Патенты с меткой «подложке»

Номер патента: 1780060

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Кожаринов, Крюков, Сафронова, Сушенцов

МПК: G01R 27/00, G01R 31/12

Метки: диэлектрических, качества, металлической, подложке, покрытий

...преда:ьеиае устройство,Устройство содержит электрод 1 игольчатой формы, расположенный с зазорам нормально к контролируемому диэлектрическому покрытию 2 с дефектом 3 на металлической подложке 4, выполненной на массивном диэлектрическом основании 5. Электрод 1 подключен к выходу высоковольтного источника б питания и закреплен в коническом диэлектрическом держателс 7, основание которого выполнено в виде металлической шайбы 8, Металлическая шайба 8 через сопротивление 9 заземлена, а частота тока утечки регистрируется с помощью измеритель.1 ага блока 10.Предлагаемое устройство работает следу 1 оьцим Образам,Электрод 1 игольчатой формы, закрепленный в центре конического диэлектрического держателя 7 располагается с зазором нормальна Г Ове 1...

Номер патента: 1805346

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Баязитов, Саврасов

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезии, диэлектрической, металлической, пленки, подложке

...ау = 0,72.10 Па, что составляет 0,36 адгезионной прочности алюминиевого покрытия (Оад = (1,5 - 2).10 Па).Экспериментальная точность предлагаемого способа составляет 0,62-0,64%, что обусловлено в основном ошибками оператора и аппаратурными погрешностями,П р и м е р 1. Измерение адгезии пленки алюминия (которая для большинства оптоэлектронных изделий нормируется как Оад =7=(1,5-2).10 Па), К электростатическому зонду (ЭСЗ), представленному в виде алюминиевого стержня с рабочей площадкой диаметром Э - 2 мм и с покрытием на ней из окиси алюминия толщиной 0,1 мкм с диэлектрической проницаемостью я = 9 и электрической прочностью Епр = 9.10 В/м, определяем максимально возможное значение прикладываемого потенциала Омакс = дЕ, где д 0 - толщина...

Номер патента: 1808014

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Венер, Годовикова, Зубов, Куликова, Мчедлишвили, Орлова, Сабуров, Щеголь

МПК: C12N 11/08

Метки: иммобилизации, кислот, нуклеиновых, подложке, полимерной, фрагментов

...с цетавлоновой солью полученного, какописано выше, фосфамида олигонуклеотидатретичного амина, Реакцию ведут при комнатной температуре в течение 12 ч, Полоскупромывают 1 мл М,й-диметилформамида иопускают в 2 -ный раствор перхлората ли. тия в ацетоне, Через 15 мин полоску промывают водой (5 х 2 мл) в течение 60 мин,раствором 0,5 м КаС 1; 0,1 М Трис-НО рН 7,5;0,05 Твин(2 х 5 мл), затем водой (2 х 5),Хранят при -4 С, Количество присоединенного к лавсану олигонуклеотида оценивают,используя Р-меченный образец, Радиоактивность на лавсане детектируют просчетом в жидкостном сцинтилляционномсчетчике. Табл.1 иллюстрирует воспроизводимость способа иммобилизации олигонуклеотида на полимерную подложку,Для определения равномерности...

Номер патента: 1832136

Опубликовано: 07.08.1993

Авторы: Егоров, Темиров

МПК: C23C 16/40

Метки: ванадия, двуокиси, диэлектрической, пленок, подложке

...температура Т 2 На фиг.2изображена кривая гистеразиса коэффици.ента отражения от нагреваемой пленки.Способ реализуется следующим образом,40Предварительно подготовленные подложки помещаютсл в зону осажденил реактора, а необходимое количествометаллоорганическоо со дине иил ванадия- в зону испарения, Геатор откаливается,устанавливаются необходимые потоки смеси инертного газа и кислорода, устанавливаетсл рабочее давление в реакторе,Вклкчаетсл печь эоны осаждения и проводится предварительнал термообработкаподложек, Устанавливается необходимаятемпература подложек Т 2, при которой проводят процесс осаждения Ч 601 з, Включается печь зоны испарения, устанавливаетсянеобходимал температура Т 1 и проводитслпроцесс выращивания пленок Чв 01 з....

Номер патента: 1835043

Опубликовано: 15.08.1993

Автор: Лисицына

МПК: G01B 7/10

Метки: диэлектрической, подложке, покрытий, токопроводящих, толщины

...ЭДС различной величины ,и появляется выходной сигнал. Толщина проводящих пластин й должна превышать величину глубины проникновения д электромагнитных колебаний используемой частоты в материал пластин, которая рассчитывается по известной формуле где о - круговая частота тока возбукдения; ,иа - абсолютная магнитная проницаемость материала пластин; У- его удельная электропроводность, с целью достижения наибольшей концентрации (наибольшего выпучивания) электромагнитного поля за пределами щелевых прорезей 2 и 3, а следовательно - для обеспечения наибольшей чувствительности прибора, Электромагнитное поле в толще проводящего материала затухает по экспоненте, Расчеты показыва- ют, что, например, при частоте тока возбуждения 10 ЧГц на глубине...

Номер патента: 1398641

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Белых, Тимашев, Федорец, Якименко

МПК: G03F 7/26

Метки: контактной, маски, подложке, прозрачной

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТНОЙ МАСКИ НА ПРОЗРАЧНОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающий нанесение на ее рабочую поверхность слоя фоторезиста, формирования скрытого изображения путем экспонирования фоторезиста актиничным излучением с использованием поглощающего покрытия и проявление скрытого изображения, отличающийся тем, что, с целью улучщения точностных параметров маски, поглощающее покрытие формируют на обратной стороне подложки толщиной не менее четверти длины волны экспонирующего излучения, причем в качестве материала поглощающего покрытия используют медь.

Номер патента: 1400019

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Максимов, Михайлова, Соловьева

МПК: C03C 8/24

Метки: герметизации, головок, интегральных, кремниевой, магнитных, подложке, стекло

СТЕКЛО ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МАГНИТНЫХ ГОЛОВОК НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающее B2O3, ZnO, GeO2, PbO и оксид ниобия, отличающееся тем, что, с целью повышения устойчивости к кристаллизации, в качестве оксида ниобия оно содержит Nb2O5 и дополнительно V2O5, Al2O3, Bi2O3 и Ta2O5 приследующем соотношении компонентов, мас.%:Ba2O3 15-20ZnO 22,8-35GeO2 15-21,5PbO 0,1-4Nb2O5 0,2-5V2O5 22,2-30,5Al2O3 3-6Bi2O3 0,1-5

Номер патента: 689411

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Гунина, Лаврентьев, Логутова, Поярков, Степанов, Черников

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезии, пленки, подложке

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ АДГЕЗИИ ПЛЕНКИ К ПОДЛОЖКЕ, заключающийся в том, что к пленке прикладывают отслаивающее усилие, а об адгезионных свойствах судят по наличию неконтактирующей площади, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения адгезии фоторезистивных пленок, поверхность пленки подвергают ионному легированию, подложку с пленкой нагревают, а об адгезионных свойствах судят по наличию вздутой пленки.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что легирование осуществляют ионами фосфора с энергией 100 200 кэВ и дозой легирования 100 500 мкКл/см2.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что легирование осуществляют ионами бора.4. Способ по п.1, отличающийся тем, что легирование осуществляют ионами сурьмы.

Номер патента: 1602279

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Абрамян, Мелкумян, Мкртчян, Петросян

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремниевой, подложке

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТОВ К КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающий вакуумное напыление алюминиевой пленки, формирование контактной площадки и термокомпрессионную сварку золотого микропровода с контактной площадкой, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контактов, после напыления алюминия, не нарушая вакуума, на поверхность алюминиевого слоя напыляют слой меди толщиной 500 3000 .

Номер патента: 1565302

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Бунин, Иноземцев, Кораблин, Малахов, Самохин, Серова

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: подложке, полупроводниковой, рельефа

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФА НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающий последовательное нанесение на подложку слоев электронорезисторов с термообработкой каждого слоя, формирование многослойной маски путем экспонирования и проявления системы слоев и перенос рисунка маски в подложку путем химического травления подложки в окнах маски, отличающийся тем, что, с целью повышения точности получения точности элементов рельефа, нанесение на подложку первого слоя электронорезиста осуществляют из раствора сополимеров полиметилметакрилата и метакриловой кислоты в смеси бутилацетата, толуола и этилцеллозольва, причем данный слой наносят толщиной 0,01 - 0,1 мкм, а его термообработку проводят при 210 - 220oС.

Номер патента: 1567030

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Богушевич, Николенков, Самохин, Сутырин, Хриткин

МПК: H01L 21/312

Метки: арсенида, галлия, литографии, метка, подложке, совмещения, электронной

МЕТКА СОВМЕЩЕНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ЛИТОГРАФИИ, выполненная в виде углубления в подложке, имеющего плоское дно, и выступов, расположенных на дне углубления, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности совмещения, поперечное сечение выступов имеет треугольную форму.

Номер патента: 1820831

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Орлова, Серянов, Соколова

МПК: H05K 3/18, H05K 3/42

Метки: диэлектрической, металлизации, отверстий, подложке

...в растворе РсС 2, после финишной химической игальванической металлизации составляли0,016-0,03 Ом, что не отличается от результатов, обеспечиваемых технологией-прототипом и удовлетворяет техническимтребованиям (менее 0,5 Ом).Активация в растворе МС 12. Процесспроводится так же, как указано выше, но сцелью устранения расхода драгметалла РОиспользуется раствор Й 1 С 12 5 г/л ИС 2 4.5НгО, После лазерной прошивки с одновременной растворной активацией образуютсяконические отверстия со средним радиусомй = 117-148 мкм (фиг,З) при скорости осаждения= 11-12 мкмс и толщине активирующего слоя гт= 11 - 13,5 нм. Сопротивлениеактивированного никелем отверстия составляет 3,9 10 Ом. что отвечает обраэо 9ванию сплошной пленки узкозонногополупроводникового...

Номер патента: 1611151

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Абрамян, Есаян, Мкртчян, Петросян

МПК: H01L 21/00

Метки: золото-алюминий, контакта, кремниевой, подложке

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТА ЗОЛОТО-АЛЮМИНИЙ НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ по авт. св. N 152975, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных и надежности приборов, перед напылением меди алюминиевый слой выдерживают в течение 5 10 мин не нарушая вакуума.

Номер патента: 1170889

Опубликовано: 27.10.1998

Авторы: Дубровин, Мурзинов, Рубанова, Стрюкова, Чекалов, Шварцвальд, Шевцов

МПК: G03C 1/74

Метки: подложке, стеклянной, фотографических

Способ изготовления фотографических материалов на стеклянной подложке путем последовательного нанесения на подложку желатинсодержащих растворов вспомогательных и эмульсионных слоев при относительном поступательном перемещении поливного устройства и подложки вдоль линии полива, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности слоев фотоматериалов на истирание, растворы слоев наносят под углом между линиями полива смежных слоев, составляющим 10 - 170 градусов.

Номер патента: 1600564

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Журавлев, Кислецов, Кусочек, Яббаров

МПК: H01G 4/08

Метки: диэлектрической, пленок, подложке, сегнетоэлектрических

Способ получения сегнетоэлектрических пленок на диэлектрической подложке, включающий нанесение на подложку слоя порошка сегнетоэлектрика и последующую термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и упрощения процесса, в качестве диэлектрической подложки используют полимерную пленку, при этом, порошок используют с размерами частиц, выбранными из соотношенияd = (0,1 - 0,0025)h,где d - диаметр частиц порошка;h - толщина полимерной пленки,а термообработку осуществляют однородным скользящим по поверхности подложки разрядом с объемной энергией (2 - 3) х 105 Дж/м3, числом импульсов 5 - 6, частотой следования импульсов 5...

Номер патента: 738456

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Куликов, Немтинов, Пашков

МПК: G03F 7/04

Метки: изображения, подложке, полимерной, полиметилметакрилате, преимущественно

Способ получения изображения на полимерной подложке, преимущественно на полиметилметакрилате, включающий нанесение на поверхность подложки светочувствительного материала, формирование защитной маски, окрашивание пробельных участков поверхности подложки в растворе органического красителя, удаление защитной маски, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изображения, перед нанесением светочувствительного материала на поверхность подложки последовательно наносят слой токопроводящей эмали и гальванический слой меди, а после формирования защитной маски проводят избирательное удаление нанесенных слоев.

Номер патента: 1103703

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Аносова, Груз, Мороз, Перепелкин

МПК: G03C 1/91

Метки: адгезионного, галогенсеребряных, композиция, подложке, слоя, стеклянной, фотоматериалов

Композиция для изготовления адгезионного слоя галогенсеребряных фотоматериалов на стеклянной подложке, включающая желатину, кремнекислый натрий, хромовокалиевые квасцы, этиловый спирт и воду, отличающаяся тем, что, с целью повышения адгезии желатинового эмульсионного слоя к подложке, она дополнительно содержит полимер с мол.м. 10000 - 15000, выбранный из ряда: полиакриловая кислота, полиакриламид, поливинилпирролидон, а также кристаллогидрат хлорного олова или тетраэтоксиолова при следующем соотношении компонентов, мас.%:Желатина - 0,25 - 0,35Полимер - 0,25 - 0,35Кремнекислый натрий - 0,3 - 0,7Хромовокалиевые квасцы - 0,15 - 0,25Хлорное олово или...

Номер патента: 1112913

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: G03F 7/26

Метки: подложке, стеклянной, фотошаблона

Способ изготовления фотошаблона на стеклянной подложке, включающий нанесение на нее пленки хрома, фотолитографию по металлу и ионное облучение, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости фотошаблона, пленку перед фотолитографией облучают ионами бора или азота, или углерода с энергией, обеспечивающей средний проецированный пробег ионов (Rp) в пределах 1/3 Rp dM, где dM - при дозах обучения 1017-5oC1818ион/см2, а после фотолитографии нагревают фотошаблон...

Номер патента: 1598776

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Бобылев, Марчишин, Овсюк, Усик

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, изолирующей, носителей, подвижности, подложке, слоях, эпитаксиальных

Способ определения подвижности носителей заряда в эпитаксиальных слоях на изолирующей подложке, заключающийся в создании поверхностного барьерного контакта к эпитаксиальному слою, приложении к структуре высокочастотного тестирующего напряжения и напряжения постоянного смещения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности измерения подвижности у границы раздела подложка - пленка, к структуре дополнительно прикладывают низкочастотное модулирующее напряжение и измеряют зависимость сигнала производной емкости по напряжению от напряжения смещения, находят отношение сигнала в максимуме измеренной зависимости к сигналу при нулевом смещении, после чего по величине этого отношения по...

Номер патента: 1160754

Опубликовано: 27.12.2013

Авторы: Бодяко, Кремко, Куприянов, Поболь, Роман, Шипко

МПК: C23C 4/00

Метки: газотермического, износостойкого, подложке, покрытия, сплавов, титановых

Способ получения износостойкого газотермического покрытия на подложке из титановых сплавов, включающий плазменное напыление порошка на основе рутила на поверхность подложки и последующий нагрев покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии покрытия, его напыляют толщиной 0,3-0,5 мм, а нагрев осуществляют в вакууме при давлении не более 4·10-2 Па электронным лучом со скоростью 1000-1200°C/с до температуры 1680-1800°C с изотермической выдержкой 1-10 с.