Способ записи информации в запоминающий элемент мноп-типа
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 658599
Автор: Бережной
Текст
Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1 и 1658599(22) Заявлено 01.12.77 (21) 2550740/18 51) М. К б 11 С 11/34 с применени аяв ооудвретвеннв 1 й номите ссса по делам иаооретений и открытийно ния описания 05,05.79 ико 2) Автор изобретени) Заявитель 4) СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ В ЗАПОМИНА)ОЩ ЭЛЕМЕНТ МНОП-ТИПА1Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на основе транзистора с двухслойным диэлектриком, в частности на основе МНОП-транзистора.Известен способ записи информации в запоминающий элемент МНОП-типа, заключающийся в воздействии на затвор прибора внешними импульсами напряжения 1, 2.При этом в подзатворном диэлектрике накапливается заряд, который изменяет пороговое напряжение включения прибора и тем 1 В самым отображает записанную информацию.Заряд локализуется на ловушках в запрещенной зоне диэлектрика, которые характеризуются определенным энергетическим и пространственным распределением. После окончания процесса записи информации15 (программирования) накопленный заряд начинает стекать с ловушек и разрушаться за счет ряда электрофизических механизмов переноса заряда. При этом записанная в приборе информация теряется тем быстрее, чем 20 выше темп стекания заряда; соответственно сокращается время хранения информации и возрастает вероятность отказа запоминающего устройства. Теми стекания заряда существенно возрастает при повышении температуры окружающей срелы.Известен способ записи информации, увеличивающий время хранения информации за счет выбора режимов синтеза слоя нитрида кремния 3. Этот способ неэффективен из-за практической невоспроизволимости энергетического спектра ловушек в пленке нитрила кремния в реальных условиях производства полупроволниковых приборов.Целью изобретения является повышение надежности записи и увсличсние врсмсни хранения информации.Указанная цель лостигастся тем, что предварительно нагревают заиомина 1 ощий элемент до температуры от 1 "0 ло 200"С и подают электрический импульс на лиэлсктрик запоминающего элемента МНОП-типа.На чертеже показаны кривыс. характеризующие темп стекания заряла по известному способу программирования и по преллагасмому.физический механизм увеличения времени хранения информации состоит в термической стимуляции перераспрелелсния носителей заряда в процессе их накопления межлу энергетическими мелкими ловушками грани 6585993цы Д - Да (в МНОП-транзисторах энергетическая глубина ловушек вблизи границы окисел-нитрид кремния составляет 0,8 -0,9 эцв) и более глубокими ловушками в объеме диэлектрика Д (энергетическая глубина этих ловушек в пленке нитрида кремниянхарактеризуется спектром уровнеи вблизи1,2 энв, 1,7 эцв, 1,9 энв). При совместномдействии электрического поля, вызываюгцегоинжекцию носителей в диэлектрике Д, и термического воздействия, способствующегоэнергетическому перераспределению инжектированных носителей в диэлектрике Д, основная часть накопленного заряда локализуется на глубоких ловушках. Эффективность такого перераспределения низка и основная часть накопленного заряда (особенно ири относительно толстом диэлектрике Дх5для МНОГ 1-транзисторов, если толщина Дзравна 18 - 22 А) локализуется на мелкихловушках.Время разряда при высоких температурах экспоненциальцо зависит от энергетической глубины заряженных ловушект = го ехр (Ф/КТ),где Ф - энергетическая глубина ловушки;т 0 - постоянная величина;Т температура;К - постоянная Больцмана.Из уравнения следует, что увеличениеглубины Ф в силу сильной экспонецциальнойзависимости увеличивает время разряда припрочих равных условиях и улучшает харак- зотеристики ириоора в режиме хранения информации. Сравнивая кривые, характеризующие теми стекания заряда в МНОП-транзисторе при повышенной температуре окружающей среды (170 С) в известном способе программирования только импульсами напряжения (кривая 1) и в данном способе З 5ири одновременном действии электрических импульсов с амплитудой 40 В, длительностью0 с и температуры 170 С (кривая 2),можно видеть, что темп стекания заряда (изменения порогового напряжения включениятранзистора) разный. Например, если критерием отказа прибора в режиме хранения информации считать уровень порогового напряжения включения ниже -0,5 В, то разница во времени хранения информации для двух сравниваемых способов программирования составляет 100 раз.Таким образом, предлагаемый способ позволяет увеличить время хранения информации в программируемых запоминающих устройствах. Эффективность применения способа возрастает при увеличении температуры. Однако повышение температуры выше 200 С нецелесообразно, так как абсолютная величина начальной межпороговой зоны значительно уменьшается, что ухудшает условия работы прибора в режиме считывания информации. Снижение температуры до 120 С уменьшает эффективность применения способа, поэтому оптимальный температурный диапазон его реализации 120 - 200 С. Можно рекомендовать температуру около 170 С, которая обеспечивает достаточную величину начальной межпороговой зоны и минимальную скорость стекания заряда, отображающего записанную информацию.Фор цула изобретенияСпособ записи информации в запоминающий элемент МНОП-типа, основанный на подаче электрического импульса ца диэлектрик запоминающего элемента, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности записи и увеличения времени хранения информации, предварительно нагревают запоминающий элемент до температуры от 20 до 200 С.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе1. Электроника, пер. с англ., 975,1 О, 2. Электроника, пер. с англ., 976,О.3. 8 о)г 8(а(е Еес 1 гоп)сз, 976, М 9 р. 221.
СмотретьЗаявка
2550740, 01.12.1977
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5737
БЕРЕЖНОЙ ВЛАДИМИР НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/34, G11C 7/00
Метки: записи, запоминающий, информации, мноп-типа, элемент
Опубликовано: 25.04.1979
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-658599-sposob-zapisi-informacii-v-zapominayushhijj-ehlement-mnop-tipa.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ записи информации в запоминающий элемент мноп-типа</a>
Предыдущий патент: Устройство для выборки информации из блоков памяти
Следующий патент: Запоминающее устройство
Случайный патент: Способ изготовления корпуса гидрораспределителя