Способ определения концентрации глубоких примесей в полупроводниках
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХС ОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН 08672 19",ь3ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ ССС ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫ РСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(71) Московский ордена Ленина и ордена Трудового Красного Знамени государственный педагогический институтим. В. И, Ленина(56 ) 1. Милнс А. Примеси с глубокимиуровнями в полупроводниках. М., "Мир"с. 24,2. Кикеладзе, Диссертация на соискание ученой степени кандид,физ;-матнаук, М., ФИАН СССР, 1960, с.34-39(прототип ),(54)(57) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ГЛУБОКИХ ПРИМЕСЕЙ В ПОЛУПРО"ВОДНИКАХ, основанный на измерении постоянной Холла при низких температурах, о т л и .ч а ю щ и й с я. тем,что, с целью расширения функциональных возможностей способа наслучай,когда концентрация глубоких центровменьше или равна концентрации мелкихцентров рекомбинации, измерения проводят при. температуре жидкого гелия,освещают образец светом с энергиейквантов больше ширины запрещеннойзоны и дополнительно измеряют электропроводность образца.867239 ина глубокие заряженные центры соответственно (для Се з-, 1 О ).В 2Наиболее точными и простыми являются измерения в области таких интенсивностей подсвета, когда генерация свободных носителей соответствует инверсии постоянной Холла К(С)=0. В этом случае концентрации электронов,и дырок равны и определяются из измеренийб а й = й й,оф р а10ЬМ =М (5)Во Затем определена концентрация заряженных мелких доноров и акцепторов. с помощью стандартных статистических )формул,пойо 9 )й=3 8 10 смпфи ="- =й 8 10 В смр )б 2 -3где п = й екр 8 10 см (для Се:5 Ь)Предлагаемый метод пригоден в случае, когда механизм рекомбинации носителей через глубокие центры является преобладающим, В Се это условие выполняется, если концентрация свобод-з. ных носителей меньше, чем 10 см ,апримесей й -, йа меньше, чем 10 фсм. 20П р и м е р , Определена концентрация глубоких примесей в образце гер 3 -5мания, содержащем 1,310 см сурьмы и1,1 10 сминдия. На фиг. 1 представлена зависимость В(С) полученная для 25этого образца. В точке С = С Кн ис 1 Нпытывает инверсию.Пер вона чал ьно определена концен трация й в случае, когда С = С. При,использовании экспериментальных значений Б =10 ом см и В =4,8 10 см/кулпри Н =5800 3, из (1,2) полученои = 2,8 1 см, р=1,6 10 см,7 -3 О .3При этом и с пол ьза вали сь вели чины:2:Ги ф Воек игр фбсекподвижности электронов и дырок прирассеянии импульса на акустическихколебаниях решетки при Т=4, гК. Ме, й - плотностисостояний в зоне проводимости и в валентной зоне соответственно.После проверенных расчетов из (3) й = 10 см и из (Й) й =2,2 10 смДля С =С расчет проводится по бо" лее простой форме. Из экспериментальных значений бо(С)=7 10 ом сми й(С) =0 имеемп = р = 5,5 10 см6 -3+ 1 о -ЭМ= 2 10 смй - 1 4 10 смй =2 10 см1 о -зМ=210 смЗ Видно, что концентраций глубоких примесей,.рассчитанные при Си С с помощью (1,2) хорошо совпадают.Способ может найти применение в научных исследованиях,при разработке методик получения полупроводников .с заданными параметрами и при изготовлении полупроводниковых прйборов,1867239 отн.ед. СоставительТехред М Тел мирно Редакто Тит Ко Заказ 6372/ ВНИИПдписное 1 ТиИ Государственногоо делам изобретени 5, Москва, Ж,3 ектная. Ужгород, ул Ян СИф Филиал ППП "Патент 703омитета СССРи открытийшская наб д 4/ ор И, Ватрушк
СмотретьЗаявка
2930806, 23.05.1980
МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА И ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. В. И. ЛЕНИНА
БАННАЯ В. Ф, ВЕСЕЛОВА Л. И, ГЕРШЕНЗОН Е. М
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: глубоких, концентрации, полупроводниках, примесей
Опубликовано: 07.07.1983
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-867239-sposob-opredeleniya-koncentracii-glubokikh-primesejj-v-poluprovodnikakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения концентрации глубоких примесей в полупроводниках</a>
Способ определения концентрации оптически активных примесей в твердых телах
Номер патента: 890083
Опубликовано: 15.12.1981
МПК: G01J 3/30
Метки: активных, концентрации, оптически, примесей, твердых, телах
...коэффициентпоглощения. Недостатком известного способа является его невысокая чувствительность, Величина коэффициента поглощения в об-.ласти спектральной линии, обусловленной наличием некоторой примеси, зависит от концентрации данной примесиВеличина фотового поглощения существенно зависит от температуры, величины внутренних механических напряжений, концентрации других примесей, качества обработки поверхностей и во многих случаях может достигать величины, существенно превышающей амплитуду спектральной линии опре" деляемой примеси (в частности, в тонких полупроводниковых слоях или при малой концентрации искомой примеси).тде д 4, измеряется в см эВ3 ЬФ - в эв;в смПри определении концентрации азота в фосфиде галлия настоящим...
Устройство для глубокой очистки газов от примесей паров воды и кислорода
Номер патента: 1784815
Опубликовано: 30.12.1992
Авторы: Гершенкрой, Ченчиков
МПК: F25J 3/02
Метки: воды, газов, глубокой, кислорода, паров, примесей
...газов, в том числе и технических сортов, избирательноеудаление (индивидуальное или суммарное)примесей паров воды и кислорода до уровня 1 10 об%.Устройство позволяет получить при испытаниях чистоту азота на выходе (в емкости 3) до 3,7 106 об.о, исходный газ -технический азот с суммарным содержанием примесей 5 10 об.о; чистоту ксенонана выходе (в емкости 3) до 9,3 10 об.о,исходный газ - ксенон с содержанием примесей 1 10 об.%.Поставленная цель достигается тем, чтозаявляемое устройство. содержащее систему криогенной очистки с адсорбционной колонкой, установленной между емкостямиконденсацйи и газификации системы, снабженными многоходовыми вентилями, содержит поглотительную колонку, причемобе колонки подсоединены к устройству также с помощью...
Способ дистанционного измерения параметров пространственного распределения концентрации аэрозоля в атмосфере и устройство для его осуществления
Номер патента: 1812535
Опубликовано: 30.04.1993
Авторы: Кузнецов, Михеев, Пасечный
МПК: G01S 17/00
Метки: атмосфере, аэрозоля, дистанционного, концентрации, параметров, пространственного, распределения
...через сканер 4, вторую фокусирующую оптическую систему 13 и светоделитель 14 направляется в гетерогде Вмакс - максимальная дальность импульсного зондирования, Вмин - минимальная дальность зондирования, Предварительные значения направления угла сноса выброса определяются зависимостьюВ 23 и а 1В 1 - Вг соза 1Лпр = аГС 19а приближенное значение скорости сноса выброса - формулой (рис.2) 1 - Й 2Чпр Чдиф ю д-р -д"р где чдиф - скорость диффузии вредных веществ в атмосфере (являющаяся постоянной величиной для данного района наблюдения; ЛЯ 1 и Ь Вг- толщина выброса при первом и втором импульсном зондированиях: и на основе вычисленного значения устанавливает частоту управляемого гетеродина18 допплеровского лидара равной= агстдЯ динное...
Устройство автоматического управления процессом растворной полимеризации
Номер патента: 1657511
Опубликовано: 23.06.1991
Авторы: Лепский, Хусаинов, Черняк
МПК: C08F 2/00, G05D 27/00
Метки: полимеризации, процессом, растворной
...вход блока памяти 18 и одновременно на третий входблока 20 определения оыибки оценки температуры в реакторе, а сигнал от датчика 7 концентрации полимера - на второй вход блока памяти 18 и одновременно на третий вход блока 19 определения ошибки оценкиконцентрации полимера. Запомненныесигналы с выхода блока памяти 18поступают одновременно на первый 5вход блока 1) определения ошибки(оценки концентрации полимера, первый вход блока 20 определения ошибкиоценки температуры в реакторе и входблока 21 определения концентрациикатализатора в реакционной зоне,выходной сигнал которого, пропорциональный текущему значению концентрации катализатора в реакционной зоне, поступает одновременно на второйвход блока 19 определения ошибкиоценки концентрации...
Способ электролитического нанесения молибденовых покрытий
Номер патента: 945254
Опубликовано: 23.07.1982
Авторы: Асташева, Косило, Савенков, Щетковский
МПК: C25D 3/66
Метки: молибденовых, нанесения, покрытий, электролитического
...ионов молибдена низшей валентности, склонных к диспропорционированию с образованием металлического молибдена согласно схеме реакции2.+ЗМо с Мо + Мо (тв)С увеличением концентрации молибдена возрастает общее количество ионов молибдена низшей валентности, что приводит к усилению метаплизации и скорости ее в начальный момент погружения по всей поверхности образца.При концентрации трихлорида молибдена менее 15,6 мол.3 общее содержание Мо в расплаве недостаточо.+но для образования равномерного слоямолибдена. Образующиеся при электролизе ионы Мо+ диспропорционируют иосаждаются в виде металлическогомолибдена вблизи токоподвода, чтоприводит к получению неравномерногопокрытия,При концентрации трихлорида молибдена выше 29,2 мол.3...
Предыдущий патент: Линейный индукционный ускоритель
Следующий патент: Ультразвуковое импульсное устройство для испытания материалов
Случайный патент: Рабочий орган воздушно-центробежного сепаратора