Лихацкий

Номер патента: 1824971

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Липатов, Лихацкий, Луговой

МПК: E02B 3/18, E02D 17/20

Метки: земляного, откоса, покрытие, сооружения

...весьма технологична, может изготовляться серийно в заводских условиях, доставляться любым транспортом к местам строительства и легко и быстро укладываться механизмами или вручную.Теплоэащитный экран на откосе земляного сооружения работает следующим образом. В холодный период года, когда атмосферный воздух, попадающий в воздушную полость 6 экрана, имеет температу 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 сооружения под снежным покровом, возникает разность температур между поверхностью сооружения и воздухом, Это приводит к появлению градиента плотности воздуха. Этот градиент, в свою очередь, вызыв,ет появление сил плавучести в поле тяготения, которые приводят в движение воздух путем свободной конвекции, увеличивающей интенсивность теплообмена...

Номер патента: 1805071

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Астановицкий, Вербицкий, Лихацкий, Лобанов, Тальмин

МПК: B60R 16/04

Метки: аварийного, осветительной, сети, средства, транспортного, электропитания

...к транспорту,точнее к транспортным средствам с автономным источником питания и аккумуляторной батареей,Цель изобретения - повышение надежности. На чертеже приведена схема устройства, которая содержит генератор постоянного .тока 1, аккумуляторную батарею 2, осветительную сеть. 3, регулятор напряжения осветительной сети 4, блок контроля напряжения осветительной сети 5, первый ключ 6, второй ключ 7, секцирнированный резистор измерительного устройства регунапряжения генератора с обмоткой возбуждения генератора 9, предохранитель в цепи возбуждения 10, предохранители .осветительной сати 11, 12, диод, исключающий протекание обратного тока 13.Устройство работает следующим образом.Во время движения транспортного 25 30 35 40 45 50 а 55...

Номер патента: 1783454

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Балтянский, Зверева, Карпанин, Лихацкий, Метальников, Чернецов, Шубин

МПК: G01R 31/26

Метки: деградации, мдп-структур

...в целом это позволяет уменьшить интервал времени от начала эксперимента до момента стабилизации токаинжекции;- останавливать рост напряжения на выхода задающего генератора 1 . поступаМДП-структуре в момент достижения ин- ет на аналоговый вход КМП 2. При этомжекционного тока заданной величины; напряжение на выходе КМП определяется- устанавливать напряжение на МДП- выражениемструктуре, равное нулю после окончания 5 Ог = Кг 61, . (1)очередного цикла воздействия.:-: где Кг - коэффициент передачи КМП, проБведение интегратора позволяет не- порцибнальный двоичному коду числа, попосредственно по напряжению с его выхода ступающего-на управляющий вход КМП ототсчитывать величину заряда, протекшегосчетчика 33 блока 12 управления. При...

Номер патента: 1552228

Опубликовано: 23.03.1990

Авторы: Лихацкий, Романов, Филатов, Шубин

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее, логическими, памяти, постоянное, состояниями, элементах

...(т.е. на дополнительном выходе 15 устройства) формируется сигнал высокого уровня, кото 5 рый информирует пользователя о необходимости прекращения цикла программирования для данного ЭП 2, Этот же сигнал обеспечивает через элемент ИЛИ-НЕ 10 отключение усилителя 9 10 программирующих импульсов. Если схема 7 сравнения указывает на несовпадение кодов, то внешними средствами сигнал.на первом управляющем входе 16 переводится в состояние низкого уровня, блокируя в текущем состоянии все усилители 5 считывания и разрешая работу усилителя 9 программирующих импульсов. При этом число формируемых программирующих импульсов 20 должно быть таким, чтобы приращение заряда на плавающем затворе -транзистора ЭП 2 вызывало приращение 6 Б потенциала на...

Номер патента: 1444891

Опубликовано: 15.12.1988

Авторы: Куварзин, Лихацкий, Яковлев

МПК: G11C 11/34, G11C 17/00

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...и расположенные на поверхности полупровоцниковой подложки в диэлектрическом слое под соответствующими пересечениями чнс.нов.:, н разрядных шин области понун р;и. впик, на соответствующих участках поверхности которых размещены с зазором области диэлектрика, на поверхности которыхрасположены соответствующие числовыешины, а на поверхности областей полупроводника в зазоре расположены соответствующие разрядные шины.Кроме того, для обеспечения мно-.гократной записи информации, область диэлектрика выполнена двухслойной, например, из двуокиси кремния толщиной 1,5-2,5 нм и нитридакремния толщиной 50-100 нм.На фиг. 1 показана конструкцияматричного накопителя; на фиг. 2 -разрез А-А на фиг, 1; на фиг. 3конструкция перепрограммируемойячейки...

Номер патента: 1444890

Опубликовано: 15.12.1988

Авторы: Куварзин, Лихацкий, Яковлев

МПК: G11C 11/34, G11C 17/00

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...требуется создание межсоединеннй между стоковьми, истокосвыми и затьорными областями площадьячейки данного матричного накопителязначительно велика,Целью изобретения является повышение степени интеграции матричногонакопителя ПЗУ.Поставленная цель достигается тем,что в матррг 1 ный накопитель для ПЗУ,который содержит полупроводниковуюподложку, на поверхности которой расположен диэлектрический слой на поверхности которого расположены изолированные друг от друга числовыеи разрядные шины, выполненные изпроводящего слоя, введены областинизколегированного полупроводника иобласти диэлектрика, последовательнорасположенные на поверхности полупроводниковой подложки в диэлектрическом слое под соответствующими пеника 3...

Номер патента: 1278978

Опубликовано: 23.12.1986

Авторы: Лихацкий, Филатов, Шубин

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающее, информации, перезаписью, постоянное

...8, заряжается одна выбранная строка 7. вторую группу адресных шин 21 (прямых и инверсных), управляющие шины 22 и 23.Устройство работает следующим образом.В невыбранном режиме (режиме хранения) на шины 16 поступает потенциал логической единицы, на прямую и дополнительную к ней шины 21 кода младшего разряда адреса 21, образующие первую группу адресных шин, подают потенциал логического нуля (или логической единицы), на 10 шину 13 записи в режиме считывания ихранения поступает потенциал, уровень которого ниже напряжения, необходимого для записи информации, и по крайней мере равный напряжению питания устройства.15На шинах 15, 20, 22 и 23 устанавливаетсянизкий уровень напряжения, в результате блоки 12 отключены от шины 13. Состояния...

Номер патента: 1133542

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Добровольский, Каплуненко, Лихацкий, Покровский, Стрижало, Трощенко

МПК: G01N 29/04

Метки: материалах, развития, регистрации, трещин

...характер развития трещины 2 .35Известный способ не позволяет ог 1 ределить запас прочности и остаточную долговечность материалов, в которых стабильность трещин сопровождается нестабильными скачками. 40Цель изобретения - повышение ин, Формативности контроля за счетопределения запаса. прочности и момента начала нестабильного развитиятрещины.Поставленная цель достигаетсятем, что согласно способу регистрации развития трещин в материалах,заключающемуся в том, что исследуемыйматериал подвергают циклическому 50нагружению, регистрируют сигналы.непрерывной акустической эмиссии,фиксируют количество циклов нагрукения и по параметрам сигналов акустической эмиссии.в зависимости от ,55циклов нагружения определяют характерразвития трещины,...

Номер патента: 1034669

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Лихацкий, Тарасов

МПК: A01K 5/00

Метки: дозированной, массы, подачи, стебельчатой

...очес стебельчатой массььИзвестно устройство для подачи стебельчатой массы, включакхцее приемный транспортер, выгрузной кожух, счесываю щее приспособление, подающий транспортер 2Однако данное устройство обеспечйва недостаточно высокое качество работы.Известно также устройство для дозяр венной подачи стебельчатой массы, содержащее приемный транспортер, над выгрузным концом которого размещено счесываюшее приспособление, подающий тражпортер, установленный за и ниже выл руэного конца приемного транспортера, и направлякзцие щитки, расположенные по бокам приемной части подающего транспортера 3 .Однако при движении рабочей ветви вверх масса может проходить нац счесывакзцим приспособлением ю падать на подающий транспортер, что снижает ка 3...

Номер патента: 881860

Опубликовано: 15.11.1981

Авторы: Куварзин, Лихацкий, Яковлев

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...изолирующийслой и нанесенный на него третий управляющий слой поликристаллическогополупроводникового материала, третийизолирующий слой нанесен частично навторую легированную область подложки, второй управляющий слой и частично на поверхность первого управляющего слоя.На чертеже представлено предлагаемое устройство.Элемент памяти содержит полупроводниковую подложку 1 р-типа с поверхностной концентрацией примеси5 10 -5 10 Ь см- с расположеннымив ней высоколегированными областямии-типа 2, являющимися областями истока и стока, На полупроводниковойподложке расположен первый слой поликрмния 3, изолированный от подложкн слоем диэлектрика 4. Диэлектрический слой 5 изолирует второй слойполикремния б от подложки 1 и первого слоя поликремния 3. Над...

Номер патента: 672561

Опубликовано: 05.07.1979

Авторы: Зенкин, Кантур, Лихацкий, Пономаренко, Разинков

МПК: G01N 29/04

Метки: качества, неразрушающего, соединений

...по- перечно-прессовых соединений от суммарного количества импульсов акустической эмиссии.Предлагаемый способ заключается в следующем.С помощью злектроМеханического преобразователя, например пьезоэлектрического, устанавливаемого на одном из соединяеьаех деталей, сигналы акустической эмиссии преобразуют в электрические с регистрацией их в пе6725614в выбранной зоне, по которым судято прочности соединения.Прочность соединения тем меньше,чем больше суммарная эмиссия в выбранной зоне.Использование предлагаемого споч соба позволит осуществлять контрольв процессе сборки, исключив послеоперационный контроль. 10 Формула изобретения 40 Рю Ру аф гсвг Фиг РРФ ФУ РЖ ЭУ ИУ 089 Подписное ИЗаказ 38617 нт , г. ул. Проектная П Фнл 3риод формирования...

Номер патента: 372140

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Кривобоков, Лихацкий, Маликов

МПК: B65G 45/14

Метки: конвейера, ленты

...выполнены эллиптическими.Кроме того, диски могут быть выполнены из эластичного материала, предпочтительно из материала ленты. иены из эластичного материала ленты конвейе а. РПривод смонтирован на основании такимобразом, что момент силы веса привода от 5 носительно опоры больше момента силы весаоси 4, Разность этих моментов определяетсилу прижатия дисков к ленте 7 конвейера.Угол а наклона эллиптических дисков к осиопределяется углом наклона оси отверстия10 шайб к их торцу, равным 90 - а,Эллиптические диски и шайбы б жесткокрепятся на оси с помощью гайки 8.Устройство работает следующим образом.Вращательное движение привода передается15 с помощью ремня 9 оси 4. Рабочая поверхность эллиптических дисков б (поверхность,соприкасающаяся с лентой...

Номер патента: 333395

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Войцицкий, Лихацкий, Новиков

МПК: G01B 7/16, G01N 3/06

Метки: зарождения, листовомметалле, распространения, скорости, трещин, характеристик

...зарождением микродефектов, и установки частотных и амплитудных значений сигналов, покоторым определяют сопротивление металларазрушению и скорость распространения трещин.Предлагаемый способ пояПредлагаемый способ осдующим образом.На образец 1, выполненный с надрезом,укрепляют на некотором расстоянии от липшпвозможного распространения трещин пьезокерамические датчики 2, которые связаны с регистрирующим прибором 3. Образец располагают в вакуумной камере и прикладывают кнему внешнюю растягивающую силу. По мереповышения нагрузки в зоне А, которая является инициатором трещин, так как в этом местенакапливается наибольшая упругая энергия,будет возрастать степень пластических деформаций, вызывающих появление микротрещины,333395 Предмет...