Полупроводниковое запоминающее устройство

Номер патента: 879651

Автор: Тенк

ZIP архив

Текст

3 8 Шифратор, состоящий из ключевых тран зисторов и транзисторов заряда числовых шин,.при этом исток каждого транзистора заряда числовых шин соединен со стоками соответствующих ключевых транзисторов и с соответствующей числовой шиной накопителя, стоки подключены к источнику постоянного напряжения, а затворы,к первому источнику импульсного напряжения, и шину нулевого потенциала, введены управляющий транзистор, сток которого подключен к истокам транзисторов заряда числовых шин, исток - к шине нулевого потенциала, а затвор - ко второму источнику импульсного напряжения.На чертеже представлена структурная схема предлагаемого устройства.Оно содержит дешифратор 1 с ключевыми транзисторами 2 и транзисторами заряда числовых шин 3, управляющий транзистор 4, накопитель 5, источник постоянного напряжения 6, числовые шины 7, первый 8 и второй 9 источники импульсного напряжения, шину нулевого потенциала 10,Устройство работает следующим образом.Если на затворы транзисторов заряда числовых шин 3 подается импульсное напряжение предзаряда Ф 1 от первого источника импульсного напряжения 8, то в течение действия тактового импульса Ф 1 происходит предэаряд числовой шины 7 накопителя 5 и строки дешифратора 1. Одновременно устанав ливается адрес на затворах транзисторов 2 дешифратора 1. В момент действия импульса Ф 1 транзистор 4 закрыт. Тактовый импульс Ф 2, поступающий от источника импульсного напряжения 9 за тактовым импульсом Ф 1, открывает транзистор 4. В результате происходит разряд невыбранных числовых шин 7 накопителя 5 через открытые транзисторы 2.Работа устройства состоит из двух этаповНа первом этапе (подготовительном) транзистор 4 закрыт, а транзисторы заряда шин 3 открыты. В течение первого этапа устанавливается код адреса на затворах транзисторов 2. На втором этапе(при Йктивной работе дешиф 79651 4ратора) открывается транзистор 4. Таккак лишь в одной из групп 2 транзисторов все транзисторы закрыты, то всечисловые шины 7, кроме одной разряжа)ются через соответствуюшие транзисторы 2 и транзистор 4, Заряд остается только на одной выбранной числовойшине 7.Введенный в устройство управляю щий транзистор 4 не ограничен в размерах шагом накопителя 5 и имеет лишьодну связь с шиной, объединяющей истоки ключевых транзисторов 2 дешифратора 1, поэтому он может быть вы несен на кристалле в удобное местоза пределы дешифратора 1 и иметь необходимые размеры. Таким образом, обе. спечено высокое быстродействие приминимальных затратах площади кристо таллаФормула изобретенияПолупроводниковое запоминающееустройство, содержащее накопитель, дешифратор, состоящий из ключевых транзисторов и транзисторов заряда числовых шин, при этом исток каждого транзистора заряда числовых шин соединенсо стоками соответствующих ключевыхтранзисторов и с соответствующей числовой шиной накопителя, стоки подключены к источнику постоянного напряжения, а затвор - к первому источнику35Импульсного напряжения, второй источник импульсного напряжения и шинунулевого потенциала, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью упрощения и повышения быстродействия, оно40содержит управляющий транзистор, стоккоторого подключен к истокам ключевых транзисторов дешифратора, исток -к шине нулевого потенциала, а эатворко второму источнику импульсного напряжения.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Кроуфорд. Схемные примененияМОП-транзисторов, М., "Мир", 1970,50 с. 73.2. Авторское свидетельство СССРпо заявке У 2717594/18-24,кл, 6 11 С 17/00, 24,01,1979 (прототип) .87965 Составитель В. Вакаредактор Л. Утехина Техред И.Асталош Корректор М. Пожо Заказ П "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,30/23 Тираж ВНИИПИ Государствепо делам изобрет 113035, Москва, Ж 48 Подписноого комитета СССРний и открытийРаушская наб., д.

Смотреть

Заявка

2856766, 20.12.1979

ОРГАНИЗАЦИЯ ПЯ Х-5263

ТЕНК ЭДМУНД ЭРМУНДОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G11C 11/34

Метки: запоминающее, полупроводниковое

Опубликовано: 07.11.1981

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-879651-poluprovodnikovoe-zapominayushhee-ustrojjstvo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковое запоминающее устройство</a>

Похожие патенты