H01J 29/45 — приобретающие какие-либо внутренние электрические свойства под воздействием электромагнитного излучения, например фотопроводящие экраны, фотодиэлектрические экраны, фотогальванические экраны

Номер патента: 43977

Опубликовано: 31.08.1935

Авторы: Полевой, Шутак

МПК: H01J 29/45, H01J 31/30, H01J 9/12 ...

Метки: иконоскопа, мозаичного, электрода

...никеле из извести элект шийс приме одним омощи р х частиц обработке при пдельнгаютмеди,2 и. 1, кисспособа пото на меднозтонкий слойобразующегой слой. Видоизменениеа 1 ошееся тем,мозаику наносят ачного металла меди вентильн л ную проз кись з Как известно, все ныне существую. щие способы получения фотоэлектриче. ской мозаики для иконоскопа основаны на том, что на тонкую пластинку диэлектрика (слюда, стекло) наносятся мелкие зерна серебра, которые потом под. вергаются обработке, как-то окислению и очувствлению методами, аналогичными для получения фотоэлемента с тонкослоиным катодом вида Сз - Сз О Яд,Предлагаемое изобретение заключается в способе изготовления мозаичного электрода с меднозакисными фотоэлементами для иконоскопа.Для получения...

Номер патента: 66081

Опубликовано: 01.01.1946

Автор: Панков

МПК: H01J 29/45

Метки: высоковольтная, катодная, трубка

...СССРщью потенциометра, задающего напряжения на электроды секционированной трубки. Предмет изобретения Редактор А П. Бидевкин Текред А. А, Кудрявицкая Корректор П, 4. Евдокимо Поди. к пе Зак. 2390.П 1-62 г.ЦБТИ при Формат бум. 70 Х 108/1 аТираж 200омитете по делам изобретенипри Совете Министров СССР.26 оскв ография ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР, Москва, Петровка, 14. Высоковольтная катадная трубка для ускорения положительных ионов, снабженная несколькими последовательно расположенными ускоряющими электродами, отл и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью уменьшения электронного тока через трубку, появляющегося вследствие выбивания электронов из пластинки, на которую падают положительные ионы,...

Номер патента: 121200

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Нефедьев

МПК: H01J 29/45

Метки: мишень, передающей, телевизионной, трубки, электронно-лучевой

...и вм, чв вид,сок,ветви Известные мишени для передающих телевизионных устройств с однострочным разложением в трубках мгновенного действия мало чувствительны и имеют небольшой срок службы из-за ьыгорания фотосопротивления при коммутации одной строки.В описываемом изобретении этп недостатки устранены тем, что мишень выполнена в виде непрозрачной металлической пленки и ряда металлических полосок. Между концами полосок и металлической пленкой нанесен светочувствительный слой.Конструкция мишени изображена на чсртеже.На стеклянддую подложку трубки 1 нанесен проводящий непрозрачный слой 2, на котором имеется ряд штрихов 3 и 4. Ширина участков проводящего слоя, ограниченная пдтрихами 4 выбрана меньшей, чем размер элемента изображения, На...

Номер патента: 395925

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Баске, Любин, Прокатор, Федорова

МПК: H01J 29/45, H01J 31/38

Метки: впт5фвад, пит

...и определяется, в основном, условием наибольшего30 поглощения света. Толщина аморфной про395925 Р(2 -АЯхЯ 1 з 40 где 0(Х(1,5. Составитель И. ЕреминаТекред А. Камышникова Корректор Л, Царькова дактор А. Морозова Подписнос ография, пр, Сапунова, 2 3слойки мишени может изменяться в пределах от 0,05 до 0,7 мклю в зависимости от выбора материала этой прослойки и от толщины слоя селенида кадмия. Ограничение толщины второй прослойки обусловлено, главным образом, возможностью образования эффективного гетероперехода. Нарушение оптимальных толщин прослоек ведет к падению чувствительности, росту темновых токов и величин остаточного сигнала при перекрывании света.Тщательное изучение вольтамперных, люксамперных характеристик, инерционности...

Номер патента: 396750

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Козлов, Ломасов, Тимофеев

МПК: H01J 29/45, H01J 31/38

Метки: мишень, передающей, телевизионной, трубки

...прозрачное проводящее покрытие 2 из Яп 02, служащее сигнальной пластиной. На сигнальную пластину нанесен слой РЬОкоторый состоит из двух прослоек, Первая прослойка 3 пред ставляет собой тонкии слой РЬО р-типа проводимости, степень легирования,которой подоорана так, чтооы создать узкий инверсионный переход на границе с проводящим покрытием. Вторая прослойка 4 состоит из оки си свинца с проводимостью, близкой к собственной. 11 ожст быть использовано покрытие 5, представляющее собой либо тонкий слой кристаллической пли стеклообразной окиси свинца р-типа проводимости, либо слой диэлектри ка, изгибающего энергетические зоны вверх.Покрытие толщиной 0,05 - 0,5 лтклт защищает поверхность мишени от воздействия электронного пучка.Процессы,...

Номер патента: 442534

Опубликовано: 05.09.1974

Авторы: Баско, Белозерова, Еременчук, Прокатор

МПК: H01J 29/45

Метки: мишень, передающки, телевизионной

...задач.Известна мишень, содержащая сигнальную пластину, гладкий слой на основе активированных медью халькогенидов кадмия, изготовленный химической пульверизацией, и нанесенный поверх него диэлектрической слой из фтористого бария или кальция. Недостаток известной мишени состоит в пониженной устойчивости к выжиганию электронным лучом.Предложенная мишень телевизионной передающей трубки типа видикона отличается от известной тем, что в качестве диэлектрика использован криолит. Благодаря этому повышается устойчивость к выжиганию электронным лучом при высокой чувствительности мишени и малых значениях темновых токов.На чертеже показана предложенная мишень. слоя химической пульверизацией. Толщина фотопроводящего слоя 0,4 - 0,8 мк.Толщина...

Номер патента: 594546

Опубликовано: 25.02.1978

Авторы: Гордиенко, Степанов, Фомина, Хазанович, Цырлин, Чужиков

МПК: H01J 29/45

Метки: видикона, мишень, многоэлементная

...коммутирующего электронного луча в мостовую электрическукэ схему обеспечивает возможность работы трубки, использующей такую мишень как фв режиме с накоплением, так и без накопленияинформации. В предлагаемой мишени все детектирующие элементы образуют замкнутые цепи и электрический потенциальный рельеф формируется независимо от считывающего электронного луча,Телевизионная трубка, в которой используется предлагаемая ми шень, работает следующим образом. Сопротивления элементарных участков фотопроводящего 1 и резистивного 7 слоев, ограниченных размерами ячеек 30соответствующих сигнальных сеток 2 и 5, включаются в электрическую цепь последовательнос источниками питания Би Б;. Для каждогоиз чувствительных элементов мишени образуются внутренние...

Номер патента: 640384

Опубликовано: 30.12.1978

Авторы: Захарова, Плахов, Черкасов, Ятлинко

МПК: H01J 29/45

Метки: видикона, мишень

...любым известным методом, позволяющпм получить дцскпетцыс640384 Формула изобретения Составитель В. БелоконьТехред А. Камышникова Редактор Н. Коляда Корректор О. Тгорина Заказ 2358/17 Изд. Мо 810 Тираж 922 Подписное НПО Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапуновгь 2 структуры с требуемым шагом, например, методом фотолитографии и химического травления. Сигнальная пластина с дискретным сигнальным электродом имеет диапазон прозрачности, ограничиваемый краем полосы пропускания подложки,Использование сигнального электрода, выполненного в виде дискретного растра, приводит к значительному уменьшению потерь световой энергии, особенно в вакуумной УФ области...

Номер патента: 664239

Опубликовано: 25.05.1979

Авторы: Концевой, Корнилов, Мирошникова, Пятышев

МПК: H01J 29/45

Метки: крепления, пластины, полупроводниковой, узел

...хорошую адгеэию всей металлизации. Яа слой. никеля напылен слой 4 меди толщиной 1-:2 для хорошей адгезии серебряного с Серебряные покрытия 5 и 6 кремние пластины и термокомпенсатора, полученные гальваническим способом, раство" ряются в припое 7 индий-серебро и образует прочный паяный шов на основе твердого раствора индий-серебро. Слой 8 меди обеспечивает адгезйю серебряного покрытия 6 к слою 9 никеля, нанесенному на кремниевый кольцеобразный термокомпенсатор 10.Термокомпенсатор изготовлен из кремния, внешний "диаметр его равен диаметру полупроводниковой пластины, а внутрейний диаметр равен внутрен664239 4Формула изобретения нему диаметру кольцевого основания;высота термокомпенсатора 0,2 см.Термокомпенсатор соединен с молибденовым...

Номер патента: 686105

Опубликовано: 15.09.1979

Авторы: Евланова, Орлов, Соколова

МПК: H01J 29/45

Метки: видикона, мишени, слой, фотопроводящий

...мишень расположена так, что фотопроводящий слой сканируется электрон ным пучком, а свободная сторона диска обращена в сторону предмета, изображение которого передается.6861 Составитель В. Белоконьина Техред . Петко Корректор М, П Редактор з 5472/52ОНИ 23твениого комит обретений и откЗГ, Раушская Тираж ИПИ Государс о делам и 5 Москва Ж одпис а СС ытийаб., д. 4/ 113 Филиал ППП Патент г, Ужгород, ул. Проектная 4 Спектральная характеристика фотопроводящего слоя расположена в коротковолновой области, Ее максимум соответствует 370-400 нм,На чертеже представлена кривая, иллюстрирующая работу видикона с фотопрсводящим слоем в режиме регулируемойпамяти,Интервал времени т, -соответст вует циклу записи в импульсном режиме с временем экспозиции...

Номер патента: 748575

Опубликовано: 15.07.1980

Автор: Федоров

МПК: H01J 29/45

Метки: видикона, мишень

...мирами, а также междуполоской и соседней мирой 50 мкм, Ширина 4каждой миры и полоски 25 мм. Все мирыи полоски расположены на одной половинедиска, отступая от одной из осевых линийдиска на )00 мкм, симметрично другой осевой линии диска.После изготовления мир и полоски на зеэту же сторону диска наносятся последовательно слой из Ъ.О Е= 0,5 мкм, являющийся сигнальной пластиной и фотопроводящий слой стибнита 6= 2 мкм. Диск сизготовленной мишенью соединяется посредством индиевого сочленения с колбой, Прожектор, используемый в видиконе, должобеспечивать разрешающую способностьвидикона не менее 600 лин. Если вместо В мишень видикона с диаметром 40 мм, имеющей стибнитовый фотослой, миры и полоска выполнены из хрома толщиной О,) м или и ал...

Номер патента: 855787

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Степанов, Фомина, Чужиков

МПК: H01J 29/45

Метки: видеосигнала, датчик, компенсацией, фона

...условиях и данном уровнеосвещенности мишени, если й ш йр.Это условие не нарушается при наблюдении объекта на меняющемся фоне, Если всегдай,-дй, -й -дйр,где Ьйф - изменение сопротивления приемного слоя засчет фоновой облученности мишени;.Дйр - изменение сопротивлениярезистивного (коммутируемого) слоя при его освещении от вспомогательного источника.За счет того, что в цепи коллектора отраженных электронов включена: йк, С-цепочка, сигнал с которойподается в цепь питания источника вспомогательного освещения, а реэистивный слой выполнен чувствительнымк этому источнику, в видиконе последнее равенство может поддерживатьсянепрерынно и автоматически. Наиболееуспешно датчик с таким видикономможет быть использован при визуализации точечных...

Номер патента: 598450

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Зефиров, Прокатор, Федорова, Якименко

МПК: H01J 29/45

Метки: видикона, мишень

...составляющих гетеропереход, на покрытые прозрачной проводящей пленкой ЯпОз пли УпзОз стеклянные план- шайбы.Поликристаллическпе слои твердого раствора Сд 5 е - СдТе образуются при конденсации паров исходного твердого раствора а нагретых подложках, Твердые растворы могут иметь содержание СОТе от 5 до 95 вес,о/о. Медь и хлорид кадмия вводят в шихту при синтезе исходного твердого раствора, Толщину запыленного слоя варьируют в пределах 0,5 - 10 мкм.После напыления поликрпсталлический слой твердого раствора подвергают активационному отжигу, Затем на слой твердого раствора напыляют слой высокоомного фотопроводника Аз,Безье Азз,Р.1 ез или АзЬМз. Могут быть использованы также Аз.Яз, Р,Без, Азз 0 з, Уп 5 и УпЬе.Толщину слоя фотопроводнпка в...

Номер патента: 961000

Опубликовано: 23.09.1982

Автор: Зефиров

МПК: H01J 29/45

Метки: мишень, передающей, телевизионной, трубки

...Объем от-окачивают до р=5 10 Па, после чего при термическом испарении материала на сигнальной пластине формируется фоточувствительный слой с блокирующей прослойкой, В приведенном примере подъем температуры в начальный момент соответствует ЗСС/мин. Затем скорость испарения увеличивается в 4,5 раза в интервале 290-380 С и слой 3 формируется за 3,5 мин.Мишени (фиг, 2) имеют малые значения темнового тока при больших напряжениях (кривая 1), Темновой ток такой мишени очень мал и составляет менее 1 нА который начинает незначительно возрастать, при напряжениях более 60 В. Йействительно, образование блокирующей прослойки из кислородсодержащих соединений предотвращает инжекцию основных носителей из электрода в фоточувствительный слой при...

Номер патента: 1010677

Опубликовано: 07.04.1983

Авторы: Коротин, Красницкая, Попов, Эминов

МПК: H01J 29/45

Метки: мишень, мозаичная, передающей, телевизионной, трубки

...общей областью 17 затвора, которая сужаясь, переходит в узкую область 18 затвора МОП-транзистора. Исток 19 и сток 20 этого транзистора соединяются через источник 10 тока с предусилителем 8, Область 18 затвора подключена к источнику 11 тока, второй полюс которого подсоединен к системе 21 истоков МОП-транзисторов 22, каждый на одну сторону мозаики. Стоки 23 этих транзисторов соединяются с резистивными коллекторными затворами 16. Затворы 24 этих МОП-транзисторов изготовлены из материала с малой работой выхода электронов и их достигает электронный луч 25 сканирующий мозаику островков 13,Под заряженными отрицательно МДП-островками (Фиг.З) образуются обедненные области 26. Коллекторный затвор 16 расположен поверх диэлектрика 27,...

Номер патента: 1825222

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Емельянов, Занозина, Зорин, Тимофеева, Фещенко, Циновой

МПК: H01J 29/45

Метки: pin-фотодиодной, видикона, мишени

...связано, по-видимому, с локальными дефектами кристаллической структуры, сильнее проявляющимися в условиях неравномерного распределения напряженности электрического поля по толщине мишени.Для получения стабильной и достаточно высокой фоточувствительности в интересующей нас области спектра и отсутствия остаточных изображений необходимо, чтобы напряженность поля внутри кристаллитов была несколько выше, чем в плотной прослойке, В предлагаемом способе изготовления мишени за счет уменьшенной, по сравнению с прототипом, концентрации галогенов и некоторого превышения минимальной концентрации сурика, допускаемой формулой (2), над его минимальной концентрацией, соответствующей формуле (1) (см, фиг. 3), слой после нап ыления имеет небольшую...