Способ изготовления щелевой диафрагмы для рентгеноструктурных исследований

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 16616 3 яц 6 01 й 23/20,6 21 К 1/04 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ С ЕЛЬСТВУя Ю чы 6 Изобретение относится к технической раллельно главной плоскости (110), а плофизике и может быть использовано для из- скость щели выбирают параллельно кри- СЬ готовления узких щелей коллиматоров рен- сталлографическому направлению (112). 0 тгеновского излучения. При этом перпендикулярность боковых гра- . аЦель изобретения - повышение контр- ней щели плоскости монокристаллической 0 аста коллимируемого щелевой диафрагмой" кремниевой пластины 2 определяется анирентгеновского пучка, зотропией свойств монокристаллическогоНа фиг,1 показана схема введения ка- . кремния, а параллельность боковых сторон л брованной пластины в щель диафрагмы;: щели 1 - параллельностью атомных плоскофиг 2- схема напыления металла и пере стер е решетке монокристаллического крем,Ря мешивания калиброванной пластины во ния,еией время напыления. При напылении металлических слоев 3Способ изготовления щелевой диафраг- и 4 возникает опасность. перекрытия напымы для рентгеноструктурных исследований ляемым металлом щели 1, С целью сохране- осуществляют следующим образом, ния поперечного размера щели приЩель 1 получают химическим травлени- формировании металлического покрытия на ем в пластине 2 из монокристаллического щелевой кремниевой диафрагме применякремния, плоскость которой формируют па- ют следующую технологию. В щелевое от(21) 4745420/25(71) Институт ядерной физики АН КазССР(56) Авторское свидетельство СССРЬ 1213355, кл, 6 01 З 3/04, 1982,Авторское свидетельство СССРМ 1277042, кл, 6 02 В 5/18, 1985.(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЩЕЛЕВОЙДИАФРАГМЫ ДЛЯ РЕНТГЕНОСТРУКТУРНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ(57) Изобретение относится к техническойфизике и может применяться при рентгеноструктурных исследованиях поликристаллических материалов, Цель изобретения состоит в повышении точности определения структурных параметров исследуемых материалов путем получения узких дифракционных линий, что достигается применением узких(5-30 мкм) строго параллельных сколлимированных пучков рентгеновских лучей. Щелевая диафрагма для этого формируется изотропным травлением через маску пластины монокристаллического кремния и содержит на пыле ные покрытия из поглощающего рентгеновское излучение металла с обеих сторон. Для предотвращения запыления щелей диафрагмы в них вставляются пластины слюды, которые в процессе напыления поглощающего рентгеновское излучение металла сдвигаются навстречу потоку пара напыляемого металла.1 з,п.ф-лы 2 ил.верстие 1 пластины 2 в световом микроскопе с увеличением х 1000 в просвечивающем режиме при помощи устройства 5, состоя щего из микрометрической винтовой подачи, вдвигают пластинку 6 (набример, из слюды) с поперечным размером, меньшим поперечного размера щелевого отверстия диафрагмы. Кремниевую пластину 2 со щелью 1 жестко закрепляют на устройстве 5, причем плавное вертикальное перемещение пластинки 6 в щелевом отверстии 1 осуществляют микрометрическим винтом с шагом 0,5 мкм. Закрепленную конструкцию помещают в камеру установки магнетронного распыления металлов (Ац, РЬ, Рт и т.д.).Метод магнетронного распыления позволяет получать металлические пленки толщиной более 100 мкм в непрерывном режиме, В ходе напыления на выступающем из щели 1 на конце пластинки 6 осаждается металлическая кромка 7 с утолщением,. Для предотвращения слипания краев кромки 7 со слоем 4 напыляемого на кремниевую пла стину 2 металла пластинку 6 плавно выдвигают навстречу потоку пара 8. После достижению необходимой толщины слоя 4 процесс прекращают, после чего пластинку 6 выдвигают со стороны напыленного слоя металла. Для создания второго слоя 3 металлического покрытия пластину 2 переворачивают и повторяют описанные операции по вдвижению пластинки 6, проведению напыления и выдвижению пластинки 6. Таким образом способ позволяет получать щелевые отверстия с поперечным размером 1 - 10 мкм в слое металла (Ав, РЬ и т.д.) толщиной 5 - 30 мкм, где в качестве 5 основы используются кремниевые щелевыедиафрагмы с шириной щели 1 - 10 мкм.Формула изобретения10 1. Способ изготовления щелевой диафрагмы для рентгеноструктурных исследований, включающий формирование прямоугольной щели в монокристаллической пластине кремния путем анизотропно го травления через маску, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью увеличения контраста коллимируемого щелью рентгеновского пучка, пластину изготавливают с ориентацией плоскости поверхности параллельно 20 плоскости (110), направление щели в маске.выбирают параллельным кристаллографи-, ческому направлению (112), на поверхность пластины с двух сторон напыляют слой рентгенопоглощающего металла, причем перед 25 напылением в щель вставляют калиброванную пластину толщиной на 5 - 10 меньше ширины щели, которую во время напыления сдвигают навстречу потоку пара надыляемого металла.30 2. Способ по п.1, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что используют калиброванную пластину, выполненную из слюды или, монокристаллического кремния.1661633 Редактор О.Голов ЪТираж ПодписноеГосударственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5. Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 10 Заказ 2118ВНИИП оставитель ехред М.Мо Алешко-Ожевскийентал Корректор Н.Король