Ячейка памяти

Союз Совесник Социалистических Республик(23) Приорите осударотаенныи комитеСовета Министров СССРао долам изобретенийн открытий 7. Бюллетень2 публиковано 15.07 3) УДК 681,327ата опубликования описания 01.08.7(72) Авторы изобретен ердлов и Б, М, Соск Заявитель(54) ЯЧЕЙКА ПАМЯТ Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике, в частности, к постоянным запоминающим устройствам.Известны электрически, программируемые постоянные запоминающие устройства (ПЗУ ЭП), например, биполярные ПЗУ ЭП, программирование которых производится путем выжигания алюминиевых или нихромовых связей, переходов эмиттер - база транзисторов, шунтирования или пробоя диодного перехода (1. Эти устройства характеризуются необратимостью изменений, что делает невозможным перезапись информации, электрической перезаписи. Транзистор с плавающим затвором (ТПЗ) имеет возможность многократной электрической перезаписи, многократного программирования, полной дешифрации адреса на одном кристалле с накопителем, использования стандартной технологии. Наиболее близкой к изобретению по технической сущности является ячейка памяти, содержащая последовательно соединенные управляющий МДП-транзистор и запоминающий транзистор с плавающим затвором 2). При необходимости записать О управляющий транзистор не открывается, исток ТПЗ с землей устройства не соединен, и на нем появляется отрицательное (для р-канального прибора) напряжение. То же напряжение возникает и на поверхности кремния в области канала. Все это приводит к появлению отрицательного напряжения на затворе ТПЗ, что вызывает соответствующее увеличение пробивного напряжения р-и перехода стока. Если напряжение на сто ке У, меньше этого пробивного напряжения,то пнжекция электронов не происходит (запись О). Таким образом, в зависимости от состояния управляющего транзистора происходит запись О или 1. Однако при опре- О деленных параметрах ТПЗ возникающее назатворе напряжение может быть недостаточным для необходимого увеличения пробивного напряжения. В этом случае /с ТПЗ следует ограничивать, чтобы не произошло ложной 5 записи, но при этом в режиме записи 1 ослабляется процесс инжекции, что уменьшает величину заряда на затворе ТПЗ. Таким образом, имеющее место в известной ячейке ограничение величины записывающего напряжения О отрицательно сказывается на надежностиячейки.Целью изобретения является повышение надежности за счет увеличения допустимого напряжения записи, В описываемой ячейке это 5 достигается тем, что в ней между затвором истоком запоминающего транзистора с плава юшим затвором включен конденсатор.На чертеже показана описываемая ячейка, Опа содержит запоминающий транзистор 1 О с плавающим затвором, последовательно сое/з - (/с +п)Сзс Формула изобретения Составитель И. Малкис Тюрина Текред 3. Тараненко Корректоепанова едактор каз 1654/18 Изд.609 Тираж 738 ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Подпнсно пография, пр. Сапунова диненный с управляющим МДП-транзистором 2. Между затвором и стоком запоминающего транзистора 1 с плавающим затвором включен конденсатор 3.Пробивное напряжение стока транзистора 1 Упр,= Упр, +У где Упр - величина пробивного напряжения при напряжении на затворе, равном нулю; У, - напряжение на затворе. Напряжение на затворе Уиндуцируемое напряжением на стоке У, при запертом управляющем транзисторе, может быть записано в виде где К - постоянная для данного транзистора величина, определяемая соотношением емкостей затвор в ист, затвор в подлож, затвор в ст; Уп - пороговое напряжение транзистора; С,с - емкость между затвором ТПЗ и его стоком.Таким образом, величина индуцированного напряжения Уз может быть повышена путем увеличения емкости Сз, Очевидно, что при определенной величине Сзс можно достигать соотношения У.)Ут. е. ни,при каком напряжении Ье (в известных, довольно широких пределах) пробой стокового р-и перехода не происходит.Таким образом, включение конденсатора 3 увеличивает допустимое значение /е.Конструктивно конденсатор может быть выполнен в виде, например, межэлектродной емкости. Изобретение было проверено на ТПЗ с шириной затвора 10 мкм и с длиной 7 м и 15 мкм.Было найдено, что увеличение относительной величины емкости сток в затв только в два раза увеличивает допустимое значение У, на 10 В, Напряжение на затворе ТПЗ, возникающее вследствие инжекции электронов в режиме записи, приблизительно равно разности записывающего напряжения на стоке Ус и про бивного напряжения УпрТаким образом, увеличение допустимогостокового напряжения У, на 10 В позволяет повысить на 10 В напряжение на затворе ТПЗ после записи. Это приводит к увеличению вре мени открытого состояния ТПЗ, т. е. увеличивает длительность хранения информации. 20 Ячейка памяти, содержащая последовательно соединенные управляющий МДП-транзистор и запоминающий транзистор с плавающим затвором, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности ячейки, в ней 25 между затвором и стоком запоминающеготранзистора с плавающим затвором включен конденсатор. Источники информации, принятые во вни 30 мание при экспертизе 1, Патент США3723 б 95, Сг 11 С 17/00, 1970. 2, Патент США3500142, 6 11 С 11/40, 1970,