Узел крепления полупроводниковой пластины

Номер патента: 664239

Авторы: Концевой, Корнилов, Мирошникова, Пятышев

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(23) Приоритет Опубликовано 2 по делам нзобретен н открытнй 53) УДК 621. 385 .832(088.8 5.79, Бюллетень Йф ата опубликования оп иЯ 25,0,79 72) Авто изобр(54) УЗЕЛ КРЕПЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОИПЛйСТИНИ устройстможет бЫтьнных прибоИзвес дников держащ ющими Извес ния полу ллическо компоэиц поем 1,21мкм лоя, вой Недостатком полупроводников малая механичес сительно бол тонких пластин. креплени являетс того узлай пластиныая прочностьшая стрела пр и 2 О ме- не ев то снова еньше Изобретение относитсявам электронной техникииспользовано в оптоэлектрах. ен узел крепления полупрой пластины мишени видиконат й крепежный фланец с прижироводящими кольцами 11, ен также другой узел креплероводниковой пластины к мета му основанию, содержащий ю металлических слоев с приЦель изобретения - повышение нической прочности и уменьшен рели прогиба тонких пластин. Для этого в предлагаемом узле жду композицией металлических сло и пластиной введены термокомпенсар и дополнительная компоэициямеллических слоев, причем толщинания больше толщины пластины,нотолщины компенсатора. ЗО 2На чертеже показан узел крепления полупроводниковой пластины к металлическому основанию.Прлупроводниковая пластина 1 кремния р-типа, легированная золотом или цинком, с одной сторонй которой имеется полученный ионной имплантацией бора сильнолегированный контактный слой 2. На поверхности .кремниевой пластины со стороны сильнолегированного слоя вакуумным напылением нанесен слой 3 никеля, толщиной 0,8";1 мкм, который обеспечивает хорошую адгеэию всей металлизации. Яа слой. никеля напылен слой 4 меди толщиной 1-:2 для хорошей адгезии серебряного с Серебряные покрытия 5 и 6 кремние пластины и термокомпенсатора, полученные гальваническим способом, раство" ряются в припое 7 индий-серебро и образует прочный паяный шов на основе твердого раствора индий-серебро. Слой 8 меди обеспечивает адгезйю серебряного покрытия 6 к слою 9 никеля, нанесенному на кремниевый кольцеобразный термокомпенсатор 10.Термокомпенсатор изготовлен из кремния, внешний "диаметр его равен диаметру полупроводниковой пластины, а внутрейний диаметр равен внутрен664239 4Формула изобретения нему диаметру кольцевого основания;высота термокомпенсатора 0,2 см.Термокомпенсатор соединен с молибденовым основанием композицией металлических слоев, анаЛогичной той; которая соединяет полупроводниковую пластину с термокомпенсатором. На термокомпенсатор нанесены слои никеля 11, меди 12, серебра 13, припоя 14 7 п ЗЬ, серебра 15, меди 16 и никелевое покрытие 17 кольцевого молибденового основания 18. Высота мо. 10 либденового основания 1 мм.Предлагаемый узел креплейия полупроводниковой пластины к металличес кому основанию обеспечивает миниМальный прогиб (л 15 мкм) тонких 15 полупроводниковых пластин при сохранении устойчивости к термическим и механическим воздействиям и можетбыть использован при изготовлении мишени видиконов, что позволит получить более высокие телевизионные параметры. Узел крепления полупроводниковой пластины к металлическому основанию, содержащий ряд металлическихслоев с припоем, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения механической прочности и уменьшения стрелы прогиба, между композицией металлических слоев и пластиной введены термокомпенсатор и дополнительные металлические слои, причем толщина основания больше толщины пластины, но меньше толщины компенсатора. Источники информации, принятыево внимание при экспертизе 1. Патент С 1 Ж 9 3398316Кл. 313-66, 1958,2. Заявка Р 2118092/25,кл. Н 01 У 29/45, от 31.03.75, покоторой принято решение о выдаче авторского свидетельства.Редактор ВШ ВВВШШШЩЮ Заказ 3010 ФилиБелоконьк Коррект И,Иус Подпи нного комит тений и отк ушокая наб. та СССРытий.45 Ужгород л.Пр ектная,4 СоставительЛибабес Техред Э. ЧужиЮШ ВВЮШЮьшштэ т50 Тираж 922ЦНИИПИ Государствпо делам изобр035 Москва ЖРаППП Патент, г.

Смотреть

Заявка

2181135, 16.10.1975

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-3562

КОНЦЕВОЙ ЮЛИЙ АБРАМОВИЧ, КОРНИЛОВ БОРИС ВАСИЛЬЕВИЧ, МИРОШНИКОВА СВЕТЛАНА ПАВЛОВНА, ПЯТЫШЕВ ВАВИЛ ИВАНОВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01J 29/45

Метки: крепления, пластины, полупроводниковой, узел

Опубликовано: 25.05.1979

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-664239-uzel-krepleniya-poluprovodnikovojj-plastiny.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Узел крепления полупроводниковой пластины</a>

Похожие патенты