Патенты с меткой «мдп-бис»

Номер патента: 1022082

Опубликовано: 07.06.1983

Авторы: Арутюнов, Домнин, Дурнин, Еремин, Фетисова

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: качества, мдп-бис, тестовая, ячейка

...ячейки к асимметрии элементов МДП-БИС, возникающей вследствие рассовмещения фбтошаблонов, растравливания, плохого качества контактов и т.д. При наличии дефектов в МДП-БИС в стоковых или нстоковых областях транзисторов 1,4 возникает асимметрия вольт-амперных характеристик этих транзисторов. Вследствие этого на затворах транзисторов 1,4 при сбалансированных плечах тестовой ячейки (транзисторы 1,2,3, вход 7 и транзисторы 4,5,6, вход 8) возникают разностные или дифференциальные сигналы, которые затем усиливаются на. Стоках транзисторов 1,4. Поскольку затворы транзисторов 2,5 подключены соответственно к стокам транзисторов 4,1 в противоположных плечах тестовой ячейки, то на них образуются сигналы, противоположные по знаку сигналам на их...

Номер патента: 1267303

Опубликовано: 30.10.1986

Авторы: Власенко, Дробыш, Притуляк, Суходольский

МПК: G01R 31/28, G01R 31/3177

Метки: качества, мдп-бис, тестовая, ячейка

...4 О сп= К1 зц 1 т ) (2)где ,- ток стока;М - физическая величина порогового напряжения;Ч- напряжение стока;4511 - ширина канала;- длина канала,К - = К - крутизна МДП-транзистора;Ир осК=- в в в " -коээфициент проводимости.50 2 оКак видно из уравнения (2), крутизна определяется отношением ширины канала ИДП-транзистора к его длине и коэффициентом проводимости ККоэффициент проводимости К имеет одинаковую величину для всех транзисторов, расположенных на кристалле независимо от их размеров, так как К3 12зависит от диэлектрической проницаемости подзатворного окисла С , подвижности носителей в канале - М, итолщины подзатворного диэлектрикаоСледовательно, крутизна двух МДПтранзисторов на одном кристалле определяется только отношением...