Патенты с меткой «полупроводниковой»

Номер патента: 968856

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Друян, Новик, Сташин

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти, полупроводниковой

...разрядов (2+и+2), (2+й+3) (2 и+3) сцетчика 2, а при с = 1 - высокочастотнуюадресную группу разрядов 2,3(2+к) счетчика 2, При х = 0 имеетместо команда "Запись" информации, апри х = 1 " команда "Чтение", которые производятся при подаче черезмультиплексор 4 на адресные входыблока 7 высокочастотной адресной группы, т.е, чтение всегда производитсяпо всему, полю адресов, перебираемыхвысокочастотной адресной группой, азапись производится по адресу, задан.ному низкочастотной адресной группой,которая сдвигает записываемую информацию по "медленно" перебираемым адресам,и после записи в каждый адрес происходит переключение на задание адремсов высокочастотной адреснои группои,когда производится считывание инфор"мации по всему пблю блока 7....

Номер патента: 976151

Опубликовано: 23.11.1982

Авторы: Антипов, Беликов, Дрожжин

МПК: F16F 7/00, F16F 7/12

Метки: демпфирующей, полупроводниковой, струны

...на тарели напылительного вакуумного поста. Кристалл к захватам машины жестко крепится керамическим клеем. По достижении необходимой температуры кристалл пластически 50 деформируют при одновременном действии двух нагрузок: статической нагрузке растяжения и циклической нагрузке кручения, Затем образец разгружают и охлаждают вместе с печью в течение нескольких минут. Пластическая деформация в установке может проводиться неоднократно. Суммарная величина ее находится в пре 51 4делах 3-15% и зависит от степени нужной демпфирующей способности образца,Качество и величину демпфирующейспособности образца контролируют после его охлаждения непосредственно в установке методом внутреннего трения. При необходимости путем повторного .пластического...

Номер патента: 991516

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Гаврилов, Ленский, Товба

МПК: G11C 29/00

Метки: оперативной, памяти, полупроводниковой

...столбца, то к ячейкам строки блок 1 разрешает передачу на входы сумматоров 11 и 12 кода сосчетчика 2 или через элементы И 9 или через элементы И 10.При Формировании третьего и чет-. вертого тестов передача кода через элементы И 10. запрещается, При обращении к тестируемой ячейке блок 1 запрещает. передачу кода,со счетчика 2 через элементы И 9 и 10 на входы сумматоров 11 и.12, устанавливая на этих входах код, состоящий из всех нулей. На адресные выходы устройства при этом передается код со счетчика 6. Для инвертирования кода адреса тестируемой ячейки блок 1 устанавливает на выходах элементов И 9,и 10 код, Состоящий из всех единиц, обеспечивая передачу на адресные выходы устройства инверсного кода состояниясчетчика 6.Для обеспечения...

Номер патента: 998974

Опубликовано: 23.02.1983

Автор: Устинов

МПК: G01R 27/00

Метки: объемного, пластины, полупроводниковой, сопротивления, структура, тестовая, удельного

...2 В + 2 С области 3,т.е. р = р 35С целью компактности размещенияэлементов на рабочей поверхностипластины контактные зоны могут иметьболее сложный вид (фиг. 3). Здеськаждая из областей 2 и 3 содержитодинаковое количество однотипныхтопологических элементов, т.е. пять.внешний угол О = 900(один внутренний угол Р = 270) .Тестовая структура работает следующим образом.Для каждой области 2 или 3 (фиг.1),контролируемая зона полупроводниковой пластины 5 составлена иэ двух 50параллельно включенных резистивныхчастков: внутренней зоны 11 илиопределякицей объем пластинымежду областью 2 или 3 и ее проекцией на общую контактную область 8; 55 сопротивление у этого объема пластины равное60где- удельное объемное сопротивление пластины Ом м 3 внешней зоны...

Номер патента: 1032481

Опубликовано: 30.07.1983

Авторы: Друян, Новик, Ударцев

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти, полупроводниковой

...ккоторым подключается контролируемаяБИС ОЗУ 8, Устройство также содер- ЗО жит анализатор 9 сигналов, в качестве которого используется сигнатурныйанализатор.Конструктивно устройство можетбыть выполнено так, что БИС ОЗУ 8 35 соединяется с элементами устройстваи анализатором 9 с помощью интерфейсной коммутационной матрицы 10 различной для различных цоколевок корпусов (показанной пунктиром).Устройство работает следующимобразом.Генератор 1 запускает счетчик 2,который, работая в режиме непрерыв"ного пересчета, с помощью выходовразрядов "0" и "1" и дешифратора 3вырабатывает следующие друг за дру"гом сигналы дешифрируемых статусов"0" и "1", "2", "3" длительностьюкаждый по такту ( периоду)синхросигнала и имеющихактивным нулевое значениеОдин из...

Номер патента: 1049981

Опубликовано: 23.10.1983

Авторы: Лосев, Урбанович

МПК: G11C 29/00

Метки: коррекции, отказов, памяти, полупроводниковой

...выходы которых.50 арегистр контрольного кода, триггер, являются выходами блока, а другиеГРуппы сумматоров по модулю два, ре-, . входы и вторые входы элементов.игистр основного проверочного векто 1- девятой группы Являются одними изРа, блок вычисления дополнительного вхОдов блока причем входы элементпроверочного вектора и шестая груп 55 тов ИЛИ третьей группы являются дру-,Па элементов И, входы. которых сое ГиМИ вХОдамИ блока,динены соответственно с другими вн- .Яа фиг. 1 .изображена.функциональ- .ходами блока сравнения и с выходом иая схема предлагаемого устройстватриггера, первый вход которого под , . на фиг. 2 - схема блока вычисленияключен к выходу сумматора по модул 1 з 0 дополнительйого проверочного вектодва, входы которого...

Номер патента: 1051585

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Мыльникова, Смалий, Снитковский

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти, полупроводниковой

...входы второго элемента 2 И-ИЛИ-НЕ соединены с одним из выходов регистра сдвига, четвертый вход подключен к выходу одного из элементов И-НЕ группы, а выход - к первому входу первого элемен та И, второй вход третьего элемента 2 И-ИЛИ-НЕ соединен с прямым выходом триггера, а третий вход - с инверсным выходом и входом сброса,тригге" ра, установочный вход которого подключен к выходу третьего элемента 2 И-ИЛИ-НЕ, второй вход второго элемента И соединен с выходом друго. го элемента И-НЕ группы, вторые входы элементов И-НЕ группы объединены и являются первым входом блока, входами которого с второго по шестой являются четвертый вход первого элемента 2 И-ИЛИ-НЕ, установочный вход регистра сдвига, второй вход первого элемента И, четвертый вход...

Номер патента: 1051586

Опубликовано: 30.10.1983

Автор: Гаврилов

МПК: G11C 29/00

Метки: оперативной, памяти, полупроводниковой

...И 33-43, элементы ИЛИ 4448, элементы НЕ 49-55, буферный регистр 56, пульт 57 управления, генератор 58 тактовых импульсов, триггеры 59 и 60, элемент ИСКЛЮЧАО:(ЕЕИЛИ 61, формирователи 62 и 63 сигналон, элементы И 64 и 65 и элементИЛИ 66.Число разрядов счетчика 6 соответствует.числу разрядов тестируемых больших интегральных схем памяти (БИС ОЗУ), а число разрядов счетчика 17 - числу адресуемых группБИС ОЗУ, на которые разделяетсяпронеряемая память и контроль которых выполняется последовательно,Устройство работает следующимобразом,Устройство выполняет последовательный контроль групп микросхемпамяти, составляющих оперативнуюпамять ЭВМ, и проверку отдельныхБИС ОЗУ по пяти тестам, которыеопределены как наиболее эффектив.ые,Тест первый,...

Номер патента: 1070607

Опубликовано: 30.01.1984

Авторы: Друян, Новик

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти, полупроводниковой

...303 Нр. Мой БО ОЗУ) Выходы кото-ОГО ПОЛК,.:СаЕЦЬ К ПЕ:НОМУ ДЕШИфт;атОру 3 (2 - 4) . К "РЛТ Ктору 4 (2 П -ттт ).(:зт . рому ле:фрд тору 5 ( 2 -т 4 исумматору б о модую "Ва, Первь:йВХОД ДЕ:.И",Эра тсра э СВЯЗан с УправляЮЯим входом с.- лРкторс 4 . БыхОД Дешифа -о;За 3, имеюг:.Ий ст ат, с 2 г выходыселсктора 4, г.умматсра б по модлюД 3 а и ОГИ Ц 313 ВЫХОДОВ Т 3 ВОИга -ОГОсчгтт гика 2 тгодк 1:Очены к коцтоолируе-й БИО )чу 7 и Явтяются выходамиустрст.Стза. Бь:ход генератора 1 тактогг;.1.3 ЬСО. СОЕтиЕ- С СИНХРОЗвДЭ : 01ЦаТ/НОГО а ВЛИ 3 саТОРа 6 г ИНО,;МагиоПй В(ОД КОТО)ЭОГО ПОДКЛО:ец .; Выходу Б ОЗУ 7, а входгЭТ, СГО 1ОГО 1 СДКЛЮЧЕН К ВЬЗхоту 3 ц В 315 юегтуся стар им раз 1 эядомЛВОичгОГО счетгика 2 и к Второмувходу сумматора б по модулю...

Номер патента: 1072071

Опубликовано: 07.02.1984

Автор: Беломестнов

МПК: G06K 9/00

Метки: аналоговых, пластине, полупроводниковой, признаков, распознавании, селекции, сигналов

...легированного примесями, образующими глубокие уровни в запрещенной зоне полупроводника так, что длина линии электрического тока, протекающего через пластину в процессе селекции признаков, превышает диффузионную длину неравновесных носителей заряда при низком уровне инжекции.Сущность способа заключается в том, что когда к полупроводниковой пластине прикладывают кратковременный импульс электрического поля, после окончания которого остается небольшое постоянное опорное поле, то в этой пластине образуется локализованный "шнур" тока, т.е, пространственно неравномерное распределение плотности тока, Образовавшийся шнур тока находится в безразличном равновесии относительно трансляций, но перемещается в магнитном поле.На фиг. 1...

Номер патента: 1087779

Опубликовано: 23.04.1984

Авторы: Карпов, Квасов, Корешков, Лабунов, Полонин, Прохоренко

МПК: G01H 13/00

Метки: механических, напряжений, пластине, полупроводниковой

...циклов, измеряют амплитуду Е деформации поверхностного слоя и ширину динамической петли гистерезиса и рассчитывают механичес- кие напряжения по формуле гНедостатком способа является низкаяточность контроля, обусловленная неодородностью определения величины механических напряжений, зависящей от жест-кости заделки контролируемого образца,Наиболее близким к изобретению является способ контроля механических 5 напряжений в полупроводниковой пластине,заюпочаюп 1 ийся в том, что возбуждаютизгибные колебания полупроводниковойпластины и измеряют первую и вторуюрезонансные частоты, по которым вы- О числяют искомые параметры Г 3,1.Недостатком способа является низкаяточность контроля, обусловленная зависимостью результатов контроля от жесткости...

Номер патента: 1170513

Опубликовано: 30.07.1985

Авторы: Мхатришвили, Николаева, Савельев, Самойлов

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти, полупроводниковой

...счетчик 18, служащий для подсчета числа этапов, четвертый 19 ипятый 20 счетчики, служащие для подсчета соответственно числа обращенийи числа циклов, третью группу элементов И 21, Устройство имеет входы 22и 23 и выходы 24-27. Устройство такжесодержит регистр 28 адреса.Блок 14 управления (фиг,2) содержит элементы И 29-35, формирователь36 сигналов и элемент ИЛИ 37.Условимся далее понимать следующимобразом термины: режим - некотораяпоследовательность обращений к контролируемому ЗУ для записи или считы 40вания с формированием заданной конт-.рольной последовательности и определенным порядком .перебора адресов,например, Попарное считывание","Попарная запись-считывание"; исход"45ный контрольный код - некоторыйпроизвольный набор 1 и 0 с...

Номер патента: 1244727

Опубликовано: 15.07.1986

Авторы: Марков, Семенов

МПК: G11C 29/00

Метки: оперативной, памяти, полупроводниковой

...контролируемойпамяти информация, Блок 7 слжит дляпоразрядного сравнения данных, считанных из проверяемой памяти по заданным последовательностям адресов,с данными, которые были записаныпо тем же адресам,Обнаружение несовпадения кодов, записанных и считываемых из памяти, свидетельствует о наличии неисправности (например, наличие постоянной "1" или "О")При совпадении на протяжении всего цикла контроля записанной и считанной информации осуществляется следующий цикл записи и считывания, Такие запись и считывание со сравне 1244727нием выявляют взаимное влияние между ячейками контролируемой памяти. Кроме того, возможно выявление адресных цепей, находящихся в состоянии постоянного "О" или "1", и коротко- замкнутых адресных цепей. При...

Номер патента: 1251189

Опубликовано: 15.08.1986

Автор: Мыльникова

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти, полупроводниковой

...регистра сдвига равночислу проверяемых контрольных разрядов ( КР ), Каждый выход регистра подключен к входам трех определенныхэлементов И-НЕ, число элементов И-НЕ,а также элементов И равно числу проверяемых ИР, При нулевом уровне сигнала, поступающего из блока 2 управления на вход К, регистр устанавливается в нулевое состояние, с выходов всех элементов И-НЕ поступаетединичный уровень сигнала, разрешающий прохождение тестовой последовательности через все ИР. Работа предлагаемого устройства при этом не отличается от работы известного,Проверяется работоспособность воИР контролируемого ЗУ,При единичном уровне сигнала, поступающего из блока 2 на вход 1, регистр переводится в режим значения исдвига, нулевой чровень появляетсятолько на одном...

Номер патента: 1259340

Опубликовано: 23.09.1986

Автор: Иванов

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти, полупроводниковой

...два, дополнительно выходы (ИК+1)-х разрядов регистра соединены с вторыми входа- ЗО ми -х сумматоров по модулю два, где1, К, У - разряды регистра, соответствующйе ненулевым коэффициентам образующего многочлена, (И - и + )-е входы -й группы инфФормационных входов устройства, гдеУ, К, 32,п, соединены с соответствующими группами входов (З)-х сумматоров по модулю два, выходы ш-х разрядов регистра, где ш = 1, (М-К), 4 О соединены с соответствующими входами (ш+К)-х сумматоров по модулю два, г-е входы и -й группы информационных входов устройства, где г = 1, (М-и+1), соединены с соответствующими входами (г+и)-х сумматоров по модулю два. Перед началом работы сдвиговый регистр 4 устанавливается в состояние 000, Цепи установки не показаны,...

Номер патента: 1264155

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Дрожжин, Колоколкин, Кушнер, Наталкин

МПК: G05F 1/569

Метки: аппаратуры, защитой, перегрузок, питания, полупроводниковой, селиктивной

...тока.1 ил. деляемых уставкой датчиков 18 тока,сигнал на выходе датчиков тока равеннулю, тиристор 16 выключен. Если токна выходе какого-либо стабилизаторапревышает номинальное значение, тосигнал с выхода соответствующегодатчика 18 тока включает соответствующий тиристор 16 (например, включается тиристор 16 в стабилизаторе 1 О 5). Тогда ток, протекавший через источник тока (резистор) 15 и открывавший ранее транзисторы 9 и 10, протекает по, цепи: разделительный диод19 - тиристор 16 - источник смещения 15 17 и далее через общую шину системыи нестабилизированный источник питания 1. К база-эмиттерным переходамтранзисторов 9 и 10 регулирющегоэлемента стабилизатора 5 прикладыва ется обратное запирающее напряжение,определяемое током, проходящим...

Номер патента: 1285537

Опубликовано: 23.01.1987

Авторы: Белогорский, Торопов, Тычинин

МПК: G11C 29/00

Метки: аварийном, информации, отключении, памяти, питания, полупроводниковой, сохранения

...через резистор 50 12 открывает транзистор 11, подключая вывод формирователя 10 к шине 15 нулевого потенциала.Обращение к матрицам 4 инициируется подачей на функциональный вход 55 16 устройства уровня логического "0", При этом вывод элемента формирователя 10 подключается к шине 15, что соответствует установлению управляющего сигнала выбора матриц 4. Темсамым разрешается прием алреса с шины 1 и обмен данными с внешним устройством по шине 2 соответственновыбранному режиму работы ОЗУ,Описанное соответствует нормальной работе устройства при включенномосновном питании.При провале или исчезновении основного питания конденсатор 14 разряжается так, что выполняется условие ПЬ . Диод 7 открывается и матЯрицы 4 запитываются от...

Номер патента: 1319079

Опубликовано: 23.06.1987

Авторы: Волох, Русс, Рябцев, Смалий, Стафеев, Торшина, Шамарин

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти, полупроводниковой

...входы коммутаторов 6, 8 и 11 поступают сигналы с выхода делителя 68, которые обеспечивают поочередную передачу кодов адреса, данных и кодов операций на контролируемую. память, подключаемую к устройству при помощи блока 15 сопряжения, который обеспечивает соединение выходных сигналов регистров 12 - 14 с входными контактами контролируемой памяти и выходных контактов этой памяти с входами блоков 9 сравнения.При осуществлении последовательной записи информации в ячейки памяти значение кодов адреса всех четырех блоков 5 формирования адреса изменяется на четыре.Таким образом, формируется код адреса ячеек контролируемой памяти и в них осуществляется запись информации.Сравнение кодов адреса, формируемых блоками 32 адреса с конечным кодом...

Номер патента: 1345264

Опубликовано: 15.10.1987

Автор: Шкадин

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти, полупроводниковой

...прямой и инверсный"шахматный" коды в блок памяти 15.ИнФормация с выхода блока памяти 15сравнивается с входной с помощью блока сравнения 9, которая стробируется импульсами с выхода формирователя импульсов 14, Одновременно состробирующим импульсам появляется импульс на выходе совпадения блокасравнения 9 при равенстве входной ивыходной информации или импульс навыходе несовпадения в противном случае. При правильной записи импульс свыхода совпадения блока сравнения 9 устанавливает триггер по Б-входу вединичное состояние, тем самым раз решая переход на контроль схемы памяти по следующему адресу. Если записьпроизведена неверно, импульсом свыхода несовпадения обнуляется триггер 11 по К-входу, запрещая сменуадресного када для,блока памяти 15,и...

Номер патента: 1403097

Опубликовано: 15.06.1988

Авторы: Анохин, Бостанджян, Лешукович, Шац

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти, полупроводниковой

...проходит прямой или инверсный адрес, поступающий на информационные входы коммутатора 5 с первого выхода счетчика 4, либо фоновый или тестовый адрес, поступающий на входы коммутатора 5 с выхода формирователя тестовых сигналов 7,В зависимости от алгоритма выполнения теста с выхода формирователя тестовых сигналов 7 поступает сигнал, блокирующий счетный сигнал в счетчике 4. На информа 1403097Формуга азобретения 55 ционные входы формирователей 10 и 11 поступают с выхода формирователя тестовых сигналов 7 код операции и информационное слово, Сигналы с выходов формирователей 10 и 11 счетчика 6 и коммутатора 5 через блок сопряжения 8 поступают на проверяемый блок памяти 4.В блоке 12 выполняется сравнение считанной из блока памяти 14...

Номер патента: 1410098

Опубликовано: 15.07.1988

Авторы: Гайворонский, Кельнер, Смовженко, Юрасов

МПК: G11C 11/00

Метки: памятью, полупроводниковой

...чего в формирователь 3 по сигналам Запись , поступающим на вход разрешения в соответствии с поступающими на группу адресных входов адре сами, выбирающими группы триггеров 21 - 24, записывается через группу информационных входов управляющая информация, определяющая соответственно рабочую частоту ПП, тип ПП, максимальный адрес регенерации и частоту регенерации. Сигнал "Разрешение чтения", поступающий на первый вход шифратора 12, выбирает в ПЗУ 13 область памяти, соответствующую режиму 20 "Чтение" того типа ПП, который выбран формирователем 3, и с выхода ПЗУ 13 в регистр 14 первое управляющее слово записывается по тактовому сигналу, поступающему на первый вход регистра 25 14 от элемента ИЛИ 8. Управляющее слово содержит сигналы управления...

Номер патента: 1422001

Опубликовано: 07.09.1988

Авторы: Кутявин, Старов

МПК: G01B 21/00

Метки: полупроводниковой, структуры

...БосыИ им их л ьсов ФЗ триггер Д 7.1 сбрдсыв 1 ется. При эгом сраба.5тывает одновибратор Д 6,2, сбрасывая по цепи й счетчик ДЗ, Д 4, Д 5, это приводит к выключению из видеосигнала первых восьми битов, не несущих информации об изображении.Одновременно при наличии сигнала Запись маски 3 м (третий выход блока 1) на входе 2 блока 10 происходит установка триггера Д 2, сигналом которого (с шестого выхода блока 10) управляется режим работы аналого-цифрового преобразователя блока 11 (выдача выходной инфорМации в прямом или инверсном коде). Далее счетчик ДЗ, Д 4, Д 5 продолжает считать с нуля. Таким образом, каждому считанному зарядовому пакету с ПЗС линейки соответствует координата (номер) на вь 1 ходах счетчика. После прохождения еще 1024...

Номер патента: 1425788

Опубликовано: 23.09.1988

Авторы: Шкадин, Шкадина

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти, полупроводниковой

...содержимое счетчика 7 сбоев. Импульс с выхода совпадения поступаетна вход распределителя 13 импульсови в зависимости от состояния триггера 1 О устанавливается в единичноесостояние триггер 11 (при единичномсостоянии триггера 1 О) или триггер12 (при нулевом состоянии триггера10).С приходом очередного импульса свыхода делителя 2 частоты цикл повторяется с тем лишь отличием, чтопри правильной записи устанавливается другой триггер из пары 11 - 12,так как триггер 10 изменяет свое состояние с приходом очередного импульса с выхода делителя 2 частоты.Запись производится до тех пор,пока триггеры 11 и 12не устанавливаются в единичное состояние.Единичные уровни на втором итретьем входах элемента И Э разрешают прохождение импульсов с его первого...

Номер патента: 1432612

Опубликовано: 23.10.1988

Авторы: Анохин, Дробышевский, Лешукович, Шац

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти, полупроводниковой

...щему с вьмода формирователя 7, блок 3 разрешает формирование следующего выбранного теста. Сигнал с выхода блока 3, поступающий на входы блока 8 и счетчика 4, блокирует прохождение счетного сигнала на вход счетчика 4 и обращение к памяти 14 на входе блока 8 на время поиска очередного выбранного теста. По сигналу окончания теста блок 3 разрешает запись н память 14 фоновой информации. Сигнал переноса на входе блока 3 перенодит последний н состояние, соответствую-, щее разрешению выполнения собственно тестовой программы.На входы коммутатора 5 поступают управляющие сигналы с выходов формирователя 7, причем в зависимости от выполняемого теста на выход коммутатора 5 проходит прямой или инверсный код адреса, поступающий на информационные...

Номер патента: 1539789

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Захаров, Иванников, Мисюрев, Митропольский, Усан, Шнитман

МПК: G06F 15/16

Метки: внешней, высокопроизводительной, вычислительной, памяти, полупроводниковой, процессор, системы

...информационным выходом блока управления, вход загрузки команды которого соединен с информационным входом. буферного регистра команд, вход сигнала вывода буферного регистра команд соединен с выходом сигнала совпадения схемы сравнения адресов, первый вход которойсоединен с выходом данных счетчикаадресов команд, входом буферногорегистра адресов команд и являетсявыходом адреса команд блока управления, выход данных буферного регистра адресов команд соединен с вторымвходом схемы сравнения адресов, выход сигнала несовпадения которойсоединен с входами записи буферногорегистра адресов команд, схемы управления локальной памятью и буферного регистра команд, выход данныхкоторого соединен с информационнымвходом регистра команд, вход разрешения...

Номер патента: 1599901

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Лисицын, Марголин

МПК: G11C 29/00

Метки: аварийном, информации, отключении, памяти, питания, полупроводниковой, сохранения

...на резисторе 7 высокий уровень напряжения будет сохраняться на выходе 21 устройства все время, когда напряжение основного источника 1 питания ниже номинального. Память 3 будет при этом находиться в режиме хранения.При снижении напряжения основного источника 1 питания ниже напряжения резервного источника 2 питания, разделительный элемент на диоде 3 закрывается, а разделительный элемент на диоде 4 открывается, обеспечивая непрерывность подачи питания на память 5 и поддержание высокого (запрещающего) уровня на выходе устройства 21.При включении питания (Т 5 фиг. 2) напряжение питания нарастает от нуля до номинального значения. Напряжение на стабилитроне 14 нарастает от нуля до напряжения стабилизации стабилитрона 14 (Тб фиг, 2),...

Номер патента: 1218857

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Осинов, Стратиенко

МПК: H01L 21/308

Метки: пластине, полупроводниковой, рельефа, формирования

...рельефа на полупроводниковой подложке, включающем операции нанесения фоторезиста на подложку, сутпку, экспонирование, нроянление, плазменную обработку фоторезиста н ВЧ-диодной системе н инертной среде при давлении 0,1-100 Па и температуре подложки 20-80 С и плазменное травление, плазменную обработку фоторезиста и травление проводят в одном вакуумном цикле, причем плазменную обработку фоторезиста проводят в три стадии, дпительность каждой из которых составляет 1-5 мин,. при удельной мощности 0,2+0,02;0,5+0,05 и 1,0 ф 0, 1 Вт/см .Изобретение позволяет сократить технологический процесс формирования рельефа на полупроводниковой подложке в сравнении с прототипом на время проведения высокотемпературной сушки и связа.1 ных с ней...

Номер патента: 1608755

Опубликовано: 23.11.1990

Автор: Шкадин

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти, полупроводниковой

...сра 12) или триггер 14 (при нулевом состоянии триггера 12). При этом выход элемента ИСКЛ ОсАО ЩЕЕ ИЛИ 18 принимает значение логической 1, единичный 25 30 35 40 45 уровень на выходе одного из элементов И 4 - 5 в зависимости от того, какой из пары триггеров 13 - 14 установился в единичное состояние, изменяет состояние триггера 2.С приходом очередного импульса с выхода делителя 2 частоты цчкл повторяется с тем лишь отличием, что при .;равильной записи информации устанавливается в единичное состояние другой триггер из пары 13 - 14, При неправильной записи информации в проверяемую ячейку ОЗУ 22 импульс с выхода несовпадения блока 11 сравнения увеличивает на единицу содержимое счетчика 9 сбоев, однако триггер 12 не изменяет своего состояния,...

Номер патента: 1552940

Опубликовано: 23.12.1990

Авторы: Баргий, Дзян, Мацкевич

МПК: G03F 9/00, H01L 21/312

Метки: знаков, подложке, полупроводниковой, совмещения, формирования

...позволяет получить поверхностьуглублений с раэвитыл рельеФом. Этоспособствует поглощению света, падающего на знаки совмещения, и повышает их контрастность. 3 ил. П р и м е р. Кремниевые подложки ,1 (см,. Фиг. 1) диаметром 100 мм ориентацией (100) и (111) оисляются до толщины окисла 500 А или 1000 А. На часть пластин наносится слой нитрида кремния толщиной 1500 А. Насу 2 для травления знаков совмещения получают методом проекционной Фотолитографии, Размер ячейки знака совмещения Зк 3 или 5 х 5 мкм. Обработку пластин водным раствором, содержащим 0,014)авитель В.Руед Идидыке иа е ю ю е ю а Со Те едактор Т.Иагова аа а Заказ 4333 ВНИИПИ Госу Тираж 461комитета поМосква Ж"3 Подписноезобретениям и открытияРаушская набе д 4/5 ГКНТ СС...

Номер патента: 1619359

Опубликовано: 07.01.1991

Автор: Абраров

МПК: H01L 23/04

Метки: кристаллы, ориентированного, пластины, полупроводниковой, разделения

...материала.Плотность силы разламывания пластинОна кристаллы в ячейке в первом случаеопределяют из выражения(4) Поскольку наиболее ответственным участком при разделении пластины является ячейка с зазором (Е + д) и именно параметры этой ячейки обуслов- ливают процесс беспрепятственного разламь,вания пластины на кристаллы, то необходимую напряженность электрического поля и плотность силы раэламывания определяют из выражений (2) и (4).При этом толщинаи диэлектрическая проницаемость Е пленочного материала известны. Например, для материала полиэтилентерефталат ПЭТФ толщина пленок составляет 10-12 мкм, Я = = 3, 1, для фторлона ФБА 10 мкм, Е = = 8,6. Задаваясь, например, напряжением питания устройства в 1,6 кВ, определяют необходимую...