Патенты с меткой «полупроводниковой»

Номер патента: 1665223

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Егоренков, Либерман, Лобанов

МПК: G01B 7/06

Метки: высокоомного, полупроводниковой, слоя, структуре, толщины

...дЧ/г 11) напряжение выброса не зависит от амплитуды импульсов.Реально существующие толщины 1- слоя, которые необходимо измерять, лежат -в пределах 5-200 мкм, Условно разобьем этот диапазон на 3 поддиапазона от 5 до 30, от 30 до 100 и от 100 до 200 мкм.При осуществлении способа верхнее значение крутизны Яц нарастания импульсов установлено равным 10 В/с(для поддиапазона толщин 1-слоя - равным 5-30 мкм). При больших значениях скорости нарастания напряжения, например, равных 10 В/с, напряжение выброса составит величину 300 В. Для надежного измерения таких сигналов, например, с помощью широкополосных осциллографов требуется не более десятков вольт. Кроме того, и это главное, для малых толщин 1-слоя напряжение выброса необходимо...

Номер патента: 1691722

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Власов, Дудкин, Малахова, Павлов

МПК: G01N 22/00

Метки: параметров, пластины, полупроводниковой

...от генератора 1 через направленный ответвитель 2 падает на эталонную проводниковую пластину, передняя грань которой находится на фиксированном расстоянии от источника излучения и за 1691722креплена на одном основании с металлическим отражателем 4 и микрометрической системой передвижения. Передвигая металлический отражатель 4, расположенный за эталонной полупроводниковой пластиной, устанавливают минимум отраженного СВЧ-сигнала, наблюдаемого на индикаторном блоке 5. Это соответствует тому, что структура воздух-полупроводник - воздух- металл, образованный металлическим отражателем 4, полупроводниковой пластиной 3 и воздушными промежутками между ними и источником излучения становится резонансной. В этом случае параметры...

Номер патента: 1739402

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Бодров, Виноградова, Зотов, Серов

МПК: H01L 29/06

Метки: полупроводниковая, полупроводниковой, проводимостью, структура, структуры

...отрезок ВС). Причем по сечению структуры плотность тока не одинакова: в зоне шнура она значительно больше, чем в других сечениях, При увеличении напряжения питания происходит ростдиффузионного потока дырок к границам шнура,Рекомбинация с носителями тока (электронами) в шнуре увеличивается, ток шнура уменьшается, напряжение на структуре увеличивается, начинается процесс разрушения шнура тока. Однако при этом напряжение на структуре увеличивается и при достижении некоторого значения напряжения О (фиг.2) процесс разрушения шнура тока (у его границ) приостанавливается, рекомбинировавшие электроны вновь активируются полем при напряжении на структуре О 1, начинается новый процесс ударной ионизации и шнур тока расширяется до первоначального...

Номер патента: 1807521

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Бруевич, Куликов

МПК: G11C 7/00

Метки: динамической, памяти, полупроводниковой, регенерацией

...в результате на его выходе формируется лог. "1", выдаваемый на выход 16 устройства в виде сигнала "Запуск". Последний поступает в формирова тель синхросигналов ОЭУ, который может быть выполнен на основе регистра сдвига или линии задержки,В ответ на сигнал "Запуск" формирователь синхросигналов выдает в устройство два синхросигнала: СС 1, поступающие на синхронизирующий вход 15, и задержанный относительно него на некоторое время СС 2, поступающий на синхронизирующий вход 18. Низкий уровень синхросигнала СС 2 проходит на вторые. входы элементов И - НЕ 1 и 4 и вызывает появление на их входах лог. "1", что приводит к завершению выдачи сигналов ВАЯ и САЗ, Первый синхросигнал СС 1 поступает на вход синхронизации триггера 5 и, так как...

Номер патента: 1823031

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Дьяков, Елисеев, Комаров, Учайкин

МПК: H01L 21/28

Метки: пластины, полупроводниковой, соединения, термокомпенсатором

...1 ых материалов. Верхняя граница зависит только от минимальной температуры плавления одного из соединяемых материалов, Создание избыточного давления определяется моментом равномерного прогрева структуры и установлением равновесного тел 1 пературного состояния лежду ней и окружающей средой.П р и и е р ы осуществления способа.Способ был асуьцествлен на специальной установке, позволяющей создавать вакуумдо 10 мм рт.ст, и избыточное давление до-в60 атм, а также осуществлять нагрев до 800 С, Перед проведением процесса собирают структуру, состоящую из термокомпенсатора - молибдена 55 мм, на нее накладывают силуминовую фольгу с 12содержанием кремния диаметром 54,6 мм, которую накрывают кремниевой пластиной диаметром 54 мм. Собранную...

Номер патента: 668510

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Косенко

МПК: H01L 21/311

Метки: вскрытия, локальных, окисленной, пластины, поверхности, полупроводниковой, участков

...выращенным на ней слоем окисла 2 и нанесенным дополнительным защитным покрытием 3. На поверхность защитного покрытия нанесена пленка фоторезиста 4, в которой после совмещения и проявления открыты окна 5 и дефекты б.На фиг, 2 показана пластина 1 после травления защитного покрытия 3, нанесения второго слоя фотореэиста 7, второго совмещения и проявления фоторезиста 7 с проявлением дефектов 8 во втором слое фоторезиста, которые не совпадают с дефектами б, протравленными в защитном по 5 10 15 крытии 3.На фиг, 3 показана пластина 1 после удаления фоторезиста 7 и дополнительного защитного покрытия 3 по вскрытыми окна 20 45 После проявления на пластинах травят пленку молибдена 3 в смеси азотной и ортофосфорной кислоты в течение 40 с. Этот...

Номер патента: 895244

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Кузнецов, Марков, Пресс

МПК: H01L 21/312

Метки: многослойной, полупроводниковой, структуры

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ, включающий получение защитных выступов на полупроводниковой подложке и последовательное формирование рисунков диэлектрических и проводящих слоев с помощью контактной фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур и повышения технологичности процесса, получение защитных выступов проводят в процессе каждой фотолитографической операции формирования рисунков диэлектрических и проводящих слоев, причем выступы выполняют из материалов этих слоев.

Номер патента: 1598778

Опубликовано: 30.11.1994

Авторы: Жуковец, Комкова, Рогов

МПК: H01L 21/78

Метки: держателе, кольцевом, крепления, пластины, полупроводниковой, преимущественно

СПОСОБ КРЕПЛЕНИЯ ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИНЫ НА КОЛЬЦЕВОМ ДЕРЖАТЕЛЕ, включающий фиксацию полупроводниковой пластины на столике под давлением, нанесение теплостойкого клея по периферии пластины, размещение кольцевого держателя на пластине на слое клея, прижим кольцевого держателя к пластине, выдержку пластины с кольцевым держателем на столике при температуре затвердевания клея и отделение пластины с держателем от столика, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности крепления путем уменьшения деформации пластины, фиксацию полупроводниковой пластины на столике под давлением осуществляют посредством нанесенного на поверхность столика теплостойкого расплавленного клея, прижим кольцевого держателя к пластине осуществляют...

Номер патента: 1484201

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Болозубов, Гордиенко, Жучков, Косогоров, Малкина

МПК: H01L 21/58

Метки: подложкой, полупроводниковой, соединения, стекла, электростатического

1. СПОСОБ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО СОЕДИНЕНИЯ СТЕКЛА С ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКОЙ, на которой сформирована интегральная схема, заключающийся в контактировании обработанных не ниже 12-го класса чистоты поверхностей, нагревании их до температуры, ниже точки плавления стекла, но достаточной для придания ему электропроводности, при которой удельное объемное сопротивление стекла равно 77 - 83 МОм / см, подача электрического напряжения из интервала 0,2 - 2 кВ на контактируемые элементы при этой температуре в течение 20 - 25 мин и охлаждении, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности и герметичности, при охлаждении продолжают подачу напряжения до тех пор, пока удельное объемное сопротивление стекла станет равным 110 - 125 МОм / см.2....

Номер патента: 1565302

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Бунин, Иноземцев, Кораблин, Малахов, Самохин, Серова

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: подложке, полупроводниковой, рельефа

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФА НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающий последовательное нанесение на подложку слоев электронорезисторов с термообработкой каждого слоя, формирование многослойной маски путем экспонирования и проявления системы слоев и перенос рисунка маски в подложку путем химического травления подложки в окнах маски, отличающийся тем, что, с целью повышения точности получения точности элементов рельефа, нанесение на подложку первого слоя электронорезиста осуществляют из раствора сополимеров полиметилметакрилата и метакриловой кислоты в смеси бутилацетата, толуола и этилцеллозольва, причем данный слой наносят толщиной 0,01 - 0,1 мкм, а его термообработку проводят при 210 - 220oС.

Номер патента: 1782053

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Зенцов, Козлов, Кузьмин, Уверская

МПК: C22C 1/02

Метки: полупроводниковой, силумина, техники

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СИЛУМИНА ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ТЕХНИКИ, включающий приготовление расплава алюминия, нагрев до 800 - 900oС, введение в расплав кремния и модифицирование никелированием кремнием, выдержку расплава в течение 10 - 20 мин и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью повышения механических свойств силумина, никелированный кремний вводят в количестве 10 - 50% от общей массы вводимого кремния, причем соотношение массы никеля к массе кремния в никелированном кремнии составляет 1/50 - 1/80.

Номер патента: 1254960

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Клименко, Недосекина

МПК: H01L 21/00

Метки: микроэлектроники, полупроводниковой

1. Устройство для очистки изделий полупроводниковой микроэлектроники, содержащее воздушное сопло с установленным на нем рабочим органом, отличающееся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных возможностей и повышения качества очистки, рабочий орган выполнен в виде плоской пружины, консольно закрепленной на конце воздушного сопла, и гибкого стержня, закрепленного своим концом на свободном конце плоской пружины.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что гибкий стержень выполнен из вольфрама.

Номер патента: 385536

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Романов, Серяпин, Серяпина, Смирнов

МПК: H01L 21/26

Метки: полупроводниковой, структуры

Способ изготовления полупроводниковой структуры путем легирования полупроводника примесями с последующим облучением его потоком быстрых электронов, отличающийся тем, что, с целью локального направленного перераспределения примесей, выбранные участки полупроводника облучают потоком электронов, энергия которых по крайней мере в два раза больше пороговой энергии образования радиационных дефектов полупроводниковой структуры.

Номер патента: 1579344

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Авдонин, Евтушенко, Мишанин

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковой, соединения, структуры, термокомпенсатором

Способ соединения полупроводниковой структуры с термокомпенсатором, включающий размещение в каждой из ячеек кассеты пакета из термокомпенсатора, алюминиевого припоя, кремниевой структуры с р-n-переходом, заполнение полости кассеты графитовым порошком, создание сжимающего давления на пакеты и термообработку при 577 - 900o, отличающийся тем, что, с целью повышения качества соединения, осуществляют предварительную термообработку заполненной кассеты при 500 - 560oC и давлении 1 - 9 Н/мм2.

Номер патента: 1598813

Опубликовано: 27.04.2002

Автор: Камышный

МПК: H03B 1/02

Метки: активного, аппаратуре, использования, кратковременного, образования, одноразового, основе, полупроводниковой, радиоэлектронной, структуры, элемента

Способ образования активного элемента на основе полупроводниковой структуры для кратковременного одноразового использования в радиоэлектронной аппаратуре, например для генерирования электрических колебаний, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной мощности активного элемента, через полупроводниковую структуру диодного типа пропускают в прямом и обратном направлении электрический импульс для инициирования в ней необратимого электрического или термоэлектрического пробоя с последующей подачей на образованный нелинейный элемент рабочего тока и напряжения.

Номер патента: 1094523

Опубликовано: 20.11.2002

Автор: Король

МПК: H01L 21/425

Метки: полупроводниковой, структуры, четырехслойной

Способ изготовления четырехслойной полупроводниковой структуры, включающий введение легирующей примеси в кристалл кремния и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры и длительности процесса формирования структуры при сохранении времени жизни неосновных носителей заряда, в качестве легирующей примеси используют натрий, который вводят в кристалл ионной имплантации при дозе 200-2000 мкКл/см2, а последующий отжиг проводят при температуре 675-725oС в течение 23-35 мин.

Номер патента: 1820787

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Лебедев, Черноусов

МПК: H01L 21/306

Метки: плазмохимического, подложки, полупроводниковой, удаления, фоторезиста

Способ плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковой подложки, включающий ее размещение в рабочей камере на термостатированном подложкодержателе на расстоянии свыше 100 мм от зоны активации плазмы, активацию низкотемпературной плазмы в газовой среде, содержащей кислород, транспортирование активных радикалов из зоны активации в зону обработки и обработку подложки со слоем фоторезиста, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности удаления фоторезиста относительно нижележащего слоя и снижения окисления нижележащих материалов при сохранении высокой скорости процесса, в газовую среду дополнительно вводят аргон, при этом содержание аргона в смеси составляет 20-95 об.%.