Запоминающая матрица

ОПИСАНИЕ ИЗОЬЕЕТ ЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУпщ 560257 СОЮЗ СоветСких Социалистических РеспубликГасударственный комитет Совета Министров СССР по делам изооретений и открытий(72) Автор изобретения М. Я. Эйнгорин Горьковский исследовательский физико-технический институт(54) ЗАПОМИНАЮЩАЯ МАТРИЦА Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и предназначено для использования в качестве запоминающего устройства цифровых вычислительных и управляющих машин.Известно емкостное запоминающее устройство 1, в котором роль запоминающих элементов выполняют емкости между адресными и разрядными шинами, причем там, где записана единица, площадь пересечения шин больше, а там, где записан нуль, меньше.Однако такое устройство имеет большой коэффициент ослабления входного сигнала при чтении и большой разброс амплитуд выходных сигналов из-за большой выходной емкости, соединенной с разрядной шиной, величина которой зависит от записанной в ЗУ информации,Наиболее близким к изобретению техническим решением, лишенным недостатков описанного запоминающего устройства за счет стабилизации выходной емкости вне зависимости от записанной информации, является диэлектрик -:полупроводник - МДП-конденсаторы, выполненные на полупроводниковой пластине с последовательно нанесенными на нее слоями диэлектрика, например окисла и нптрида кремния, на которых расположены металлические электроды, через резисторы подключенные к управляющей шине, и адресные и разрядные шины.У такого запоминающего устройства, имеющего линейную селекцию, сложная конст рукция, большой уровень помех из-за полувозбужденных элементов. Следовательно, оно не обеспечивает возможности форсированного режима записи, что снижает надежность и быстродействие устройства 12.10 Цель изобретения - повышение быстродействия и надежности работы матрицы.Это достигается тем, что она содержит дополнительные электроды, расположенные над металлическими электродами на дополнитель ном слое диэлектрика и соединенные с соответствующими адресными шинами, а полупроводниковая пластина соединена с разрядной шиной.Дополнительные электроды образуют с 20 электродом емкости величины С.На чертеже представлено запоминающееустройство на четыре бита и его сечение, где 1 в полупроводников пластина; 2 в дополнительный слой диэлектрика; 3 в металлическ 25 электроды; 4 - резистор; 5 - управляющая шина; 6, 7 - адресные шины координаты Х; 8, 9 - адресные шины координаты У; 10, 11 - дополнительные электроды координат Х и У одного из запоминающих элементов, образу- ЗО ющие с электродом 3 емкости величины С;12 в разрядн шина; 13 в сл окисла кремния; 14 в сл нитрида кремния.Запоминающая матрица работает следующим образом.Если на избранный запоминающий элемент должна быть проведена запись или чтение, то на все адресные шины 7 и 8, соединенные с дополнительными электродами данного запоминающего элемента, одновременно подаются однополярные импульсы соответственно Унср или 1/сч. Если данный запоминающий элемент не является избранным, то либо все Л выводов дополнительных электродов, либо 1 - а заземляются заземлением соответствующих адресных шин 6, 9. В последнем случае образуется емкостный делитель напряжения, в результате чего на элекгроде наводится напряжение, равное нулю или сс/Й от +.анар или с счПри записи вывод управляющей шины 5 заземляется и работа элемента не отличается от работы обычной МДП-запоминающей емкости, но обеспечивается форсированный режим за счет снижения частичного возбуждения пеизбранных элементов.Для чтения на управляющую шину 5 подается смещение - 1/см, приводящее все емкости запоминающего устройства, независимо от ХраНИМой На НИХ ИНформаЦИИ (Смцн О ИЛИмакс 1) к значению С,н. При этом пере. ключения емкости не происходит, так какс см+ " порПри считывании на все й выводов дополнительных электродов через соответствующие адресные шины 7, 8 подается импульс напряжения Усч, переводящий избранную емкость к значению ранее записанной на ней инфорМаЦИи Смнн ИЛИ Смакс. В Зависимости ОТ Этого на нагрузке, включенной между разрядной шиной и землей, выделяется импульс соответственно меньшей или большей амплитуды. При считывании напряжение с частотой с, в слУчае Смакс, т е хРанение 1, мОжнО фиксировать по наличию на нагрузке гармоник, так как положительная полуволна напряжения пройдет по нелинейному участку вольтфарадной характеристики запоминающей емкости. 4С целью упрощения технологии и снижения помех, управляющий электрод может занимать все свободное пространство между электродами и соединяться с последними сплошным резистивным слоем, нанесенным на них.В зависимости от требований, предъявляемых к запоминающим элементам:. оперативное ЗУ, ПЗУ с электрической перезаписью, ПЗУ 10 без возможности перезаписи, слои окисла инитрида могут быть заменены изоляторами дрягих типов.Таким образом, благодаря снижению уровня помех от частично активизированных шин 15 адресной селекции повышена надежность работы запоминающей матрицы и ее быстродействие при записи за счет возможности форсированного режима.20Формула изобретенияЗапоминающая матрица, содеркащая25 МНОП (металл - нитрид кремния - окиселкремния, полупроводник) -конденсаторы, выполненные на полупроводниковой пластине споследовательно нанесенными на нее слоямидиэлектрика, например окисла и нитрида30 кремния, на которых расположены металлические электроды, которые через резисторыподключены к управляющей шине, и адресные и разрядные шины, отличающаясятем, что, с целью повышения быстродействия35 и надежности матрицы, она содержит дополнительные электроды, расположенные надметаллическими электродами на дополнительном слое диэлектрика и соединенные с соответствующими адресными шинами, а полу 40 проводниковая пластина соединена с разрядной шиной.Источники информации, принятые во вни.мание при экспертизе1. Брик Е. А, Техника ПЗУ, М., Советское45 радио, 1973, с. 25,2, %едпег 3, А. К. МХОВ гпегпцг 1 ез Р 1 д1 п 1 еггпад, Соп 1 ЮазЫпфоп 1)С. 1970, Хеъ