают в нем инертную атмосферу и нагревают контейнер в неконтролируемой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью повышения качества сварки путем уменьшения окисления свариваемых деталей, на наружную поверхность контейнера перед нагревом наносят высокотемпературное герметизирующее покрытие.

Приспособление для сборки агрегата летательного аппарата

Загрузка...

Номер патента: 1239977

Опубликовано: 10.04.2005

Авторы: Глущенко, Кузьмин, Михайлов

МПК: B64F 5/00

Метки: аппарата, летательного, сборки, агрегата

Приспособление для сборки агрегата летательного аппарата, содержащее каркас, состоящий из верхней и нижней балок и вертикальных стоек, рубильники и кронштейны крепления рубильников к каркасу, отличающееся тем, что, с целью снижения стоимости изготовления приспособления и занимаемой производственной площади, оно снабжено горизонтальной направляющей, жестко закрепленной на верхней балке, роликом, перемещающимся по горизонтальной направляющей, поворотным рычагом, установленным на рубильнике, тросом, соединенным одним концом с осью ролика, а другим концом с рычагом, и качалками, шарнирно установленными на рубильниках вдоль троса, при этом в рубильнике в месте крепления его к балке выполнен...

Способ изготовления кремниевого планарного прибора

Номер патента: 496910

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Бобылев, Акимов, Иванов, Глущенко

МПК: H01L 21/04

Метки: прибора, планарного, кремниевого

Способ изготовления кремниевого планарного прибора, предусматривающий проведение локальной диффузии в кремний с формированием планарного p-n-перехода, образование легированного свинцом диэлектрического слоя на кремниевой пластине и операции по созданию металлического, например алюминиевого, контакта к кремнию, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности защиты p-n-перехода от попадания в него частиц контактного металла, перед формированием p-n-перехода осуществляют легирование свинцом диэлектрического покрытия на пластине, а после формирования p-n-перехода производят термическое окисление пластины с последующей обработкой ее в растворе, содержащем плавиковую кислоту.

Состав для изоляции пласта

Номер патента: 1492801

Опубликовано: 27.04.2000

Авторы: Ковтуненко, Кендис, Гординский, Тихомиров, Рахимкулов, Пасхина, Глущенко, Поздеев, Корыстина, Юсупов

МПК: E21B 33/138

Метки: изоляции, пласта, состав

Состав для изоляции пласта, включающий нефть, бутадиенстирольный латекс, маслорастворимое поверхностно-активное вещество, этиленгликоль и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения изолирующих свойств состава за счет увеличения адгезионных и прочностных характеристик коагулянта при сохранении им устойчивости к желатинизации при отрицательных температурах, он дополнительно содержит карбамид и глицерин при следующем соотношении ингредиентов, мас.%:Нефть - 37,00 - 70,00Бутадиенстирольный латекс (на с.о.) - 12,50 - 27,00Маслорастворимое поверхностно-активное вещество - 0,50 - 3,00Этиленгликоль - 0,85 - 1,70Карбамид - 1,70 - 3,40Глицерин - 0,85 - 1,70

Состав для кислотной обработки призабойной зоны пласта

Номер патента: 1783865

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Поздеев, Заворотов, Григорьев, Голубцов, Рахимкулов, Глущенко

МПК: E21B 43/27

Метки: кислотной, пласта, призабойной, зоны, состав

Состав для кислотной обработки призабойной зоны пласта, содержащий растворы соляной 15 - 36%-ной концентрации и плавиковой 30 - 50%-ной концентрации кислот и спиртовую добавку, отличающийся тем, что, с целью улучшения технологичности состава за счет снижения скорости его реакции с карбонатами при одновременном увеличении количества соляной кислоты, а также удешевления состава, в качестве спиртовой добавки он содержит полиглицидол технический бесхлорный при следующем соотношении ингредиентов, об.%:Соляная кислота 15 - 36%-ная - 45 - 83Плавиковая кислота 30 - 50%-ная - 2 - 15Полиглицидол технический бесхлорный - 15 - 40

Состав для кислотной обработки призабойной зоны пласта

Номер патента: 1686880

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Голубцов, Поздеев, Заворотов, Григорьев, Глущенко, Рахимкулов, Пархоменко

МПК: E21B 43/27

Метки: призабойной, состав, зоны, пласта, кислотной

Состав для кислотной обработки призабойной зоны пласта, содержащий раствор соляной кислоты и спиртовую добавку, отличающийся тем, что, с целью улучшения технологических свойств состава за счет снижения скорости его реакции с карбонатами при одновременном увеличении количества соляной кислоты в составе, расширения диапазона вязкости и плотности, а также удешевление состава, в качестве раствора соляной кислоты он содержит раствор соляной кислоты 15 - 36%-ной концентрации, в качестве спиртовой добавки содержит полиглицидол технический бесхлорный при следующем соотношении ингредиентов, об.%:Раствор соляной кислоты 15 - 36%-ной концентрации - 50 - 85Полиглицидол технический...

Способ концентрирования урана из разбавленных растворов

Номер патента: 1586231

Опубликовано: 27.09.1999

Авторы: Земскова, Хабалов, Глущенко, Першко

МПК: C22B 60/02

Метки: растворов, урана, концентрирования, разбавленных

1. Способ концентрирования урана из разбавленных растворов, включающий сорбцию урана на углеродный сорбент и десорбцию, отличающийся тем, что, с целью увеличения количества извлекаемого урана, упрощения процесса и улучшения экологии, сорбцию урана из растворов осуществляют при наложении на сорбент потенциалов, отстоящих от точки нулевого заряда поверхности на (-0,3) - (-1,3) В, а десорбцию - при потенциалах от точки нулевого заряда поверхности до +1,3 В относительно насыщенного хлорсеребряного электрода сравнения.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что сорбцию ведут с использованием в качестве сорбентов модифицированных мезопористых углеродных сорбентов.

Волноводный m-плечий циркулятор

Загрузка...

Номер патента: 1799207

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Глущенко, Агапова, Неганов, Часовникова, Андреева

МПК: H01P 1/38

Метки: м-плечий, циркулятор, волноводный

...работает следующим образом.Волны, падающие на область сочлене ния, возбуждают резонансные колебания в ферритовом элементе. При подмагничивании наблюдается циркуляция энергии из одного плеча в соседнее с высоким уровнем затухания по другим плечам. Для улучшения 25 характеристик необходимо сформировать дополнительное резонансное колебание, которое можно сделать с помощью дополнительного металлического штыря, который30Формула изобретения1. ВОЛНОВОДНЫЙ М-ПЛЕЧИЙ ЦИРКУЛЯТОР, содержащий размещенное в постоянном магнитном поле сочленение прямоугольных волноводов, в центре которого соосно установлены ферритовый элемент, согласующий трансформатор и металлический штырь, 4, отличающийся тем, что, с целью увелииграет роль реактивного элемента,...

Износостойкий сплав на основе алюминия

Номер патента: 1709746

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Рощупкина, Постников, Липчин, Глущенко, Ясинский, Егорова, Лактионова

МПК: C22C 21/02

Метки: алюминия, основе, сплав, износостойкий

ИЗНОСОСТОЙКИЙ СПЛАВ НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЯ, содержащий кремний, медь, никель, магний, титан, железо, марганец, отличающийся тем, что, с целью повышения механических свойств, жаропрочности и твердости, он дополнительно содержит молибден и цирконий при следующем соотношении компонентов, мас.%:Кремний 12,5 - 14,5Медь 2,0 - 4,5Никель 2,0 - 3,0Магний 0,4 - 0,9Молибден 0,2 - 0,7Титан 0,15 - 0,45Железо 0,1 - 0,9Марганец 0,1 - 0,5Цирконий 0,02 - 0,15Алюминий Остальное

Способ изготовления полупроводниковых структур

Номер патента: 1364154

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/78

Метки: структур, полупроводниковых

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий операции формирования в полупроводниковой подложке областей структур, нанесение слоя металла, формирование металлизированной разводки, окисление части толщины металла, нанесение слоя защитного диэлектрика, вскрытие контактных окон в защитном диэлектрике и присоединение металла проводников к металлизированной разводке через вскрытие окна, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности структуры путем создания беспористого диэлектрика, слой металла наносят толщинойT = t + ,где t - минимальная толщина металла, обеспечивающая токо- и теплопроводность;D - толщина наносимого защитного диэлектрика,...

Способ изготовления кремниевых n-p-n вч-транзисторных структур

Номер патента: 1284415

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/331

Метки: вч-транзисторных, структур, n-p-n, кремниевых

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ n-p-n ВЧ-ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР, включающий формирование в кремниевой полупроводниковой подложке базовой области, легированной бором, нанесение маскирующего слоя, стойкого к окислительной среде, например нитрида кремния, гравировку, при которой маскирующий слой, стойкий к окислению, остается в местах расположения будущих эмиттеров, термическое перераспределение базовой примеси в окислительной среде, вскрытие эмиттерных окон удалением маскирующего слоя и формирование эмиттерной области, отличающийся тем, что, с целью улучшения частотных и усилительных свойств транзисторных структур при увеличении выходной мощности, после формирования в полупроводниковой подложке базовой области перед нанесением маскирующего...

Полупроводниковая структура

Номер патента: 1699313

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Гальцев, Глущенко, Петров

МПК: H01L 29/72

Метки: структура, полупроводниковая

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА , содеpжащая высокоомную подложку пеpвого типа с активными областями пеpвого и втоpого типов пpоводимости и pасположенные в подложке пеpифеpийные высоколегиpованную область пеpвого типа и область втоpого типа пpоводимости, обpазующие между собой и с подложкой p-n-пеpеходы, повеpхностное диэлектpическое покpытие и токопpоводящую pазводку, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества стpуктуpы за счет повышения пpобивного напpяжения и уменьшения обpатного типа p-n-пеpехода между активными областями и подложкой, пеpифеpийные области pасположены на pасстоянии от активных областей, пpевышающем максимальную шиpину объемного заpяда p-n-пеpехода активных областей с подложкой, но не более диффузионной длины...

Способ изготовления источника диффузионного легирования

Номер патента: 1347794

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Душкин, Гальцев, Глущенко

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузионного, легирования, источника

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИСТОЧНИКА ДИФФУЗИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ , включающий теpмическую обpаботку пластин нитpида боpа в окисляющей сpеде, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности источника диффузионного легиpования, на пластины нитpида боpа наносят слой двуокиси кpемния и последующую теpмическую обpаботку пpоводят до полного пеpехода слоя двуокиси кpемния в каплевидные фоpмы боpсиликатного стекла пpи 1000 - 1200oС.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что слой двуокиси кpемния наносят толщиной 0,5 - 1,5 мкм.

-глюкозидаза, продуцируемая штаммом бактерий escherichia coli вкпм в-3223

Номер патента: 1609133

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Глущенко, Юрьев, Великодворская, Метт, Могутов, Штутман

МПК: C12N 1/14

Метки: escherichia, вкпм, глюкозидаза, штаммом, продуцируемая, в-3223, бактерий

-ГЛЮКОЗИДАЗА, ПРОДУЦИРУЕМАЯ ШТАММОМ БАКТЕРИЙ ESCHERICHIA COLI ВКПМ В-3223, имеющая следующие свойства:субстратная специфичность - гидролизует паранитрофенил- -D-глюкозид (ПНФГ), целлобиозу и не гидролизует арбутин. Удельная активность при гидролизе ПНФГ - 150 ед/мг белка (за единицу активности принимают количество фермента, образующего 1 мкмоль паранитрофенола за 1 мин), целлобиозы - 6 ед/мг;мол. м. - 75000 5000 дальтон (при определении методом электрофореза в SDS - ПААГ);изоэлектрическая точка - 5,5

Способ изготовления полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 1702825

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Глущенко, Зенин, Колычев

МПК: H01L 21/60

Метки: приборов, полупроводниковых

...слоя и вцтравленйых канологического процесса разделения навок путем термического оксидирования пластин кристаллы(ширина реза), ориенти- многоступенчатым способом создают слой руясь на наличие минимального зазора 15 30 толщиной 1,5-2 мкм, например 1,7 мкм, между изоляцией кармана и краем кристал- Затем на всю окисленную поверхность плала 12 мкм. Минимизация этого размера свя- стины наращивают слой 1 поликристалличезана экономией площади пластины ского кремния, толщиной 200-250 мкм, в (возможно большим сьемом кристаллов с результате чего всеканавкиполностьюзапластины), максимально возможное рассто растают. На презиционном станке часть пояние между краем кристалла и изоляцией ликремния сошлифовывают, обеспечивая кармана (при...

Способ изготовления полупроводниковых структур

Номер патента: 1294213

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Глущенко, Колычев, Гальцев

МПК: H01L 21/28

Метки: структур, полупроводниковых

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий формирование на полупроводниковой подложке активных областей, пассивацию подложки слоем диэлектрика, вскрытие контактных окон, нанесение слоя алюминия вакуумно-термическим напылением, формирование маскирующего покрытия, фотогравировку разводки, окисление торцовых поверхностей разводки и удаление маскирующего покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности структур и упрощения способа, после нанесения слоя алюминия проводят его поверхностное окисление до образования пленки окиси алюминия толщиной от 2,5 10-8 до 4 ...

Способ изготовления мдп-транзисторов интегральных микросхем с поликремниевым затвором

Номер патента: 1345976

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Смирнов, Красножон, Глущенко

МПК: H01L 21/82

Метки: затвором, мдп-транзисторов, интегральных, поликремниевым, микросхем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ПОЛИКРЕМНИЕВЫМ ЗАТВОРОМ, включающий создание на монокремниевой подложке полевого окисла, подзатворного окисла и поликремниевого затвора, формирование областей истока и стока, создание межслойной изоляции, вскрытие контактов и создание металлизации, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения быстродействия МДП-транзисторов и степени интеграции МДП БИС на их основе, после создания поликремниевого затвора проводят его окисление при 800 - 900oС, травление окисла кремния по всей поверхности структуры до удаления его над участками формирования областей истока и стока и через полученную маску проводят ионное легирование монокремния для...

Устройство для термического окисления пластин кремния

Номер патента: 535771

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Воинов, Морохов, Глущенко, Фарбер

МПК: C30B 31/06

Метки: окисления, пластин, термического, кремния

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТЕРМИЧЕСКОГО ОКИСЛЕНИЯ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ, включающее горизонтально установленный кварцевый реактор, снабженный магистралями для подачи кислорода и воды с каплеобразователем, отличающееся тем, что, с целью повышения воспроизводимости процесса окисления, реактор снабжен поперечной перегородкой с окном, отделяющей место расположения пластин от магистралей подачи воды и кислорода, а каплеобразователь - наклонно расположенным в полости реактора патрубком, выходное отверстие которого расположено ниже окна в перегородке.

Способ стабилизации p-n-переходов

Номер патента: 633389

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Глущенко, Плохих, Косенко, Лапунин

МПК: H01L 21/04

Метки: стабилизации, p-n-переходов

СПОСОБ СТАБИЛИЗАЦИИ P-N-ПЕРЕХОДОВ, включающий операции нанесения многослойного покрытия, фотогравировки, подтравливания слоев при вскрытии контактных окон, напыление металла и формирование контактных площадок, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, подтравливание слоев производят на величину, превышающую клин травления и приводящую при напылении и формировании контактных площадок к деформации нависающих под клином участков защитного покрытия.

Способ изготовления транзисторных структур

Номер патента: 1369592

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Глущенко, Гальцев

МПК: H01L 21/331

Метки: структур, транзисторных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР по авт. св. N 1192542, отличающийся тем, что, с целью увеличения критического тока коллектора, после формирования низколегированной базовой области одновременно с эмиттерным окном вскрывают окно под контактную базовую область, которую формируют одновременно с высоколегированной базовой областью на глубину менее глубины залегания низколегированной базовой области, после чего покрывают маскирующим слоем окно под контактную базовую область и формируют эмиттерную область на глубину менее глубины залегания контактной базовой области на величину, не превышающую диффузионной длины неосновных носителей тока, инжектируемых из эмиттера в базовую область, при этом контактная базовая область выходит в...

Подвижная опалубка

Загрузка...

Номер патента: 2005151

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Глущенко, Мацкевич

МПК: E04G 11/28

Метки: подвижная, опалубка

...шток 11 гидроцилиндра 7 с поворотными пластинами 3, жесткие тяги 12 регулируемые по длинекондуктором 13, связанные шарниром 14 споворотными пластинами 3 и входящие взацепление с двуплечими рычагами 15,16,соединенными между собой шарниром 17 всредней части, шарниром 18 со щитом-па;нелью 1 и шарниром 19 со стойкой,8, Стойка8 оборудована опорным приспособлением20, а щиты-панели 1 проемообразователями21 и уплотнителем 22,Шарниры 4 представляют собой оси,женка прикрепленные к поворотным пластинам и шарнирно к ригелям 5, При необходимости оси 4 удлиняют. Таким образом.оси 4 работают в качестве валов, соединяющих поворотные пластины 3 по одной стороне щита-панели, и предназначены дляпередачи крутящего момента на все поворотные пластины 3.В...

Способ получения тетракисазокрасителей

Загрузка...

Номер патента: 2004562

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Шкиль, Савчишин, Широкий, Глущенко

МПК: C09B 35/56

Метки: тетракисазокрасителей

...техническое решение обладает следующими преимуществами;при достаточно высокой растворимости повышается выбираемость красителя на 25 , (по прототипу растворимость составляет 52-61 г/л, выбираемость - 53 - 57),; по предлагаемому способу растворимость - 29-34 г/л, выбираемость - 78 - 82;);повышается устойчивость окрасок к мок рым обработкам (см.табл.1).Кроме того, повышается термоустойчивость красителя (по прототипу содержание нерастворимого остатка при сушке красителя при 100 С -3;, по предлагаемому способу - 0,13); увеличивается выход красителя на 12,5 - 7,2 (по прототипу 68,4, по предлагаемому способу - 75,6 - 80,97.); упрощается .технология, исключаются стадии выделе ния, фильтрации и суспендирования,(56) Красители для текстильной...

Способ получения красителя прямого черного 3 для кожи и шубной овчины

Загрузка...

Номер патента: 2004561

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Глущенко, Широкий, Лучкевич, Савчишин, Шкиль

МПК: C09B 35/46, D06P 3/30, D06P 3/32 ...

Метки: овчины, кожи, шубной, прямого, красителя, черного

...черного 3 для кожи и шубной овчины 25 диаэотированием 4,4-диаминодифениламин-сульфокислоты и сульфаниловой кислоты, азосочетанием последовательно с 1 амино-нафтол-сульфокислотой и резорцином, процесс азосочетания диазоти рованной 4,4-диаминодифениламин 2-сульфокислоты с 1-амино-нафтол- сульфокислотой ведут при рН 3,2-4,2 и температуре 16 - 28 С, процесс получения красителя ведут при соотношении 4,4-диа минодифениламин-сульфокислота: 1-амино-нафтол-сульфокислота равном 1,:0,88 - 0 82 соответственно, Для уменьшениязакрашиваемости ворса раствор красителя обрабатывают при температуре 16 - 35 С 40 карбоксиметилцеллюлозой в количестве0,4 - 5,6 ф от массы 4,4-диаминодифениламин-сульфокислоты.Предложенный способ иллюстрируетсяследующими...

Способ изготовления меза-структур

Загрузка...

Номер патента: 1050476

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Колычев, Глущенко, Решетин

МПК: H01L 21/78

Метки: меза-структур

...меза-структур, включающемоперации формирования элементов структуры в полупроводниковой подложке с маскирующим их диэлектрическим покрытием,вскрытия контактных областей к элементамструктуры. получения металлизированнойразводки и меза-областей, пассивации меза-структур диэлектрическим покрытием и 55вскрытия металлизированных контактных ф.площадок, пассивирующее диэлектрическое покрытие формируют нанесениемсвинца с последующей термической обработкой для получения свинцово-силикатного стекла, а вскрытие металлизированныхконтактных площадок осуществляют селективным травлением окиси свинца с их поверхности, .На фиг,1 показано формирование элементов структуры и меза-областей; на фиг.2- нанесение слоя свинца и окиси свинца; нафиг.З -...

Устройство для дозирования паров жидкости

Загрузка...

Номер патента: 522641

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Афанасьев, Глущенко, Красножон

МПК: G01F 13/00

Метки: дозирования, паров, жидкости

...устройство для дозйрования емкость 1 и снижению уровня жидкости в диффузанта, содержащее емкость с.жидким .объеме до заданного значения площади подиффузантом, расположенный в ней оград:верхности испарения. Захваченныесзаданничивающийплощадьповерхностииспаре.; 20 ной площади поверхности испарения: ния объем и соединенные с ним каналы длягазом-носителем пары диффузанта поступа-ввода газа-носителя и отвода паров диффу- ют в канал 5. При увеличении расхода газазанта. носителя давление над поверхность оНедостатком.этогоустройстваявляется испарения увеличивается, что уменьшаетнедостаточная точность и стабильность до поверхность. испарения, При уменьшении эирования при колебаниях расхода газа-но- расхода газа-носителя, наоборот,...

2-( -окси -галоген -нитрофенилазо)-1-окси-8 ацетиламинонафталин-3, 6-динатрийсульфокислота в качестве протравного черного красителя для шерсти

Загрузка...

Номер патента: 2002775

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Андриевский, Самойлова, Жукова, Белкин, Глущенко, Попов, Корнеева, Лапин

МПК: D06P 3/16, C09B 29/16

Метки: черного, протравного, 6-динатрийсульфокислота, ацетиламинонафталин-3, нитрофенилазо)-1-окси-8, галоген, красителя, окси-2, шерсти, качестве

...;/г)-.-01-1г/ЗД СОМ;1,О 1 Н- у-СЙф)Д 11 сКО К 1)БСИТСЛЬ ИГЯВВТ ВИД 11 ЕДОСТВТсСЛД:4(НОСТЬ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕ 1 ИЯ С 11.ТЕЗ КД)КДРГО ИЗ КРг ТЕГЕЙ С ПОСЛЕДУО)111ИХ СМЕГОЕНИЕМ;КР;Ч ТЕ/с), ВХОГЯЦИВ 3 СОстс 1 В ХРОМОВОГО ЧЕгНОГО Г 1)ОЧНОГО, 11 МВОТ НЕДОСТДТОЧНОхоро 1 уо со)мес)имость, что сказцеаетсяНД ГГГЦгГР паЕИЯЦВЛЬЮ ИЗОГРЕТЕНИЯ ЯБЛЯВТСЯ СИНТЕЗ Индипидуальных черных протрадньх краситеЛЕЙ Об,ЕЙ фо)М)глцС ВЫСОКИМИКОЛОРИСТ ИсЕСЕИМИ ПОКВЗДТВ/)ЯМИ. РДСИТЕ/1 И (1)О)М/ЛЫПО УСТОЙЧИВОСТИ ОКРсСКИ КСУХОМУ ТРЕПИ 0 Ггг)ЕВОСХОДЯТ ХРОМОВЫИ ЧЕРны 1 про 11 ИЙ и не ииеют нВдостаткОВ, Г 1 риС"Б)фиХ ХРОМОВОМУ с 6 РНОМУ О И ХРОМОВОМУЧВРНОМУ Г ООЧ ОМУ,СВД 13311 иЯ 001 ей г,)ОРг)У/)цполУс 1 сзОтСЛЕ/.У 0 Им О)ога;30 с: ГДЛОИДСОДЕРХ(ДГДИВ,1 с...

Способ получения цементной сырьевой смеси

Загрузка...

Номер патента: 2002713

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Галинский, Шеин, Глущенко, Красных, Мошкин, Альбац

МПК: C04B 7/38

Метки: сырьевой, смеси, цементной

...частиц различных компонентов между собой, то есть число точек соприкосновения или плотности упаковки зерен, Иэ теории плотных упаковок (Бокий Г.Б "Кристаллохимия". Наука, Москва, 1971 г, стр, 149 - 150) следует, что максимальная плотность упаковки достигается при соотношении размеров радиусов частиц 1:О, 41:0,22, что с учетом различной природной плотности карбонатного и глинистого компонентов соответствует степени однородности распределения зернового состава 0,8 - 1,2,Помимо плотной упаковки частиц для интенсификации пооцессов необходимо, чтобы размер частиц Я 02, как наименее реакционного компонента, был достаточно мал, Иными словами, доля ЯЮ 2, вносимая в сырьевую смесь крупными частицами, должна быть ограничена, Доля ЯЮ 2, вносимая в...