Патенты с меткой «подложке»

Номер патента: 1420481

Опубликовано: 30.08.1988

Авторы: Матвеев, Покалицын, Толстиков

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезии, подложке, покрытия

...полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная Изобретение относится к испытательной технике, может быть использовано при исследовании адгезии полимер"1ных материалов и является усовершенствованием изобретения по авт.св. Ф 1073287.Цель изобретения - повышение точности определения адгезии путем,учета влияния деформационных свойств покрытия на его адгезию к подложке.На Фиг.1 изображена схема устройства; на Фиг.2 - верхний диск, вид со стороны канавки.Устройство содержит два зажимных 15 диска 1 и 2 верхний из которых образует полость по Форме спирали Архимеда в виде канавки 3, имеющей в поперечном сечении Форму полукруга и выполненной из последовательных 20 участков постоянного сечения с возрастающим по мере удаления от оси спирали от...

Номер патента: 1429001

Опубликовано: 07.10.1988

Авторы: Баранец, Боярунас, Рудман, Скиба

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезионной, подложке, покрытия, прочности

...покрытия к подложке путем учета усилия, потребного на когезионное раз. рушение материала покрытия. 10Способ осуществляют следующим обра зом.На поверхность подложки наносят одним из известных способов испытуемое покрытие и доводят его до отверж дения, Со стороны покрьггия к полученному образцу подводят индентор и производят скрайбирование покрьггия по линии. Измеряют при этом глубину Ь внедрения индентора и возникающие уси.20 пия Г скрайбирования. Отводят индентор на новый .участок поверхности покрытия, увеличивают глубину внедрения индентора и производят скрайбирование покрытия по новой линии. Постепенно увеличивая глубину внедрения индентора и переводя индентор на новые участки поверхности покрьггия, скрайбируют покрытие до...

Номер патента: 1437748

Опубликовано: 15.11.1988

Автор: Артемьев

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезионной, магнитной, оценки, пленки, подложке, прочности

...пленки к подложке осуществляют следующим образом.Образец магнитной пленки на под" ложке подвергают механическому воздействию и измеряют параметр этого воздействия, по которому оценивают адгезионную прочность. В качестве параметра воздействия регистрируют намагниченность магнитной пленки, измеряют ее до и после механического воздействия и по разности измеренных значений оценивают адгезионную прочностьП р и м е р. Образец магнитной пленки на полиамидной подложке до механического воздействия помещают в камеру вибрационного магнитометра типа Э М 2-9, в которой создают постоянное магнитное поле величиной -100 Э, прикладывают к образцу виброколебание с частотой -180 Гц и измеряют намагниченность магнитного слоя 1,. Затем испытуемый...

Номер патента: 1442885

Опубликовано: 07.12.1988

Авторы: Золочевская, Иванов, Каширин, Коваленко, Кожевникова, Мандрыка, Сыч, Хорошилов

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезии, оценки, подложке, покрытия

...надрезам, выполненным в покрытии. По прекращении нанесения сетки надрезов оценивают адгеэию покрытия к подложке, 5 ил. Количество рычагов 2, эакрепляемых на платформе 1, выбирают иэ условия сбалансированности работы платформы 1.Устройство работает следующим обраэом.Подложку 17 с нанесенным на нее покрытием 18 устанавливают на платформе 1 и закрепляют зажимами 16. Устанавлинант рычаги 2 и фиксируют их размещение на платформешарнирами О с пружинами 1 путем ввода выступов 14 в гнезда 5 так, чтобы грузы 5 уп рались в фиксаторы 6, торцы ползунов 8 контактируют с роликами 13 сегментов 12, а иглы 4 находятся в покрытии 18. Включают привод,. и начинают вращать платформу . Фиксаторы 6 в начальный момент вращения платформы 1 не дант...

Номер патента: 1455334

Опубликовано: 30.01.1989

Авторы: Бретош, Гофман, Гусельщиков, Десятник, Дубовский, Покаров, Штрейс

МПК: G03F 7/00

Метки: изображения, металлической, подложке, рельефного

...пульверизаторомкопировальныйслой на основе хинондиазидов (ФПо051 Т), сушат при 25 С в течение 7 мин.Перед экспонированием материал подвергают выдержке,при 30 С в течениео12 ч, экспонируют 11 мин, проявляютв слабощелочном водном растворе (рН7,5-9,0) азотной кислоты в течение3 мин и травят 4 ч.П р и м е р 3. Латунную подложкуобрабатывают 57.-ным раствором смесигидроксида натрия и гидроксида калияв этаноле, затем 57.-ным растворомэпоксидной смолы ЭДв ацетоне, наносят на нее восьмикратно пульверизатором копировальный слой на основециклокаучука (ФН, ТУ 6-14-681-78),сушат при 35 С в течение 5 мин. Полученный материал экспонируют 6. мин,затем проявляют в уайт-спирите в течение 2 мин и травят 3 ч. При этомперед экспонированием необходима...

Номер патента: 1465694

Опубликовано: 15.03.1989

Авторы: Жердев, Каныгин, Каныгина, Киселев, Смажелюк, Усова

МПК: G01B 11/06

Метки: подложке, слоя, толщины

...Заказ 932/40 Тираж 683 Подписное ИБИПИ Государственного комитета поизобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Иосква, Ж, Рауйская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101 з 146 занной толщины покрывают путем вакуумного испарения тонким (3-5 нм) полупрозрачным слоем металла, не имеющего собственной окраски (А 1, М, Рй), Напыление слоя металла толщиной менее 3 нм не дает яркой интерференционной окраски, а слоя более 5 нм приводит к тому, что образец приобретает серебристый "металлический" блеск, Следовательно, для анодированного слоя алюминиевой консервной ленты (АКП) оптимальная суммарная толщина напыляемых слоев диэлектрика и металла составляет 50- 70 нм + 3-5 нм.Окраска...

Номер патента: 1497514

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Байрачный, Ведь, Заховаев, Поспелов, Сахненко, Ярошок

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезии, диэлектрического, подложке, покрытия, токопроводящей

...адгеэцц определяют иэ соотношения .А: сУ. 1, Щ где- приращение напряжения в течение времени переходногопроцесса Б;1 - амплитуда тока, А;лвремя переходного процесса, с,По значению А определяют адгеэию покрытия,П р и м е р , Образец иэ стали 08 кп с грунтовкой БЛотделили от инертной подложки и подключили к источнику тока, работающему в следующем режиме: амплитуда тока изменяется от 0,01 с шагом 0,005 А; длительно сть импульса составляет 0,1 с; скважность импульса возрастает от 100Материал под- ложки Тип грунтовки БЛЭФФЛк Сталь 08 кп Алюминий А 8 Ст екл оу глерод СУ119, 89,3 37,6 23,4 15,6 12,3 1,80,8 0,2 Формула изобретения Способ определения адгезии диэлектрического покрытия к токопроводящей подложке, заключающийся в том, что...

Номер патента: 1518834

Опубликовано: 30.10.1989

Авторы: Данилов, Пеков, Перелыгин

МПК: H01L 21/60

Метки: диэлектрической, кристаллов, монтажа, подложке, полупроводниковых

...предварительного крепления кристаллов, При40этом появляется возможность осуществлять групповое присоединениевсех кристаллов, что приводит к повьппению производительности, а использование однократного теплового воздействия на кристаллы при присоединении повыщает надежность. Кроме того способ позволяет производить совмещение каждого кристалла с диэлектрической подложкой вплоть до термонаг - рева, что обеспечивается простотой их отсоединения, Для этого достаточно удалить постоянные магниты данного кристалла, после чего его можно заменить или возвратив магниты на место, произвести повторное совмещение.Формула и э обретения1. Способ монтажа полупроводниковых кристаллов на диэлектрической подложке, включающий нанесение на поверхность...

Номер патента: 1536274

Опубликовано: 15.01.1990

Авторы: Замятнин, Лысеев, Мельниченко, Подалов

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезии, гибкого, жесткой, отслаивании, подложке, покрытия

...роликов 5 и 6 и отслаиваниепокрытия 8 Фиксируют силоизмерителем 2,Формула изобретения Устройство для измерения адгеэиигибкого покрытия к жесткой подложкепри отслаивании, содержащее корпусдля размещения подложки, последовательно связанные с корпусом силоизмеритель и захват свободного конца покрытия, установленную с возможностью перемещения каретку с закрепленнымна ней отслаивающим роликом, привод л и ч а ю щ е е .с я тем, что, сцелью повышения точности определенияадгезии переменных по толщине покрытий, Фиксирующий ролик установленс возможностью свободного перекатывания по поверхности отслаиваемого покрытия и контактирования через отслаивающееся покрытие с поверхностью отслаивающего ролика,Составитель В,СвиридовТекред М.Ходаанич...

Номер патента: 1599722

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Кузин, Кулешов, Леонтьев, Филатов, Юрин

МПК: G01N 21/45

Метки: диэлектрической, неоднородности, пленки, подложке

...исследуемой пленки. с подложкой производят через дополнительную интерферирующую пленку, нанесенную на поверхность исследуемой пленки,Составитель С.Голубев редактор Т.Парфенова Техред Л,Сердюкова Корректор А,ОсауленкоЗаказ 3137 Тираж 514 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-иэдательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул. Гагарина, 101 верхности интерферирующей пленки, та.к кк эта пленка освещается не под углЬм Брюстера.В местах неоднородности исследуемой неинтерферирующей пленки по показателю преломления свет падает уже не под углом Брюстера и возникает интерференция лучей, отраженных от исппедуемой пленки и нанесенной...

Номер патента: 1603251

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Гусев, Захаров, Орехов, Савинков

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезии, подложке, покрытия

...регистрирующий прибор 24.Устройство работает следующим образом.Подложку 3 с покрытием 4 закрепляют между дисками 1 и 2. Полость 8 заполняют жидкой средой, После заливки жидкости фиксирующим элементом 10 герметизируют полость 8 и устанавливают начало отсчета измерительной системы, что исключает влияние внешней температуры на изменение плотности жидкости. Через штуцер 6 в отверстие 5 в диске 1 на границу раздела подложки 3 с покрытием 4 подают отслаивающую среду под давлением. По мере увеличения давления покрытие 4 начинает отслаиваться от подложки 3 и выпучиваться, Выпучивание изменяет объем жидкой среды в полости 8 и вытесняет ее через отверстие 13 в диске 2 в углубление 12 в стакане 11, при этом происходит сжатие упругого элемента...

Номер патента: 1608500

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Качалов, Орехов, Савинков

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезии, подложке, полимерного

...от подложки 4 и выпучивается в форме сферы, которая достигает верхней центральной точки 40 шарового углубления 7, захватывается рифлениями 8. Рифления 8 позволяют фиксировать пленку симметрично оси действия давления, что исключает влияние неоднородной толщины пленки 45 и ее растяжение с разрывом. В начальный момент воздействия отслаивающего давления полимерный материал 5 начи. нает подниматься над отверстием подложки, образуя сферическую выпуклость в центре покрытия, и поднимается вверх, чем и обусловлено выполнение углубления в виде сферы, т.к, сфера обладает минимальной энергией, равной во всех ее точках. При подъеме пленки в центре и ее достижении в верхней точке рифления 8 пленка как бы накалывается на рифления 8 и фиксируется строго...

Номер патента: 1552940

Опубликовано: 23.12.1990

Авторы: Баргий, Дзян, Мацкевич

МПК: G03F 9/00, H01L 21/312

Метки: знаков, подложке, полупроводниковой, совмещения, формирования

...позволяет получить поверхностьуглублений с раэвитыл рельеФом. Этоспособствует поглощению света, падающего на знаки совмещения, и повышает их контрастность. 3 ил. П р и м е р. Кремниевые подложки ,1 (см,. Фиг. 1) диаметром 100 мм ориентацией (100) и (111) оисляются до толщины окисла 500 А или 1000 А. На часть пластин наносится слой нитрида кремния толщиной 1500 А. Насу 2 для травления знаков совмещения получают методом проекционной Фотолитографии, Размер ячейки знака совмещения Зк 3 или 5 х 5 мкм. Обработку пластин водным раствором, содержащим 0,014)авитель В.Руед Идидыке иа е ю ю е ю а Со Те едактор Т.Иагова аа а Заказ 4333 ВНИИПИ Госу Тираж 461комитета поМосква Ж"3 Подписноезобретениям и открытияРаушская набе д 4/5 ГКНТ СС...

Номер патента: 1626132

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Валко, Геворкян

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезии, подложке, покрытия

...максимальной амплитудой. Синхронная запись зависимостей при индентировании позволяет, определив по диаграмме амплитуда акустической эмиссии - время момент времени, соответствующий зарождению трещины расслоения, определить по зависимости нагрузка на индентор-время нагрузку, соответствующую этому моменту времени и являющуюся критической нагрузкой зарождения трещины расслоения. После этого по значению критической нагрузки и твердости вычисляют вязкость разрушения границы раздела покрытие - подложка по формуле;10 ию А к. Составитель И. Медведевтрушева Техред М,Моргентал Корректор Т. Палий Редактор Заказ 273 Тираж 377 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям.при ГКНТ СС 113035, Москва, Ж, Раушская...

Номер патента: 1635001

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Амельянец, Гуничев, Пчельников, Федичкин

МПК: G01B 15/02

Метки: диэлектрической, металлического, подложке, покрытия, толщины, чувствительный, элемент

...магнитного поля сопровождается изменением фазовой скорости поверхностной волны, что приводит к изменению времени О. Кроме того, время О изменяется в зависимости от температуры Т подложки покрытия, находя 1635001щегося в тепловом контакте с пластиной 1,Действительно, изменение тмпературыприводит к изменению геометрических размеров пластины 1 и диэлектрической проницаемости ее материала, с которым 5взаимодействует электрическое поле поверхностной волны. Таким образом, времяОэависит от величин Л, М, Я, Т, На рабочемучастке многомерной градуировочной характеристики эта зависимость по экспериментальным данным имеет вид;0(Л) = О, (Л 1) 1 + а(Л 1) (Л - Ло) 1+3(Л 1)Хх(М - Мо) 1 + у (Л 1) (Я - 5 о) 1 + д (Т - То),(2)где Оо, Ло,йо, Яо, То -...

Номер патента: 1636857

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Копытов, Сидоренко, Стиканов, Юхименко

МПК: G11C 11/40

Метки: микросхемы, подложке, формирования

...и может быть использовано в интегральных схемах на МДП-транзисторах.Цель изобретения - повышение точности стабилизации формируемого напряжения на подложке микросхемы за счетснижения зависимости этого напряженияот напряжения питания, частоты задающегогенератора, технологии изготовления основных транзисторов. 10На чертеже приведена функциональнаясхема устройства.Устройство содержит задающий генератор 1, усилитель 2, конденсатор 3, первый4 и второй 5 МДП-транзисторы, первый инвертор 6, выполненный на МДП-транзисторах 7 и 8 (транэистор 8 имеет повышенныйв сравнении с отальными транзисторнымиустройствами коэффициент влияния напряжения подложки), второй инвертор 9 (МДПтранзисторы 10 и 11), третий инвертор 12(МДП-транзисторы 13 и...

Номер патента: 1246764

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Кизилов, Курмачев, Мартыненко, Рубцов, Цветков

МПК: G03F 7/26

Метки: изображения, подложке, формирования, фоторезистором

...высотой и стороной трапеции)Искажения первого вида могут появляться нэ-за иеортогональности перемещений кареток кобрдинатного столафотоповторителя при мультиплицированни иэобрайения, искажения второговида " это температурные деформации ,фотошаблоиа 2 или дифракционных ре-,шеток датчиков перемещений стола фотоповторителя.,Величины углов д и ф, характе"риэующие соответственно неортогонапькость и трапециевидность рисунка 1,могут составлять +(1,3 1,7) 10, рад,что на расстоянии ЗО мм от центрафотошаблона 2 вызывает смещения элементов относительно номинально 1 о положения +(0,4,.0,6) мкмП р и м е р. После выявления искажений с помощью компаратора прямоугольный фотошаблон 2 прижимают кподложке 3, (фнг.З, 4) и совместноизгибавт до...

Номер патента: 1675745

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Валко, Геворкян

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезии, качества, подложке, покрытия

...р и м е р. На установке для ионна-вакуумного напыления типа УРМЗ - 279-026 на подложку, выполненную из металла ВК, наносят износостойкое покрытие Т 1 й. При этом поддерживают напряжение на стадии очистки 1300 В и выступ Зх 10 5 мм рт. ст. Время нанесения покрытия 10 мин, Этот же режим выдерживают и при нанесении покрытия на эталонный образец, В покрытие, нанесенное на подложку эталонного образца, вдавливают под увеличивающейся нагрузкой индентор в форме ролика, с углом при рабочей вершине 136 О, который выбран исходя и угла стандартного индентора Виккерса, При внедрении индентора осуществляют синхронную запись диаграмм амплитуда акустической эмиссии-время (фиг. 1) и нагрузка на индентор-время (фиг.2). Датчик акустической эмиссии...

Номер патента: 1575845

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Бенеманская, Лапушкин

МПК: H01L 21/66

Метки: двумерных, зон, металла, металлической, пленки, подложке, субмонослойной, щелочно-земельного, щелочного, электронных, энергии

...света. С помощью поляроида 10 осуществляют поляризацию электрического вектора излучения в плоскости падения облучения(выделяют излучение р-поляризации),Длину волны монохроматического светаизменяют в пределах от Л800 нмКдо длины волны видимого света Л= 400 нм. Линейная дисперсий монохФоматора равна 2 нм/мм, что при ширинещелей монохроматора, равных 1 мм,позволяет использовать для облучения.пленки. участок укаэанного спектра ши".риной ЮЛ = 2 нм. Погрешность измерения длины волны монохроматическогосвета составляет Л, = 0,05 нм. Облучение пленки светом осуществляют подуглом д 45 ф так как .угол Брюстераудля этой системы в видимой облас.Р оти спектра равен )ф= 78Интегральный фотоэмиссионный токрегистрируют в цепи подложка 4 с пленкой -...

Номер патента: 1682767

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Арнаутова, Ивонина, Ишутин

МПК: G01B 11/06

Метки: пленок, подложке, толщины

...в него люмогеном светло-желтым 564 К в концентрации 3 к сухому остатку. Для этого образцы из сплава Д 16 Т размером 50 х 50 х 2 мм, покрытые грунтовкой АК, взвешивают на весах и с помощью краскораспылителя покрывают составом ИВВСМ с введенным в него люмогеном. Причем покрытие составом осуществляют так, чтобы на каждом последующем нным данным строят калиброик (см. чертеж), из которого, иент яркости, можно опредепленки на микровосковой осной на грунтовку,о получей графкозффицолщинунанесен вочн зная лить ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛПЛЕНОК НА ПОДЛОЖКЕ(57) Изобретение относиной технике, а именно к Изобретение относится ной технике, а именно к защи от внешних воздействий факЦелью...

Номер патента: 1682774

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Алексеев, Афонин, Гапочка, Костиенко, Круткова

МПК: G01B 15/00

Метки: подложке, слоя, толщины

...максимальный сдвиг сферического зеркала,где ц - число полуволн между зеркалами пустого ОР;Г- резонансная частота;г 1,1 гз - модули коэффициентов отражения от диагностируемой структуры и сферического зеркала соответственно,Ошибка измерений б,еи диэлектрика или магнетика на слабопоглощающей подложке зависит от параметров исследуемого слоя и подложки, характеристик используемого резонатора и применяемой радиотехнической аппаратуры и может достигать 1 ф, и менее.Таким образом, предложенный способ измерения толщины слоя на подложке отличается от известных повышенной точностью измерения, а также возможностью одновременного измерения толщины слоя и его магнитной или диэлектрической проницаемости, Способ прост в исполнении, не требует дефицитной...

Номер патента: 1572337

Опубликовано: 30.11.1991

Автор: Мягконосов

МПК: H01L 21/312

Метки: подложке, слоя, сушки, фоторезиста

...метод для измерения изменениядиэлектрической проницаемости материаласлоя. В этом случае определение временитермообработки, требуемого для воспроизводимого получения Высококачестгеных 35покрытий из фоторезиста, осуществляютизмерением времени изменения значенийдиэлектрической проницаемости материала слоя емкостным меодом,Сущность изобретения поясняется чертежом, где изображено устройство для реализации предложенного способа.Устройство содержит камеру 1 групповой обработки, состоящую из корпуса 2 суплотнением 3, и.крышки 4 и снабженную 45нагревателем 5, кассету бс подложками 7 сослоями 8 фоторезиста, размещеннуо В камере 1, блока контроля параметров слоя фоторезиста, состояЩего из датчика 9 снанесенным на него слоем Фоторезиста,...

Номер патента: 1708942

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Бесфамильный, Семочкин, Чекунов

МПК: C23C 18/54, C25D 5/10, C25D 5/30 ...

Метки: алюминия, металлических, подложке, покрытий, сплавов

...температура раствора комнатная, После промывки производят химическое нанесение олова из раствора, имеющего следующий состав, г/л: станнат натрия 0-90; гидроокись натрия 10-12; НТФ 1-2, температура 65-70 С, время выдержки 20-30 с, После промывки производят электрохими 1708942ческое осаждение никеля из электролита, содержащего, г/л: сернокислцй никель 180-220; сернокислцй магний 20-30; серно- кислый натрий 30-50; борная кислота 40- 60; хлористый натрий 5-10; кислотность 5-5,5; плотность тока 0,8-2 А/дм; температура 35-40 С. Аноды никелевые марки НПА или НПАв чехлах из ткани "Хлорин", толщина покрытия 8-10 мкм (табл. 1),Электролиты лужения и никелированияготовят из реактивов квалификации х.ч. ич,д.а. и дистиллированной воды, В расчетное...

Номер патента: 1716395

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Рабинович, Трубицына

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезионных, диэлектрической, оценки, подложке, покрытия, свойств

...причем диэлектрик не имеет открытых пор и не поглощает влаги, 10 15 20 25 30 размеров (что бывает необходимо, когда исследуются дорогостоящие материалы), на пример, степень адгезии влагозащитных формулам,55 Затем из укаэанных. материалов были изготовлены ДР рассчитанных размеров,40 45 50 Изменение добротности составного ДР при насыщении его влагой обусловлено свойетвами исследуемого покрытия и степенью его сцепления с диэлектрической подложкой.Поскольку в случае низкой адгезии количество сорбированной влаги в граничных слоях покрытие - подложка много выше, чем количество влаги, поглощенной самим покрытием, значительное снижение добротности ДР (01 Ио0,9) связано с нарушением адгезионной связи покрытия и подложки.Выбор резонансной...

Номер патента: 1727040

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Архипова, Глудкин, Гуров, Конюхова, Назаренко

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезии, диэлектрической, металлических, пленок, подложке, тонких

...техническому рЕшению является способ контроля адгезии тонких металлических пленок к диэлектрическому основанию, заключающийся в том, что пленку,1727040 35 40 45 50 Составитель И.КонюховаТехред М.Моргентал Корректор Н.Ревская Редактор В,Трубченко Заказ 1275 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 нанесенную на диэлектрическое основание,помещают в электромагнитное поле сверхвысокой частоты, увеличивают мощностьполя и определяют адгезию по уровню мощности поля в момент отслаивания пленки. 5Недостатком прототипа является то, чтоданным способом возможно контролировать...

Номер патента: 1732238

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Абдылдаев, Чокоев, Эстебесов, Юнусов

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезии, качества, неразрушающего, пленочного, подложке, покрытия

...покрытия и подложки,кг/мз; 20Си С 2 - соответственно теплоемкостьматериала пленочного покрытия и подложки, Дж/кг (;Ь - толщина пленбчного покрытия,. м; 25а - температуропроводность ма 2териала подложки, м /с,га затем после воздействия импульсалазерного излучения сравнивают площадь участков с большей температурой, чем номинальная температура пленочного покрытия, с площадью всегопокрытия.Сущность способа заклюцается вследующем.На подложку наносят пленку. Затем 35на нее со стороны покрытия воздействуют лазерным импульсом с равномерным поперечным распределением интенсивности при этом около 903 тепловойФ40энергии концентрируется в материалепленки. Оптимальный режим облучениявыбирают иэ следующих условий:зна"чение длительности импульса...

Номер патента: 1742903

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Бляшко, Кедяркин, Пекерская

МПК: H01L 21/477

Метки: арсенида, галлия, подложке, проводящих, участков, формирования

...коэффициентытермического расширения алюмосиликатного стекла и арсенида галлия близки (5 10 и 5,9 10 собтветственно), то минимизируются механические напряжения на границе раздела, что приводит к уменьшению механических повреждений пленки алюмосиликатного стекла и повышению качества маскирования, Кроме того, слой алюмосиликатного стекла наносят прикомнатной температуре и, следовательно,повышенные температуры не воздействуютна незащищенную поверхность арсенидагаллия. Интервалы температур и временидеструкции обуславливаются условиями,необходимыми и достаточными для сформирования защитного слоя. При температуредеструкции меньше 250 С и времени меньше 3 мин не полностью завершаются реакции разложения промежуточных продуктовгидролиза и...

Номер патента: 1572170

Опубликовано: 30.07.1992

Автор: Туберовский

МПК: G01B 7/06

Метки: диэлектрической, пленки, подложке, толщины, электропроводящей

...разлагает электролит, и токв цепи резко падает, цто предотвращает разрушение пленки, По максимальному знацению силы тока и тарировочным зависимостям определяют толщинупленки. 1 ил. станем электрического тока, От истоцника б постоянного тока подаются напряжения на подложку 2 и на электрод 4, поэтому в процессе протек ния тока через электролит сопротивление электролита увеличивается за счет его разложения, цто регистрируют потенциометром 7. Максимальное знацение зарегистрированной силы тока сравнивают с тарировочной зависимостью, которую получают при измерении предложенным способом известных толщин диэлектрических пленок, а также при отсутствии диэлектрицескои плен" ки на электропроводной подложке,ф Составитель И эКОсоян Техред...

Номер патента: 1758678

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Бойко, Дудкин, Магунов, Сухарев, Цацко

МПК: H01B 19/00

Метки: подложке, покрытия

...мкм не приводит к дальнейшему увеличению качества обрабатываемого покрытия.Способ осуществляют следующим образом.П р и м е р 1, В вакуумной камере методом электронно-лучевого испарения одновременно на кремниевую пластину и напластину плавленого кварца из таблетки 30твердого раствора диоксида гафния с20 мол.полуторного оксида неодима проводилось осаждение диэлектрическогослоя.Таблетку твердого раствора состава 3520 мол,% й(120 з - 80 мол.% Н 102 получаютследующим образом,Смешивают 75,9 мл хлорокиси неодимас концентрацией по г 1 б 20 з 386,7 г/л и 457,84мл хлорокиси гафния с концентрацией 160,3 40г/л по Н 102, Раствор разбавляют дистиллированной водой до 3-3,5 л и при постоянномперемешивании проводят осаждение 25 ным аммиаком до рН...

Номер патента: 1762425

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Винкявичюс, Желене, Розовский

МПК: H05K 3/18, H05K 3/42

Метки: диэлектрической, меди, подложке, покрытия, сульфида, электропроводящего

...электропроводности покрытия.Поставленная цель достигается тем, что в способе получения злектропрсводящего покрытия, включающем обработку в растворе сднсаалентной меди, затем в водном растворе структурофсрмируощего вещества. промывку и обработку в растворе пслисульфидсв, в качестве структ/рсформирующего вещества используют водный 0,0025-0,025 М раствор персульфата калия, или йода, или нитрита калия,Изобретение реализуется следующим образом: 1) образцы в течение 30 с обрабатыва от в растворе состава М), СцЯ 045 НгО - 0,4 аммиак - 0,8 до рН=9-9,3) и металли,ес,ая медь в виде пластинки ( 4 дм /л); 2)г на 5-30 с окунают в водный 0,0025-0,025 М раствор персульфата калия, или йода, или нитрита калия и промывают водой, 3) в течение 15-30...