H03K 19/10 — с использованием туннельных диодов

Номер патента: 182402

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: H03K 19/10

Метки: 182402

...на участок с положительным сопротивлением (Рб, если 1 гд)0, и АВ, если 1 тд(О) .В этом случае напряжение Уе в точке 9, оказывается больше значения 11 гд и имеет порядок нескольких сотен милливольт.При подаче на вход схемы сигнала, имеющего порядок единиц вольт (что соответствует реальному режиму ее работы на полупроводниковых приборах), в точке 9 устанавливается напряжение Ид. Ютд, происходит отпирание одного из триодов (Тт либо Т) и сигнал У имеет величину, порядок которой - единицы вольт. При подаче на вход схемы сигнчина которых определяется дрейфоходного сигнала схемы, напряженике 9 оказывается таким, что Уэтом случае сигнал на выходе схемлевой потенциал с точностью до десятков милливольт.Таким образом, при последовательном...

Номер патента: 184521

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Галецкий, Любович

МПК: H03K 19/10

Метки: диодах, диоде, заряда, логический, накоплением, не-или, туннельных, элемент

...на ко подаются импульсы установки в ноль. м зг ику итемвост диод мленторо ннельном диодеюй импульс пеИзвестны логические элементы НЕ - ИЛИ на туннельных диодах и диоде с накоплением заряда, содержащие запоминающую ячейку и выходной формирователь,Предложенное устройство отличается от известных тем, что туннельный диод запоминающей ячейки соединен с заземленной шиной через сопротивление, на которое подаются импульсы установки в ноль. Это позволило повысить помехоустойчивость элемента путем устранения паразитного накопления заряда и помехи обратной связи, а также повысить надежность и упростить устройство, применив для обеспечения однонаправленной передачи информации только две последовательности управляющих импульсов.На чертеже...

Номер патента: 187402

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Дейнеко, Попов, Сомкни

МПК: H03K 19/10, H03K 19/20

Метки: патентно

...в коллекторно ным диодом памяти в базовой це торого соединен через развязыва с источниками тактовых, рабочих 5 ванных запретных импульсов, а в мотка трансформатора подключ тивлению, связанному через ди ком инвертированного запретногИзвестны схемы зап дах и транзисторах,Предложенная схем ных тем, что содержит с трансформатором в ным диодом памяти в торого соединен через источниками тактовы ванных запретных им мотка трансформатор тивлению, связанному ком инвертированног а отличается от известинвертирующий каскад коллекторной и туннель- базовой цепях, вход коразвязывающие диоды с х, рабочих и инвертиропульсов, а вторичная оба подключена к сопрочерез диод с источнио запретного сигнала,Это повышает надежноссогласовании рабочего и рво...

Номер патента: 181383

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: H03K 19/10

Метки: 181383

...импульс. тет изобретени Логичес нельных и запоминаю ватель, от личения к нающая ячИзвестны логические элементы НЕ -ИЛИ на туннельных и обращенных диодах.Предлагаемый элемент содержит запоминающую ячейку на туннельном диоде, в зависимости от состояния которой изменяется проводимость управляющего обращенного диода.Для увеличения коэффициента разветвлениязапоминающая ячейка соединена с выходнымформирователем цепочкой из двух встречновключенных обращенных диодов, емкости и 10управляющего обращенного диода, присоединенного одним электродом к точке соединения одного из диодов и емкости, а другим -к общей шине,Элемент имеет больший коэффициент усиления, а следовательно, больший коэффициентразветвления, чем известные...

Номер патента: 199527

Опубликовано: 01.01.1967

МПК: H03K 19/10, H03K 19/20

Метки: или, логический, не, радиоимпульсньш, элемент

...сигналов. Каждый диод соединен с соответствующим входом элемента. Кроме того, со стороны входа каждый диод через активное сопротивление Рт, Я Р соединен с источником постоянного смещения Г. Сопротивления служат для замыкания по стоянной составляющей тока детектора, а источник смещения - для выравнивания постоянных потенциалов: на обоих зажимах обра. щенных диодов в тот момент, когда тактовое напряжение в точке подключения сборки равно нулю,Схема работает следующим образом. Пиковый ток туннельного диода ТД 1 выбирается несколько большим, чем пиковый ток диода 15 ТД . В результате, при отсутствии входногоуправляющего сигнала в момент действия положительной полуволны тактового напряжения на одном из выходов элемента, например выходе...

Номер патента: 201772

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Александров, Андреещев, Симченков

МПК: H03K 19/10, H03K 19/20

Метки: двухтактный, запретом, разветвляющий, элемент

...2 и ебудет,Запись 1 на ячейки И и Я 2 происходит следующим образом.На ячейку Я 1 ведется запись 1 во времядействия напряжения первого такта и входного сигнала на входе 4. Под действием входного сигнала и тактового напряженияпроисходит переключение ячейки Я 1 в единичное состояние, После этого напряжениена туннельном диоде 1 этой ячейки, изменяясьпо закону изменения тактового напряжения,увеличивается до нуля. Вместе с этим происходит нарастание коллекторного тока транзисторов 2 и 3. Нарастающий коллекторныйток при достижении определенной величиныпереключает туннельный диод 5. Переключение туннельного диода 5 происходит с некоторой задержкой после переключения туннельного диода 1. Ячейки Я 1 и Я 2 будут сохранять единичное ссссо дс...

Номер патента: 211880

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Антоненко, Иванцов, Кудинов, Шаповалов

МПК: H03K 19/10

Метки: логическая, универсальная, ячейка

...инфо в ячейку туннельный диод 1 перейдет ковольтное состояние, транзисторы 3 и дут в насыщение и к приходу тактово пульса будут представлять собой зал ключи, через которые ямпульс тока оуд ходить на выход ячейки 17 и 18, Сброс мации осуществляется путем подачи си ЗО сброса на заиимы 12 или 13.записи, а на са инфор,маключа ются к сигналы ениУниверсальные логические ячейки, содержащие элемент памяти на двух последовательно включенных туннельных диодах и транзисторы считывания, известны, требуют строгих допусков на параметры туннельных диомидов и источников питания.Предлеж енин ая ячейка содержит дополнительные транзисторы сброса, включенные пс схеме с общим эмиттерсм, коллекторы которых соединены вместе и подключены к точке соединения...

Номер патента: 219623

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Ленинградский, Марков

МПК: H03K 19/10

Метки: логический, элемент

...ным, двуредмет изобретен и Логический элемент, содержащный диод с параллельно включендающей К 1.-цепью и транзистор,по схеме с общей базой, от,гичачто, с целью повышения быстродетуннельного диода через резисторк источнику смещения и через кок источнику пусковых импульсов,эмиттеру транзистора. ий туннельой времязавключенныиюигийся тем тствия анод подсоединен нденсатор - а катод - к с присоединением заявки Известны логические элементы, содержащие туннельный диод с параллельно включенной времязадающей К 1.-цепью и транзистор, включенный по схеме с общей базой.Известные элементы, выполненные на туннельном диоде (ТД) и транзисторе, позволяют получить сравнительно большое быстродействие за счет ТД и однонаправленность действия за счет...

Номер патента: 281542

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Артюх, Баумс

МПК: H03K 19/10, H03K 19/21

Метки: дешифратор, несовпадения

...напряжением на прямосмещенном 25 диоде 7 транзистор 8 смесителя к границесрабатывания туннельного диода 9. Прц воздействии тактового импульса диод 7 закроется, ток туннельного диода 5 пере.;лючцтся в цепь базы транзистора 8 ц вызовет срабаты ванне релаксатора. На выходе схемы образу281542 Составитель А, ФедороваКорректо сдактор Е. В. Семано анкулова Тираж 480омигета по делам изобретений и открытий при СовМосква, )К, Раушская наб., д. 4,5 Ваказ 541 П,ПИИП ПодписиоМинистров ССС горская типографи ется импульсный сигнал, соответствующий несовпадонию входных оигпалов, Вследствие усиления по мощности транзистора 8 и индуктивных свойств его эмитгерно-базового перехода выходной сигнал будет уснлен по напряжецию и моигости до уровня,...

Номер патента: 321950

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Мошенский, Плтейтш

МПК: H03K 19/10

Метки: логический, элемент

...13 используется дляразвязки логического элемента от низкоомной10 схемы генератора тактовых сигналов, диоды14 и 15 - для развязки логического элемента от низкоомной схемы генератора тактовыхсигналов сброса.Принцип работы устройства заключается в15 следующем,В исходном состоянии правому плечу схемы, переключающей ток, задается путем подключения источника 1 б положительного смещения преимущественное прохождение тока от20 источника 17 при отсутствии входного сигнала на диоде 1. В течение полутакта тактовойчастоты диод 3 накапливает заряд, которыйстекает через диод 8 путем подачи импульсаустановки через диод 13. Импульс тока, соот 25 ветствующий выкаченному заряду, перебрасывает туннсльный диод 9 в единичное состоя.ние. Импульс сброса через...

Номер патента: 290452

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Железн

МПК: H03K 19/10

Метки: всесоюзная, кдгбиблио-tka, яиятйо-техш

...5),Кроме того, представляется возможным осуществление усилительного режима в схеме, когда линия нагрузки совпадает на некотором участке с линией отрицательного сопротивления на входной характеристике. Этот рысим схемы не исследовался.Из вышеизложенного следует, что в зависимости от величины сопротивлений резисторов 4 и 5 схема может работать как: одцовпбратор от входных импульсов отрицательной полярности; одновибратор от входных импульсов положительной полярности; элемент с двумя устойчивыми состояниями, т. е, триггер ц авто- генератор разрывных колебаний.Следует отметить, что полярность рабочих импульсов для схемы можно изменить, поменяв местами транзистор 1 и транзистор 2 и соответственно изменив полярность включения ТД и источников...

Номер патента: 304700

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Ельник

МПК: H03K 19/10

Метки: озная, патентш-гангеиая

...1.Входные сигналы приходят со схем М 1 РО, поступают ца входы 1- -3 и прцццмюот двя ) О Б5: 113 к 111 0 Г ) 1 11 Я Г с, ь 1 111 Г,и 1 ." 0 к 11 положительный К,.Ис 10 ПЕик цс 1 пр 5 жсци 51 +( 1, рсзцстор А 2 е входные диоды Д образуют схему сборки для СдиццПЬЕХ СИГцяЛОВ Ь. При ПодКЛЕОсЕСНИИ ця вход ( схемы, приведенной на фиг. 3, диоды Д, образукт схему совпадения с,еццисНьх сигцдлов.11 СТОсНИ 1 ар 51 ЖСЕ 151 - Е 2 11 рСЗИС Гор (1, ООРдзУн)т токоиыЙ сток, Оосспс 1 ивспОНЕИЙ и ГЕ) кс В ток (2. Оспоицая чдсп этого тока протекает через Д 113 цли Д в зависимости от комбинации входных сигналов. -1 срез диод Д, на базу ДНЗ подается поло)кцтсльцый актовый иеПульс, производящий рассасывацце цакоплецного заряда и запирающий ДНЗ. Источник...

Номер патента: 309462

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Артюх, Баумс, Вычислительной, Загурский, Институт

МПК: H03K 19/10

Метки: логический, универсальный, элемент

...состояния аналогичного элемента и не могут быть источником стробирующих сигналов. Поскольку стробирующий импульс для известной схемы не является логической переменной, а лишь определяет такты работы устройства, то построение асинхронных устройств на его основе исключено. В известном элементе параметры импульсного сигнала на выходе зависят от параметров стробирующего сигнала. Поскольку для сравнительно сложных систем с значительным числом элементов обеспечить стабильность стробирующих импульсов сложно, то надежность работы таких систем снижается.В известном элементе затруднено его согласование с другими элементами устройств, по скольку кодовый вход установки 1 не содержит элементов развязки и может управляться только источниками...

Номер патента: 314308

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Нагайкин, Цоканов

МПК: H03K 19/10

Метки: сравнения

...эмиттерного повторителя 13 подключена к эмиттеру первого эмиттерного повторителя 12 через измерительный ключ 17, между входом которого и генератором 7 включен элемент 8 и формирователь 9.Устройство работает следующим образом.В исходном состоянии все транзисторы устройства заперты, и туннельный диод 1 б находится на туннельном учаспсе вольт-амперной характеристики.При подаче импульса опроса с генератора 7 в эмиттерную цепь транзистора 5 через коллекторный переход последнего начинает протекать ток. При этом эмиттерные переходы транзисторов 2 и 3 смещаются в прямом направлении в соответствии с потенциалами314308 3входов А и В, на которые подаются сравниваемые сигналы. Если разность потенциалов входов А и В достаточна для смещения в прямом...

Номер патента: 423251

Опубликовано: 05.04.1974

Авторы: Артюх, Беспалько, Загурский

МПК: H03K 19/10, H03K 19/20

Метки: запрет, логический, элемент

...обратной связи 7закрыт.Имеющийся на входной шине 9 отрицательный импульс запирает накопительный диод 4и переключает ток в базу дополнительноготранзистора 5, вызывая срабатывание туннельного диода 6 усилителя-дискриминатора.Благодаря рассасыванию заряда, накопленного за время протекания через диод 4 прямоготока, и уменьшенному порогу срабатыванияусилителя-дискриминатора происходит ускоренное переключение диода 6 эмиттерным током транзистора 5. Вследствие этого выходной импульс на диоде 6 задерживается относительно импульса на входной шине 9 на доли наносекунды.Величина накопленного заряда экспоненциально зависит от длительности протеканияпрямого тока и существенна при длительностях 3 - 5 нсек, что соответствует частоте работы...

Номер патента: 474109

Опубликовано: 15.06.1975

Авторы: Мельник, Слива

МПК: H03K 19/10

Метки: или-и-не, логическая, схема

...Эмиттерный ток этого транзистор ачерез резистор 19 устанавливает туннельныйдиод 17 в н изковольтное состоя ни е,В течение последней четверти предыдущегопериода через диод 9 протекает прямой ток,котсрый приводит к накоплению заряда Яо==-Т 1,р. Если теперь в первом полутакте хотя бы на один из входов 3 - 5 поступает единичный (положительный) уровень, то соответспвуюший входной диод 1 открыт, и в негопереключается ток стока - Е, (резистор 13).Диод 7 закрывается, что приводит к перепплюченшо триггера на туннельном диоде 12в высоковольтное состояние, поскольку суммарный ток, проходящий через резисторы 13и 10, выбирается ббльшим пппкового тока туннельного диода 12. Появление положительно го напряжения в точке Б приводит к...

Номер патента: 474942

Опубликовано: 25.06.1975

Автор: Соловьев

МПК: H03K 19/10

Метки: совпадения, схема

...повышеннадежности,Для этого общая точка туннельных дичерез дополнительную катушку индуктивнподключена к общей шине.На чертеже приведена пэлектрическая схема.Устройство содержит выходные рези1 и 2, формирующие туннельные диодыодновибратор на туннельном диоде 5, каиндуктивности 6 и 7, переменный резии резистор 9.Устройство работает следующим обраВходные сигналы подаются черезсторы 1 и 2 на туннельные диоды 3 и 4 я является упрощениеие его быстродействия и мирующих триггеров, Сформированные сигналы Уф, и Пф, дифференцируются на катушке 6, являющейся одновременно и смеси- тельным элементом, одновибратор на диоде 5 5 срабатывает от суммы токов продифференцированных сигналов отрицательной полярности Ук, и У,к, - на выходе...

Номер патента: 478441

Опубликовано: 25.07.1975

Автор: Мельник

МПК: H03K 19/10

Метки: быстродействующий, или-и-не, логический, элемент

...г) равна половинетакта и практически совпадает по временис приходом входного сигнала.Таким образом, ток прямого смешения,задаваемый резистором 12 может протекать через ДНЗ 11 только в полутактепоступления входных сигналов. При этом30единичные входные сигналы не разрешаютпротекание тока через ДНЗ 11, а нулевые- разрешают.В начале каждого такта на базу тран 35зистора 20 поступает положительный импульс сброса. Эмиттерный ток этого транзистора через резистор 19 устанавливаетТД 16 в низковольтное (нулевое) состояние,Из фиг, 7 а, г. видно, что с приходомположительной полуводны синхронизирующей синусоиды (по достижении примерно3/4 амплитуды) триггер на ТД 22 перьключается в высоковольтное состояние345 что приводит к повышению...

Номер патента: 510784

Опубликовано: 15.04.1976

Автор: Мельник

МПК: H03K 19/10

Метки: или-и-не, логическая, схема

...заряда 11 в течение первого такта протекает ток прямого смещения. Этот ток и концу первого такта обеспечиваст накопление в базе диода 11 заряда О,. Ток в диоде 12 накопления заряда отсутствует, заряд в его базе не накапливается, что достигается обеспечением небольшого отрицательного потенциала в точке Б (порядка - О,З В) регулировкой тока стока - Е, - резистор 6, Поступающий в начале второго полутакта через диод 9 отрицательный синхроимпульс, рассасывая заряд Оь вызывает протекание большого обратного тока через диод 11 и туннельный диод 14 на туннельный диод 22, в результате чего последний переключается в высоковольтное состояние, а на выходе 24 появляется единичный сигнал. В этом состоянии туннельно-транзисторный триггер находится...

Номер патента: 572930

Опубликовано: 15.09.1977

Авторы: Мельник, Слива

МПК: H03K 19/10

Метки: логический, элемент

...нулевые сигналы и,вом полутакте на входы 32, 33 (либо 34 и 35) следовательно, токи от резисторов 2 и 1 черезпоступает единичный (положительный) уро- диоды 7 и 8 удерживают диод 14 в низковень, то соответствующие входные диоды 15 вольтном состоянии, то ток 1 протекает че 3 - 6 открыты, и в них переключаются токи, рез диод 10 также в течение первой половинызадаваемые резисторами 2, 1. Диоды 7, 8 за- второго такта, что обеспечивает накоплениекрываются, что приводит к переключению ди- заряда неравновесных носителей в базе диодаода 14 в высоковольтное состояние, поскольку 10, равногосуммарный ток через резисторы 15 и 12 выби1 3рается большим пикового диода 14. д -+ о -- У 7,Появление положительного напряжения надиоде 14 приводит к...

Номер патента: 660260

Опубликовано: 30.04.1979

Автор: Баранцева

МПК: H03K 19/10

Метки: логическое, универсальное

...соединен с блоком 2 смещения и модуляции, катод - с первой шиной питания3, первая петля связи резонатора - свыходом устройства, входной блок 4,выполненный на суммирующей полосковои линии, входы которого соединеныс логическими входами устройства, авыход - с второй петлей связи резонатора,Устроиство работает следующим образом,Перед началом работы отражательныи клистрон импульсами.лмодулирующего напряжения тактов частотывводится в состояние отсутствия генерации ( рабочее напряжение смещения на отражателе минитрона Цо,выбирается на зависимости 1 1 Оор) в центре бистабильной области электронного гистерезиса 11 1 ,Цо(фиг. 2) .Устройство имеет нечетное число входов И один выход, состояние которого устанавливается в зависимости от...

Номер патента: 734878

Опубликовано: 15.05.1980

Автор: Баранцева

МПК: H03K 19/10

Метки: вычислительной, однородной, структуры, элемент

...1 не возбуж - ден.В этом состоянии элемент однородной вычислительной структуры выполняет функции разрыва цепи передачи сигналов в однородной вычислительной 5структуре.В рабочем состоянии на элемент однородной вычислительной структуры подается рабочее напряжЕние смещенияна отРажателе -Ертр 6 через шины цепи рабочего напряжения смещения 21нотр раб )Еотр.раба )2 отр.раба24 (Еотррач ) и радиоимпульсноенар-пряжение сигнала через однотактныесигнальные входные шины 3-10. В этом 25случае, если шины подвода модулиру.ющего напряжения тактовой частоты 25Пмод )26 )мйу ), 27 (Умодз(П) отключенй и модулирующее напряжение тактовой частоты не поступает на клистрон 1, то клистрон возбуждается, при этом модулируюЮее"напряжение тактовой частоты не...

Номер патента: 1231601

Опубликовано: 15.05.1986

Авторы: Албегова, Александрова, Жилин, Мисевра

МПК: H03K 19/10

Метки: умножитель, частоты

...11, вторая обкладка которого соединена с общейшиной устройства, первая обкладкавторого конденсатора 11 соединеначерез второй резистор 9 с шиной 6источника питания. Устройство работает следующим образом.Входной сигнал усиливается и выделяется в коллекторной цепи транзистора источника 7 входного сигнала на трансформаторе 4 с резонансной обмоткой. Первая обмотка трансформатора 4 и диоды 12 и 13 с накоплением заряда совместно с резисторами 8 и 9 смещения, блокировочными конденсаторами 10 и 11 служат для формирования коротких импульсов. В течение отрицательного полупериода напряжения через диоды 12 и 13 протекает ток от положительного полюса источника питания через резисторы 8 и 9, задающие величину накопление заряда.Смена...