Элемент памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 712849
Автор: Киселев
Текст
О П И С А Н-РГЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ р ц 712849 Союз Советских Сециелистических Республик(22 1 С 11 с присоединением за иарственнын кынтет 23) ри СССР о делам иаобретени(72) Автор изобретения И. Киселев Заявитель 54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ 2 рьш произво сго анод тиристоровхсмах, сод элементов дпт в й цеп и, су по то )жащ памя увеличениео источника адеж сигна 10 Ъ казанная цель достпгастся тем, что вэлемент памяти, содержащий тир истор,транзистор, разделительный диод, ограничительный резисторы и источники высокогои низкого напряжений, введены дополни 15 тельный транзистор, ста бил итрон, конденсатор и ограничительный резистор. Приэтом коллектор дополнительного транзистора соединен через конденсатор с анодомтиристора и через ограничительный резня стор с шинОЙ источника низкого напряжения. База дополнительного транзистора через стабилитрон соединена с базой основного транзистора, а эмиттер дополнительного транзистора - с общей шиной источ 25 ников питания высокого ц низкого напряжений,На чертеже приведена с эчементапамяти,Он состоит из тиристора 1, транзисторовЗО 2 и 3, разделительного диода 4, ограцичихема Изобретение относится к автоматике и, в частности, может быть использовано в цепях с ограниченным потрсблением тока, например в искробезопасных схемы автоматики.Известен элемснт памяти 1, содержащий тиристор, транзистор, разделительный диод, ограничительные резисторы и источники высокого и низкого напряжений, причем анод тиристора через резистор подключен к шине источника высокого нагряжеция и через разделительный диод и резистор к базе транзистора р - и - р-типа, коллектор которого через резистор подключен к управляющему электроду тиристора, а эмиттер - к шине источника низкого напряжения. Известный элемент памяти прц любой нагрузке отличается самой низкой собственной энергоемкостью из всех известных тиристорных устройств подобного ьсазначеция,Недостатком этого устройства является тот факт, что из-за разброса параметров по току выкльочения тиристоров, нижний предел которого в паспорте тиристоров обычно не ограничивают, при подаче сигнала выключения на базу транзистора тиристор может остаться во включенном состоянии. В этом случае для выключения тиристора требуется дополнительный источник сигналов, котоключение тирпстора иили необходим отборвыключения, что в с5 большое количествовесьма нежелательно.Цель изобретения -ности работы от однлоь.ттельных резисторов 5 - 9, конденсатора 10 и стабилитрона 11.Тиристор 1 питается постоянным напряжением от высоковольтного источника питания, положительный полюс которого подключен к клемме 12, а отрицательный полюс заземлен; питание транзисторов осуществляется от низковольтного источника питания, положительный полюс которого подключен к клемме 13, а отрицательный также заземлен. Смещение на базу транзистора подают от источника фиксированного смещения, положительный полюс которого подключен к шине 14, а отрицательный соединен с положительным полюсом низковольтного источника питания. Управляющий импульс подается от шины 15 управляющих сигналов. Резистор 8 в высоковольтной анодной цепи тиристора при открытом состоянии последнего ограничивает в нем ток до величины, во много раз меньшей тока включения тиристора. Резистор 5, соединяющий базу транзистора 2 через разделительный диод 4 с анодом тиристора, ограничивает базовый ток транзистора (ток тиристора в низковольтных цепях) до величины, также во много раз меньшей тока включения тиристора.Общий ток, протекающий через тиристор (с учетом тока, отдаваемого в нагрузку, например, газоразрядный индикатор), остается во много раз меньшим тока включения и тока выключения тиристора (рабочая точка тиристора всегда расположена ниже точек, соответствующих току включения и выключения на статической вольтамперной характеристики). Транзистор 3 и конденсатор 10 служат для надежного запирапия тиристора при подаче на базу транзистора управляющего сигнала. Стабилитрон 11 предусмотрен для того, чтобы в исходном состоянии транзистор 3 был закрыт. Напряжение стабилизации стабилитрона должно быть больше напряжения источника, питающего транзистор 2. Это необходимо для того, чтобы в исходном состоянии базовый ток транзистора 2 был равен нулю.Устройство работает следующим образом,При подаче управляющего импульса отрицательной полярности на базу транзистора 2 (шина 15), последний отпирается, по коллекторному сопротивлению (резистор 6) в управляющий электрод тиристо 1 О 15 20 25 30 35 10 45 50 55 ра 1 течет ток, который переводит тиристор в открытое проводящее состояние. На аноде тиристора 1 появляется низкий потенциал общего минуса (земли), и через разделительный диод 4 и резистор 5 течет базовый ток транзистора 2, поддерживающий транзистор в открытом проводящем состоянии, а последний удерживает в проводящем состоянии тиристор 1, и при спаде управляющего сигнала элемент памяти остается в этом новом, устойчивом для него состоянии (состоянии записанной единицы), когда открыты оба коммутирующих элемента - тиристор 1 и транзистор 2. В этом состоянии с анода тиристора снимается высокое напряжение и течет малый ток в высокоомную нагрузку элемента, например, газоразрядный индикатор. Транзистор 3 остается в закрытом состоянии, и конденсатор 10 через резистор 9 заряжается. Выключение тиристора осуществляется импульсом положительной полярности, подаваемым на базу транзистора 2 и через стабилитрон 11 на базу транзистора 3. При этом транзистор 2 запирается и ток управляющего электрода тиристора становится равным нулю. Транзистор 3 открывается, и напряжение конденсатора 10 оказывается приложенным к тиристору в обратном направлении, что приводит к надежному запиранию тиристора.В элементе памяти амплитуда запирающего сигнала должна быть больше напряжения источника питания транзисторов.Формула изобретенияЭлемент памяти по авт. св. Мо 268492, отличающийся тем, что, с целью увеличения надежности работы от одного источника управляющих сигналов, в него введены дополнительный транзистор, конденсатор, стабилитрон и ограничительный резистор, причем коллектор дополнительного транзистора через ограничительный резистор соединен с шиной источника низкого напряжения и через конденсатор с анодом тиристора, база - с анодом стабилитрона, катод которого соединен с базой основного транзистора, а эммитер - с общей шиной источников питания высокого и низкого напряжения.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1, Авторское свидетельство СССР Ко 268492, кл. й 11 С 11/34, 1968.Заказ 2797/19 Изд.134 Тираж б 3 Подписное НПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2
СмотретьЗаявка
2667194, 26.09.1978
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ М-5671
КИСЕЛЕВ ВЛАДИМИР ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/34, G11C 11/39
Опубликовано: 30.01.1980
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-712849-ehlement-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент памяти</a>
Предыдущий патент: Устройство для измерения параметров термопластического носителя информации
Следующий патент: Терморезистор
Случайный патент: Полупроводниковое переключающее реле