G11C 11/34 — с применением полупроводниковых приборов
Элемент памяти
Номер патента: 521604
Опубликовано: 15.07.1976
Автор: Ермолов
МПК: G11C 11/34, G11C 11/39
...напряжение на нагрузке, то первый раздепительныйдиод 13 открывается и выкпючаегся тиристор4, так как напряжение на катоде тиристора4 становится бопее попожигепьным, чем наего аноде, Чуть позже с выключением гирисгора 4 аналогично выключается тиристор 5.Запирающее напряжение к катоду тиристора5 приклацываетсяс катода тиристора 7 черезвторой разделительный ди од 14 и первый дополнительный диод 15,Если нагрузка активная, то, когда анодное напряжение тиристора 7 падает до "Оф(полуводна синусоидального напряжения),он выключается также, и устройство возвращается в исходное состояние,В случае активно-индуктивной нагрузки выключение тиристора 4 происходит такжери положительной попувопне напряжения нашине 2, а выключение тиристора 7 наступаетпри...
Запоминающее устройство
Номер патента: 522523
Опубликовано: 25.07.1976
МПК: G11C 11/34
Метки: запоминающее
...в устройство введены датчик температуры, аналого - цифровой преобразова. тель, дешифратор, счетчик, элементы И, элемент ИЛ причем вход датчика температуры подключен к к пусу полупроводниковых элементов памяти, вых ород - 25 меренная с помощью аналого - зователя 6,преобразуется в ци Изобретение относится к вычислиможет быть использовано в запотвах ЭВМ. щим образом. Имератора 4 поступаосушествляет деле 2 к (к=О, 1, 2 п; тчик температуры 5одного из полупро 1. Температура, изцифрового преобрафровой код темпера522523 Составитель В, ФроловТехред Г. Родак Корректор П. КРавщнкоПодписное Редактор Е. ГончарЗаказ 3599/330 Тираж 723 ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва. Ж - 35,...
Запоминающая матрица
Номер патента: 560257
Опубликовано: 30.05.1977
Автор: Эйнгорин
МПК: G11C 11/34, G11C 5/02
Метки: запоминающая, матрица
...сл окисла кремния; 14 в сл нитрида кремния.Запоминающая матрица работает следующим образом.Если на избранный запоминающий элемент должна быть проведена запись или чтение, то на все адресные шины 7 и 8, соединенные с дополнительными электродами данного запоминающего элемента, одновременно подаются однополярные импульсы соответственно Унср или 1/сч. Если данный запоминающий элемент не является избранным, то либо все Л выводов дополнительных электродов, либо 1 - а заземляются заземлением соответствующих адресных шин 6, 9. В последнем случае образуется емкостный делитель напряжения, в результате чего на элекгроде наводится напряжение, равное нулю или сс/Й от +.анар или с счПри записи вывод управляющей шины 5 заземляется и работа элемента не...
Ячейка памяти
Номер патента: 565327
Опубликовано: 15.07.1977
МПК: G11C 11/34, G11C 16/04
...ячейке ограничение величины записывающего напряжения О отрицательно сказывается на надежностиячейки.Целью изобретения является повышение надежности за счет увеличения допустимого напряжения записи, В описываемой ячейке это 5 достигается тем, что в ней между затвором истоком запоминающего транзистора с плава юшим затвором включен конденсатор.На чертеже показана описываемая ячейка, Опа содержит запоминающий транзистор 1 О с плавающим затвором, последовательно сое/з - (/с +п)Сзс Формула изобретения Составитель И. Малкис Тюрина Текред 3. Тараненко Корректоепанова едактор каз 1654/18 Изд.609 Тираж 738 ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Подпнсно...
Запоминающая матрица
Номер патента: 571830
Опубликовано: 05.09.1977
Авторы: Варшавский, Эйнгорин
МПК: G11C 11/34, G11C 5/02
Метки: запоминающая, матрица
...р-и переходы с лавинным пробоем,которые через резисторы 15 соединены со второйуправляющей шиной 16, Съем считанной информации осуществляется с разрядной шины 17,Вольтфарадная характеристика участка диффузионная область 15 - окисел 2 - ингрид 3 электрод 4 имеет вид петли гистерезиса (фиг, 3) .При подаче на электрод 4 относительно диффузионной области 14 импульса напряжения Чпор емкость участка изменится по кривой а - б и послеснятия напряжения емкость останется на уровнеСьацсс, соответствующем логической единице; приподаче - Чпор емкость изменится по кривой в - г иостанется на уровне Смин, соответствующем логи.ческому нулю,При подаче импульсов, амплитуда которых -ЧУ С Ч ( Чо, величина емкости будет обратимоизменяться соответственно...
Способ считывания сигнала с полупроводникового фотоприемника на р-п переходах
Номер патента: 579654
Опубликовано: 05.11.1977
Авторы: Володин, Ольховский, Рычков
МПК: G11C 11/34
Метки: переходах, полупроводникового, р-п, сигнала, считывания, фотоприемника
...5в прямом направлении на дЧ (ЬЧ пропорционально лучистой энергии).Этот импульс восполняет заряд конденсатора 15 через эмиттерный переход .5 Ток через этот переход, усиленный враз, является током 14 регистрации. Он тем больше, чем больше эмиттерный переход 5 смещен в прямом на;правлении, т.е, чем бОльше ЬЧ , а, сяедовательно, и дЦ . Из-за нелинейности ВАХ р -п -перехода считываемый сигнал(ток 14) зависит от принятой лучистой энергии нелинейно. При этом сильно меняется и постоянная времени изменения тока 14 (от 10до 10 8 сек). Таким образом, при малых лучистых энергиях, когда дЧ меньше термического потенциала щ (для ;р,26.мб ), инерционность приемника очень велйка, и один импульс считывания не восполняет требуемый для равновесия заряд.В...
Элемент памяти
Номер патента: 595792
Опубликовано: 28.02.1978
Авторы: Ермолов, Игнатенко, Лобачевский
МПК: G11C 11/34, G11C 11/39
...5 записи.В исходном состоянии ни один пз тиристоров цс включен, напряжение на нагрузке - резисторе 3 равно нулю. При поступлении импульса записи ца вход тиристора 5 через цепочку 10 из резистора 13 и диода 12 тиристор записи открыьастся и остается включенным.Тля снятия папря)кения с н 2 Грузки под 210 т импульс сброса ца вход тцристора 6 через цс;очку 11 из резистора 15 и диода 14, Рсзпстор 4 обеспечивает включение тиристора сброса, а диод 7 - возможность включения тиристора сброса от асинхронного входного 1 ОроткОГО имптльсцОГО сиГиал 2, посколью наиз о ор етения йо аноде тиристора сброса логически суммируотся напряжения, поступиощие от шип 1 и 2.1 хогда потенциал па катоде тпрпстора 6 сброса становится более положительным, чем па...
Запоминающее устройство
Номер патента: 604032
Опубликовано: 25.04.1978
Авторы: Борухович, Кимарский, Петухов, Раисов
МПК: G11C 11/34, G11C 11/39
Метки: запоминающее
...тиристоров 27 и резисторов 28 и 29. Аноды тиристоров 27 через резистор 28 соединены с адресной шиной 5, первые катоды через резистор 29 соединены с виной питания, а вторые катоды тиристоров 27 соединены с соответствующими разрядными шинами 1 и 12. Х и Р базы тиристоров 27 соединены перекрестными связями. В ЗУ могут применяться и другие известные запоминающие элементы, например триггеры, выполненные на двухэмиттерных транзисторах.ЗУ работает следующим образом.В режиме хранения информации запоминаю 5 30 Ток 1, выбирают приблизитмьно на порядок меньше рабочего выходного тока блока считывания 13, коэффициент передачи К также приблизительно на порядок меньше Ф. ПоэтоЭ 5 му ток 1;на два порядка меньше рабочеговыходного тока блока считывания...
Запоминающее устройство
Номер патента: 613404
Опубликовано: 30.06.1978
Авторы: Орликовский, Сергеев
МПК: G11C 11/34
Метки: запоминающее
...по структуре и топологии, поэтому практически равные токи поступают в разрядные шины 5 и 6, Поскольку в шины 12 других разрядов ток не поступает, соответствующие разрядные усилители не потребляют мощность.При считывании информации уровни напряжения шин 3, 4 на базах транзисторов 1 и 2 равны и должны быть выше потенциала базы включенного транзистора в невыбранном элементе 13 памяти. Уровень высокого напряжения на шипе 14 при выборке таков, что потенциал базы включенного транзистора выбранного элемента 13 выше, а потенциал базы выключенного транзистора ниже потенциала б аз тр а из и сторон 1, 2.Будем считать, что хранению логического О соответствует такое состояние элемента, при котором транзистор элемента 13, связанный с шиной...
Ячейка памяти
Номер патента: 631986
Опубликовано: 05.11.1978
Автор: Иванков
МПК: G11C 11/34
...разрядную шину 7, выходную клемму 8 н шину 9 питания,В выключенном состоянии тнрнсторана клемме 8 напряженке близко к напряженню источника питания, что соответствует "0 информации, .На управляющем электроде тнрнстора н коллекторетранзистора 2 присутствует напряжение,631986 ставитель А. Воронинхред О, Андрейко Корректор Д, Мельниченко Утехина дакт 6359/52 5ЦНИИПИ Госуд комитета Советаобретений и о113 , Ж, Раушска Тираж 67 арственного по делам из 035, Москва/5 наб тент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 П или полярность и величина которого такая же,что и на клемме 8.В такт записи и считывания разряднаяшина 7 коммутируется с шинОЙ нулевогопотенциала, 3При записи 1" на шину 6 подаетсяимпульс отрицательной полярности, Приетом открывшийся...
Запоминающий элемент
Номер патента: 637865
Опубликовано: 15.12.1978
МПК: G11C 11/34
Метки: запоминающий, элемент
...элементе это достигается тем, что он содержит наполнитель, например селеновый, размещенный внутри герметичного корпуса. Кроме того, в нем токовые электролы выполнены из физически и химически нейтрального по отношению к селенилу серебра н селену тугоплзвкого ма. териалз, например вольфрама.На чертеже показан прглсложенный за. поминзющий элемент.Он содержит два токовых электроЛа и 2, межлу которыми размещены слои селена 3 и селенида серебра 4, и наполни- тель 5, размещенный внутри герметичного корпуса 6 из изоляционного материала. К электролам 1 и 2 подключены токопронолы 7 и 8.Работа запоминающего элемента осно. вана нз изменении его сопротивления, ко. торое происходит из-за образования илн со. ответственно рззрупгенич пронолншнх кана.ъв...
Ячейка памяти
Номер патента: 637866
Опубликовано: 15.12.1978
Авторы: Ерохин, Коноплев, Петров, Пономарев
МПК: G11C 11/34, G11C 11/40
...снижении потребляемой мощности в режиме записи, обусловленном тем, что ток за. дается только в выбранную разрядную шину, а не во все невыбранные, а также в том, что считывание производится непосредственно с транзис. тора триггера через дополнительный коллектор. Площадь ячейки памяти при этом увеличивается 4 О всего на 20% по сравнению с известной,На фиг, 1 представлена электрическая схемапредлагаемой ячейки; на фиг, 2 - то же, вариант топологии с одноуровневой металлизацией.Ячейка памяти представляет собой триггерна совмещенных полупроводниковых структурах, которые представлены на электрическойсхеме своими эквивалентами. Она содержит первый 1, второй 2, третий 3, четвертый 4 и пя.тый 5 р-п-р.транзисторы, первый 6, второй 7,и третий 8...
Симметричный тиросторный элемент памяти
Номер патента: 652613
Опубликовано: 15.03.1979
Автор: Синеокий
МПК: G11C 11/34
Метки: памяти, симметричный, тиросторный, элемент
...за счет топологического исполнения схемы согласно фиг. 3.Благодаря тому, что ббльшая часть периметра анода тиристора 1 (аналогично выполнен и тиристор 2) сближена с внутренней р-базой и расстояние а между этими областями меньше, чем расстояние б между остальной частью периметра анода и внешней р-базой, достигается низкий уровень а р - л - р-составляющего тиристор 1 р - и - р-транзистора с внешней р-базой при высоком уровне а р - и - р-составляющего тиристор 1 п - р - и-транзистора с внутренней р-базой,Это обеспечивает ограничение насыщения внешних составляющих тиристор 1 и - р - п-транзисторов, ослабляет связь между информационными шинами 4, 5 и шиной хранения 3, т. е. обеспечивает устойчивое хранение информации при повышении...
Полупроводниковое запоминающее устройство
Номер патента: 654197
Опубликовано: 25.03.1979
МПК: G11C 11/34, G11C 7/00
Метки: запоминающее, полупроводниковое
...записи, одновременно разрядныешины подключены к элементам 6 согласования, которые могут быть выведены.Начала числовых шин 3 подключены кадресному дешифретору 7, который це выходе содержит коммутирующие транзисторы 8, затворы 3 которых соединены свыходами потенциального декодера 10,истоки 11 соединены с выходами имнуль 97оного декодера (на схеме не показан),е стоки - с выходами адресного дешифратора 7 и, следовательно, с соответствующими числовыми шинами 3, Конецкаждой числовой шины 3 подключен кодному из выходов первого дополнительного ключа 12 и входу второго дополнительного ключа 13, Входы всех первых12 и выходы всех вторых 13 дополнительных ключей обьединены в узел 14и через обций ключ 15 подключены кисточнику 16 восстанавливающего...
Способ записи информации в запоминающий элемент мноп-типа
Номер патента: 658599
Опубликовано: 25.04.1979
Автор: Бережной
МПК: G11C 11/34, G11C 7/00
Метки: записи, запоминающий, информации, мноп-типа, элемент
...- Да (в МНОП-транзисторах энергетическая глубина ловушек вблизи границы окисел-нитрид кремния составляет 0,8 -0,9 эцв) и более глубокими ловушками в объеме диэлектрика Д (энергетическая глубина этих ловушек в пленке нитрида кремниянхарактеризуется спектром уровнеи вблизи1,2 энв, 1,7 эцв, 1,9 энв). При совместномдействии электрического поля, вызываюгцегоинжекцию носителей в диэлектрике Д, и термического воздействия, способствующегоэнергетическому перераспределению инжектированных носителей в диэлектрике Д, основная часть накопленного заряда локализуется на глубоких ловушках. Эффективность такого перераспределения низка и основная часть накопленного заряда (особенно ири относительно толстом диэлектрике Дх5для МНОГ 1-транзисторов, если...
Элемент памяти
Номер патента: 712849
Опубликовано: 30.01.1980
Автор: Киселев
МПК: G11C 11/34, G11C 11/39
...источника питания. Управляющий импульс подается от шины 15 управляющих сигналов. Резистор 8 в высоковольтной анодной цепи тиристора при открытом состоянии последнего ограничивает в нем ток до величины, во много раз меньшей тока включения тиристора. Резистор 5, соединяющий базу транзистора 2 через разделительный диод 4 с анодом тиристора, ограничивает базовый ток транзистора (ток тиристора в низковольтных цепях) до величины, также во много раз меньшей тока включения тиристора.Общий ток, протекающий через тиристор (с учетом тока, отдаваемого в нагрузку, например, газоразрядный индикатор), остается во много раз меньшим тока включения и тока выключения тиристора (рабочая точка тиристора всегда расположена ниже точек,...
Запоминающий элемент
Номер патента: 733022
Опубликовано: 05.05.1980
МПК: G11C 11/34
Метки: запоминающий, элемент
...3 - кинформационной шине 7,Предлагаемый запоминающий элементработает следующим образом.В режиме хранения информации потенциал шины опорного напряжения 5 поддерживается на уровне(-3 оп,щ. (3 юдр.а. (3 ост.где Ьопщ. - напряжение на опорной шине 5,(3 м+щ. - напряжение на адресной шине 4;13, - суммарное падение напряженияна совмещенной структуре, состоящей изтранзистора 1 р-и-р типа и транзистора 2п - 9 - и типа, когда эта структура включена. 4Потенциал на информационной шине 6поддерживается на уровне(3 инф;1 ш. )(-3 ддр.а, - 213 б.э.,где Бщфз, - напряжение на информационной шине 6;Збэ - прямое падение напряжения нар-и переходе база эмиттер и-р-итранзистора.Потенциал на информационной шине 7поддерживается на уровне(3 инФ.д щ. Ф 3 ддр.а. -...
Динамическое запоминающее устройство на полупроводниковых приборах
Номер патента: 739650
Опубликовано: 05.06.1980
Авторы: Зеленевская, Киселев, Тоценко
МПК: G11C 11/34, G11C 11/401
Метки: динамическое, запоминающее, полупроводниковых, приборах
...с одними из входов элементов И-НЕ 14 и, ЙЛИ-НЕ 15, другие входы которых соединены соответственно с однойизуправлякщих шин 21, первым входом элемента И-НЕ:18 и через элемент НЕ 16 с вы 0 4ходом элемента И-НЕ 18. Выходы элементов И-НЕ 14 и ИЛИ-НЕ 15 через элемент НЕ 19 и непосредственно подключены ко входам элемента ИЛИ-НЕ 17, выход которого соединен с выходом устройства. ьторой вход элемента И-НЕ 18 соединен с выходом усилителя 20.Дешифратор 10 столбцов содержит три группы элементов ИЛИ-НЕ 7 9, Входц элементов ИЛИ-НЕ 7 и одни из входов элементов ИЛИ-НЕ 8 и 9 подключены к входам дешифратора 10, другие входы элементов ИЛИ-НЕ 8 и 9 подключены соответственно к выходам элементов: ИЛИ-НЕ 7 и 8, а выходы элементов ИЛИ-НЕ 9 соединены с...
Устройство для управления полупроводниковой памятью
Номер патента: 746515
Опубликовано: 05.07.1980
Авторы: Присяжнюк, Юрасов, Яковлев
МПК: G06F 9/00, G11C 11/34
Метки: памятью, полупроводниковой
...качестве блока 1 7 воз 15 фможно использование дешифратора кодаадреса,Работу устройства рассмотрим на примере формирования выходных управляющих сигналов в режиме записи для двухтипов накопителей, кристаллы которых отличаются по частотным свойствам. Приобращении к устройству по, сигналу обращение запускаются генераторы 16 и10, При этом код адреса запоминаетсяна регистре 11 адреса. В соответствиис определенными разрядами кода адреса.,на одном из выходов блока 17 появляется управляющий сигнал, который подключает соответствующий генератор 1 6 через элемент ИЛИ 14, на вход блока 1управления. Для выполнения одного изрежимов, например, записи,на другойвход блока 1 и второй вход блока 17поступает сигнал "запись", Тактовыеимпульсы поступающие на...
Ячейка памяти
Номер патента: 752476
Опубликовано: 30.07.1980
МПК: G11C 11/34
...на фиг. 1, передача заряда осуществляется по боковым граням Ч-канавки.Область р+11 не является конст:чктивным элементдм ячейки памяти и показана только для иллюстрации работы ПЗС-элемента устройства.Запись логического "0" в МНОП-конденсатор осуществляется следующим образом (фиг. 3).На шину МНОП -конденсатора б подается отрицательное напряжение 35- 40 В. При этом под МНОП-конденсатором образуется глубокая потенциальная яма (условно показанная штриховой линией), Заполнение потенциальной ямы под МНОП-конденсатором неосновными носителями осуществляется по ПЗС-элементу, расположенному в Ч-канавках. Перетекание заряда из потенциальной ямы , образованной на боковой грани Ч-канавки в потенциальную яму МНОП-конденсатора осуществляется при...
Динамический элемент памяти
Номер патента: 763966
Опубликовано: 15.09.1980
Автор: Пастон
МПК: G11C 11/34, G11C 11/40
Метки: динамический, памяти, элемент
...выполнении описываемая ячейка представляет собой следующую структуру: на рподложке 14 расположен пф-скрытый слой 12, являющийся одновременно шиной 12 и истоком 3 полевого транзистора. На слое 12 выполнены 0 Гп)- -слой 4, являющийся базой биполяр 66 фного транзистора,-канал 11 полевого транзистора, рр-) -затвор 9полевого транзистора, являющийсяколлектором биполярного транзистора,Ррф) -эмиттер 7 биполярного транзистора, соединенный общим электрическим контактом в виде проводящейметаллической шины 13 с и -стоком6 полевого транзистора,Работа ячейки основана на возможности хранения двоичной информациив зависимости от того, в проводящем(логический "О") состоянии она находится. Запись логического "Оф осуществляется следующим образом: на...
Запоминающее устройство с произвольной выборкой
Номер патента: 769626
Опубликовано: 07.10.1980
Автор: Фурсин
МПК: G11C 11/34, G11C 7/00, G11C 8/10 ...
Метки: выборкой, запоминающее, произвольной
...оазгялттой пшне 8, к алпесной с,поваоттой птттнс 14 ц к алресноц разрядной цптпе 15.Кажлттй летттттфратор 10 цпп 11 (фцг. 6) солетттттт очновхоловые ттнжекццонные цнвептопьт 40, повтооцтелц 41, вьтхолные венттт,ти 42 п многовхоловьте вентили И - НЕ 43. Выходы вентттлей 42 полклточеньт к выхолам цтттнт.т 14 (тт,пи 15 т, а вхо.ты к вьтходам мцоговходовых вентилей 43, входы которых соечинены с выходами соответствуюпцтх цнвертовов 40 и повтортттелей 41, входит которых подкчючены к выхолам соответствхюшцх цнвертооов 40, входы которых по.пключены к вхочам устройства 12 (и,тц 13).Число выходов дешифраторов, соединяемт.тх с алреснымц словарными шинами 14 ц с адреснымп разрядными шинами 15, составляет т=2" для словарного дешнфратора 10 и...
Запоминающее устройство
Номер патента: 769627
Опубликовано: 07.10.1980
Автор: Фурсин
МПК: G11C 11/34
Метки: запоминающее
...20 дешнфратора, а выходы - со входами цнжекццонных вентилей 38 (фцг. 6). Выходы вентилей 37 ц 38 соединены с соответствующими шинами 14 дешцфратора 7, Выходы дешцфратора 7 соединены с выходами вентилей 37 ц 38 в последовательности, обеспечивающей полный перебор прямых и инверсных значений двоичных сигналов на входах дешифрато. ра 7, соединенных с адреснымн входами 10 запоминающего устройства.Взаимосвязи между блоками предлагаемого запоминающего устройства и между вентилями позволяют исключить словарные формирователи уровня, усилители записи, усилители считывания, входные и выходные усилители. При этом непосредственно связанные между собой цнжекционные вентили фактически выполняют лишь логические функции ц дают возможность использовать...
Способ изготовления регистрирующей среды на основе халькогенидного стекла
Номер патента: 775760
Опубликовано: 30.10.1980
Авторы: Кикиниши, Семак, Туряница
МПК: G11C 11/34, H01L 21/00
Метки: основе, регистрирующей, среды, стекла, халькогенидного
...будет быстро падать, практически до нуля.Целью изобре":ения является воэможность получения позитивной записи.Для достижения цели напыление проО изводится при температуре 600-800 С.В предложенном способе инициирующую роль в процессе Фотозаписи играют электронно-дырочные процессы с участием локализованных состояний в запрещенной зоне халькогенидного стекла. В результате определенных изменений связей происходит изменение о. и и стекла. Учитывая приготовление слоя в описываемом случае форсированным режимом напыления при высокой температуре, можно предположить связь начальной конфигурации связей, равновесного состояния электронов и дырок с характером записи и величиной измененийи п60 Формула изобретения Составитель Е,АртамоноваРедактор...
Регистр на тиристорных логическихэлементах
Номер патента: 805411
Опубликовано: 15.02.1981
Авторы: Ершов, Игнатенко, Либерман, Примаков, Чернихов
МПК: G11C 11/34
Метки: логическихэлементах, регистр, тиристорных
...шиной 3 источника питания, а одиниз входов элемента ИЛИ-НЕ подключенК третьей шине 10 источника питания.Временная диаграмма функционированиярегистра на тиристорных логическихэлементах содержит сигналы 11-13соответственно на шинах 0,3,8 источника питания, сигналы 14-16 соответственно на выходах элементов4-6 ИЛИ-НЕ, сигналы 17,18 соответственно на информационной входнойшине 7 и на шине 2 записи; сигналы19 на выходе элемента 1 ИЛИ-НЕ. 35Работа регистра на тиристорныхлогических элементах осуществляетсяследующим. образом,В исходном состоянии сигнала на информационной входной шине 7 и на 40 шине 2 записи равны нулю,а на выходах элементов 1,5 ИЛИ-НЕ - единице.Информация на входной шине 7 и на шине 2 записи подаются в фазе напряжения,...
Запоминающее устройство
Номер патента: 818504
Опубликовано: 30.03.1981
МПК: G11C 11/34
Метки: запоминающее
...1эЛектронного пучка, блок 2 управления, запоминающий элемент, состоящийиэ основного полупроводникового слоя3, дополнительного полупроводниково-го слоя 4, изолирующего слоя 5 ипроводящего слоя б, источник 7 постоянного напряжения смещения, генератор8 разнополярных импульсов и преобразователь.9 тока в напряжение.устройство работает следующим образом,Пучок электронов проникает черезизолирующий слой 5 к дополнительному полупроводниковому слою и-типа. Ки-слою 4 и основному р-слою 3 подключены источник 7 постоянного напряжения смещения и преобразователь 9 тока в напряжение, который обеспечиваетвыход переменного напряжения при считывании информации из запоминающегоустройства. Между проводящим слоем би изолирующим слоем 5 подключен генератор 8...
Полупроводниковый матричный накопитель
Номер патента: 843787
Опубликовано: 30.06.1981
Автор: Уилбер
МПК: G11C 11/34, G11C 5/02
Метки: матричный, накопитель, полупроводниковый
...и два изоляционных слоя, расположенных между полупроводниковой подложкой Р-проводимости и разрядными шинами, при этом первый слой, выполненный из двуокиси кремния, размещен на поверхности полупро"Пате г. Ужгород, ул. Проектн ил Тираж 64 Государственного елам изобретений сква, 3-35, Раушс Подпкомитета СССРоткрытийая наб., д. 4/5п 11 843788 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Соеетских Социалистических(22) Заявлено 25.12.79 (21) 2858442/30-1 1) М.К В исоединением заявкиГосударственный комитет Приоритет(45) Дата опубликования описания 07.07.81 53) УДК 631.312.69РОКОЗАХВАТНОЕ ПОЧВООБРАБАТЪВАЮЩЕЕ ОРУДИЕ Изобретение относится к области сельскохозяйственного машиностроения, в частности к широкозахватным почвообрабатывающим...
Интегральный элемент памяти
Номер патента: 858102
Опубликовано: 23.08.1981
Авторы: Игнатенко, Кузовлев, Либерман, Федонин, Чернихов, Черняк
МПК: G11C 11/34
Метки: интегральный, памяти, элемент
...то вРемЯ как к анодУ тиристора 17 сброса приложено только импульсное трапецеидальное напряжениеОп , т.е. в каждом периоде напряженйя Оимеется интервал времени,когда оно было равно нулю,В интервале времени, когда напряжение питания Оп. равно нулю, а напряптжение У - номинальному значению и внэлемент памяти не занесена информация,транзистор 28 препятствует протеканиютока по цепи: О д- резистор 18-диод20-резистор 16- Оп , в результатечего в интервале времени между сбросоми записью информации элемент не потребляет мощности.Устойчивость тиристора 1 записи ксамопроизвольным включениям из-за эффектав выключенном состоянииаообеспечиьается подачей на- базуэтого тиристора через резистор 5 идиод 4 в проводящем направлении постоянного напряжения для...
Полупроводниковое запоминающее устройство
Номер патента: 879651
Опубликовано: 07.11.1981
Автор: Тенк
МПК: G11C 11/34
Метки: запоминающее, полупроводниковое
...невыбранных числовых шин 7 накопителя 5 через открытые транзисторы 2.Работа устройства состоит из двух этаповНа первом этапе (подготовительном) транзистор 4 закрыт, а транзисторы заряда шин 3 открыты. В течение первого этапа устанавливается код адреса на затворах транзисторов 2. На втором этапе(при Йктивной работе дешиф 79651 4ратора) открывается транзистор 4. Таккак лишь в одной из групп 2 транзисторов все транзисторы закрыты, то всечисловые шины 7, кроме одной разряжа)ются через соответствуюшие транзисторы 2 и транзистор 4, Заряд остается только на одной выбранной числовойшине 7.Введенный в устройство управляю щий транзистор 4 не ограничен в размерах шагом накопителя 5 и имеет лишьодну связь с шиной, объединяющей истоки ключевых...
Запоминающее устройство
Номер патента: 911614
Опубликовано: 07.03.1982
Авторы: Иванов, Косов, Милованов, Мхатришвили, Савельев, Фокин
МПК: G11C 11/34, G11C 7/00
Метки: запоминающее
...сигнала опроса и сигнала 25 с первого блока 7 задержки,сбрасывающего.триггер б опроса в нулевое состояние, формируется запускающий импульс, который через второй элемент И 13 и пятый элемент ИЛИ 19 по- Зо ступает на формирователи 2 опроса, с которых сформированный по амплитуде и длительности сигнал опрашивает выбранную ячейку накопителя 1. Код числа с накопителя подается в кодовыеЗ 5 45 опроса, первой и второй гиниями задержки, триггером управления, формирователем импульсов блокировки, счеттри элемента И 12-1 ч, пять элементов ИЛИ 15-19.Запоминающее устройство с преимущественным считыванием работает в трех режимах: считывания, записи и стирания. 8 режиме считывания информации на накопитель 1 из кодовых шин ЦВИ поступают сигналы адреса, а...