G11C 11/34 — с применением полупроводниковых приборов

Номер патента: 928412

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Гафаров, Минков, Соломоненко

МПК: G11C 11/34

Метки: запоминающего, интегрального, матричный, накопитель, устройства

...шин выборки с одной из полушин числовых шин.На фиг. 1 изображено .взаимное расположение элементов на кристалле ЗУПВ;на фиг, 2 - фрагмент топологии матричного накопителя,, Накопительподанному изобретению использованн в и нтегральном ЗУПВ емкостью".16384 бита, Запоминающее устройство,изготовленное по о -канальной МОП тех Знологии с самосовмещенными кремниевыми затворами и с двумя уровнями разводки иэ поликристаллического кремния, содержит элементы памяти 1, состоящие изМОП-конденсатора 2 и ключевого транзистора 3, Шины выборки 4 выполненыиз поликристаллического кремния второго уровня и являются одновременнозатворными шинами ключевых транзисторов 3. Числовые полушипы 5, соединен- Бнные с ключевыми транзисторами 3, выполнены из...

Номер патента: 942149

Опубликовано: 07.07.1982

Автор: Климас

МПК: G11C 11/34, G11C 11/40

Метки: запоминающее

...шине8, Общая точка соединения этих режсторов соединена с базой переключающеготранжстора 9.Блок 2 сброса состоит из двух транзисторов 10 и 11 И - р - И типа, ре 30жсторов 12 и 13, суммирующего резистора 14, нагрузочного режстора 15,кнопочного переключателя 16, нагрузочного резистора 17,Запоминающее устройство работаетследующим образом.В исходном состоянии после включения напряжения питания ячейки памятизакрыты, Закрыты транжсторы 3 и 9всех ячеек памяти, транзистор 11 закрыт,а транзистор 10 открьгг, При нажатиикнопки переключателя 16 первой ячейкизакорачиваются выводы коллектор-емиттер транжстора 3 этой ячейки, открывается транзистор 9 этой ячейки и егоколлекторный ток открывает транзистор ф 53, который остается открытым и послеотпускания...

Номер патента: 942150

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Баринов, Кимарский, Ковалдин, Кузовлев, Орликовский, Черняк

МПК: G11C 11/34, G11C 11/40

Метки: памяти, полупроводниковый, элемент

...которых соединены с эмиттерами транзисторов 4 и5, а катоды - с коллекторами.35Элемент памяти работает следующим образом.В режиме считывания информации равные токи считываниявтекают из разрядных шин б и 7 в элемент па 40 мяти. Предположим, что элемент памяти находится в состоянии, когда транзистор 5 насыщен и коллекторным током насыщает транзистор 1, Тогда транзистор 2 работает в нормальном45 активном режиме, но ток через него практически отсутствует, так как напряжение на-И-переходе эмиттербаза этого транзистора равно напряжению между коллектором и эмиттером насыщенного транзистора 1. Транзистор 4 также работает в нормапьном активном режиме. Ток через диод 9 практически отсутствует, так как напряжение на диоде равно напряжению между...

Номер патента: 960953

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Омельченко, Педченко, Плотников, Садыгов, Селезнев

МПК: G11C 11/34, G11C 17/00

Метки: памяти, элемент

...заряда или накопление положительного заряда.При этом величина потенциала плоских зон элемента памяти делается- более отрицательной. Таким образом,в зависимости от полярности и амплитуды поляризующего импульса напряжения, предварительно поданногона металлический электрод 5 величина потенциала плоских зон элемента Г памяти может принимать разные значения, Два из крайних значений потенциала плоских зон принимается за положения окна переключения элемента памяти. В первом случае элемент памяти находится в состоянии логической,1, а во втором случае он находится в состоянии логического 0, В режиме работы элемента памяти производится многократное переключение его.из одного логического состояния в другое.Испытания элемента памяти, у...

Номер патента: 978194

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Плотников, Сагитов, Селезнев

МПК: G11C 11/34, G11C 11/40

Метки: запоминающем, информации, мноп-структуре, устройстве, хранения

...с периодом следования(10 -10) с.Указанные импульсы на состояние сзвахватом электронов (чему соответстВует положительный знак напряженияплоских зон) и инверсное состояниеполупроводника действуют следующимобразом, Поскольку их амплитуда боль-(Оше максимального напряжения плоскихзон, результирующее поле полупроводника, складывающееся из поля накоп-ленного заряда и внешнего поля, вызывает аккумуляцию основных носителей 15заряда (электронов). Т.е. в течениедействия импульса приповерхиостнаяобласть полупроводника находится вобогащенном режиме. Плительность импульса достаточна для рекомбинацииэлектронов и образовавшихся до начала импульса дырок, после окончанияимпульса. полупроводник находится всостоянии обеднения, Если период следования...

Номер патента: 982089

Опубликовано: 15.12.1982

Авторы: Верстаков, Крыликов, Преснухин

МПК: G11C 11/34

Метки: динамических, запоминающее, оперативное, памяти, элементах

...группы соединен с вто 89 4рым входом блока управления, первымвходом элемента И первой группы и втоым входом элемента И третьей группы,ыход второго триггера третьей группыподключен к третьему входу блока управления и вторым входам элементов Ипервой и второй групп, управляющие входы триггеров одноименных групп объединены и подключены соответственно кшестому, седьмому и восьмому выходамблока управления, девятый выход которого соединен с информационным входомодного из триггеров первой группы, информационные входы первых триггеровдругих групп являются входами устройства,На фиг. 1 изображена структурная схема ОЗУ на динамических элементах памяти; на. фиг, 2 - часть схемы на фиг. 3.(раскрыта структура блока управления),Устройство содержит...

Номер патента: 983754

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Адилов, Азимходжаев

МПК: G11C 11/34

Метки: памяти, элемент

...- 8-10 мкм) изолирующим слоем 5 из слюдяной пластинки,перпендикулярно расположенный относительно электродов 2, полученныйкатодным распылением платины на поверхность слюдяной пластины 5 (фиг.1).На однороднополупрозрачную металлическую пластину, которая являетсятретьим электродом 4, над электродом. сток 2 наклеивают специальным клеемсветонепропускающую диэлектрическуюпластину - полоску из непрозрачнойслюды шириной 1 500 мкм, котораяявляется дополнительным изолирующимслоем б,Аналогичные результаты дает и дру"гой вариант исполнения, заключающийсяв образовании более толстого светонепропускающего слоя из платины (ширинойЙ500 мкм),30Принцип-работы предлагаемого элемента памяти заключается в следующем.На входы 11 и 12 элемента памяти,равномерно...

Номер патента: 989584

Опубликовано: 15.01.1983

Автор: Климас

МПК: G11C 11/34, G11C 11/40, G11C 5/02 ...

Метки: запоминающее

...9, вход 10 , дистанционного управления, второй нагруэочный резистор 11, положительную 25 шину 12 питания, третий нагрузочныйрезистор 13, переключающий транзистор14 и четвертый нагрузочный резистор 15. 30Устройство работает следующим образом. В исходнои состоянии все ячейки памяти выключены. Включение соответ35 ствующей ячейки памяти осуществляется путем подключения контактов 4 или 10 к шине 12. При подключениивхода 10 к шине 12 открывается транзистор 14, который, в свою очередь,10 открывает транзистор 3, поддерживающий открытым транзистор 14. Ячейка памяти включена до тех пор, пока не будет включенонапряжение питания или не будет включена другая ячейка 1, Эмиттерный45 ток транзистора 14 создает на резисторе 2 падение напряжения,...

Номер патента: 997099

Опубликовано: 15.02.1983

Автор: Савранский

МПК: G11C 11/34

Метки: памяти, элемент

...5 возможно использование различных халькогенидных и ванадиено-фосфатных полупроводниковых 20стекол. Резистивный слой 4, расположенный параллельно слою стеклообразного полупроводника 5, ныполняетсяиз материалов на основе ВаТ 10 или(ВФ 5 г) Т 10, например аОо эВа 09 Т(ОВ, 25Элемент памяти работает следующимобразом.На электроды 2 и 3 подается синусоидальное напряжение, которое создает падение напряжения на слое стеклообразного полупроводника 5 и,резистивном слое 4. Когда при температуреокружаюцей среды Т, (фиг. 3) наслое стеклообразного полупроводника 5падение напряжения равно пороговому 35напряжению ОВ, то элемент памятипереходит из нысокоомного состоянияв низкоомное (фиг. 4), При изменениитемпературы окружаюцей среды,...

Номер патента: 1003142

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Акинфиев, Виноградов, Глаголев, Крючков, Павлов

МПК: G11C 11/34

Метки: динамическое, запоминающее, оперативное

...селектор 4, предназначенный для, выделения тактового сигнала обращения, регистр 5 сдвига, дешифратор6 адреса, регистр 7 управляющих сигналов, блок 8 местного управления,состоящий из элементов И, блоки 9 памяти, Формирователь 10 сигналов, предназначенный для управления регенерацией, и мультиплексор 11.На Фиг.1 обозначены адресный вход 12, вход 13 записи вход 14 чтения, выходы 15 устройства, вход 16 регенерации, вход 17 синхронизации и информационные входы 18 устройства и выход 19 формирователя сигналов.Селектор 1,фиг.2) содержит первый 20 триггер с установочным входом 21, второй 22 триггер и элемент И 23 с выходом 24.Формирователь сигналов содержитфиг.3) генератор 25 сигналов, счетчик 26 и элемент И 27,Каждый блок 9 памяти. имеет...

Номер патента: 1043747

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Каверзнев, Метлицкий

МПК: G11C 11/34

Метки: данным, доступом, запоминающее, многоформатным

...входах всех микросхем памяти независимо от номера будет . Код, равный коду на шине х. Одини. тот же адрес на всех микросхемахф соответствует в устройстве режиму вйборки строк.Если Яф полностью единичный век-. тор, то выражение .(2) преобразуется . к виду. 25 Из .выражения (3) следует, что призаданном хф во всех .Х микросхемах 30памяти выбираются биты по разнымадресам. Это соответствует режиму обращения к столбцам хранимой матрицы,При,О с 52 - 1 получаются "смешанныеф способы обращения, при которых реализуется выборка различных.. сочетаний частей строки столбцов матрицы.Память, построенная по описанным принципам, отличается простотой , .40и большими функциональными возмож"настями 21.Однако эта память не позволяет реа лизовать выборку...

Номер патента: 1064318

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Власов, Гаврилов

МПК: G11C 11/34, G11C 8/00

Метки: выборкой, накопителя, памяти, произвольной, элемент

...и снижение потребляемой мощности.Поставленная цель достигается тем; что в элемент памяти для накопителя с произвольной выборкой, содержащий шину выборки-записи строки, разрядную шину вы борки-записи, шину считывания и первый резистор, первый вывод которого соединен с шиной питания, введены второй резистор и лавинный двухэмиттерный транзистор, коллектор которого соединен с втоа пе вый 40 рым выводом первого резистора, п р эмиттер - с шиной выборки-записи строки, второй эмиттер - с шиной считывания, а база - с первым выводом второго резистора, второй вывод которого соединен с разрядной шиной выборки-записи.и 4На фиг. 1 изображен элемент памяти;на фиг. 2 - эпюры управляющих сигналов в различных режимах. Элемент памяти для пакоители,...

Номер патента: 1065886

Опубликовано: 07.01.1984

Авторы: Гончаров, Слюсарь

МПК: G11C 11/34

Метки: динамическое, запоминающее

...17 импульсов, первый десцифратор 8, сче 1 пк 19 адреса регецсрдции, блок 20 синхрснизации, дополнительный элемент ИЛИ 21 и второй дешифратор 22. Блок 8 имеет входы 23. 27 соответственно с первого по пятый и выхо. ды 2837 соответственно с первсгс) по десятый.Блок Ю синхронизации ( фиг. 2) содержит распределитель 38 импульсов, третий дешифратор 39, триггеры 40 и 41. элсченты И 42 и 43 и элементы И- Н Е 44 и 45.Рассмотр)м лва Режима рдбоГы мс 1 ройствд: режич записи-считывания д;цц 1 х при огсутствии регенерации и режим здпц игчитывдция при наличии рег и рации50 В первом режиме работы код адреса ячейки, к которой необходимо обратиться в режиме записи, выставляется на входах 7, а данные - на входах 2.На входе 27 выставляется код операции...

Номер патента: 1081667

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Вернер, Козырь, Миминошвили

МПК: G11C 11/34, G11C 17/00

Метки: запоминающих, интегральный, памяти, постоянных, репрограммируемых, устройств, элемент

...кремния, развязывающий диод с р- и п-областями, нижний металлический электрод, изолирующий слой, запоминающий слой из аморфного материала, первый барьерный слой из кристаллического теллура, второй барьерный слой из молибдена или титано-фольфрамового сплава и верхний электрод из алюминия 2.Недостатком известнсго ЭП является сложная конструкция, что заключается в многослойной структуре барьерного слоя,Цель изобретения - упрощение элемента памяти.Поставленная цель достигается тем, что в интегральном элементе памяти для репрограммируемых постоянных запоминающих устройств, содержащем полупроводниковую подложку, на которой расположена токопроводящая шина из легированного кремния и развязывающий диод с п- и р-областями, на поверхности...

Номер патента: 1108385

Опубликовано: 15.08.1984

Авторы: Андриеш, Васильев, Гриншпун, Тридух, Циуляну

МПК: G11C 11/34

Метки: записи, изображений, оптических

...проявляющего слоя 2 через прозрачную основу структуры 3 и нижнего электро. да 4, который в этом случае также является прозрачным.Засветка производится до максимального потемнения проявляющегослоя 2. Фотографическое или голографическое изображение проецируется наслой 5 халькогенидного стеклообразного полупроводника через полупрозрачный алюминиевый электрод 6, и одновременно с помощью ключа 7 к алюминиевому электроду 6 прикпадывается постоянное электрическое напряжение от источника 8 с положительной поляр ностью. При этом в местах засветления происходит электродиффузия алюминиевого электрода 6 в слой 5, в результате чего оптическая плотность структуры уменьшается, т.е. изображение оказывается зафиксированным. Затем структура отключается...

Номер патента: 1125654

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Барышников, Соляр

МПК: G11C 11/34, G11C 7/00

Метки: информации, меди-диэлектрик-кремний, основе, памяти, перезаписи, структуры, халькогенид, ячейке

...на уровне 5 В.Контроль состояния ячейки проводится по величине ее электрического сопротивления: состоянию с высокой проводимостью соответствует сопротивление не более 10 кОм, с низкой проводимостью - не меиее 100 кОм. Промежуточное состояние (сопротивление между 10 и 100 кОм) считается отказом записи.После проверки состояния ячейка подвергается испытаниям на сохраняемость записанной информации в течение 500 ч при 70 С,П р и м е р 2 . Запись состояния с высокой проводимостью осуществляется подачей на ячейку памяти импульсов отрицательной полярности напряжением 6 В при ограничении тока величиной 0,05 мА, состояния с низкой проводимостью - подачей импульсов тока отрицательной полярности величиной 1,5 мА с напряжением не более 3 В....

Номер патента: 1180978

Опубликовано: 23.09.1985

Автор: Синеокий

МПК: G11C 11/34

Метки: памяти, элемент

...памяти работает следующим 20образом.В режиме хранения одна из пар транзисторов 1, 3 или 2, 4 открыта, обеспечивая темсамым закрытое состояние другой пары транзисторов. При этом соответствуюшая параограничено насыщена, благодаря действию об. ратной связи - соединению эмиттеров третьего .и четвертого и -р-п -транзисторов 5 и 6,При этом эффективность цепи обратной связиопределяется уровнем инверсного коэффициен: 3та усиленияЯ;л-р-п- транзистора 5, поскольку уровень прямого коэффициента усиления, о-р-.п-транзистора 6 существенно выше /3, т е /3 я 3;Таким образом, пассивное, закрытое плечо элемента памяти через,1 э.р- О -транзистор 6 ограничивает степень насыщения пар транзисторов. Это способствует повышению помехоустойчивости элемента памяти...

Номер патента: 1215134

Опубликовано: 28.02.1986

Авторы: Журавский, Забуранный, Загребной, Мусиенко, Селигей

МПК: G11C 11/34

Метки: динамической, начальной, памяти, установки

...устройством не вырабатываются, так как оно обеспечивает частоту обращения к строкам микросхем памяти, равную периоду регенерации. Пля нормального функционирования некоторых микросхем памяти. необходимо после включения питания произвести многократную записьинформации в ячейки памяти. В предлбженном устройстве это организуется с помощью счетчика 16 циклов, который задает необходимое количество циклов пройнсывания. После заполне" ния счетчика 16 циклов триггер 5 устанавливается в единичное состояние, запрещая работу устройства в режиме начапьной установки, Устройство пере-. водится в рабочий режим. В рабочем режиме на управляющий вход 13 устройства поступает сигнал обращения н1215134 этом на адресных выходах 10 второй группы устройства...

Номер патента: 1275543

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Курочкин, Николаев, Шабанов

МПК: G11C 11/34, G11C 14/00

Метки: запоминающее, информации, отключении, питания, сохранением

...выходу стабилизатора 3 тока и через третий разделительный элемент 7 и регулятор 15 тока разряда - к входу питания накопите 40 ля 1, который через первый разделительный элемент 5 соединен с шиной 11 питания устройства. Один иэ выходов блока 2 сопряжения соединен с входом стабилизатора 3 тока, другие вы" ходы через элементы 8 гальванической развязки подключены к входам накопи-ф теля 1, которые через нагрузочные элементы 9 соединены с входом питания накопителя 1. Устройство работает следующим образом.В нормальном режиме напряжение с основного источника питания подается по шине 11 на стабилизатор 3 тока, на И блок 2 сопряжения, через первый разделительный элемент 5 - на накопитель 1 и на элементы 8 гальванической 543 гразвязки - через...

Номер патента: 1277209

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Белоус, Клименко, Попков, Попов, Сухопаров, Фурсин

МПК: G11C 11/34

Метки: запоминающий, элемент

...на управляющем входе 13 неизменяет состояние информационноговыхода 24 (или 25), причем после исчезновения напряжения логическогонуля на входе 22 (или 23) запоминающий элемент возвращается в исходноесостояние. Таким образом, при наличии напряжения логической единицына управляющем входе 13 запоминающий элемент хранит ранее записанную информацию, а перезапись информации с помощью управляющих сигналов на входах 22 и 23 невозможна,При наличии на управляющих входах 22 и 23 напряжения логической единицы и появления напряжения логического нуля на входе 13 на выходах 24 и 25 устанавливается напряжение логической единицы, а напряжения на выходах 8 и 10 (вентиля 2 и вентиля 4 соответственно) не изменяются.После появления на управляющем...

Номер патента: 1325562

Опубликовано: 23.07.1987

Авторы: Андреев, Ивон, Ткаченко, Черненко

МПК: G11C 11/34

Метки: памяти, ячейка

...2 и 3 записи и электроды 4 и 5 считывания. На подложку 1 и электроды 2 - 5 нанесен слой 6 полупроводникового стекла. Расстояние между электродами 2 и 3 записи не ме - нее чем на порядок больше расстояния между электродами 2,4 и 3,5. Расстояния между электродами 2,4 и 3,5 одинаковы.20Ячейка работает следующим образом, Запись и стирание информации осуществляется одновременной подачей разнополярных импульсов напряжения с одинаковой длительностью и амплиту дой на электроды 2 и 3 записи. Для считывания информации используются электроды 2 и 4 или 3 и 5. В исход - ном состоянии сопротивление стекла между электродами 2-5 велико, При за О писи между электродами 2 и 3 записи и ближайшим электродом 4 считывания формируется низкоомный...

Номер патента: 1336108

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Аноприенко, Башков, Кухтин, Сербиненко

МПК: G11C 11/34

Метки: данным, доступом, запоминающее, многоформатным

...собой сигнал, инициирующий режим записи и считывания устройства. Если сигнал на пятом входе устройства имеет низкий уровень, то устройство находится в режиме записи. При этом на шестой вход устройства должны поступать синхроимпульсы записи. Низкий уровень сигнала на пятом входе устройства, имитирующий режим записи, поступает на четвертый вход блока 8 мультиплексоров кода адреса. Этот вход является управляющим. При низком уровне сигнала на управляющем входе блока 8 мультиплексоров кода адреса он переключается на прием информации с первого входа, который подключен к выходу блока 5 регистров. Таким образом, адреса в элементах памяти с выхода блока 5 регистров поступают на первый вход блока 2 памяти, так как выход блока 8 мультиплексоров...

Номер патента: 1336109

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Аноприенко, Башков

МПК: G06T 1/00, G11C 11/34

Метки: данным, доступом, запоминающее, многоформатным

...значение формата, то при Г=2 запись производится в дополнительный блок 17 памяти, при Р=п+ 1 запись производится в дополнительный блок 17 памяти. При этом чем больше значение Р, тем большему числу ячеек присваивается записываемое значение слова данных. Для записи данных в первый регистр 1 формата записывается значение Г формата записи, в регистр 2 адреса заносится адрес ячейки, в которую производится запись, при Г) 1 соответствующее количество младших разрядов адреса при записи учитываться не будет. В первый регистр 3 данных заносится записываемое значение слова данных, после чего в устройство поступает сигнал Запись, по которому в соответствующий блок памяти заносится записываемое значение. При чтении данных из запоминающего устройства...

Номер патента: 1355997

Опубликовано: 30.11.1987

Авторы: Аноприенко, Башков

МПК: G06T 1/00, G11C 11/34

Метки: данным, доступом, запоминающее, многоформатным

...соответствующие значения заносятся в регистр 1 адреса, регистр 3 данных и регистр 2 Формата. В соответствии со значением Формата дешифратор 8 вырабатывает при Р 1 единичное значение на одном из выходов, например на выходе ш (1 Мп) . С помощью элементов блоков 919управления доступом на адресных входах, соответствующих младшим разрядам адреса, блока 6 памяти данных устанавливаются единичные значения во всех разрядах адреса и, следовательно, осуществляется адресация к той ячейке памяти, адрес которой является максимальным для соот,ветствующего данному Формату блока данных. По сигналу на входе "Запись" устройства в указанную ячейку записывается значение данных, а в блоке 10 памяти блока 9 71 управления доступом Фиксируется Формат путем...

Номер патента: 1381596

Опубликовано: 15.03.1988

Автор: Ашман

МПК: G11C 11/34, G11C 14/00

Метки: запоминающее, источником, питания, резервным, энергонезависимое

...6 до напряжения, близкого к Чг При использовании, например, в качестве микросхем 1 памяти КМОП ОЗУ напряжения источника 2 питания должно быть равным Ч= +5 В+ 1 Оо; минимальное значение этого напряжения равно Ччнн= = 4,5 В. Источник 6 питания должен иметь напряжение Чг, существенно превышающее Ч, в бортовых устройствах в качестве источника 6 может быть использована борт- сеть с напряжением Чг= +27 В.При включенном источнике 2 литания на. пряжение на истоке транзистора 8 устанавливается равным Ч) Ч.р., а на затвореК=Ч + - , Ч. Ъ) Чр чинТак как напряжение между затвором иистоком(3) то транзистор 8 оказывается закрытым, В -этом случае питание микросхем 1 памяти осуществляется от источника 2 питания, а источник 6 служит только для...

Номер патента: 1410100

Опубликовано: 15.07.1988

Автор: Мягков

МПК: G11C 11/34

Метки: вводом, запоминающее, информации, последовательным

...вырабатываемый в блоке 10., На выходах блока 11 появляются группыимпульсов (последовательный код), со ответствующие параллельному двоичноМу коду на входах 15.1-15,1. Последовательный код через адресные входы запоминающего устройства 1 поступает на входы блока 9, который считает импульсы последовательного кода, и на его выходах появляется параллельный код, соответствующий последовательному коду на входах.Информация с выходов блока 9 записывается в регистр 5После этого на входы 16.1 и 16.ш устройства подается код адреса столбца, по приходе сигнала разрешения выборки столбца на вход 13 блока 7 устройство работает, как и при записи кода адреса строки. Код адреса записывается в регистр 6. С выходов регистров 5 и 6 код адреса поступает на...

Номер патента: 1444890

Опубликовано: 15.12.1988

Авторы: Куварзин, Лихацкий, Яковлев

МПК: G11C 11/34, G11C 17/00

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...требуется создание межсоединеннй между стоковьми, истокосвыми и затьорными областями площадьячейки данного матричного накопителязначительно велика,Целью изобретения является повышение степени интеграции матричногонакопителя ПЗУ.Поставленная цель достигается тем,что в матррг 1 ный накопитель для ПЗУ,который содержит полупроводниковуюподложку, на поверхности которой расположен диэлектрический слой на поверхности которого расположены изолированные друг от друга числовыеи разрядные шины, выполненные изпроводящего слоя, введены областинизколегированного полупроводника иобласти диэлектрика, последовательнорасположенные на поверхности полупроводниковой подложки в диэлектрическом слое под соответствующими пеника 3...

Номер патента: 1444891

Опубликовано: 15.12.1988

Авторы: Куварзин, Лихацкий, Яковлев

МПК: G11C 11/34, G11C 17/00

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...и расположенные на поверхности полупровоцниковой подложки в диэлектрическом слое под соответствующими пересечениями чнс.нов.:, н разрядных шин области понун р;и. впик, на соответствующих участках поверхности которых размещены с зазором области диэлектрика, на поверхности которыхрасположены соответствующие числовыешины, а на поверхности областей полупроводника в зазоре расположены соответствующие разрядные шины.Кроме того, для обеспечения мно-.гократной записи информации, область диэлектрика выполнена двухслойной, например, из двуокиси кремния толщиной 1,5-2,5 нм и нитридакремния толщиной 50-100 нм.На фиг. 1 показана конструкцияматричного накопителя; на фиг. 2 -разрез А-А на фиг, 1; на фиг. 3конструкция перепрограммируемойячейки...

Номер патента: 1453446

Опубликовано: 23.01.1989

Автор: Савранский

МПК: G11C 11/34, G11C 7/00

Метки: аморфный, записи, информации, носитель, полупроводниковый

...Чу. Причем Ч и ЧРвыбираются таки 35ми, чтобы напряжение на аморфном по-.лупроводнике Ч = Ч Р + Чу было меньше Ч 1 необходимого для записи информации. Затем, быстро снимаяЧу 1производят запись информации,При записи инфорйации согласно прототипу оба напряжения Чи Ч имеРют одинаковую полярность. В моментвремени , на управляющие электродыподают напряжение Ч. При этом суммарное напряжение Ч возрастает и вмомент временипревышает пороговое,что вызывает умейьшение сопротивления аморфного полупроводника. Процессзаписи информации заканчивается в мо-.50мент времени З 1 когда сопротивление аморфного полупроводника достигает минимальной величины. Времязаписи информации с равно сумме вреЗбб 55мени нарастания Ч до Чи изменец Н, .е.= " - : (фиг.1).При...

Номер патента: 1474738

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Варшавский, Кравченко, Мараховский, Цирлин

МПК: G11C 11/34

Метки: запоминающее

...на выходе элемента 18 появится низкий потенциал, а на выходеинвертора 19, т.е, на управляющемвыходе 27 устройства, - высокий потенциал, что, как и в режиме чтения,является признаком завершения переходных процессов.Если же информация, установленнаяна информационных входах 23 и 24 про 35тивоположна ранее записанной в элемент 1, то происходит переключениепоследнего. При этом несмотря на высокий потенциал на выходе элемента17 переключение элемента 18 не произойдет до тех пор, пока в элементе1 не установится требуемое состояние.В этом случае сначала на обоих выходах 21 и 22 появятся низкие потенциалы, затем в результате записи информации в элемент 1 на одном из выходов21 или 22 восстановится высокий по-.тенциал. Только после...